JPS59104523A - 赤外線検知素子の製造方法 - Google Patents
赤外線検知素子の製造方法Info
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- JPS59104523A JPS59104523A JP21533582A JP21533582A JPS59104523A JP S59104523 A JPS59104523 A JP S59104523A JP 21533582 A JP21533582 A JP 21533582A JP 21533582 A JP21533582 A JP 21533582A JP S59104523 A JPS59104523 A JP S59104523A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は赤外線検知素子の製造方法に係り、特に水銀・
カドミウム・テルルを用いた光導電型検知素子の製造方
法の改良に関する。
カドミウム・テルルを用いた光導電型検知素子の製造方
法の改良に関する。
（ｂｌ 従来技術と問題点
従来の水銀・カドミウム・テルル（）ＩｇｃｄＴｅ）を
用いてなる光導電型（ＰＣ型）多素子検知素子を製作す
るには、サファイア基板上にエポキシ系接着剤により薄
層化したＨｇＣｄＴｅ結晶基板を接着し、次いで上記Ｈ
ｇＣｄＴｅ結晶基板近傍のサファイア基板表面に残留し
ているエポキシ系接着剤を削り取る等の機械的除去法に
よって除去して、アルミニウム（Ｎ）細線を超音波ボン
ディング法により取り付けるためのホンディングパッド
を設けていた。
用いてなる光導電型（ＰＣ型）多素子検知素子を製作す
るには、サファイア基板上にエポキシ系接着剤により薄
層化したＨｇＣｄＴｅ結晶基板を接着し、次いで上記Ｈ
ｇＣｄＴｅ結晶基板近傍のサファイア基板表面に残留し
ているエポキシ系接着剤を削り取る等の機械的除去法に
よって除去して、アルミニウム（Ｎ）細線を超音波ボン
ディング法により取り付けるためのホンディングパッド
を設けていた。
上記従来方法では、エポキシ接着剤のス要部を除去する
作業には細心の注意が必要で、多大の工数を要するにも
かかわらす、ＨｇＣｄＴｅ結晶基板を損傷する恐れがあ
り、赤外線検知素子の信頼度及び製造歩留りを低下させ
る原因となっていた。昨今のように赤外線検知素子が多
素子化し、素子寸法及び素子間分離幅がますます微細化
するに伴い、上記従来方法では接着剤の除去は殆ど不可
能となるので、この問題の解決は焦眉の急を要する。
作業には細心の注意が必要で、多大の工数を要するにも
かかわらす、ＨｇＣｄＴｅ結晶基板を損傷する恐れがあ
り、赤外線検知素子の信頼度及び製造歩留りを低下させ
る原因となっていた。昨今のように赤外線検知素子が多
素子化し、素子寸法及び素子間分離幅がますます微細化
するに伴い、上記従来方法では接着剤の除去は殆ど不可
能となるので、この問題の解決は焦眉の急を要する。
（Ｃ１発明の目的
本発明の目的は上記問題点を解消して、サファイア基板
上の不要な接着剤を、たとえ微細素子であっても、正確
且つ容易に除去し得る赤外線検知素子の製造方法を提供
することにある。
上の不要な接着剤を、たとえ微細素子であっても、正確
且つ容易に除去し得る赤外線検知素子の製造方法を提供
することにある。
（ｄｌ 発明の構成
本発明の特徴は、サファイア基板上に水銀・カドミウム
・テルル結晶基板を所定の接着剤により固着した後、前
記水銀・カド重つム・テルル結晶基板上に所定のパター
ンに従ってレジスト膜を形成し、該レジスト膜をマスク
として前記水銀・カドミウム・テルル結晶基板をエツチ
ングする工程と、前記レジスト膜を除去した後、前記所
定の）々ターンに形成された水銀・カド′ミウム・テル
ル結晶基板をマスクとして前記サファイア基板上に鞘出
せる不要な接着剤をエツチング除去して、サファイア基
板表面を露呈せしめる工程とを含むことにある。
・テルル結晶基板を所定の接着剤により固着した後、前
記水銀・カド重つム・テルル結晶基板上に所定のパター
ンに従ってレジスト膜を形成し、該レジスト膜をマスク
として前記水銀・カドミウム・テルル結晶基板をエツチ
ングする工程と、前記レジスト膜を除去した後、前記所
定の）々ターンに形成された水銀・カド′ミウム・テル
ル結晶基板をマスクとして前記サファイア基板上に鞘出
せる不要な接着剤をエツチング除去して、サファイア基
板表面を露呈せしめる工程とを含むことにある。
（ｅｌ 発明の実施例
以下本発明の一実施例を製造工程の順に図面により説明
する。
する。
第１図〜第５図は上記一実施例を製造工程の順に示す図
で、各図の（ａ）は平面図、（ｂｌは要部断面図である
。図において１はサファイア基板、２は例えばエポキシ
系の接着剤、３はｔｌにＣｄＴｅ結晶基板である。
で、各図の（ａ）は平面図、（ｂｌは要部断面図である
。図において１はサファイア基板、２は例えばエポキシ
系の接着剤、３はｔｌにＣｄＴｅ結晶基板である。
まず第１図に示すように、サファイア基板１上にエポキ
シ系の接着剤２を用いて薄層化したｈｃｄＴｅ結晶基板
３を接着する。このＨｇＣｄＴｅ結晶基板３上に所定の
パターンに従ってレジスト膜４を形成する。
シ系の接着剤２を用いて薄層化したｈｃｄＴｅ結晶基板
３を接着する。このＨｇＣｄＴｅ結晶基板３上に所定の
パターンに従ってレジスト膜４を形成する。
次いで第２図に示すように上記レジスト膜４をマスクと
して、）゛ロムメクノールｌ容液により！ＩｇｃｄＴｅ
結晶基板３をエツチングし、ＨｇＣ１：ｉＴｅ結晶基板
３の不要部を除去した後、第３図に示すようにマスクと
して用いたレジスト膜４をレジスト剥離剤等により除去
する。同図において、５は個々の素子部、５゛は共通電
極形成部、６は素子間分離用の切り欠き部である。
して、）゛ロムメクノールｌ容液により！ＩｇｃｄＴｅ
結晶基板３をエツチングし、ＨｇＣ１：ｉＴｅ結晶基板
３の不要部を除去した後、第３図に示すようにマスクと
して用いたレジスト膜４をレジスト剥離剤等により除去
する。同図において、５は個々の素子部、５゛は共通電
極形成部、６は素子間分離用の切り欠き部である。
次いで第４図に見られる如く、所定のパターンに従って
形成されたＨｇＣｄＴｅ結晶基板３をマスクとして、濃
硫酸等の薬品によりサファイア基板１表面に露呈せるエ
ポキシ系の接着剤２をエツチング除去する。
形成されたＨｇＣｄＴｅ結晶基板３をマスクとして、濃
硫酸等の薬品によりサファイア基板１表面に露呈せるエ
ポキシ系の接着剤２をエツチング除去する。
このようにすることにより号ファイア基板１上の不要な
エポキシ系の接着剤２は、ＨｇＣｄＴｅ結晶基板３に何
ら損傷を与えることな（、ＨｇＣｄＴｅ結晶基板３のパ
ターンに従って正確に除去され、しかもこの作業は極め
て容易である。
エポキシ系の接着剤２は、ＨｇＣｄＴｅ結晶基板３に何
ら損傷を与えることな（、ＨｇＣｄＴｅ結晶基板３のパ
ターンに従って正確に除去され、しかもこの作業は極め
て容易である。
このあとの工程は通常の赤外線検知素子の製造工程に従
って進めて良い。即ち第５図に示す如く、蒸着法により
インジウム（Ｉｎ）のような金属を所要部分に選択的に
被着廿しめて、各素子部３．及び共通電極形成部５゛上
よりサファイア基板１に導出されたＩｎよりなる導電層
７及び７゛を形成する。
って進めて良い。即ち第５図に示す如く、蒸着法により
インジウム（Ｉｎ）のような金属を所要部分に選択的に
被着廿しめて、各素子部３．及び共通電極形成部５゛上
よりサファイア基板１に導出されたＩｎよりなる導電層
７及び７゛を形成する。
次いで再び蒸着法により上記導電層７．７゛に略接続す
るように、クロム（Ｃｒ）上に金（Ａｕ）を積層した金
属膜８及び８°を形成し、更にこれの上に蒸着法により
Ｎを選択的に被着せしめて、上記Ｉｎよりなる導電層７
．７″ に接続するホンディングパッド９，９゛を形成
する。ここで上記Ｉｎよりなる導電層７．７° とボン
ディングバ、２ド９゜９゛との段差に起因して電気的接
続が損なわれることを防止するため、両者の接続部に再
度Ｉｎを被着せしめてもよい（同図の１０〕。なお図の
１１は受光窓である。
るように、クロム（Ｃｒ）上に金（Ａｕ）を積層した金
属膜８及び８°を形成し、更にこれの上に蒸着法により
Ｎを選択的に被着せしめて、上記Ｉｎよりなる導電層７
．７″ に接続するホンディングパッド９，９゛を形成
する。ここで上記Ｉｎよりなる導電層７．７° とボン
ディングバ、２ド９゜９゛との段差に起因して電気的接
続が損なわれることを防止するため、両者の接続部に再
度Ｉｎを被着せしめてもよい（同図の１０〕。なお図の
１１は受光窓である。
ｆｆｌ 発明の詳細
な説明した如く本発明により、サファイア基板上の不要
な接着剤を正確且つ容易に除去し得る赤外線検知素子の
製造方法が提供される。
な接着剤を正確且つ容易に除去し得る赤外線検知素子の
製造方法が提供される。
第１図〜第５図は本発明の一実施例をその製造工程の順
ζこ示す図で、各図の（ａｌは平面図、ｆｂｌは要部断
面図である。
ζこ示す図で、各図の（ａｌは平面図、ｆｂｌは要部断
面図である。
Claims (1)
- サファイア基板上に水銀・カドミウム・テルル結晶基板
を所定の接着剤により固着した後、前記水銀・カドミウ
ム・テルル結晶基板上に所定のパターンに従ってレジス
ト膜を形成し、該レジスト膜をマスクとして前記水銀・
カドミウム・テルル結晶基板をエツチングする工程と、
前記レジスト膜を除去した後、前記所定のパターンに形
成された水銀・カドミウム・テルル結晶基板をマスクと
して前記サファイア基板上に露出せる不要な接着剤をエ
ツチング除去して、サファイア基板表面を露呈せしめる
工程とを含むことを特徴とする赤外線検知素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21533582A JPS59104523A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21533582A JPS59104523A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104523A true JPS59104523A (ja) | 1984-06-16 |
Family
ID=16670587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21533582A Pending JPS59104523A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104523A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62139333A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-23 | Nec Corp | 赤外線検出素子の製造方法 |
| US5280264A (en) * | 1991-08-21 | 1994-01-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Resistor element having lead wire consisting of wire rod and covering alloy layer |
| US6940181B2 (en) | 2003-10-21 | 2005-09-06 | Micron Technology, Inc. | Thinned, strengthened semiconductor substrates and packages including same |
| US7064069B2 (en) * | 2003-10-21 | 2006-06-20 | Micron Technology, Inc. | Substrate thinning including planarization |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54157096A (en) * | 1978-05-31 | 1979-12-11 | Fujitsu Ltd | Production method of infrared ray detection element |
-
1982
- 1982-12-07 JP JP21533582A patent/JPS59104523A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54157096A (en) * | 1978-05-31 | 1979-12-11 | Fujitsu Ltd | Production method of infrared ray detection element |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62139333A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-23 | Nec Corp | 赤外線検出素子の製造方法 |
| US5280264A (en) * | 1991-08-21 | 1994-01-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Resistor element having lead wire consisting of wire rod and covering alloy layer |
| US6940181B2 (en) | 2003-10-21 | 2005-09-06 | Micron Technology, Inc. | Thinned, strengthened semiconductor substrates and packages including same |
| US7056812B2 (en) | 2003-10-21 | 2006-06-06 | Micron Technology, Inc. | Process for strengthening semiconductor substrates following thinning |
| US7064069B2 (en) * | 2003-10-21 | 2006-06-20 | Micron Technology, Inc. | Substrate thinning including planarization |
| US7262488B2 (en) | 2003-10-21 | 2007-08-28 | Micron Technology, Inc. | Substrate with enhanced properties for planarization |
| US7427811B2 (en) | 2003-10-21 | 2008-09-23 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor substrate |
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