JPH05275731A - フォトダイオード - Google Patents
フォトダイオードInfo
- Publication number
- JPH05275731A JPH05275731A JP4066976A JP6697692A JPH05275731A JP H05275731 A JPH05275731 A JP H05275731A JP 4066976 A JP4066976 A JP 4066976A JP 6697692 A JP6697692 A JP 6697692A JP H05275731 A JPH05275731 A JP H05275731A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- interference filter
- filter
- silicon
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フィルタオンチップ型のフォトダイオードの
干渉フィルタを微細にエッチング加工する。 【構成】 シリコン半導体基板１とＰ型不純物拡散層２
からなるフォトダイオードの表面にＳｉＯ2 膜５，第１
のＳｉＮ膜８，干渉フィルタ９，第２のＳｉＮ膜１０を
順次に積層する。
干渉フィルタを微細にエッチング加工する。 【構成】 シリコン半導体基板１とＰ型不純物拡散層２
からなるフォトダイオードの表面にＳｉＯ2 膜５，第１
のＳｉＮ膜８，干渉フィルタ９，第２のＳｉＮ膜１０を
順次に積層する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カメラ等のオートフォ
ーカス，自動露光および色調整用等に使用される干渉フ
ィルタを表面に形成したフォトダイオードに関するもの
である。
ーカス，自動露光および色調整用等に使用される干渉フ
ィルタを表面に形成したフォトダイオードに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、カメラ等のオートフォーカス，自
動露光等に使用されるフォトダイオードは通常樹脂モー
ルドされる。この場合に使用されるフィルタは、上記モ
ールド樹脂上に吸収ガラスフィルタを接着するか、また
はモールド樹脂中に染色材等を入れて形成されている。
また、カメラの色調整に使用するオートホワイトバラン
ス用のフォトダイオードでは、フィルタはフォトダイオ
ード上に周知の印刷技術等により形成されている。
動露光等に使用されるフォトダイオードは通常樹脂モー
ルドされる。この場合に使用されるフィルタは、上記モ
ールド樹脂上に吸収ガラスフィルタを接着するか、また
はモールド樹脂中に染色材等を入れて形成されている。
また、カメラの色調整に使用するオートホワイトバラン
ス用のフォトダイオードでは、フィルタはフォトダイオ
ード上に周知の印刷技術等により形成されている。
【０００３】さらに、光の干渉を利用した誘電体多層膜
からなる干渉フィルタがある。これは、高屈折率と低屈
折率の膜を交互に設けた多層膜によって構成されてい
る。
からなる干渉フィルタがある。これは、高屈折率と低屈
折率の膜を交互に設けた多層膜によって構成されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の吸収ガラスフィ
ルタや染色材等を入れた樹脂を使用したフィルタ、また
は印刷技術によるフィルタでは、染色材等の量によりフ
ィルタの透過率が変わり、また、ある波長のみ選択的に
高い透過率のフィルタの作成が困難であった。
ルタや染色材等を入れた樹脂を使用したフィルタ、また
は印刷技術によるフィルタでは、染色材等の量によりフ
ィルタの透過率が変わり、また、ある波長のみ選択的に
高い透過率のフィルタの作成が困難であった。
【０００５】一方、干渉フィルタは、上記のある波長の
み選択的に高い透過率のフィルタの作成が容易で、チッ
プの上にフィルタを形成したいわゆるフィルタオンチッ
プ用のフィルタとして有効である。干渉フィルタとして
は、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の多層膜があるが、選択的なエ
ッチングが周知のフォトレジストを用いたフォトエッチ
ング技術では困難であった。
み選択的に高い透過率のフィルタの作成が容易で、チッ
プの上にフィルタを形成したいわゆるフィルタオンチッ
プ用のフィルタとして有効である。干渉フィルタとして
は、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の多層膜があるが、選択的なエ
ッチングが周知のフォトレジストを用いたフォトエッチ
ング技術では困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトダイオー
ドにおいては、半導体基板の表面に、シリコンと窒素の
化合物よりなる第１の膜と、干渉フィルタと、シリコン
と窒素の化合物よりなる第２の膜を順次積層するように
した。
ドにおいては、半導体基板の表面に、シリコンと窒素の
化合物よりなる第１の膜と、干渉フィルタと、シリコン
と窒素の化合物よりなる第２の膜を順次積層するように
した。
【０００７】
【作用】本発明によれば、干渉フィルタの上下にシリコ
ンと窒素の化合物の膜を形成し、干渉フィルタの上方の
シリコンと窒素の化合物の膜を干渉フィルタのエッチン
グ時のマスクとし、干渉フィルタの下方のシリコンと窒
素の化合物の膜を下地の電極とＳｉＯ2 膜の保護膜とし
て使用することにより、干渉フィルタを微細にエッチン
グできる。
ンと窒素の化合物の膜を形成し、干渉フィルタの上方の
シリコンと窒素の化合物の膜を干渉フィルタのエッチン
グ時のマスクとし、干渉フィルタの下方のシリコンと窒
素の化合物の膜を下地の電極とＳｉＯ2 膜の保護膜とし
て使用することにより、干渉フィルタを微細にエッチン
グできる。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明の一実施例の略断面図であ
る。
る。
【０００９】以下この構造を得るための製法を説明す
る。Ｎ型のシリコン半導体基板１に、その表面の内側と
外側にそれぞれＰ型不純物拡散層２および３を形成す
る。Ｐ型不純物拡散層２はフォトダイオードの受光部と
なり、Ｐ型不純物拡散層３はダミーのフォトダイオード
の受光部を形成する。ダミーのフォトダイオードは、チ
ップ周辺に照射された光によるキャリアをトラップする
目的で形成する。次に、チャネルストッパとなるＮ型不
純物拡散層４を外周に形成し、それらの表面にＳｉＯ2
膜５を形成する。ＳｉＯ2 膜５の必要な部分に、アノー
ドおよびカソードのコンタクトホール１１および１２を
形成後、Ａｌ蒸着による電極６および７を形成する。電
極６および７を含む表面全面にプラズマＣＶＤにより、
シリコンと窒素との化合物の第１の膜たとえばＳｉＮ膜
８を被着させる。
る。Ｎ型のシリコン半導体基板１に、その表面の内側と
外側にそれぞれＰ型不純物拡散層２および３を形成す
る。Ｐ型不純物拡散層２はフォトダイオードの受光部と
なり、Ｐ型不純物拡散層３はダミーのフォトダイオード
の受光部を形成する。ダミーのフォトダイオードは、チ
ップ周辺に照射された光によるキャリアをトラップする
目的で形成する。次に、チャネルストッパとなるＮ型不
純物拡散層４を外周に形成し、それらの表面にＳｉＯ2
膜５を形成する。ＳｉＯ2 膜５の必要な部分に、アノー
ドおよびカソードのコンタクトホール１１および１２を
形成後、Ａｌ蒸着による電極６および７を形成する。電
極６および７を含む表面全面にプラズマＣＶＤにより、
シリコンと窒素との化合物の第１の膜たとえばＳｉＮ膜
８を被着させる。
【００１０】次に、蒸着によりチタン酸化物たとえばＴ
ｉＯ2 膜と、シリコン酸化物たとえばＳｉＯ2 膜の多層
膜からなる干渉フィルタ９を形成する。さらに干渉フィ
ルタ９の上に第２のＳｉＮ膜１０を被着させる。
ｉＯ2 膜と、シリコン酸化物たとえばＳｉＯ2 膜の多層
膜からなる干渉フィルタ９を形成する。さらに干渉フィ
ルタ９の上に第２のＳｉＮ膜１０を被着させる。
【００１１】干渉フィルタ９上のＳｉＮ膜１０は、周知
のフォトレジストを用いたフォトプロセスによりパター
ンを形成した後に、ＣＦ4 ガスを使用したプラズマエッ
チングにより、選択的にドライエッチングされる。次に
選択的にエッチングされた第２のＳｉＮ膜１０をマスク
として、ＴｉＯ2 膜とＳｉＯ2 膜の多層膜からなる干渉
フィルタ９を、たとえば硫酸とＨＦの混合液によるエッ
チングをする。このとき下方の第１のＳｉＮ膜８は、電
極６および７ならびにＳｉＯ2 膜５の保護膜となる。
のフォトレジストを用いたフォトプロセスによりパター
ンを形成した後に、ＣＦ4 ガスを使用したプラズマエッ
チングにより、選択的にドライエッチングされる。次に
選択的にエッチングされた第２のＳｉＮ膜１０をマスク
として、ＴｉＯ2 膜とＳｉＯ2 膜の多層膜からなる干渉
フィルタ９を、たとえば硫酸とＨＦの混合液によるエッ
チングをする。このとき下方の第１のＳｉＮ膜８は、電
極６および７ならびにＳｉＯ2 膜５の保護膜となる。
【００１２】次に、干渉フィルタ９のエッチング後、前
記と同様フォトエッチングにより干渉フィルタ９の下方
の第１のＳｉＮ膜８を、選択的に電極６および７ならび
にダイシングラインをプラズマエッチングする。このと
き、干渉フィルタ９およびその上の第２のＳｉＮ膜１０
を、干渉フィルタ９の下の第１のＳｉＮ膜８のマスクと
して使用してもよい。
記と同様フォトエッチングにより干渉フィルタ９の下方
の第１のＳｉＮ膜８を、選択的に電極６および７ならび
にダイシングラインをプラズマエッチングする。このと
き、干渉フィルタ９およびその上の第２のＳｉＮ膜１０
を、干渉フィルタ９の下の第１のＳｉＮ膜８のマスクと
して使用してもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、干渉フィルタ９の上下の
ＳｉＮ膜１０および８を、干渉フィルタ９のエッチング
時のマスクおよび下地のＡｌによる電極６および７とＳ
ｉＯ2膜５の保護膜として使用することにより、干渉フ
ィルタ９を微細にエッチングでき、フィルタオンチップ
用の干渉フィルタとして利用できる。
ＳｉＮ膜１０および８を、干渉フィルタ９のエッチング
時のマスクおよび下地のＡｌによる電極６および７とＳ
ｉＯ2膜５の保護膜として使用することにより、干渉フ
ィルタ９を微細にエッチングでき、フィルタオンチップ
用の干渉フィルタとして利用できる。
【図１】図１は本発明の一実施例の略断面図である。
１ シリコン半導体基板 ２，３ Ｐ型不純物拡散層 ４ チャネルストッパ ５ ＳｉＯ2 膜 ６，７ 電極 ８，１０ ＳｉＮ膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の表面にシリコンと窒素の化
合物よりなる第１の膜と、干渉フィルタと、シリコンと
窒素の化合物よりなる第２の膜を順次積層したことを特
徴とするフォトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4066976A JPH05275731A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | フォトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4066976A JPH05275731A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | フォトダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275731A true JPH05275731A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13331568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4066976A Withdrawn JPH05275731A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | フォトダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275731A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997038449A1 (en) * | 1996-04-10 | 1997-10-16 | Taylor Hobson Limited | A photosensitive device and a method of manufacturing same |
| JP2003520439A (ja) * | 2000-01-10 | 2003-07-02 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン（パブル） | 統合波長モニタ |
| KR100829315B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2008-05-13 | 현대자동차주식회사 | 수동 변속기 차량용 클러치의 조작감 향상 장치 |
| WO2015029705A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体エネルギー線検出素子 |
| JPWO2015064697A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-03-09 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびこれを用いたセンサ装置 |
| JP2022543543A (ja) * | 2019-08-12 | 2022-10-13 | エイエムエス－オスラム アーゲー | オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法 |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP4066976A patent/JPH05275731A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997038449A1 (en) * | 1996-04-10 | 1997-10-16 | Taylor Hobson Limited | A photosensitive device and a method of manufacturing same |
| JP2003520439A (ja) * | 2000-01-10 | 2003-07-02 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン（パブル） | 統合波長モニタ |
| KR100829315B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2008-05-13 | 현대자동차주식회사 | 수동 변속기 차량용 클러치의 조작감 향상 장치 |
| WO2015029705A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体エネルギー線検出素子 |
| JP2015050223A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体エネルギー線検出素子 |
| JPWO2015064697A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-03-09 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびこれを用いたセンサ装置 |
| JP2022543543A (ja) * | 2019-08-12 | 2022-10-13 | エイエムエス－オスラム アーゲー | オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |