JPH0312933A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に金バンプを
有する半導体装置の製造方法に関する。
有する半導体装置の製造方法に関する。
従来の金パンプの形成法について図面を用いて説明する
。
。
第２図（ａ）〜（ｅ）は従来の半導体装置の金ハンプの
形成方法を説明するための工程順に示した断面図である
。
形成方法を説明するための工程順に示した断面図である
。
まず、第２図（ａ）に示すように、半導体基板］の上に
絶縁膜２、例えば酸化膜を１．０μｍの厚さに形成する
。絶縁膜の一部の領域、特にチップの周辺となる領域に
外部への引き出し電極となるバラＦ ４を Ａｆｆを用
いて形成する。次にパット４にオーバーラツプするよう
に絶縁膜３、例えは酸化膜または窒化膜を１．０μＩ′
ｎ程度の厚さに形成し、ホトリンクラフィ技術を用いて
パッド上の絶縁膜３に開口部を設ける。更に、将来電解
めっき時の電極となる金属層らとしてＡｆｆを蒸着ｔた
はスパッタ法により１．０７−ｚｒｎ程度の厚さに全面
に形成する。
絶縁膜２、例えば酸化膜を１．０μｍの厚さに形成する
。絶縁膜の一部の領域、特にチップの周辺となる領域に
外部への引き出し電極となるバラＦ ４を Ａｆｆを用
いて形成する。次にパット４にオーバーラツプするよう
に絶縁膜３、例えは酸化膜または窒化膜を１．０μＩ′
ｎ程度の厚さに形成し、ホトリンクラフィ技術を用いて
パッド上の絶縁膜３に開口部を設ける。更に、将来電解
めっき時の電極となる金属層らとしてＡｆｆを蒸着ｔた
はスパッタ法により１．０７−ｚｒｎ程度の厚さに全面
に形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、接着またはバリアと
しての役目をもつ二層以」二の金属膜７゜９を形成する
ために感光性樹脂としてホトレジスト６を塗布し、露光
現像して前記開口部よりも大きく開口部を金属層５上に
設ける。そして、金属層７．つとして、ヂタンー白金、
チタン−パラジウム等をそれぞれ１００〜３００ ｎ
ｍの厚さに形成する。
しての役目をもつ二層以」二の金属膜７゜９を形成する
ために感光性樹脂としてホトレジスト６を塗布し、露光
現像して前記開口部よりも大きく開口部を金属層５上に
設ける。そして、金属層７．つとして、ヂタンー白金、
チタン−パラジウム等をそれぞれ１００〜３００ ｎ
ｍの厚さに形成する。
次に、第２図（ｃ）に示すように、ホトレジスト６の開
口部のみに金属層７．９を残し他を除去する。
口部のみに金属層７．９を残し他を除去する。
次に、第２図（ｄ）に示すように、ホトレジスト１０を
バンプ用めっきのマスクとして金属層７．９よりも小さ
い開口を有するように形成する。そして、その部分に金
属層５を電極として電解めっき法によりバンプ８として
金をきのこ状に成長させる。
バンプ用めっきのマスクとして金属層７．９よりも小さ
い開口を有するように形成する。そして、その部分に金
属層５を電極として電解めっき法によりバンプ８として
金をきのこ状に成長させる。
次に、第２図＜ｅ＞に示ずように、ホトレジスト１０を
除去し、金属層７．９をマスクとして金属層５を選択エ
ツチングする。
除去し、金属層７．９をマスクとして金属層５を選択エ
ツチングする。
このようにして外部引き出し用のハンプ電極か形成され
る。
る。
このようにして作られた従来のバンプては、リフトオフ
法で形成しているため、厖大な応力か生じ、この応力に
より素子特性の劣化あるいは保護膜のクラックが生じる
ため、信頼性の低下を招くという欠点がある。
法で形成しているため、厖大な応力か生じ、この応力に
より素子特性の劣化あるいは保護膜のクラックが生じる
ため、信頼性の低下を招くという欠点がある。
また、従来の方法では、工程がかがり過るという欠点が
ある。
ある。
さらにまた、リフトオフ法を用いずに、バンプめっき時
の電極または接着バリアに使用した複数の金属層をドラ
イエッチで除去する方法もあるか、損傷による欠陥ある
いはその工程に要する時間が多過るという欠点もある。
の電極または接着バリアに使用した複数の金属層をドラ
イエッチで除去する方法もあるか、損傷による欠陥ある
いはその工程に要する時間が多過るという欠点もある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板」二に第
１の絶縁膜を設け、その上に外部リートとのポンチイン
ク接続用バットを形成する工程と、前記パッドの周縁を
第２の絶縁膜で覆い中央部のみを露出させる工程と、前
記バラ１〜及び第２の絶縁膜の上に第１の金属層を堆積
する工程と、感光性樹脂を塗布、露光、現像して前記バ
ンプ上でかつ該バンプより広い開口部を有する感光性樹
脂膜を形成する王稈と、前記感光性樹脂膜をマスクとし
て電解または無電解のめっき法により前記開口部内の前
記第１の金属層上に第２の金属層を被着する工程と、前
記第１の金属層を一方のめっき電極として金の電解めっ
きを行い金の突起型電極を形成する工程と、前記突起型
電極をマスクとして前記感光性樹脂膜を除去し続いて前
記第コの金属層を選択除去する工程とを含んて構成され
る。
１の絶縁膜を設け、その上に外部リートとのポンチイン
ク接続用バットを形成する工程と、前記パッドの周縁を
第２の絶縁膜で覆い中央部のみを露出させる工程と、前
記バラ１〜及び第２の絶縁膜の上に第１の金属層を堆積
する工程と、感光性樹脂を塗布、露光、現像して前記バ
ンプ上でかつ該バンプより広い開口部を有する感光性樹
脂膜を形成する王稈と、前記感光性樹脂膜をマスクとし
て電解または無電解のめっき法により前記開口部内の前
記第１の金属層上に第２の金属層を被着する工程と、前
記第１の金属層を一方のめっき電極として金の電解めっ
きを行い金の突起型電極を形成する工程と、前記突起型
電極をマスクとして前記感光性樹脂膜を除去し続いて前
記第コの金属層を選択除去する工程とを含んて構成され
る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図＜ ａ、 ＞〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明
するための工程順に示した断面図である。
するための工程順に示した断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板］−の上
に厚さ１０μｍ程度の絶縁膜２を設け、その上に厚さ１
０μｍ程度の人Ｊ？のバット４を形成する。このバッド
４にオーバーラツプするように絶縁１１！３を例えば酸
化膜または窒化膜で０５′〜１０μｍの厚さに形成し、
ホトリソクラフィ技術を用いてパッド４の上の絶縁膜３
に選択的に開口部を形成する。全面に電解めっき用電極
となる金属層５を、例えばＡｆｆて、蒸着ｔなはスパッ
タ法により１０μｍ程度の厚さに形成する。
に厚さ１０μｍ程度の絶縁膜２を設け、その上に厚さ１
０μｍ程度の人Ｊ？のバット４を形成する。このバッド
４にオーバーラツプするように絶縁１１！３を例えば酸
化膜または窒化膜で０５′〜１０μｍの厚さに形成し、
ホトリソクラフィ技術を用いてパッド４の上の絶縁膜３
に選択的に開口部を形成する。全面に電解めっき用電極
となる金属層５を、例えばＡｆｆて、蒸着ｔなはスパッ
タ法により１０μｍ程度の厚さに形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、ポジ型の感光性樹脂
膜としてホトレジスト６を形成し、選択的に露光現像を
行ない、この開口部より大きいバンプ形成用の開口部を
形成する。そして、接着および゛バリアとしての役目を
持つ金属層７を無電解めっき法で形成する。本実施例で
は無電解ニッケルめっきを使用している。アルミニウム
上の無電解ニッケルめっきは、パラジウム系の活性剤、
例えは塩化パラジウムでめっき前処理を行なうことによ
り簡単に行なうことかできる。めっき時間は１０〜２０
分で充分である。
膜としてホトレジスト６を形成し、選択的に露光現像を
行ない、この開口部より大きいバンプ形成用の開口部を
形成する。そして、接着および゛バリアとしての役目を
持つ金属層７を無電解めっき法で形成する。本実施例で
は無電解ニッケルめっきを使用している。アルミニウム
上の無電解ニッケルめっきは、パラジウム系の活性剤、
例えは塩化パラジウムでめっき前処理を行なうことによ
り簡単に行なうことかできる。めっき時間は１０〜２０
分で充分である。
次に、第１１１］（ｃ）に示すように、金属層５をめっ
き用電極として金の電解めっき法によりバンプ（突起型
電極）８を形成する。
き用電極として金の電解めっき法によりバンプ（突起型
電極）８を形成する。
次に、第１１′２＋ （ｄ ）に示すように、金属層７
、バンプ８を形成するために使用したホトレジスト６を
除去した後、バンプ８をマスクとしてめっき用電極とし
た金属Ｎ５を選択エツチングする。金属層５のエツチン
グには、リン酸−硝酸−氷酢酸の混合液か使用される。
、バンプ８を形成するために使用したホトレジスト６を
除去した後、バンプ８をマスクとしてめっき用電極とし
た金属Ｎ５を選択エツチングする。金属層５のエツチン
グには、リン酸−硝酸−氷酢酸の混合液か使用される。
上記実施例では金属層５を単層としてＡＩを用いたが、
複層、例えはＴｉとＡ１の二層としても良い 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は、接着あるいはバリアの
役目をもつ金属層を電解または無電解めっき法て形成し
たことにより除去する必要がなく、リフトオフ工程を用
いなくてすむ。従ってリフトオフによって生じていた素
子特性の劣化、あるいは応力による信頼性の低下を招く
ことなく、また工程を大幅に短縮できるという効果を有
する。
複層、例えはＴｉとＡ１の二層としても良い 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は、接着あるいはバリアの
役目をもつ金属層を電解または無電解めっき法て形成し
たことにより除去する必要がなく、リフトオフ工程を用
いなくてすむ。従ってリフトオフによって生じていた素
子特性の劣化、あるいは応力による信頼性の低下を招く
ことなく、また工程を大幅に短縮できるという効果を有
する。
さらに、電解めっき用の電極にアルミニウムを試用する
ことで、特殊なエツチング液を使用することもなく、保
護膜等への影響を考慮する必要もないという効果を有す
る。
ことで、特殊なエツチング液を使用することもなく、保
護膜等への影響を考慮する必要もないという効果を有す
る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は従
来の半導体装置の製造方法を説明するための工程順に示
した断面図である。
めの工程順に示した断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は従
来の半導体装置の製造方法を説明するための工程順に示
した断面図である。
Claims (1)
- 半導体基板上に第１の絶縁膜を設け、その上に外部リ
ードとのボンディング接続用パッドを形成する工程と、
前記パッドの周縁を第２の絶縁膜で覆い中央部のみを露
出させる工程と、前記パッド及び第２の絶縁膜の上に第
１の金属層を堆積する工程と、感光性樹脂を塗布，露光
，現像して前記バンプ上でかつ該パンプより広い開口部
を有する感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹
脂膜をマスクとして電解または無電解のめっき法により
前記開口部内の前記第１の金属層上に第２の金属層を被
着する工程と、前記第１の金属層を一方のめっき電極と
して金の電解めっきを行い金の突起型電極を形成する工
程と、前記突起型電極をマスクとして前記感光性樹脂膜
を除去し続いて前記第１の金属層を選択除去する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1150093A JPH0312933A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1150093A JPH0312933A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312933A true JPH0312933A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15489360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1150093A Pending JPH0312933A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0312933A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04249326A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5989993A (en) * | 1996-02-09 | 1999-11-23 | Elke Zakel | Method for galvanic forming of bonding pads |
| KR100251677B1 (ko) * | 1996-03-21 | 2000-04-15 | 모리시타 요이찌 | 범프형성체 및 범프의 형성방법 |
| US6066551A (en) * | 1995-11-15 | 2000-05-23 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method for forming bump of semiconductor device |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP1150093A patent/JPH0312933A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04249326A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6066551A (en) * | 1995-11-15 | 2000-05-23 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method for forming bump of semiconductor device |
| US5989993A (en) * | 1996-02-09 | 1999-11-23 | Elke Zakel | Method for galvanic forming of bonding pads |
| KR100251677B1 (ko) * | 1996-03-21 | 2000-04-15 | 모리시타 요이찌 | 범프형성체 및 범프의 형성방법 |
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