JPH10125580A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
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- JPH10125580A JPH10125580A JP27798796A JP27798796A JPH10125580A JP H10125580 A JPH10125580 A JP H10125580A JP 27798796 A JP27798796 A JP 27798796A JP 27798796 A JP27798796 A JP 27798796A JP H10125580 A JPH10125580 A JP H10125580A
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- ray
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】短波長域（例えば４００〜５５０ｎｍ）のアラ
イメント光であっても充分な透過率を有するＸ線透過性
支持膜を有するＸ線マスクを提供することを目的とす
る。 【解決手段】アライメント光反射防止膜と、アライメン
ト光透過性Ｘ線透過性支持膜と、前記アライメント光透
過性Ｘ線透過性支持膜上に形成されたＸ線吸収体パター
ンとを少なくとも有するＸ線マスクにおいて、アライメ
ント光反射防止膜を、低屈折率材料よりなる透明薄膜
と、高屈折率材料よりなる透明薄膜とを交互に所定の層
数積層した光学多層膜とし、ＳｉＮX 膜よりなるアライ
メント光透過性Ｘ線透過性支持膜にて前記アライメント
光反射防止膜を挟持したことを特徴とするＸ線マスク。
イメント光であっても充分な透過率を有するＸ線透過性
支持膜を有するＸ線マスクを提供することを目的とす
る。 【解決手段】アライメント光反射防止膜と、アライメン
ト光透過性Ｘ線透過性支持膜と、前記アライメント光透
過性Ｘ線透過性支持膜上に形成されたＸ線吸収体パター
ンとを少なくとも有するＸ線マスクにおいて、アライメ
ント光反射防止膜を、低屈折率材料よりなる透明薄膜
と、高屈折率材料よりなる透明薄膜とを交互に所定の層
数積層した光学多層膜とし、ＳｉＮX 膜よりなるアライ
メント光透過性Ｘ線透過性支持膜にて前記アライメント
光反射防止膜を挟持したことを特徴とするＸ線マスク。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィ
ーに使用するＸ線マスクに関する。
ーに使用するＸ線マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＸ線露光用マスクの構造は、少な
くとも、Ｘ線を吸収する重金属膜よりなるＸ線吸収体パ
ターンと、その重金属パターンを支持するＸ線の吸収の
少ない、例えば低分子量化合物の膜と、その膜の外周を
固定する枠とからなっている。Ｘ線を吸収する重金属パ
ターンは、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ等原子番号の大きい物質で形
成され、例えば厚さ 0.2〜 1μｍの微細回路パターンを
形成している。また、枠材はＳｉ等、比較的剛性があ
り、部分的にエッチング除去できる物質からなり、通常
厚さ 1〜 2mmであり、内部の所定領域に窓が形成されて
いる。重金属パーンを支持するＸ線の吸収の少ない膜
は、この窓を塞ぐかたちで、枠材に固定されている。
くとも、Ｘ線を吸収する重金属膜よりなるＸ線吸収体パ
ターンと、その重金属パターンを支持するＸ線の吸収の
少ない、例えば低分子量化合物の膜と、その膜の外周を
固定する枠とからなっている。Ｘ線を吸収する重金属パ
ターンは、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ等原子番号の大きい物質で形
成され、例えば厚さ 0.2〜 1μｍの微細回路パターンを
形成している。また、枠材はＳｉ等、比較的剛性があ
り、部分的にエッチング除去できる物質からなり、通常
厚さ 1〜 2mmであり、内部の所定領域に窓が形成されて
いる。重金属パーンを支持するＸ線の吸収の少ない膜
は、この窓を塞ぐかたちで、枠材に固定されている。
【０００３】Ｘ線リソグラフィーはこのようなＸ線露光
用マスクを介して、該マスクの裏側、すなわち枠材側か
ら、Ｘ線を照射して、該マスクのパターンを基板状のレ
ジストへ露光転写する方法である。半導体集積回路の製
造では、何層ものパターンを精度よく重ね合わせていく
必要があり、Ｘ線リソグラフィーでは、そのためのアラ
イメント光源として、例えば可視光のＨｅ−Ｎｅレーザ
ーがよく使用されている。
用マスクを介して、該マスクの裏側、すなわち枠材側か
ら、Ｘ線を照射して、該マスクのパターンを基板状のレ
ジストへ露光転写する方法である。半導体集積回路の製
造では、何層ものパターンを精度よく重ね合わせていく
必要があり、Ｘ線リソグラフィーでは、そのためのアラ
イメント光源として、例えば可視光のＨｅ−Ｎｅレーザ
ーがよく使用されている。
【０００４】重金属パターンを支持するＸ線の吸収の少
ない膜は、アライメント光を透過する必要があるため、
例えばアライメント光透過性Ｘ線透過性支持膜と呼称さ
れる（以下、単に、Ｘ線透過性支持膜と記す）。Ｘ線マ
スクは精度の良い重ね合わせが要求されるため、Ｘ線透
過性支持膜は、アライメント光にたいしては充分な光透
過率が要求されるものである。そのため、照射されたア
ライメント光の反射を少なくするべく、Ｘ線透過性支持
膜にアライメント光反射防止膜を形成する方法が提案さ
れている。例えば、アライメント光反射防止膜（以下、
単に、光反射防止膜２と記す）を形成したＸ線マスク１
の例として、図３の例に示す構造のものが知られてい
る。
ない膜は、アライメント光を透過する必要があるため、
例えばアライメント光透過性Ｘ線透過性支持膜と呼称さ
れる（以下、単に、Ｘ線透過性支持膜と記す）。Ｘ線マ
スクは精度の良い重ね合わせが要求されるため、Ｘ線透
過性支持膜は、アライメント光にたいしては充分な光透
過率が要求されるものである。そのため、照射されたア
ライメント光の反射を少なくするべく、Ｘ線透過性支持
膜にアライメント光反射防止膜を形成する方法が提案さ
れている。例えば、アライメント光反射防止膜（以下、
単に、光反射防止膜２と記す）を形成したＸ線マスク１
の例として、図３の例に示す構造のものが知られてい
る。
【０００５】すなわち、Ｘ線透過性支持膜３である、例
えば膜厚 2μｍのＳｉＮX （チッ化ケイ素）膜を、例え
ば膜厚1050ÅのＳｉＯ2 （二酸化ケイ素）よりなる光反
射防止膜２で挟持した構成としたものである。引っ張り
応力を有するＳｉＮX 膜を、圧縮応力を有するＳｉＯ2
膜で挟持したことにより、力のバランスがとれた応力制
御に優れた光反射防止膜付きＸ線透過性支持膜が得られ
るものである。
えば膜厚 2μｍのＳｉＮX （チッ化ケイ素）膜を、例え
ば膜厚1050ÅのＳｉＯ2 （二酸化ケイ素）よりなる光反
射防止膜２で挟持した構成としたものである。引っ張り
応力を有するＳｉＮX 膜を、圧縮応力を有するＳｉＯ2
膜で挟持したことにより、力のバランスがとれた応力制
御に優れた光反射防止膜付きＸ線透過性支持膜が得られ
るものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来、被露光体とＸ線
マスクとの位置合わせ（アライメント）に用いる光とし
てＨｅ−Ｎｅレーザー（例えば、光波長λ：６３２．８
ｎｍ）がよく使用されていたものである。上述した図３
の例に示すような、従来の光反射防止膜付きＸ線透過性
支持膜では、Ｈｅ−Ｎｅレーザーの光波長域での光透過
率が良く、例えば90％以上の光透過率となっていたもの
である。
マスクとの位置合わせ（アライメント）に用いる光とし
てＨｅ−Ｎｅレーザー（例えば、光波長λ：６３２．８
ｎｍ）がよく使用されていたものである。上述した図３
の例に示すような、従来の光反射防止膜付きＸ線透過性
支持膜では、Ｈｅ−Ｎｅレーザーの光波長域での光透過
率が良く、例えば90％以上の光透過率となっていたもの
である。
【０００７】しかし、近年、アライメント光として、ア
ルゴンレーザー（例えば、光波長λ：４６０．０ｎｍ）
または、Ｈｅ−Ｃｄレーザー（例えば、光波長λ：５３
２．０ｎｍ）等の、従来より短波長域の光を用いる要求
がなされているものである。
ルゴンレーザー（例えば、光波長λ：４６０．０ｎｍ）
または、Ｈｅ−Ｃｄレーザー（例えば、光波長λ：５３
２．０ｎｍ）等の、従来より短波長域の光を用いる要求
がなされているものである。
【０００８】しかるに、上述した図３の例に示すよう
な、従来の光反射防止膜付きＸ線透過性支持膜では短波
長域（例えば光波長λが４００〜５５０ｎｍ）の光に吸
収域をもち、充分な光透過率が得られないといえる。こ
のため、従来のＸ線マスクでは、短波長のアライメント
光を用いた場合、アライメントが困難になり、被露光体
へのパターンの重ね合わせ精度も低下していたものであ
る。
な、従来の光反射防止膜付きＸ線透過性支持膜では短波
長域（例えば光波長λが４００〜５５０ｎｍ）の光に吸
収域をもち、充分な光透過率が得られないといえる。こ
のため、従来のＸ線マスクでは、短波長のアライメント
光を用いた場合、アライメントが困難になり、被露光体
へのパターンの重ね合わせ精度も低下していたものであ
る。
【０００９】本発明は、以上の事情に鑑みなされたもの
であり、短波長域（例えば４００〜５５０ｎｍ）のアラ
イメント光であっても充分な光透過率を有するＸ線透過
性支持膜を有するＸ線マスクを提供することを目的とす
る。
であり、短波長域（例えば４００〜５５０ｎｍ）のアラ
イメント光であっても充分な光透過率を有するＸ線透過
性支持膜を有するＸ線マスクを提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明に於い
て上記課題を達成するために、まず請求項１において
は、アライメント光反射防止膜と、アライメント光透過
性Ｘ線透過性支持膜と、前記アライメント光透過性Ｘ線
透過性支持膜上に形成されたＸ線吸収体パターンとを少
なくとも有するＸ線マスクにおいて、アライメント光反
射防止膜を、低屈折率材料よりなる透明薄膜と、高屈折
率材料よりなる透明薄膜とを交互に所定の層数積層した
光学多層膜とし、ＳｉＮX 膜よりなるアライメント光透
過性Ｘ線透過性支持膜にて前記アライメント光反射防止
膜を挟持したことを特徴とするＸ線マスクとしたもので
ある。
て上記課題を達成するために、まず請求項１において
は、アライメント光反射防止膜と、アライメント光透過
性Ｘ線透過性支持膜と、前記アライメント光透過性Ｘ線
透過性支持膜上に形成されたＸ線吸収体パターンとを少
なくとも有するＸ線マスクにおいて、アライメント光反
射防止膜を、低屈折率材料よりなる透明薄膜と、高屈折
率材料よりなる透明薄膜とを交互に所定の層数積層した
光学多層膜とし、ＳｉＮX 膜よりなるアライメント光透
過性Ｘ線透過性支持膜にて前記アライメント光反射防止
膜を挟持したことを特徴とするＸ線マスクとしたもので
ある。
【００１１】また、請求項２においては、前記低屈折率
材料ＬをＳｉＯ2 、高屈折率材料ＨをＴｉＯ2 とし、
（ＬＨ）y Ｌ（ｙは任意の整数）となるよう積層したア
ライメント光反射防止膜を有することを特徴とする請求
項１に記載のＸ線マスクとしたものである。
材料ＬをＳｉＯ2 、高屈折率材料ＨをＴｉＯ2 とし、
（ＬＨ）y Ｌ（ｙは任意の整数）となるよう積層したア
ライメント光反射防止膜を有することを特徴とする請求
項１に記載のＸ線マスクとしたものである。
【００１２】本発明のＸ線マスクに用いる光反射防止膜
２は、低屈折率材料よりなる透明薄膜と、高屈折率材料
よりなる透明薄膜とを交互に所定の層数積層した光学多
層膜８、すなわち、光干渉型フィルター（例えば、ダイ
クロイックフィルター）を援用したものである。このた
め、本発明のＸ線マスクは、短波長域（例えば光波長λ
が４００〜５５０ｎｍ）のアライメント光にたいし高透
過率となるばかりでなく、光学多層膜８を構成する低屈
折率材料と高屈折率材料との層構成、もしくは、各透明
薄膜の光学的膜厚（屈折率と膜厚との積）を変えること
により、光波長４００〜７００ｎｍの任意のアライメン
ト光にたいし高透過率となるＸ線マスクとすることが可
能となる。
２は、低屈折率材料よりなる透明薄膜と、高屈折率材料
よりなる透明薄膜とを交互に所定の層数積層した光学多
層膜８、すなわち、光干渉型フィルター（例えば、ダイ
クロイックフィルター）を援用したものである。このた
め、本発明のＸ線マスクは、短波長域（例えば光波長λ
が４００〜５５０ｎｍ）のアライメント光にたいし高透
過率となるばかりでなく、光学多層膜８を構成する低屈
折率材料と高屈折率材料との層構成、もしくは、各透明
薄膜の光学的膜厚（屈折率と膜厚との積）を変えること
により、光波長４００〜７００ｎｍの任意のアライメン
ト光にたいし高透過率となるＸ線マスクとすることが可
能となる。
【００１３】また、光反射防止膜２とする光学多層膜８
は、例えばアルカリ雰囲気や湿気等の、周辺雰囲気の影
響による経時変化で、光透過率が変動を生じやすいもの
である。しかし本発明のＸ線マスクでは、光学多層膜８
を、Ｘ線透過性支持膜３であるＳｉＮX 膜７で挟持した
構成としているため、光学多層膜８が周辺雰囲気の影響
を受けずにすむ。これにより、耐アルカリ性、耐湿性、
耐熱性等を有する耐久性に優れた光反射防止膜付きＸ線
透過性支持膜とすることができる。
は、例えばアルカリ雰囲気や湿気等の、周辺雰囲気の影
響による経時変化で、光透過率が変動を生じやすいもの
である。しかし本発明のＸ線マスクでは、光学多層膜８
を、Ｘ線透過性支持膜３であるＳｉＮX 膜７で挟持した
構成としているため、光学多層膜８が周辺雰囲気の影響
を受けずにすむ。これにより、耐アルカリ性、耐湿性、
耐熱性等を有する耐久性に優れた光反射防止膜付きＸ線
透過性支持膜とすることができる。
【００１４】さらに、従来の光反射防止膜付きＸ線透過
性支持膜は、ＳｉＯ2 ／ＳｉＮX ／ＳｉＯ2 の層構成で
あり、強度的に弱いものであった。しかし、本発明に用
いる光反射防止膜付きＸ線透過性支持膜は、硬いＳｉＮ
X膜で光学多層膜８を挟持するため、強度が増し剛性が
向上するといえる。
性支持膜は、ＳｉＯ2 ／ＳｉＮX ／ＳｉＯ2 の層構成で
あり、強度的に弱いものであった。しかし、本発明に用
いる光反射防止膜付きＸ線透過性支持膜は、硬いＳｉＮ
X膜で光学多層膜８を挟持するため、強度が増し剛性が
向上するといえる。
【００１５】次いで、本発明に用いる、光反射防止膜付
きＸ線透過性支持膜の内部応力においても、後述するメ
ンブレン化工程において充分処理可能な内部応力とする
ことができるものである。すなわち、積層することで内
部応力のバランスがほぼとれた光学多層膜を、成膜条件
を制御することで引っ張り応力としたＳｉＮX 膜で挟持
しているためである。
きＸ線透過性支持膜の内部応力においても、後述するメ
ンブレン化工程において充分処理可能な内部応力とする
ことができるものである。すなわち、積層することで内
部応力のバランスがほぼとれた光学多層膜を、成膜条件
を制御することで引っ張り応力としたＳｉＮX 膜で挟持
しているためである。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明のＸ線マスクの実施形態
を、以下に示す製造例である図面をもとに記し、さらに
説明を行う。
を、以下に示す製造例である図面をもとに記し、さらに
説明を行う。
【００１７】まず、図１（ａ）に示すように、シリコン
ウェハー６の全面にＸ線透過性支持膜および保護膜とな
る第一のＳｉＮX 膜7aを減圧ＣＶＤ装置で形成した。な
お、このときの製造条件は、成膜温度を 850℃とし、ガ
ス流量を、ＳｉＨ2Ｃｌ2 を 201. 0sccm 、ＮＨ3 を 6
6.0sccm 、Ｎ2 を 200. 0sccm 、また、ガス圧を 40.0
Ｐａとした。ここで、ＳｉＮX 膜7aは、その光学的膜厚
（屈折率と膜厚の積）が、使用するアライメント光波長
λの１／２となるよう形成するものである。
ウェハー６の全面にＸ線透過性支持膜および保護膜とな
る第一のＳｉＮX 膜7aを減圧ＣＶＤ装置で形成した。な
お、このときの製造条件は、成膜温度を 850℃とし、ガ
ス流量を、ＳｉＨ2Ｃｌ2 を 201. 0sccm 、ＮＨ3 を 6
6.0sccm 、Ｎ2 を 200. 0sccm 、また、ガス圧を 40.0
Ｐａとした。ここで、ＳｉＮX 膜7aは、その光学的膜厚
（屈折率と膜厚の積）が、使用するアライメント光波長
λの１／２となるよう形成するものである。
【００１８】次いで、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＮ
X 膜7a上に、低屈折率材料としてＳｉＯ2 （二酸化ケイ
素）の透明薄膜を、高屈折率材料としてＴｉＯ2 （二酸
化チタン）の透明薄膜を交互に所定の層数積層し、光反
射防止膜２となる光学多層膜８を形成した。本実施例で
は、光学多層膜８の形成にＰＶＤ法を用い、その時の製
造条件を以下に記す。すなわち、基板温度 200〜 300
℃、蒸着開始時真空圧７×１０-4Ｐａとし、ＳｉＯ2 薄
膜の蒸着速度を 2.0Å／ｓ、ＴｉＯ2 薄膜の蒸着速度を
1.0Å／ｓとした。なお、ＴｉＯ2 薄膜の蒸着時には、
ガス分圧９×１０-3Ｐａの酸素ガスを流量 40sccm にて
供給した。
X 膜7a上に、低屈折率材料としてＳｉＯ2 （二酸化ケイ
素）の透明薄膜を、高屈折率材料としてＴｉＯ2 （二酸
化チタン）の透明薄膜を交互に所定の層数積層し、光反
射防止膜２となる光学多層膜８を形成した。本実施例で
は、光学多層膜８の形成にＰＶＤ法を用い、その時の製
造条件を以下に記す。すなわち、基板温度 200〜 300
℃、蒸着開始時真空圧７×１０-4Ｐａとし、ＳｉＯ2 薄
膜の蒸着速度を 2.0Å／ｓ、ＴｉＯ2 薄膜の蒸着速度を
1.0Å／ｓとした。なお、ＴｉＯ2 薄膜の蒸着時には、
ガス分圧９×１０-3Ｐａの酸素ガスを流量 40sccm にて
供給した。
【００１９】ＳｉＮX 膜7a上に光反射防止膜２として形
成する、光学多層膜８の積層例を図２に示す。ＳｉＯ2
薄膜９とＴｉＯ2 薄膜10が組になるように、かつ、最終
層がＳｉＯ2 薄膜９となるように複数層積層するもので
ある。また、積層するＳｉＯ 2 薄膜９およびＴｉＯ2 薄
膜10は、各光学的膜厚（屈折率と膜厚の積）が、使用す
るアライメント光の波長λの１／４となるよう形成する
ものである。
成する、光学多層膜８の積層例を図２に示す。ＳｉＯ2
薄膜９とＴｉＯ2 薄膜10が組になるように、かつ、最終
層がＳｉＯ2 薄膜９となるように複数層積層するもので
ある。また、積層するＳｉＯ 2 薄膜９およびＴｉＯ2 薄
膜10は、各光学的膜厚（屈折率と膜厚の積）が、使用す
るアライメント光の波長λの１／４となるよう形成する
ものである。
【００２０】なお、使用するアライメント光の波長によ
り、高透過率を得るために必要とされる光学多層膜８の
積層数、もしくは、各透明薄膜の光学的膜厚（屈折率と
膜厚の積）が異なるため、使用するアライメント光の波
長により、適宜光学多層膜８の積層数もしくは、光学的
膜厚を設定することが望ましい。
り、高透過率を得るために必要とされる光学多層膜８の
積層数、もしくは、各透明薄膜の光学的膜厚（屈折率と
膜厚の積）が異なるため、使用するアライメント光の波
長により、適宜光学多層膜８の積層数もしくは、光学的
膜厚を設定することが望ましい。
【００２１】次いで、上述した第一のＳｉＮX 膜7aを形
成したのと同様の条件にて、減圧ＣＶＤ法を用い第二の
ＳｉＮX 膜7bを形成し、図１（ｃ）を得た。なお、ここ
で形成したＳｉＮX 膜7bも、その光学的膜厚（屈折率と
膜厚の積）を、使用するアライメント光の波長λの１／
２となるよう形成するものである。これにより、本発明
の特徴とする、ＳｉＮX 膜７で光学多層膜８、すなわち
光反射防止膜２を挟持した、光反射防止膜付きＸ線透過
性支持膜11が得られるものである。
成したのと同様の条件にて、減圧ＣＶＤ法を用い第二の
ＳｉＮX 膜7bを形成し、図１（ｃ）を得た。なお、ここ
で形成したＳｉＮX 膜7bも、その光学的膜厚（屈折率と
膜厚の積）を、使用するアライメント光の波長λの１／
２となるよう形成するものである。これにより、本発明
の特徴とする、ＳｉＮX 膜７で光学多層膜８、すなわち
光反射防止膜２を挟持した、光反射防止膜付きＸ線透過
性支持膜11が得られるものである。
【００２２】次いで、裏面のＳｉＮX 膜７の所定部位を
除去してシリコンウェハー６を露出し、図１（ｄ）を得
た。なお、ＳｉＮX 膜７の除去は、ＲＩＥを用いた以下
の工程によったものである。すなわち、 （１）まず、裏面のＳｉＮX 膜７面に、レジスト（東京
応化工業（株）製、商品名「ＯＦＰＲ８００」、 800c
p）を塗布する。 （２）次いで、基板を90℃にて１時間プレベークする。 （３）次いで、レジストの所定の部位にパターン露光
後、ＮａＯＨ（ 0.6重量％）およびＮａ2 ＣＯ3 （ 0.7
重量％）よりなる現像液にて現像を行う。 （４）次いで、ＲＩＥにて、レジストより露出したＳｉ
ＮX 膜７部位をエッチングする。なお、流量 25sccm の
Ｃ2 Ｆ6 ガスを用い、出力 600Ｗ、圧力 3.0Ｐａとし
た。 （５）次いで、ＮａＯＨ（30重量％）溶液にて、レジス
トの剥膜を行う。 以上の工程である。
除去してシリコンウェハー６を露出し、図１（ｄ）を得
た。なお、ＳｉＮX 膜７の除去は、ＲＩＥを用いた以下
の工程によったものである。すなわち、 （１）まず、裏面のＳｉＮX 膜７面に、レジスト（東京
応化工業（株）製、商品名「ＯＦＰＲ８００」、 800c
p）を塗布する。 （２）次いで、基板を90℃にて１時間プレベークする。 （３）次いで、レジストの所定の部位にパターン露光
後、ＮａＯＨ（ 0.6重量％）およびＮａ2 ＣＯ3 （ 0.7
重量％）よりなる現像液にて現像を行う。 （４）次いで、ＲＩＥにて、レジストより露出したＳｉ
ＮX 膜７部位をエッチングする。なお、流量 25sccm の
Ｃ2 Ｆ6 ガスを用い、出力 600Ｗ、圧力 3.0Ｐａとし
た。 （５）次いで、ＮａＯＨ（30重量％）溶液にて、レジス
トの剥膜を行う。 以上の工程である。
【００２３】次いで、メンブレン化工程を行った。すな
わち、図１（ｅ）に示すように、ＳｉＮX 膜７部位より
露出したシリコンウェハー６部位を、熱濃アルカリ液、
例えば液温80〜90℃、ＫＯＨ水溶液（25重量％）にてエ
ッチングしていき、所定部分のシリコンウェハーを除去
し、枠材５を得た。
わち、図１（ｅ）に示すように、ＳｉＮX 膜７部位より
露出したシリコンウェハー６部位を、熱濃アルカリ液、
例えば液温80〜90℃、ＫＯＨ水溶液（25重量％）にてエ
ッチングしていき、所定部分のシリコンウェハーを除去
し、枠材５を得た。
【００２４】なお、図示していないが、本発明のＸ線マ
スクとするにあたっては、公知の技術にて、Ｔａ、Ｗ、
Ａｕ等のＸ線吸収性金属よりなるＸ線吸収体パターン
を、ＳｉＮX 膜7b上に形成するものである。例えば、上
述した図１（ｃ）と図１（ｄ）の工程の間で、フォトエ
ッチング法を用い、所定のパターンを有するＸ線吸収体
パターン４を形成するものである。
スクとするにあたっては、公知の技術にて、Ｔａ、Ｗ、
Ａｕ等のＸ線吸収性金属よりなるＸ線吸収体パターン
を、ＳｉＮX 膜7b上に形成するものである。例えば、上
述した図１（ｃ）と図１（ｄ）の工程の間で、フォトエ
ッチング法を用い、所定のパターンを有するＸ線吸収体
パターン４を形成するものである。
【００２５】
（実施例１）上述した製造工程にて、ＳｉＮX 201Å／
（ＳｉＯ2 598 Å／ＴｉＯ2 381 Å）18ＳｉＯ2 598 Å
／ＳｉＮX 201Åの構成とした、光反射防止膜付きＸ線
透過性支持膜11を得た。なお、各分子式の後の数値は膜
厚であり、括弧右上の数値は、ＳｉＯ2 薄膜とＴｉＯ2
薄膜の組の積層数を示している。
（ＳｉＯ2 598 Å／ＴｉＯ2 381 Å）18ＳｉＯ2 598 Å
／ＳｉＮX 201Åの構成とした、光反射防止膜付きＸ線
透過性支持膜11を得た。なお、各分子式の後の数値は膜
厚であり、括弧右上の数値は、ＳｉＯ2 薄膜とＴｉＯ2
薄膜の組の積層数を示している。
【００２６】図４に、上記構成の光反射防止膜付きＸ線
透過性支持膜11の分光透過率のグラフ図を示す。なお、
以下の図４から図６に示すグラフ図中の、縦軸は光透過
率（％）を、横軸は光波長（ｎｍ）を示している。図４
に示すように、上記構成の光反射防止膜付きＸ線透過性
支持膜は、波長４６０ｎｍにおける透過率は９０％以上
となっており、アライメント光として短波長であるアル
ゴンレーザー（波長λ：４６０．０ｎｍ）を用いた場合
でも、充分な透過率を有しているといえる。
透過性支持膜11の分光透過率のグラフ図を示す。なお、
以下の図４から図６に示すグラフ図中の、縦軸は光透過
率（％）を、横軸は光波長（ｎｍ）を示している。図４
に示すように、上記構成の光反射防止膜付きＸ線透過性
支持膜は、波長４６０ｎｍにおける透過率は９０％以上
となっており、アライメント光として短波長であるアル
ゴンレーザー（波長λ：４６０．０ｎｍ）を用いた場合
でも、充分な透過率を有しているといえる。
【００２７】（実施例２）次いで、上述した製造工程に
て、ＳｉＮX 241Å／（ＳｉＯ2 715 Å／ＴｉＯ 2 455
Å）18ＳｉＯ2 715 Å／ＳｉＮX 241Åとした、光反射
防止膜付きＸ線透過性支持膜11を得た。なお、前述した
と同様に、各分子式の後の数値は膜厚であり、括弧右上
の数値は、ＳｉＯ2 薄膜とＴｉＯ2 薄膜の組の積層数を
示している。
て、ＳｉＮX 241Å／（ＳｉＯ2 715 Å／ＴｉＯ 2 455
Å）18ＳｉＯ2 715 Å／ＳｉＮX 241Åとした、光反射
防止膜付きＸ線透過性支持膜11を得た。なお、前述した
と同様に、各分子式の後の数値は膜厚であり、括弧右上
の数値は、ＳｉＯ2 薄膜とＴｉＯ2 薄膜の組の積層数を
示している。
【００２８】図５に、上記構成の光反射防止膜付きＸ線
透過性支持膜の分光透過率のグラフ図を示す。図５に示
すように、上記構成の光反射防止膜付きＸ線透過性支持
膜は、波長５３２ｎｍにおける透過率は９０％以上とな
っており、アライメント光として短波長であるＨｅ−Ｃ
ｄレーザー（波長λ：５３２．０ｎｍ）を用いた場合で
も、充分な透過率を有しているといえる。
透過性支持膜の分光透過率のグラフ図を示す。図５に示
すように、上記構成の光反射防止膜付きＸ線透過性支持
膜は、波長５３２ｎｍにおける透過率は９０％以上とな
っており、アライメント光として短波長であるＨｅ−Ｃ
ｄレーザー（波長λ：５３２．０ｎｍ）を用いた場合で
も、充分な透過率を有しているといえる。
【００２９】（実施例３）さらに、上述した製造工程に
て、ＳｉＮX 280Å／（ＳｉＯ2 832 Å／ＴｉＯ 2 530
Å）18ＳｉＯ2 832 Å／ＳｉＮX 280Åとした、光反射
防止膜付きＸ線透過性支持膜11を得た。なお、各分子式
の後の数値は膜厚であり、括弧右上の数値は、ＳｉＯ2
薄膜とＴｉＯ2 薄膜の組の積層数を示している。
て、ＳｉＮX 280Å／（ＳｉＯ2 832 Å／ＴｉＯ 2 530
Å）18ＳｉＯ2 832 Å／ＳｉＮX 280Åとした、光反射
防止膜付きＸ線透過性支持膜11を得た。なお、各分子式
の後の数値は膜厚であり、括弧右上の数値は、ＳｉＯ2
薄膜とＴｉＯ2 薄膜の組の積層数を示している。
【００３０】図６に、上記構成の光反射防止膜付きＸ線
透過性支持膜の分光透過率のグラフ図を示す。図６に示
すように、上記構成の光反射防止膜付きＸ線透過性支持
膜は、波長６４０ｎｍにおける透過率は９０％以上とな
っており、アライメント光として長波長であるＨｅ−Ｎ
ｅレーザー（波長λ：６３２．８ｎｍ）を用いた場合で
も、充分な透過率を有しているといえる。
透過性支持膜の分光透過率のグラフ図を示す。図６に示
すように、上記構成の光反射防止膜付きＸ線透過性支持
膜は、波長６４０ｎｍにおける透過率は９０％以上とな
っており、アライメント光として長波長であるＨｅ−Ｎ
ｅレーザー（波長λ：６３２．８ｎｍ）を用いた場合で
も、充分な透過率を有しているといえる。
【００３１】
【発明の効果】本発明のＸ線マスクにおける光反射防止
膜付きＸ線透過性支持膜は、短波長域（例えば光波長４
００〜５５０ｎｍ）のアライメント光にたいし高透過率
とできるばかりでなく、光反射防止膜となる光学多層膜
の、低屈折率材料と高屈折率材料との積層部の層構成、
もしくは、積層材料の光学的膜厚を変えることにより、
光波長４００〜７００ｎｍの任意のアライメント光波長
においても高透過率とすることが可能となる。これによ
り、短波長のアライメント光ばかりでなく、従来の長波
長のアライメント光も使用することが出来る。
膜付きＸ線透過性支持膜は、短波長域（例えば光波長４
００〜５５０ｎｍ）のアライメント光にたいし高透過率
とできるばかりでなく、光反射防止膜となる光学多層膜
の、低屈折率材料と高屈折率材料との積層部の層構成、
もしくは、積層材料の光学的膜厚を変えることにより、
光波長４００〜７００ｎｍの任意のアライメント光波長
においても高透過率とすることが可能となる。これによ
り、短波長のアライメント光ばかりでなく、従来の長波
長のアライメント光も使用することが出来る。
【００３２】また、本発明のＸ線マスクでは、経時変化
で透過率が変動しやすい光学多層膜である光反射防止膜
を、ＳｉＮX 膜で挟持した構成としている。このため、
光学多層膜が周辺雰囲気の影響を受けず、耐アルカリ
性、耐湿性、耐熱性等に優れた耐久性のある光反射防止
膜付きＸ線透過性支持膜とすることができる。
で透過率が変動しやすい光学多層膜である光反射防止膜
を、ＳｉＮX 膜で挟持した構成としている。このため、
光学多層膜が周辺雰囲気の影響を受けず、耐アルカリ
性、耐湿性、耐熱性等に優れた耐久性のある光反射防止
膜付きＸ線透過性支持膜とすることができる。
【００３３】さらに、従来の光反射防止膜付きＸ線透過
性支持膜は、ＳｉＯ2 ／ＳｉＮX ／ＳｉＯ2 の層構成で
あり、強度的に弱いものであった。しかし、本発明のＸ
線マスクに用いた光反射防止膜付きＸ線透過性支持膜
は、硬いＳｉＮX 膜で光学多層膜、すなわち光反射防止
膜を挟持しているため、強度が増し剛性が向上している
ものである。
性支持膜は、ＳｉＯ2 ／ＳｉＮX ／ＳｉＯ2 の層構成で
あり、強度的に弱いものであった。しかし、本発明のＸ
線マスクに用いた光反射防止膜付きＸ線透過性支持膜
は、硬いＳｉＮX 膜で光学多層膜、すなわち光反射防止
膜を挟持しているため、強度が増し剛性が向上している
ものである。
【００３４】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明のＸ線マスクの製造
工程の一実施例の要部を工程順に示す説明図。
工程の一実施例の要部を工程順に示す説明図。
【図２】本発明のＸ線マスクに形成する光反射防止膜の
例を示す説明図。
例を示す説明図。
【図３】従来のＸ線マスクの一例を示す説明図。
【図４】本発明のＸ線マスクの分光透過率の例を示すグ
ラフ図。
ラフ図。
【図５】本発明のＸ線マスクの分光透過率の他の例を示
すグラフ図。
すグラフ図。
【図６】本発明のＸ線マスクの分光透過率のその他の例
を示すグラフ図。
を示すグラフ図。
１ Ｘ線マスク ２ 光反射防止膜 ３ Ｘ線透過性支持膜 ４ Ｘ線吸収体パターン ５ 枠材 ６ シリコンウェハー ７ ＳｉＮX 膜 ８ 光学多層膜 ９ ＳｉＯ2 薄膜 10 ＴｉＯ2 薄膜 11 光反射防止膜付きＸ線透過性支持膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松尾 正 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】アライメント光反射防止膜と、アライメン
ト光透過性Ｘ線透過性支持膜と、前記アライメント光透
過性Ｘ線透過性支持膜上に形成されたＸ線吸収体パター
ンとを少なくとも有するＸ線マスクにおいて、アライメ
ント光反射防止膜を、低屈折率材料よりなる透明薄膜
と、高屈折率材料よりなる透明薄膜とを交互に所定の層
数積層した光学多層膜とし、ＳｉＮX 膜よりなるアライ
メント光透過性Ｘ線透過性支持膜にて前記アライメント
光反射防止膜を挟持したことを特徴とするＸ線マスク。 - 【請求項２】前記低屈折率材料ＬをＳｉＯ2 、高屈折率
材料ＨをＴｉＯ2 とし、（ＬＨ）yＬ（ｙは任意の整
数）となるよう積層したアライメント光反射防止膜を有
することを特徴とする請求項１に記載のＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27798796A JPH10125580A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27798796A JPH10125580A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | Ｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125580A true JPH10125580A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17591055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27798796A Pending JPH10125580A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125580A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002296758A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP2002296757A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びマスクブランク |
| JP2006279036A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Asml Netherlands Bv | 多層スペクトル純度フィルタ、このようなスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置、デバイス製造方法及びそれによって製造されたデバイス |
| JP2017506356A (ja) * | 2014-02-07 | 2017-03-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | ブリスタ耐性のある多層キャップを有するｅｕｖ光学素子 |
-
1996
- 1996-10-21 JP JP27798796A patent/JPH10125580A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002296758A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP2002296757A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びマスクブランク |
| JP2006279036A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Asml Netherlands Bv | 多層スペクトル純度フィルタ、このようなスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置、デバイス製造方法及びそれによって製造されたデバイス |
| JP4685667B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-05-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 多層スペクトル純度フィルタ、このようなスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| JP2017506356A (ja) * | 2014-02-07 | 2017-03-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | ブリスタ耐性のある多層キャップを有するｅｕｖ光学素子 |
| US11215736B2 (en) | 2014-02-07 | 2022-01-04 | Asml Netherlands B.V. | EUV optical element having blister-resistant multilayer cap |
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