JP5772135B2 - 反射型マスクブランク及び反射型マスク - Google Patents
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Description
請求項2記載の発明は、請求項1記載の反射型マスクブランクを用いた反射型マスクであって、前記吸収膜を選択的に除去することで回路パターンが形成され、前記回路パターンを除く前記回路パターンの周囲の部分に、前記吸収膜と前記保護膜と前記多層反射膜とを選択的に除去した枠状の領域が形成されていることを特徴とする反射型マスクである。
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は反射型マスクブランクス(反射型マスクブランク)10の断面図であり、より具体的には、EUV光を用いた露光に使用するマスク用のブランクスである。このEUV光の波長は、例えば13.5nmである。基板11の一面上に遮光膜12、多層反射膜13、保護膜14、吸収膜15をこの順番で積層して形成する。基板11の多層反射膜13とは反対面側には裏面導電膜16を形成する。遮光膜12は公知のプラズマCVDやスパッタリング法、イオンプレーティング法を用いて形成する。
多層反射膜13、保護膜14、吸収膜15、裏面導電膜16は公知のスパッタリング法を用いて形成する。
反射型マスクブランクス10は、波長5から15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる。
基板11は、石英(SiO2)を主成分とし酸化チタン(TiO2)を含む材料で形成されている。
遮光膜12は、基板11上に形成されている。
遮光膜12はカーボン(C)を主成分としたダイヤモンドライクカーボン(DLC)もしくは炭化珪素(SiC)で形成されている。
多層反射膜13は、遮光膜12上に形成され露光光を反射するものである。
多層反射膜13は、モリブデン(Mo)を材料とする層と珪素(Si)を材料とする層とが重ねられた層が複数重ねられることで構成された多層構造で形成されている。
保護膜14は、多層反射膜13上に形成され多層反射膜13を保護するものである。
保護膜14は単層構造もしくは積層構造となっており、ルテニウム(Ru)またはシリコン(Si)のいずれかを含む材料で形成されている。
保護層14が積層構造である場合、保護層14の最上層がルテニウム(Ru)の酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素(Si)の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成されている。
吸収膜15は、保護膜14上に形成され露光光を吸収するものである。
裏面導電膜16は、基板11の多層反射膜13とは反対面上に形成されている。
裏面導電膜16は、クロム(Cr)またはタンタル(Ta)のいずれかの金属もしくはその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成されている。
図2は図1で示した反射型マスクブランクス10を用いた露光用反射型マスクである。
回路パターンAの外側に位置する吸収膜15、保護膜14及び、多層反射膜13の部分に回路パターンAを囲むように遮光枠領域Bを形成した構造である。
言い換えると、反射型マスク100は、吸収膜15a,15bを選択的に除去することで回路パターンAが形成され、回路パターンAを除く回路パターンAの周囲の部分に、吸収膜15a,15bと保護膜14と多層反射膜13とを選択的に除去した枠状の領域Bが形成されている。したがって、枠状の領域Bに遮光膜12が設けられることになる。
本発明によれば、遮光枠部分において遮光膜12を設けることによりマスクに入射した露光光が基板11を一旦透過して裏面導電膜16から反射して再度戻ってくる光成分が存在しない。これによりアウトオブバンド光が半導体基板側に導かれず、半導体基板上に塗布されたレジストの感光を避けることが可能となった。
11 基板
12 遮光膜
13 多層反射膜
14 保護膜
15a、15b 吸収膜
16 裏面導電膜
21 レジスト(パターン)
100 反射型マスク
Claims (2)
- 基板と、
前記基板上に形成された遮光膜と、
前記遮光膜上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、
前記多層反射膜上に形成された前記多層反射膜を保護する保護膜と、
前記保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜と、
前記基板の多層反射膜とは反対面上に形成された裏面導電膜とを有した、
波長5から15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであって、
前記基板は石英(SiO2)を主成分とし酸化チタン(TiO2)を含む材料で形成され、
前記遮光膜はカーボン(C)を主成分としたダイヤモンドライクカーボン(DLC)もしくは炭化珪素(SiC)で形成され、
前記多層反射膜はモリブデン(Mo)を材料とする層と珪素(Si)を材料とする層とが重ねられた層が複数重ねられることで構成された多層構造で形成され、
前記保護膜は単層構造もしくは積層構造となっており、ルテニウム(Ru)またはシリコン(Si)のいずれかを含む材料で形成され、
前記吸収膜は、単層構造もしくは積層構造となっており、前記保護膜上に形成され、タンタル(Ta)及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、
前記裏面導電膜は、クロム(Cr)またはタンタル(Ta)のいずれかの金属もしくはその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、
前記保護層が積層構造であり、前記保護層の最上層がルテニウム(Ru)の酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素(Si)の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成されている、
ことを特徴とする反射型マスクブランク。 - 請求項1記載の反射型マスクブランクを用いた反射型マスクであって、
前記吸収膜を選択的に除去することで回路パターンが形成され、
前記回路パターンを除く前記回路パターンの周囲の部分に、前記吸収膜と前記保護膜と前記多層反射膜とを選択的に除去した枠状の領域が形成されている、
ことを特徴とする反射型マスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011069163A JP5772135B2 (ja) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2011069163A JP5772135B2 (ja) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2012204708A JP2012204708A (ja) | 2012-10-22 |
JP5772135B2 true JP5772135B2 (ja) | 2015-09-02 |
Family
ID=47185313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011069163A Active JP5772135B2 (ja) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5772135B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5736900B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-06-17 | 凸版印刷株式会社 | 反射型露光用マスク |
JP5881633B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2016-03-09 | 株式会社東芝 | Euv露光用の光反射型フォトマスク及びマスクブランク、並びに半導体装置の製造方法 |
JP6040089B2 (ja) | 2013-04-17 | 2016-12-07 | 富士フイルム株式会社 | レジスト除去液、これを用いたレジスト除去方法およびフォトマスクの製造方法 |
JP6225478B2 (ja) * | 2013-05-20 | 2017-11-08 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスク |
JP6381921B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2018-08-29 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
WO2016043147A1 (ja) * | 2014-09-17 | 2016-03-24 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP6425951B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2018-11-21 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
WO2017090485A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
US11480869B2 (en) * | 2019-08-29 | 2022-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Photomask with enhanced contamination control and method of forming the same |
WO2024085089A1 (ja) * | 2022-10-21 | 2024-04-25 | Agc株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07120607A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Hitachi Ltd | 光学素子及びその製造方法 |
JP4826742B2 (ja) * | 2006-01-05 | 2011-11-30 | 旭硝子株式会社 | 薄膜デバイスの成膜方法 |
KR100735531B1 (ko) * | 2006-03-21 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 보상 패턴을 포함하는 반사형 포토마스크와 그 제조방법 및반사형 블랭크 포토마스크 |
JP4946296B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-06-06 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法 |
JP4602430B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2010-12-22 | 株式会社東芝 | 反射型マスク及びその作製方法 |
KR101678228B1 (ko) * | 2008-05-09 | 2016-11-21 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 |
JP2010272677A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Nikon Corp | 光学素子、露光装置及びデバイス製造方法 |
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2011
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012204708A (ja) | 2012-10-22 |
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