JPS61251167A - 赤外線検知器の製造方法 - Google Patents
赤外線検知器の製造方法Info
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- JPS61251167A JPS61251167A JP60092506A JP9250685A JPS61251167A JP S61251167 A JPS61251167 A JP S61251167A JP 60092506 A JP60092506 A JP 60092506A JP 9250685 A JP9250685 A JP 9250685A JP S61251167 A JPS61251167 A JP S61251167A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要）
ＨｇＣｄＴｅ光伝導型の赤外線検知器はＨｇＣｄＴｅ層
をメサ状にして素子分離することが一般であり、この素
子分離は、ＨｇＣｄＴｅ層の側面を酸化（パッシベーシ
ョン）シてなすが、このパッシベーション工程の改良で
ある。
をメサ状にして素子分離することが一般であり、この素
子分離は、ＨｇＣｄＴｅ層の側面を酸化（パッシベーシ
ョン）シてなすが、このパッシベーション工程の改良で
ある。
や＼詳細に説明すると、このパッシベーションに先立ち
ＨｇＣｄＴｅ層上にはＩｎ等よりなる電極が形成される
が、この電極の表面をフォトレジスト膜をもってカバー
して陽極酸化法を使用してパッシベーションしている。
ＨｇＣｄＴｅ層上にはＩｎ等よりなる電極が形成される
が、この電極の表面をフォトレジスト膜をもってカバー
して陽極酸化法を使用してパッシベーションしている。
ところが、陽極酸化工程においてはＩｎ等よりなる電極
の側面も陽極酸化液に接触しＩｎ電極とＨｇＣｄＴｅ層
の双方の側面が酸化される。一方、Ｉｎの酸化物は導電
性であるから、これを介して電流が漏れＨｇＣｄＴｅ層
の側面の酸化の進行が阻害される。そこで、Ｉｎ電極上
をＡＩ等、それ自身酸化されやすく、その酸化物が絶縁
物である金属をもってカバーし１、陽極酸化液には、Ｈ
ｇＣｄＴｅ層の側面とこの金属（Ａ１）膜とが接触する
ようにし２陽極酸化工程が少し進行するとＡ１膜が酸化
されて絶縁物となり、以後、電流はＨｇＣｄＴｅ層の側
面のみに流れこの側面に迅速に良質の酸化膜が形成され
るようにしたものである。なお、電極の表面もＡＩで覆
われているので電極の表面も酸化されるが、 ＡＩの酸
化膜は極めて容易に除去しうるので。
の側面も陽極酸化液に接触しＩｎ電極とＨｇＣｄＴｅ層
の双方の側面が酸化される。一方、Ｉｎの酸化物は導電
性であるから、これを介して電流が漏れＨｇＣｄＴｅ層
の側面の酸化の進行が阻害される。そこで、Ｉｎ電極上
をＡＩ等、それ自身酸化されやすく、その酸化物が絶縁
物である金属をもってカバーし１、陽極酸化液には、Ｈ
ｇＣｄＴｅ層の側面とこの金属（Ａ１）膜とが接触する
ようにし２陽極酸化工程が少し進行するとＡ１膜が酸化
されて絶縁物となり、以後、電流はＨｇＣｄＴｅ層の側
面のみに流れこの側面に迅速に良質の酸化膜が形成され
るようにしたものである。なお、電極の表面もＡＩで覆
われているので電極の表面も酸化されるが、 ＡＩの酸
化膜は極めて容易に除去しうるので。
電極機能を阻害することはない。
本発明はＨｇＣｄＴｅ光伝導素子型の赤外線検知器の製
造方法に関する。特に、ＨｇＣｄＴｅ層の側面にパッジ
ベージ璽ン膜を形成する工程の改良に関する。
造方法に関する。特に、ＨｇＣｄＴｅ層の側面にパッジ
ベージ璽ン膜を形成する工程の改良に関する。
従来、ＨｇＣｄＴｅ光伝導素子型赤外線検知器を製造す
るには、サファイヤ等の絶縁物基板上に形成されたＨｇ
ＣｄＴｅ層の表面を陽極酸化してここに受光窓とされる
透光性絶縁膜を形成し、この透光性絶縁膜を電極形成領
域から除去し、この電極形成領域のみに選択的にＩｎ等
の金属膜を形成して電極を形成し、この電極表面と受光
窓をなす透光性絶縁膜の表面とをフォトレジス）Ｍでカ
バーしてアルゴンスパッター法等を使用してＨｇＣｄＴ
ｅ層を、電極及び受光窓（光伝導体層）以外の領域から
除去して素子分離をなし、この工程に使用したフォトレ
ジスト膜を残留したま−ＨｇＣｄＴｅ暦の側面を陽極酸
化していた。
るには、サファイヤ等の絶縁物基板上に形成されたＨｇ
ＣｄＴｅ層の表面を陽極酸化してここに受光窓とされる
透光性絶縁膜を形成し、この透光性絶縁膜を電極形成領
域から除去し、この電極形成領域のみに選択的にＩｎ等
の金属膜を形成して電極を形成し、この電極表面と受光
窓をなす透光性絶縁膜の表面とをフォトレジス）Ｍでカ
バーしてアルゴンスパッター法等を使用してＨｇＣｄＴ
ｅ層を、電極及び受光窓（光伝導体層）以外の領域から
除去して素子分離をなし、この工程に使用したフォトレ
ジスト膜を残留したま−ＨｇＣｄＴｅ暦の側面を陽極酸
化していた。
ところが、上記の陽極酸化工程には下記の欠点がともな
う、すなわち、まず、陽極酸化液には、ＨｇＣｄＴｅ層
上に形成されたＩｎ等の電極の側面も接触するので、Ｈ
ｇＣｄＴｅ層の側面のみならずＩｎ電極の側面も陽極酸
化されることになる。しかし、Ｉｎの酸化物は導電性で
あるから、陽極酸化工程が少し進行すると、電流は主と
してＩｎ電極側の側面を流れることになり、 ＨｇＣｄ
Ｔｅ層の側面の陽極酸化が進行しなくなり、ＨｇＣｄＴ
ｅ層の側面の酸化に極めて長い時間を要する。さらに、
Ｉｎ等の電極表面はフォトレジスト膜でカバーして陽
極酸化するのであるから、フォトレジストによる汚染も
発生することになり、良好な絶縁膜が形成され難い。
う、すなわち、まず、陽極酸化液には、ＨｇＣｄＴｅ層
上に形成されたＩｎ等の電極の側面も接触するので、Ｈ
ｇＣｄＴｅ層の側面のみならずＩｎ電極の側面も陽極酸
化されることになる。しかし、Ｉｎの酸化物は導電性で
あるから、陽極酸化工程が少し進行すると、電流は主と
してＩｎ電極側の側面を流れることになり、 ＨｇＣｄ
Ｔｅ層の側面の陽極酸化が進行しなくなり、ＨｇＣｄＴ
ｅ層の側面の酸化に極めて長い時間を要する。さらに、
Ｉｎ等の電極表面はフォトレジスト膜でカバーして陽
極酸化するのであるから、フォトレジストによる汚染も
発生することになり、良好な絶縁膜が形成され難い。
本発明の目的は、これらの欠点な解消し、 ＨｇＣｄＴ
ｅよりなる光伝導素子型の赤外線検知器の製造方法にお
いて、素子分離後のバッシベーション工程が短時間に確
実になされ、しかも、不純物による汚染等も受けずその
パッシベーション膜は良質であるようにする改良を提供
することにある。
ｅよりなる光伝導素子型の赤外線検知器の製造方法にお
いて、素子分離後のバッシベーション工程が短時間に確
実になされ、しかも、不純物による汚染等も受けずその
パッシベーション膜は良質であるようにする改良を提供
することにある。
本発明は、絶縁性基板ｌ上にＨｇＣｄＴｅ層２を形成し
、このＨｇＣｄＴｅ層２の表面を酸化して透光性絶縁膜
３を形成し、この透光性絶縁膜３を電極形成領域から除
去し、この電極形成領域に第１の金属膜を形成して電極
４．５を形成し、第２の金属膜６を形成し、この第２の
金属膜６を受光窓領域７から除去し、前記の電極４．５
と受光窓領域７とこれらを囲む幅の狭い領域８との上に
フォトレジスト膜９を形成し、このフォトレジスト８９
をエツチングマスクとして前記のＨｇＣｄＴｅ層２をエ
ツチングして素子分離をなし、前記のフォトレジストＭ
９を溶解除去した後、陽極酸化法を使用して前記の第２
の金属膜６と前記のＨｇＣｄＴｅ層２の側面とを酸化し
てパッシベーション膜２１を形成する工程を有する赤外
線検知器の製造方法にある。
、このＨｇＣｄＴｅ層２の表面を酸化して透光性絶縁膜
３を形成し、この透光性絶縁膜３を電極形成領域から除
去し、この電極形成領域に第１の金属膜を形成して電極
４．５を形成し、第２の金属膜６を形成し、この第２の
金属膜６を受光窓領域７から除去し、前記の電極４．５
と受光窓領域７とこれらを囲む幅の狭い領域８との上に
フォトレジスト膜９を形成し、このフォトレジスト８９
をエツチングマスクとして前記のＨｇＣｄＴｅ層２をエ
ツチングして素子分離をなし、前記のフォトレジストＭ
９を溶解除去した後、陽極酸化法を使用して前記の第２
の金属膜６と前記のＨｇＣｄＴｅ層２の側面とを酸化し
てパッシベーション膜２１を形成する工程を有する赤外
線検知器の製造方法にある。
なお、陽極酸化は第２の金属ｉｌｌ （ＡＩ膜）６の表
面にもなされるが、Ａ１の酸化膜は極めて薄く、ワイヤ
ボンディングの際、容易に酸化膜を破ることができる。
面にもなされるが、Ａ１の酸化膜は極めて薄く、ワイヤ
ボンディングの際、容易に酸化膜を破ることができる。
上記の欠点は、電極として使用されるＩｎの酸化物が導
電性であり、しかも、Ｉｎ電極の側面が陽極酸化液に接
触することにあるから、 Ｉｎ電極上に、ＡＩ等、それ
自身酸化されやすく、しかも、その酸化物は絶縁物であ
る金属の膜（第２の金属膜）を形成し、素子分離にあた
ってはＩｎ電極より僅かに広い領域を残留するようにし
、陽極酸化は、素子分離工程に使用したフォトレジスト
膜を除去した後に実行し、陽極酸化液には、ＨｇＣｄＴ
ｅ層の側面とＡ１等の上記第２の金属膜のみが接触する
ようにし、陽極酸化工程の初期にはＡ１等の上記第２の
金属膜がまず酸化されるが、この酸化物は絶縁物である
から、陽極酸化工程の進行にともない。
電性であり、しかも、Ｉｎ電極の側面が陽極酸化液に接
触することにあるから、 Ｉｎ電極上に、ＡＩ等、それ
自身酸化されやすく、しかも、その酸化物は絶縁物であ
る金属の膜（第２の金属膜）を形成し、素子分離にあた
ってはＩｎ電極より僅かに広い領域を残留するようにし
、陽極酸化は、素子分離工程に使用したフォトレジスト
膜を除去した後に実行し、陽極酸化液には、ＨｇＣｄＴ
ｅ層の側面とＡ１等の上記第２の金属膜のみが接触する
ようにし、陽極酸化工程の初期にはＡ１等の上記第２の
金属膜がまず酸化されるが、この酸化物は絶縁物である
から、陽極酸化工程の進行にともない。
電流はＨｇＣｄＴｅ層の側面のみに集中し、ここに良質
の絶縁膜を迅速に形成するようにしたものである。
の絶縁膜を迅速に形成するようにしたものである。
以下１図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係るＨｇ
ＣｄＴｅ光伝導型の赤外線検知器の製造方法について、
さらに説明する。
ＣｄＴｅ光伝導型の赤外線検知器の製造方法について、
さらに説明する。
第２図、第３図参照
サファイヤ等の絶縁物基板ｌ上に厚さｌＧ〜数ｌＯル■
のＨｇＣｄＴｅ層２を形成する。
のＨｇＣｄＴｅ層２を形成する。
ＨｇＣｄＴｅ層２の表面数百人程度を陽極酸化して透光
性絶縁Ｈ３を形成する。
性絶縁Ｈ３を形成する。
透光性絶縁１１１３を電極形成領域から除去する。
全面にＩｎ等を厚さ１．腸程度に形成した後、電極形成
領域以外から除去して、正負の電極４．５を形成する。
領域以外から除去して、正負の電極４．５を形成する。
第４図、第５図参照
Ａｌ膜６を厚さ数１００人に形成する。このＡＩ膜６を
電極４，５に挟まれる受光領域７から除去する。
電極４，５に挟まれる受光領域７から除去する。
フォトレジスト膜９を形成してフォトリソグラフィー法
を使用してこれを素子領域（電極４，５とそれらに挟ま
れた受光窓領域７）以外から除去する。このとき、フォ
トレジストＭ９は素子領域より僅かに大きくして、素子
領域を囲む幅の狭い領域８にも残しておく。
を使用してこれを素子領域（電極４，５とそれらに挟ま
れた受光窓領域７）以外から除去する。このとき、フォ
トレジストＭ９は素子領域より僅かに大きくして、素子
領域を囲む幅の狭い領域８にも残しておく。
第６図参照
アルゴンスパッタを使用するドライエツチング法等を使
用して、上記の７オトレジスト膜９によってカバーされ
ていない領域からＡ１１１１Ｂと透光性絶縁ｌ１１３と
ＨｇＣｄＴｅ層２とを除去する。
用して、上記の７オトレジスト膜９によってカバーされ
ていない領域からＡ１１１１Ｂと透光性絶縁ｌ１１３と
ＨｇＣｄＴｅ層２とを除去する。
第１（ａ）図、第１． （ｂ ）図参照フォトレジスト
Ｉｌ！Ｊ９を溶解除去した後、ＫＯＨバス中で陽極酸化
をなし、電極４．５をカバーして形成されているＡ１１
ｌ！６の表面とＨｇＣｄＴｅ層２の側面とを酸化する。
Ｉｌ！Ｊ９を溶解除去した後、ＫＯＨバス中で陽極酸化
をなし、電極４．５をカバーして形成されているＡ１１
ｌ！６の表面とＨｇＣｄＴｅ層２の側面とを酸化する。
このとき、当初は、ＡＩ膜６に電流が集中して。
これが酸化されてＡｌ融化ＪＩＩ８１に転換されるがＡ
Ｉの触化膜は絶縁物であるから、以後は、ＨｇＣｄＴｅ
層２の側面のみに電流が集中して、ここに酸化膜２１が
迅速に形成されてパッジベージ、ンされる。そして、こ
の工程は、フォトレジスト膜９が除去された後になされ
るので、フォトレジストによる汚染のおそれはなく、パ
ッジベージ、ン膜２１は良質である。
Ｉの触化膜は絶縁物であるから、以後は、ＨｇＣｄＴｅ
層２の側面のみに電流が集中して、ここに酸化膜２１が
迅速に形成されてパッジベージ、ンされる。そして、こ
の工程は、フォトレジスト膜９が除去された後になされ
るので、フォトレジストによる汚染のおそれはなく、パ
ッジベージ、ン膜２１は良質である。
（発明の効果）
以上説明せるとおり、本発明においては、ＨｇＣｄＴｅ
光伝導型の赤外線検知器の電極として、 Ｉｎ等第１の
金属膜とＡ１等第２の金属膜との二重層が使用されてお
り、バッジベージ璽ンのための陽極酸化工程においては
ＨｇＣｄＴｅ層の側面とＡｌｆｉのみが陽極醜化液と接
触することとされており、陽極酸化工程の当初は主とし
てＡ１等第２の金属膜が酸化されるが、これが酸化され
て絶縁物に転還されると。
光伝導型の赤外線検知器の電極として、 Ｉｎ等第１の
金属膜とＡ１等第２の金属膜との二重層が使用されてお
り、バッジベージ璽ンのための陽極酸化工程においては
ＨｇＣｄＴｅ層の側面とＡｌｆｉのみが陽極醜化液と接
触することとされており、陽極酸化工程の当初は主とし
てＡ１等第２の金属膜が酸化されるが、これが酸化され
て絶縁物に転還されると。
以後はＨｇＣｄＴｅ層の側面のみが渠速に酸化される。
しかも、フォトレジスト膜はこの陽極酸化工程の前ｉ除
去されているので、フォトレジストによる汚染のおそれ
からも開放される。
去されているので、フォトレジストによる汚染のおそれ
からも開放される。
第１ （ａ）図、第１（ｂ）図は、本発明に係る赤外線
検知器の製造方法をもって製造されたＨｇＣｄＴｅ光伝
導型の赤外線検知器の平面図とそのＡ−Ａ断面図である
。 第２〜６図は、本発明の一実施例に係る赤外線検知器の
製造方法の主要工程完了後の基板平面図とそのＡ−Ａ断
面図である。 １・・・絶縁性基板（サファイヤ）、 ２・・−）Ｉｇ
ＣｄＴｅ層、２１＠−−パッジベージ、ン膜。 ３・・・透光性絶縁膜、 ４，５正負の電極（第１の金
属Ｍ）、 ６１１０・第２の金属膜（Ａｌｌ！り、８
１・・−ＡＩ酸化膜、 ７・・・受光窓、 ８・・・素
子領域を囲む幅の狭い領域、 ９・拳・フオ本発 明 第１（ａ）図 第１（ｂ）図 工程旧 第２！！に 孔口 １３ｆｆｌ ″：Ｌ我口 第４１！１ 工Ｒ圓 第５図
検知器の製造方法をもって製造されたＨｇＣｄＴｅ光伝
導型の赤外線検知器の平面図とそのＡ−Ａ断面図である
。 第２〜６図は、本発明の一実施例に係る赤外線検知器の
製造方法の主要工程完了後の基板平面図とそのＡ−Ａ断
面図である。 １・・・絶縁性基板（サファイヤ）、 ２・・−）Ｉｇ
ＣｄＴｅ層、２１＠−−パッジベージ、ン膜。 ３・・・透光性絶縁膜、 ４，５正負の電極（第１の金
属Ｍ）、 ６１１０・第２の金属膜（Ａｌｌ！り、８
１・・−ＡＩ酸化膜、 ７・・・受光窓、 ８・・・素
子領域を囲む幅の狭い領域、 ９・拳・フオ本発 明 第１（ａ）図 第１（ｂ）図 工程旧 第２！！に 孔口 １３ｆｆｌ ″：Ｌ我口 第４１！１ 工Ｒ圓 第５図
Claims (1)
- 絶縁性基板（１）上にＨｇＣｄＴｅ層（２）を形成し
、該ＨｇＣｄＴｅ層（２）の表面を酸化して透光性絶縁
膜（３）を形成し、該透光性絶縁膜（３）を電極形成領
域から除去し、該電極形成領域に第１の金属膜を形成し
て電極（４）、（５）を形成し、第２の金属膜（６）を
形成し、該第２の金属膜（６）を受光窓領域（７）から
除去し、前記電極（４）、（５）と前記受光窓領域（７
）とこれらを囲む幅の狭い領域（８）との上にフォトレ
ジスト膜（９）を形成し、該フォトレジスト膜（９）を
エッチングマスクとして前記ＨｇＣｄＴｅ層（２）をエ
ッチングして素子分離をなし、前記フォトレジスト膜（
９）を溶解除去した後、陽極酸化法を使用して前記第２
の金属膜（６）と前記ＨｇＣｄＴｅ層（２）の側面とを
酸化してパッシベーション膜（２１）を形成する工程を
有する赤外線検知器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60092506A JPS61251167A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 赤外線検知器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60092506A JPS61251167A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 赤外線検知器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61251167A true JPS61251167A (ja) | 1986-11-08 |
Family
ID=14056192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60092506A Pending JPS61251167A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 赤外線検知器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61251167A (ja) |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP60092506A patent/JPS61251167A/ja active Pending
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