JPH07109903B2 - 光伝導型赤外線検出素子の製造方法 - Google Patents
光伝導型赤外線検出素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH07109903B2 JPH07109903B2 JP1311820A JP31182089A JPH07109903B2 JP H07109903 B2 JPH07109903 B2 JP H07109903B2 JP 1311820 A JP1311820 A JP 1311820A JP 31182089 A JP31182089 A JP 31182089A JP H07109903 B2 JPH07109903 B2 JP H07109903B2
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- Japan
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- crystal
- adhesive
- hgcdte
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はHgCdTe結晶を用いた光伝導型赤外線検出素子の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
〔従来の技術〕 HgCdTe結晶は高感度の赤外線検出素子用材料として知ら
れており、これを用いた光伝導型素子（以下PC素子と略
す）は基本的には厚さ10μｍ程度のHgCdTe結晶の両端に
電極端子を形成し、その間の抵抗変化を検出するよう構
成されたものである。こうしたPC素子の従来の製造方法
を示すとその主要工程は以下のようなものである。すな
わち、第２図（ａ）に示すように絶縁性基板11上にHgCd
Te結晶12を接着剤14により接着した後、第２図（ｂ）の
ようにこれを研磨とエッチングによって所定の厚さ、通
常10μｍ程度まで薄層化する。次に第２図（ｃ）に示す
ように素子の結晶領域13とする部分を残してエッチング
除去した後、第２図（ｄ）に示すように基板11上に露出
した接着剤14を除去する。ここで、結晶領域13以外の部
分の結晶を除去する理由は、結晶を接着する際の位置誤
差が大きいので、整形して正確な位置と形状にするため
であり、また接着剤14を除去する理由はこれを残してお
くと、後の工程で積層する電極膜が剥離したり断線し易
くなるためである。続いて、第２図（ｅ）に示すように
感光部とする領域15を設定するレジストパターン16を形
成し、これをマスクとしてHgCdTe結晶12の表面を軽くエ
ッチングした後、いわゆるリフトオフ法によって電極材
料である導電体膜17を成膜する。ここで、結晶表面を軽
くエッチングするのは表面に形成した酸化膜を除去する
ためである。次いで第２図（ｆ）に示すようにレジスト
パターン18をマスクとしてイオンミリングエッチングす
ることで第２図（ｇ）に示すようにPC素子（光伝導型赤
外線検出素子）が製造される。
れており、これを用いた光伝導型素子（以下PC素子と略
す）は基本的には厚さ10μｍ程度のHgCdTe結晶の両端に
電極端子を形成し、その間の抵抗変化を検出するよう構
成されたものである。こうしたPC素子の従来の製造方法
を示すとその主要工程は以下のようなものである。すな
わち、第２図（ａ）に示すように絶縁性基板11上にHgCd
Te結晶12を接着剤14により接着した後、第２図（ｂ）の
ようにこれを研磨とエッチングによって所定の厚さ、通
常10μｍ程度まで薄層化する。次に第２図（ｃ）に示す
ように素子の結晶領域13とする部分を残してエッチング
除去した後、第２図（ｄ）に示すように基板11上に露出
した接着剤14を除去する。ここで、結晶領域13以外の部
分の結晶を除去する理由は、結晶を接着する際の位置誤
差が大きいので、整形して正確な位置と形状にするため
であり、また接着剤14を除去する理由はこれを残してお
くと、後の工程で積層する電極膜が剥離したり断線し易
くなるためである。続いて、第２図（ｅ）に示すように
感光部とする領域15を設定するレジストパターン16を形
成し、これをマスクとしてHgCdTe結晶12の表面を軽くエ
ッチングした後、いわゆるリフトオフ法によって電極材
料である導電体膜17を成膜する。ここで、結晶表面を軽
くエッチングするのは表面に形成した酸化膜を除去する
ためである。次いで第２図（ｆ）に示すようにレジスト
パターン18をマスクとしてイオンミリングエッチングす
ることで第２図（ｇ）に示すようにPC素子（光伝導型赤
外線検出素子）が製造される。
以上の工程のうち、接着剤の除去では特願昭60−280365
号に示されている酸素プラズマエッチング法を用いるこ
とで、結晶を傷めることなく除去することが可能となっ
ている。しかし、除去しようとする接着剤の厚さは第２
図（ｄ）に示したようにHgCdTe結晶12が除去されて露出
した部分は１μｍ以下と薄いのであるが、接着当初の結
晶の周囲の部分では数10μｍの厚さとなっており、この
部分まで除去するには多大な時間を要する。このため、
実作業では薄い部分のみ酸素プラズマエッチングで除去
し、周囲の厚い部分は機械的にこすり落しているが、作
業性が悪い点、及び作業中に結晶を傷めることがある点
が問題であった。
号に示されている酸素プラズマエッチング法を用いるこ
とで、結晶を傷めることなく除去することが可能となっ
ている。しかし、除去しようとする接着剤の厚さは第２
図（ｄ）に示したようにHgCdTe結晶12が除去されて露出
した部分は１μｍ以下と薄いのであるが、接着当初の結
晶の周囲の部分では数10μｍの厚さとなっており、この
部分まで除去するには多大な時間を要する。このため、
実作業では薄い部分のみ酸素プラズマエッチングで除去
し、周囲の厚い部分は機械的にこすり落しているが、作
業性が悪い点、及び作業中に結晶を傷めることがある点
が問題であった。
本発明の目的は、上記の欠点を解決して、作業性良く、
また結晶を傷める心配もなく不要な接着剤を完全に除去
でき、製造効率を向上できるPC素子の製造方法を提供す
ることにある。
また結晶を傷める心配もなく不要な接着剤を完全に除去
でき、製造効率を向上できるPC素子の製造方法を提供す
ることにある。
前記目的を達成するため、本発明の光伝導型赤外線検出
素子の製造方法においては、基板上に所定の結晶領域よ
りも大きな開口を開けた下地薄膜を形成した後、前記開
口を覆うようにHgCdTe結晶を接着してこれを薄層化し、
その後、前記結晶領域以外の部分のHgCdTe結晶を除去
し、続いて前記HgCdTe結晶が除去された部分に露出した
接着剤を酸素プラズマエッチングによって除去し、更に
その周囲に残る接着剤の厚い部分を前記下地薄膜をエッ
チングして共に除去するものである。
素子の製造方法においては、基板上に所定の結晶領域よ
りも大きな開口を開けた下地薄膜を形成した後、前記開
口を覆うようにHgCdTe結晶を接着してこれを薄層化し、
その後、前記結晶領域以外の部分のHgCdTe結晶を除去
し、続いて前記HgCdTe結晶が除去された部分に露出した
接着剤を酸素プラズマエッチングによって除去し、更に
その周囲に残る接着剤の厚い部分を前記下地薄膜をエッ
チングして共に除去するものである。
〔実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例の製造工程を
工程順に示した断面図である。
工程順に示した断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように基板１上に素子完成時
の所定の結晶領域２よりも大きな開口３を開けたAl膜か
らなる下地薄膜４を形成する。開口３の形成はエッチン
グ法でも、またいわゆるリフトオフ法でも良い。次に、
開口３を覆うように十分な大きさのHgCdTe結晶５を接着
剤６で接着する。続いて第１図（ｂ）に示すようにHgCd
Te結晶５を研磨とエッチングによって薄層化した後、第
１図（ｃ）に示すようにレジストパターン７を形成して
これをマスクとして結晶領域２以外の部分のHgCdTe結晶
５をエッチング除去する。続いて第１図（ｄ）に示すよ
うにHgCdTe結晶５が除去されて露出した部分の接着剤６
を酸素プラズマエッチングによって除去する。次いで第
１図（ｅ）に示すように下地薄膜４をエッチングして周
囲に残っている接着剤の厚い部分８を共に除去、すなわ
ちリフトオフすることで不要の接着剤は完全に除去され
る。このエッチングでは塩酸ないしふっ酸を用いること
でHgCdTe結晶をおかすことなく、Alの下地薄膜４のみ選
択的に除去できる。この後の工程については第２図に示
した従来の製造方法にしたがって行えば良く、PC素子の
製造が完了する。
の所定の結晶領域２よりも大きな開口３を開けたAl膜か
らなる下地薄膜４を形成する。開口３の形成はエッチン
グ法でも、またいわゆるリフトオフ法でも良い。次に、
開口３を覆うように十分な大きさのHgCdTe結晶５を接着
剤６で接着する。続いて第１図（ｂ）に示すようにHgCd
Te結晶５を研磨とエッチングによって薄層化した後、第
１図（ｃ）に示すようにレジストパターン７を形成して
これをマスクとして結晶領域２以外の部分のHgCdTe結晶
５をエッチング除去する。続いて第１図（ｄ）に示すよ
うにHgCdTe結晶５が除去されて露出した部分の接着剤６
を酸素プラズマエッチングによって除去する。次いで第
１図（ｅ）に示すように下地薄膜４をエッチングして周
囲に残っている接着剤の厚い部分８を共に除去、すなわ
ちリフトオフすることで不要の接着剤は完全に除去され
る。このエッチングでは塩酸ないしふっ酸を用いること
でHgCdTe結晶をおかすことなく、Alの下地薄膜４のみ選
択的に除去できる。この後の工程については第２図に示
した従来の製造方法にしたがって行えば良く、PC素子の
製造が完了する。
以上説明したように本発明によれば、PC素子の製造にお
いて、作業性良く、また結晶を傷めることなく不要な接
着剤を完全に除去することができるため、製造効率が向
上できる。
いて、作業性良く、また結晶を傷めることなく不要な接
着剤を完全に除去することができるため、製造効率が向
上できる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明による光伝導型赤外線検
出素子の製造方法の実施例、特に接着剤を除去するため
の工程を工程順に示す断面図、第２図（ａ）〜（ｇ）は
従来の光伝導型赤外線検出素子の製造方法を工程順に示
す断面図である。 １……絶縁性基板 2,13……所定の結晶領域 ３……開口、４……下地薄膜 ５……HgCdTe結晶、６……接着剤 ７……レジストパターン、８……接着剤の厚い部分
出素子の製造方法の実施例、特に接着剤を除去するため
の工程を工程順に示す断面図、第２図（ａ）〜（ｇ）は
従来の光伝導型赤外線検出素子の製造方法を工程順に示
す断面図である。 １……絶縁性基板 2,13……所定の結晶領域 ３……開口、４……下地薄膜 ５……HgCdTe結晶、６……接着剤 ７……レジストパターン、８……接着剤の厚い部分
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に所定の結晶領域よりも大きな開口
を開けた下地薄膜を形成した後、前記開口を覆うように
HgCdTe結晶を接着してこれを薄層化し、その後、前記結
晶領域以外の部分のHgCdTe結晶を除去し、続いて前記Hg
CdTe結晶が除去された部分に露出した接着剤を酸素プラ
ズマエッチングによって除去し、更にその周囲に残る接
着剤の厚い部分を前記下地薄膜をエッチングして共に除
去することを特徴とする光伝導型赤外線検出素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311820A JPH07109903B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 光伝導型赤外線検出素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311820A JPH07109903B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 光伝導型赤外線検出素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173181A JPH03173181A (ja) | 1991-07-26 |
| JPH07109903B2 true JPH07109903B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=18021798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1311820A Expired - Lifetime JPH07109903B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 光伝導型赤外線検出素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109903B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5640992A (en) * | 1979-09-08 | 1981-04-17 | Nippon Signal Co Ltd | Cash control method for grouppcontrolled ticket selling machine |
| JPS62139333A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-23 | Nec Corp | 赤外線検出素子の製造方法 |
| JPH0638511B2 (ja) * | 1987-01-13 | 1994-05-18 | 日本電気株式会社 | 赤外線検出素子の製造方法 |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP1311820A patent/JPH07109903B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03173181A (ja) | 1991-07-26 |
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