JPH0373148B2 - - Google Patents
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- JPH0373148B2 JPH0373148B2 JP60240125A JP24012585A JPH0373148B2 JP H0373148 B2 JPH0373148 B2 JP H0373148B2 JP 60240125 A JP60240125 A JP 60240125A JP 24012585 A JP24012585 A JP 24012585A JP H0373148 B2 JPH0373148 B2 JP H0373148B2
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は赤外線検知素子の製造において、複数
の赤外線検知用チツプの受光部となる各面に、同
時に陽極酸化処理を施してパツシベーシヨン膜を
形成する方法として、結晶板の一方の面に陽極酸
化処理行うための電極接続用の複数の突起部を形
成し、この結晶板を各突起部単位にチツプ化し、
この複数のチツプを樹脂材により埋め込み硬化し
て該各チツプの厚さを薄層化し、該樹脂埋め込み
形の複数のチツプを、その突起部側を電極基板に
貼着して、前記埋め込み樹脂材より露出する各チ
ツプ表面に、同時に陽極酸化処理を施して確実に
パツシベーシヨン膜を形成することを可能にした
ことである。
の赤外線検知用チツプの受光部となる各面に、同
時に陽極酸化処理を施してパツシベーシヨン膜を
形成する方法として、結晶板の一方の面に陽極酸
化処理行うための電極接続用の複数の突起部を形
成し、この結晶板を各突起部単位にチツプ化し、
この複数のチツプを樹脂材により埋め込み硬化し
て該各チツプの厚さを薄層化し、該樹脂埋め込み
形の複数のチツプを、その突起部側を電極基板に
貼着して、前記埋め込み樹脂材より露出する各チ
ツプ表面に、同時に陽極酸化処理を施して確実に
パツシベーシヨン膜を形成することを可能にした
ことである。
本発明は赤外線検知素子の製造方法に係り、特
に複数の赤外線検知用チツプの受光部となる各面
に、同時に陽極酸化処理を施して容易にパツシベ
ーシヨン膜を形成する方法に関するものである。
に複数の赤外線検知用チツプの受光部となる各面
に、同時に陽極酸化処理を施して容易にパツシベ
ーシヨン膜を形成する方法に関するものである。
一般に、例えば水銀・カドミウム・テルル
（Hg−Cd−Te）等に多元半導体からなる光導電
型の赤外線検知素子の製造方法においては、素子
の厚さが最終的に10μｍ程度の薄層デバイスとな
り、機械的な歪を受け易く、工程での取扱が難し
いことから処理用の絶縁性支持板にHg−Cd−Te
結晶板を接着剤等により貼着した状態で所定の製
造プロセスによつて素子化を行つている。
（Hg−Cd−Te）等に多元半導体からなる光導電
型の赤外線検知素子の製造方法においては、素子
の厚さが最終的に10μｍ程度の薄層デバイスとな
り、機械的な歪を受け易く、工程での取扱が難し
いことから処理用の絶縁性支持板にHg−Cd−Te
結晶板を接着剤等により貼着した状態で所定の製
造プロセスによつて素子化を行つている。
このような製造プロセスにより一度に多数の素
子を形成する場合、そのプロセス中で受光部とな
る各チツプの表面に陽極酸化処理を一度に施して
効率よくパツシベート膜を形成する方法が必要と
されている。
子を形成する場合、そのプロセス中で受光部とな
る各チツプの表面に陽極酸化処理を一度に施して
効率よくパツシベート膜を形成する方法が必要と
されている。
従来、複数の赤外線検知用チツプの各表面に陽
極酸化処理を一度に施してパツシベート膜を形成
する方法としては、第２図ａに示すようにサフア
イア等の絶縁支持基板１上に貼着された複数の赤
外線検知用チツプ２をラツピング、又はエツチン
グ工程により第２図ｂに示すように所定の厚さに
する。
極酸化処理を一度に施してパツシベート膜を形成
する方法としては、第２図ａに示すようにサフア
イア等の絶縁支持基板１上に貼着された複数の赤
外線検知用チツプ２をラツピング、又はエツチン
グ工程により第２図ｂに示すように所定の厚さに
する。
次に第２図ｃに示すように絶縁性支持基板１上
より前記複数の赤外線検知用チツプ２′表面の縁
端部上にかけて陽極酸化処理用の導通接続用の金
属膜電極配線３を蒸着法等により選択的に設けた
後、その電極配線３を用いて該複数の赤外線検知
用チツプ２′表面に陽極酸化処理を施し、パツシ
ベート膜４を形成している。
より前記複数の赤外線検知用チツプ２′表面の縁
端部上にかけて陽極酸化処理用の導通接続用の金
属膜電極配線３を蒸着法等により選択的に設けた
後、その電極配線３を用いて該複数の赤外線検知
用チツプ２′表面に陽極酸化処理を施し、パツシ
ベート膜４を形成している。
しかしながら、上記のように複数の赤外線検知
用チツプ２′表面に陽極酸化処理を一度に施して、
パツシベート膜を形成するために設けた導通接続
用の金属膜電極配線３が、支持基板１面と赤外線
検知用チツプ２′との段差部分において、該電極
配線２′の膜厚該薄くなつたり、また断線すると
いつた所謂、ステツプカバレージが低下する不都
合があり、陽極酸化処理を施した複数の赤外線検
知用チツプ２′中にパツシベート膜４が形成され
ないものが出現するといつた欠点があつた。
用チツプ２′表面に陽極酸化処理を一度に施して、
パツシベート膜を形成するために設けた導通接続
用の金属膜電極配線３が、支持基板１面と赤外線
検知用チツプ２′との段差部分において、該電極
配線２′の膜厚該薄くなつたり、また断線すると
いつた所謂、ステツプカバレージが低下する不都
合があり、陽極酸化処理を施した複数の赤外線検
知用チツプ２′中にパツシベート膜４が形成され
ないものが出現するといつた欠点があつた。
またこのように配設された前記電極配線３によ
り前記各チツプ２′に余分な面積が必要となり、
チツプ面の有効利用の点からも問題があつた。
り前記各チツプ２′に余分な面積が必要となり、
チツプ面の有効利用の点からも問題があつた。
本発明はこのような従来の欠点に鑑み、複数の
赤外線検知用チツプの表面に陽極酸化処理を施す
際に、陽導通接続用の金属膜電極配線を用いず、
複数の赤外線検知用チツプの全表面に確実に陽極
酸化処理が施され、パツシベート膜を形成するこ
とを可能とした新規な赤外線検知素子の製造方法
を提供することを目的とするものである。
赤外線検知用チツプの表面に陽極酸化処理を施す
際に、陽導通接続用の金属膜電極配線を用いず、
複数の赤外線検知用チツプの全表面に確実に陽極
酸化処理が施され、パツシベート膜を形成するこ
とを可能とした新規な赤外線検知素子の製造方法
を提供することを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、第１図ａに
示すように処理用の絶縁性支持基板２１上に赤外
線検知用の半導体結晶板２２を接着剤等により貼
着し、その結晶板２２表面に突起部形成用のレジ
スト膜パターン２３を形成し、該レジスト膜パタ
ーン２３をマスクにして該結晶板２２の表面を選
択的にエツチングして、第１図ｂに示すように高
さが200〜300μｍの複数の突起部２４を形成した
後、該突起部２４を含む結晶板２２表面に陽極酸
化膜２５を形成する。
示すように処理用の絶縁性支持基板２１上に赤外
線検知用の半導体結晶板２２を接着剤等により貼
着し、その結晶板２２表面に突起部形成用のレジ
スト膜パターン２３を形成し、該レジスト膜パタ
ーン２３をマスクにして該結晶板２２の表面を選
択的にエツチングして、第１図ｂに示すように高
さが200〜300μｍの複数の突起部２４を形成した
後、該突起部２４を含む結晶板２２表面に陽極酸
化膜２５を形成する。
次に第１図ｃに示すように陽極酸化膜２５を施
して結晶板２２上に複数のチツプ形成用のレジス
ト膜パターン２６を形成し、該レジスト膜パター
ン２６をマスクにして選択的にエツチングを行
い、前記支持基板上にそれぞれ突起部２４を有す
る複数のチツプ２７を形成する。
して結晶板２２上に複数のチツプ形成用のレジス
ト膜パターン２６を形成し、該レジスト膜パター
ン２６をマスクにして選択的にエツチングを行
い、前記支持基板上にそれぞれ突起部２４を有す
る複数のチツプ２７を形成する。
次に第１図ｄに示すように該支持基板２１上に
形成された複数のチツプ２７を樹脂材２８に埋め
込み硬化後、前記各チツプ２７の突起部２４上の
陽極酸化膜２５のみを樹脂材２８と共に研磨等に
より除去し、かかる樹脂材２８に埋め込まれた状
態の複数のチツプ２７を前記支持基板２１より外
して、第１図ｅに示すようにその厚さを、前記突
起部２４を除いた厚みが10μｍ程度となるように
薄層化する。
形成された複数のチツプ２７を樹脂材２８に埋め
込み硬化後、前記各チツプ２７の突起部２４上の
陽極酸化膜２５のみを樹脂材２８と共に研磨等に
より除去し、かかる樹脂材２８に埋め込まれた状
態の複数のチツプ２７を前記支持基板２１より外
して、第１図ｅに示すようにその厚さを、前記突
起部２４を除いた厚みが10μｍ程度となるように
薄層化する。
その後、第１図ｆに示すように薄層化した樹脂
材埋め込み形の複数のチツプ２７を、陽極酸化処
理用の接続電極が設けられた電極基板２９上に、
突起部２４側を電極材を介して貼着し、前記埋め
込み樹脂材２８より露出する複数のチツプ２７の
受光部となる表面に、陽極酸化処理を施してパツ
シベーシヨン膜３０を形成する。
材埋め込み形の複数のチツプ２７を、陽極酸化処
理用の接続電極が設けられた電極基板２９上に、
突起部２４側を電極材を介して貼着し、前記埋め
込み樹脂材２８より露出する複数のチツプ２７の
受光部となる表面に、陽極酸化処理を施してパツ
シベーシヨン膜３０を形成する。
このように本発明では複数の赤外線検知用チツ
プ２７の各裏面側に、周囲が陽極酸化膜２５によ
り保護された陽極酸化電極接続用の突起部２４が
設けられているため、該複数の赤外線検知用チツ
プ２７の各突起部２４を陽極酸化処理用の接続電
極が設けられた電極基板２９に接続し、陽極酸化
処理を行うことにより、該複数のチツプ２７の受
光部となる表面にパツシベーシヨン膜３０を確実
に形成することが可能となる。
プ２７の各裏面側に、周囲が陽極酸化膜２５によ
り保護された陽極酸化電極接続用の突起部２４が
設けられているため、該複数の赤外線検知用チツ
プ２７の各突起部２４を陽極酸化処理用の接続電
極が設けられた電極基板２９に接続し、陽極酸化
処理を行うことにより、該複数のチツプ２７の受
光部となる表面にパツシベーシヨン膜３０を確実
に形成することが可能となる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
第１図ａ〜ｆは本発明に係る赤外線検知素子の
製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図で
ある。
製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図で
ある。
先ず、第１図ａに示すように処理用の例えばテ
フロン板、或いはサフアイア板等からなる絶縁性
支持基板２１上に、赤外線検知用のHg−Cd−Te
半導体結晶板２２をワツクスなどの接着剤等によ
り貼着し、その結晶板２２表面に突起部形成用の
レジスト膜パターン２３を形成する。
フロン板、或いはサフアイア板等からなる絶縁性
支持基板２１上に、赤外線検知用のHg−Cd−Te
半導体結晶板２２をワツクスなどの接着剤等によ
り貼着し、その結晶板２２表面に突起部形成用の
レジスト膜パターン２３を形成する。
次に該レジスト膜パターン２３をマスクにして
該結晶板２２の表面を選択的にエツチングして、
第１図ｂに示すように複数の高さが200〜300μｍ
の突起部２４を形成した後、該突起部２４を含む
結晶板２２表面に陽極酸化膜２５を形成する。
該結晶板２２の表面を選択的にエツチングして、
第１図ｂに示すように複数の高さが200〜300μｍ
の突起部２４を形成した後、該突起部２４を含む
結晶板２２表面に陽極酸化膜２５を形成する。
次に第１図ｃに示すように陽極酸化膜２５を施
した結晶板２２上に、複数のチツプ形成用のレジ
スト膜パターン２６を形成し、該レジスト膜パタ
ーン２６をマスクにして前記結晶板２２を臭素
（Br）系のエツチング溶液により選択的にエツチ
ングを行つて、前記支持基板上にそれぞれ突起部
２４を有する複数のチツプ２７を形成する。
した結晶板２２上に、複数のチツプ形成用のレジ
スト膜パターン２６を形成し、該レジスト膜パタ
ーン２６をマスクにして前記結晶板２２を臭素
（Br）系のエツチング溶液により選択的にエツチ
ングを行つて、前記支持基板上にそれぞれ突起部
２４を有する複数のチツプ２７を形成する。
次に第１図ｄに示すように該支持基板２１上に
形成された複数のチツプ２７を、例えばエポキシ
系の樹脂材２８に埋め込み硬化後、前記各チツプ
２７の突起部２４上の陽極酸化膜２５のみを樹脂
材２８と共にラツピング工程などにより除去し、
かかる樹脂材２８に埋め込まれた状態の複数のチ
ツプ２７を、前記支持基板２１より外して第１図
ｅに示すようにその厚さを、前記突起部２４を除
いた厚みが10μｍ程度となるように再びラツピン
グ工程などにより薄層化する。
形成された複数のチツプ２７を、例えばエポキシ
系の樹脂材２８に埋め込み硬化後、前記各チツプ
２７の突起部２４上の陽極酸化膜２５のみを樹脂
材２８と共にラツピング工程などにより除去し、
かかる樹脂材２８に埋め込まれた状態の複数のチ
ツプ２７を、前記支持基板２１より外して第１図
ｅに示すようにその厚さを、前記突起部２４を除
いた厚みが10μｍ程度となるように再びラツピン
グ工程などにより薄層化する。
その後、第１図ｆに示すように薄層化した樹脂
材埋め込み形の複数のチツプ２７を、陽極酸化処
理用の接続電極が設けられた電極基板２９上に、
各突起部２４側を導電材を介して貼着して、前記
埋め込み樹脂材２８より露出する複数のチツプ２
７の受光部となる表面に陽極酸化処理を施し、パ
ツシベーシヨン膜３０を形成する。
材埋め込み形の複数のチツプ２７を、陽極酸化処
理用の接続電極が設けられた電極基板２９上に、
各突起部２４側を導電材を介して貼着して、前記
埋め込み樹脂材２８より露出する複数のチツプ２
７の受光部となる表面に陽極酸化処理を施し、パ
ツシベーシヨン膜３０を形成する。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
赤外線検知素子の製造方法によれば、複数のチツ
プに陽極酸化処理を行うための電極接続用の余分
な表面積や通電接続用の金属膜電極配線を必要と
せず、複数のチツプの受光部となる表面にパツシ
ベーシヨン膜を同時に、かつ確実に形成すること
が可能となる優れた利点を有する。
赤外線検知素子の製造方法によれば、複数のチツ
プに陽極酸化処理を行うための電極接続用の余分
な表面積や通電接続用の金属膜電極配線を必要と
せず、複数のチツプの受光部となる表面にパツシ
ベーシヨン膜を同時に、かつ確実に形成すること
が可能となる優れた利点を有する。
第１図ａ〜ｆは本発明に係る赤外線検知素子の
製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図、
第２図ａ〜ｃは従来の赤外線検知素子の製造方法
を説明するための工程図であり、ａ，ｂは要部断
面図、ｃは要部斜視図である。 第１図ａ〜ｆにおいて、２１は支持基板、２２
は結晶板、２３は突起部形成用レジスト膜パター
ン、２４は複数の突起部、２５は陽極酸化膜、２
６はチツプ化用レジスト膜パターン、２７は複数
のチツプ、２８は埋め込み樹脂材、２９は電極基
板、３０はパツシベーシヨン膜をそれぞれ示す。
製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図、
第２図ａ〜ｃは従来の赤外線検知素子の製造方法
を説明するための工程図であり、ａ，ｂは要部断
面図、ｃは要部斜視図である。 第１図ａ〜ｆにおいて、２１は支持基板、２２
は結晶板、２３は突起部形成用レジスト膜パター
ン、２４は複数の突起部、２５は陽極酸化膜、２
６はチツプ化用レジスト膜パターン、２７は複数
のチツプ、２８は埋め込み樹脂材、２９は電極基
板、３０はパツシベーシヨン膜をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ 処理用支持基板２１上に赤外線検知用の半導
体結晶板２２を貼着し、該結晶板２２表面を選択
的にエツチングして複数の突起部２４を形成する
と共に、該突起部２４を含む結晶板２２表面に陽
極酸化膜２５を形成し、次に陽極酸化膜２５を施
した結晶板２２を選択的にエツチングして前記支
持基板２１上にそれぞれ突起部２４を有する複数
のチツプ２７を形成する工程と、該支持基板２１
上に形成され該複数のチツプ２７を樹脂材２８に
埋め込み硬化後、各チツプ２７の突起部２４上の
陽極酸化膜２５のみを除去する工程と、樹脂材２
８に埋め込まれた複数のチツプ２７を前記支持基
板２１より外して薄層化する工程とを行つた後、
該樹脂材２８に埋め込まれた複数のチツプ２７の
突起部２４側を電極基板２９に貼着して前記埋め
込み樹脂材２８より露出する複数のチツプ２７表
面に陽極酸化処理を施してパツシベーシヨン膜３
０を形成することを特徴とする赤外線検知素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60240125A JPS62101087A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60240125A JPS62101087A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62101087A JPS62101087A (ja) | 1987-05-11 |
| JPH0373148B2 true JPH0373148B2 (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=17054867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60240125A Granted JPS62101087A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62101087A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002070501A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Honda Motor Co Ltd | 回転流体機械 |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP60240125A patent/JPS62101087A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62101087A (ja) | 1987-05-11 |
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