JP5803517B2 - 反射型マスクおよびマスクブランク、その製造方法 - Google Patents
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Description
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が13.5nm近傍のEUVを光源に用いたEUVリソグラフィが提案されている。EUVリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。またEUVの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は1よりもわずかに小さい値である。このため、EUVリソグラフィにおいては従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク(以下、マスクと呼ぶ)も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。
このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板の上に露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長の吸収層が順次形成されており、更に基板の裏面には露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、前記多層反射層と、吸収層の間に緩衝層を有する構造を持つEUVマスクもある。反射形マスクブランクから反射形マスクへ加工する際には、EBリソグラフィとエッチング技術により吸収層を部分的に除去し、緩衝層を有する構造の場合はこれも同じく除去し、吸収部と反射部からなる回路パターンを形成する。このように作製された前記反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。
反射光学系を用いた露光方法では、マスク面に対して垂直方向から所定角度傾いた入射角(通常6°)で照射されるため、吸収層の膜厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまい、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、転写パターンのエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。これはシャドーイングと呼ばれ、反射マスクの原理的課題の一つである。
このようなパターンエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれを防ぐためには、吸収層の膜厚は小さくし、パターンの高さを低くすることが有効であるが、吸収層の膜厚が小さくなると、吸収層における遮光性が低下し、転写コントラストが低下し、転写パターンの精度低下となる。つまり吸収層を薄くし過ぎると転写パターンの精度を保つための必要なコントラストが得られなくなってしまう。つまり、吸収層の膜厚は厚すぎても薄すぎても問題になるので、現在は概ね50〜90nmの間になっており、EUV光の吸収層での反射率は0.5〜2%程度である。
一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これはウェハ1枚あたりに取れるチップを出来るだけ増やしたいという生産性向上のために、チップを高密度に配置するためである。この場合、この領域については複数回(最大で4回)に渡り露光(多重露光)されることになる。この転写パターンのチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層の部分である。しかしながら、上述したように吸収層上でのEUV光の反射率は、0.5〜2%程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまう問題があった。このため、マスク上のチップ外周部は通常の吸収層よりもEUV光の遮光性の高い領域(以下、遮光枠と呼ぶ)の必要性が出てきた。
また、吸収層の膜厚が厚い反射型マスクブランクを用いる場合、回路パターンが微細であることから、反射型マスク作成工程で通常膜厚の吸収膜に比べて高いアスペクト比のパターンが形成されることになり、洗浄等により回路パターンが倒壊する懸念がある。
また、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで遮光枠を形成する場合、多層反射層以外によるレーザ光もしくはイオンの損失があるため、この損失分を考慮したレーザ光もしくはイオンを照射しなくてはならない。また多層反射層以外の膜にはレーザ光もしくはイオンの照射によるダメージが生じ、吸収層の露光光源波長の吸収率の低下してしまうことが懸念される。
低熱膨張基板と、前記基板上に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層を具備する反射型フォトマスクブランクにおいて、回路パターン領域の外側にEUV光の反射率の低い遮光枠部を有し、前記遮光枠部における前記吸収層の膜厚が、前記遮光枠部以外の領域より厚くなっている反射型マスクブランクであって、前記低熱膨張基板における前記遮光枠部を掘り込み、その掘り込み量の分、前記吸収層の膜厚を厚くすることにより、遮光枠が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランクである。
請求項1に記載の反射型マスクブランクであって、前記多層反射層と前記吸収層の間にさらに保護層を有することを特徴とする反射型マスクブランクである。
請求項1または2に記載の反射型マスクブランクに、回路パターンを形成したことを特徴とする反射型マスクである。
(1)低熱膨張基板の表面にレジスト膜を形成する工程。
(2)レジスト膜に遮光枠パターンの逆パターンを形成する工程。
(3)前記レジストパターンをマスクに低熱膨張基板をエッチングして、低熱膨張基板表面に遮光枠パターンの逆パターンを形成する工程。
(4)レジストを剥離した後、パターニングした低熱膨張基板表面に多層反射層と保護層と吸収層とをその順に積層する工程。
(5)成膜された吸収層を、CMP法により、表面を面一にする工程。
(1)前記吸収層上にレジスト膜を形成する工程。
(2)パターニングしたレジストをマスクとして吸収層をエッチングして、吸収層に所定のパターンを形成する工程。
(3)レジストを剥離する工程。
回路パターンにパーティクルが付着する事は原理的に無い。その為、マスク欠陥品質の低下を抑えることが可能である。また、遮光枠部の吸収層の膜厚が厚くなっていることから、反射層から発生する反射光の強度を抑制し、遮光性の高い遮光枠を形成することができる。これらの事から、本発明の反射型マスクを用いることで、高い精度で転写パターンを形成できるという効果を奏する。
本発明の反射型フォトマスクブランクの構成について説明する。図1は、本発明の反射型フォトマスクブランク100の断面概略図である。低熱膨張基板における遮光枠部を掘り込み、その段差分、吸収層の膜厚を厚くすることにより、遮光枠が形成されている。図2は、本発明の反射型フォトマスクブランク100の平面概略図である。
本発明の反射型フォトマスクの構成について説明する。図3は、本発明の反射型マスク200の断面概略図である。低熱膨張基板における遮光枠部を掘り込み、その段差分、吸収層の膜厚を厚くすることにより、遮光枠が形成されており、その内側に回路パターンが形成されている。図4は、本発明の反射型フォトマスク200の平面概略図である。
以上の工程によって、本発明の反射型フォトマスクブランクを製造することができる。
以上の工程によって、本発明の反射型フォトマスクブを製造することができる。
金属膜30のエッチングは、塩素(Cl2)と酸素(O2)とヘリウム(He)の混合ガスにて実施した。また、低熱膨張基板10のエッチングは、三フッ化メタン(CHF3)と四フッ化メタン(CF4)の混合ガスにて実施した。
金属膜30のエッチングは、塩素(Cl2)と酸素(O2)とヘリウム(He)の混合ガスにて実施した。
続いて、吸収層70の表面を平坦化する。平坦化にはCMP(Chemical Mechanical Polishing:化学機械研磨)法を用いた(図6(f))。
吸収膜70のエッチングには、三フッ化メタン(CHF3)とヘリウム(He)の混合ガスにて実施した。
続いて、レジスト膜80を剥離する。レジスト膜80の剥離には硫酸過水を用いた(図6(d))。
20・・・導電膜
30・・・金属膜
40・・・レジスト膜
50・・・多層反射層
60・・・保護層
70・・・吸収層
80・・・レジスト膜
90・・・遮光枠部
100・・反射型マスクブランク
200・・反射型マスク
A・・・・回路パターン領域
Claims (5)
- 低熱膨張基板と、前記基板上に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層を具備する反射型フォトマスクブランクにおいて、回路パターン領域の外側にEUV光の反射率の低い遮光枠部を有し、前記遮光枠部における前記吸収層の膜厚が、前記遮光枠部以外の領域より厚くなっている反射型マスクブランクであって、前記低熱膨張基板における前記遮光枠部を掘り込み、その掘り込み量の分、前記吸収層の膜厚を厚くすることにより、遮光枠が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
- 請求項1に記載の反射型マスクブランクであって、前記多層反射層と前記吸収層の間にさらに保護層を有することを特徴とする反射型マスクブランク。
- 請求項1または2に記載の反射型マスクブランクに、回路パターンを形成したことを特徴とする反射型マスク。
- 請求項1または2に記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、少なくとも下記の製造工程を含む構成であることを特徴とする、反射型マスクブランクの製造方法。
(1)低熱膨張基板の表面にレジスト膜を形成する工程。
(2)レジスト膜に遮光枠パターンの逆パターンを形成する工程。
(3)前記レジストパターンをマスクに低熱膨張基板をエッチングして、低熱膨張基板表面に遮光枠パターンの逆パターンを形成する工程。
(4)レジストを剥離した後、パターニングした低熱膨張基板表面に多層反射層と保護層と吸収層とをその順に積層する工程。
(5)成膜された吸収層を、CMP法により、表面を面一にする工程。 - 請求項3に記載の反射型マスクの製造方法であって、少なくとも下記の製造工程を含む構成であることを特徴とする、反射型マスクの製造方法。
(1)前記吸収層上にレジスト膜を形成する工程。
(2)パターニングしたレジストをマスクとして吸収層をエッチングして、吸収層に所定のパターンを形成する工程。
(3)レジストを剥離する工程。
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