JP5423236B2

JP5423236B2 - 反射型マスクおよびその製造方法

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Inventors: 友一稲月; 司安部; 忠彦滝川
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Description

本発明は、半導体デバイスなどの製造におけるリソグラフィ用マスクの製造方法、およびリソグラフィ用マスクに関し、さらに詳しくは、極端紫外光（ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ：以後、ＥＵＶと記す。）を用いてマスクパターンをウェハ上に転写するためのＥＵＶ露光用の反射型マスクおよびその製造方法に関する。

半導体デバイスの微細化に伴い、現在、ＡｒＦエキシマレーザを用いた光学式の投影露光装置により、フォトマスクを用いてウェハ上にパターン転写する露光方法が行なわれている。これらの光学式の投影露光装置による露光方法では、いずれ解像限界に達するため、電子線描画装置による直描やインプリントリソグラフィやＥＵＶリソグラフィのような新しいパターン形成方法が提案されている。

これらの新しいリソグラフィ技術の中で、ＥＵＶ露光は、エキシマレーザよりもさらに短波長の波長１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光を用い、通常１／４程度に縮小して露光する技術で、紫外線露光の短波長化の極限と見なされており、半導体デバイス用のリソグラフィ技術として注目されている。ＥＵＶ露光においては、短波長のために屈折光学系が使用できないので、反射光学系が用いられ、マスクとしては反射型マスクが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。ＥＵＶ露光用反射型マスクは、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、この多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けてパターンを形成したマスクである。

図１１は、このような従来のＥＵＶ露光用反射型マスクの一例を示す断面図である。図１１に示すＥＵＶ露光用反射型マスク１１０は、基板１１１上に多層膜構造でＥＵＶ光を反射する反射層１１２を有し、反射層１１２上に反射層を保護するキャッピング層１１３、次いでマスクパターン形成時の反射層１１２へのエッチングダメージを防止するためのバッファ層１１４が順に設けられ、さらにその上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１１５が形成された構造となっている。吸収層１１５上には、検査時の検出感度を上げるために反射防止層１１６が設けられている。ＥＵＶ露光用反射型マスクは、吸収層をパターニングし、パターニングした吸収層１１５に基づいてバッファ層を除去して形成される。反射型マスクに入射したＥＵＶ光は、反射層１１２では反射され、吸収層１１５では吸収され、反射されたＥＵＶ光によりウェハ上に縮小転写パターンが形成される。

図８は、ＥＵＶ露光の概念図である。図８に示すように、ＥＵＶ露光では、ＥＵＶ光８１はＥＵＶマスク８０面に対し垂直な方向から数度傾いた方向から入射される。従って、吸収層１１５パターンの膜厚が厚いと、パターン自身の影が生じ、露光時に転写されたパターンのエッジ部分がぼけるなどのシャドーイングと呼ばれる現象により鮮明な転写像が得られなくなるため、パターン形成上、吸収層１１５の厚さは薄い方がより好ましい。この点から、吸収層１１５は、露光光の波長に対し、吸収係数が大きい方が有利であり、吸収層１１５の膜厚は、露光光であるＥＵＶ光８１を十分に吸収できる厚さであって、かつ可能な限り薄い方が望ましい。特に最近では、転写されたパターンの解像性能悪化の原因となるマスクの３次元構造に由来する立体遮蔽と呼ばれる問題点などの改善のために、吸収層１１５の一層の薄膜化が期待されている。

ＥＵＶ露光では、ＥＵＶ光８１を照射する領域を矩形に区切り使用する。図８に示すように、矩形の領域は、ＥＵＶマスク８０面上に設置されるブレード８２によって区切られる。本来、マスクの吸収層１１５からはレジストに悪影響を与える光は生じないはずであるが、吸収層１１５からの微弱な反射光およびフレアなどによる漏れ光により、ブレード８２境界近傍の露光フィールドの重なり部のレジストが感光してしまうことが問題となっている。

図９は、ＥＵＶ露光による上記の問題点の説明図であり、ウェハ８３上に４つの露光フィールドが転写された状態を例示している。図９に示すように、ウェハ上のフィールド周辺では、露光時の隣り合うショットにより２重あるいは４重に露光が重なり合って多重露光されるために、あるいは露光フィールド境界からの反射光や漏れ光の影響のために、レジストダメージが生じる。例えば、ポジ型レジストを用いた場合、１回の露光ショットでは適正露光であっても、フーィルド８４が重なり合う部分のレジストは多重露光によりオーバー露光となり、レジストの膜減りの問題が発生する。フィールド８４を区切るブレード８２は精度を上げたとしても漏れの拡がりがあるため、境界部ではどうしてもレジストダメージが出てしまうため、何らかの方法でフィールド境界部への多重露光を遮る必要がある。吸収層の薄膜化への要望に伴い、ＥＵＶ露光時における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性がより重要視されてきている。

上記のフィールド境界での遮光の問題を解決するために、図１０に示すように、マスクの転写パターンの周辺に遮光領域を設けたＥＵＶ露光用反射型マスクが提案されている（特許文献２参照）。特許文献２に開示されている遮光領域を設けたＥＵＶ露光用反射型マスクは、図１０に示すように２つの方式が開示されている。図１０（ａ）は、第２の吸収体パターン（吸収膜１０６）が第１の吸収膜１０５上に設けられており、遮光領域の吸収膜を２段構造にした積層吸収体方式の反射型マスクである。図１０（ｂ）は、第２の吸収体パターンが基板１０１の露出部分で構成されており、遮光領域の反射層をエッチング加工で除去した多層膜加工方式の反射型マスクである。図１０（ａ）、同図（ｂ）に示すマスクは、いずれも第１の吸収体パターンとは異なる位置に第２の吸収体パターンが設けられた反射型マスクである。

特公平７−２７１９８号公報特開２００９−１４１２２３号公報

しかしながら、特許文献２に記載された図１０（ａ）に示すような積層吸収体方式の遮光領域を有する反射型マスクは、吸収膜を少なくとも２層にするために、積層する吸収膜の成膜、パターン加工などの工程が余分に必要となりマスク製造工程が複雑となり、マスクパターン形状およびパターン寸法（ＣＤ）の制御が難しくなり、マスクパターン精度にも問題が出るおそれがあった。また、吸収膜を重ねて厚くすることはシャドーイングなどの解決にはならず、むしろ上記の吸収層の薄膜化への要望に逆行するという問題があった。
一方、図１０（ｂ）に示す多層膜加工方式の遮光領域を有する反射型マスクは、ＭｏとＳｉを交互に設けて一組の層として４０層に及ぶ多層の反射層（厚さ２７４ｎｍ）を深掘りエッチングするために、マスク製造工程が複雑で加工時間を要し、遮光領域形状の制御も難しいという問題を生じていた。さらに、図１０（ｂ）に示すマスクは、ＭｏとＳｉを各々厚さ数ｎｍで交互に積層した多層膜の側面が露出しているので、マスク洗浄時に洗浄液によっては多層膜の一部が側面から溶出し、パターンが損傷する危険性があった。

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ＥＵＶ露光における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性を高めて露光光の漏れを抑制し、露光光のシャドーイングの影響を低減し、かつ耐洗浄性に優れた遮光領域（本発明では遮光帯と呼ぶ）を有するＥＵＶ露光用の反射型マスクおよびその製造方法を提供することである。

上記の課題を解決するために、本発明の請求項１の発明に係る反射型マスクは、基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に前記ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けて形成された転写用パターンを有するＥＵＶ露光用の反射型マスクであって、被転写体への前記転写用パターンの形成領域を規定し、前記転写用パターンの形成領域以外への前記ＥＵＶ光の照射を防止するために、前記転写用パターンの周囲に遮光帯が設けられており、前記遮光帯は、前記多層反射膜にレーザ光を照射して前記多層反射膜を破壊した層により構成され、前記基板上の前記多層反射膜と同一平面上にあり、前記ＥＵＶ光に対する前記遮光帯の反射率が前記多層反射膜の反射率よりも低く、前記基板と前記吸収層との間に挟まれて前記反射型マスクに内蔵されていることを特徴とするものである。

本発明の請求項２の発明に係る反射型マスクの製造方法は、基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に前記ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けて形成された転写用パターンを有するＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、被転写体への前記転写用パターンの形成領域を規定し、前記転写用パターンの形成領域以外への前記ＥＵＶ光の照射を防止するために、前記転写用パターンの周囲に遮光帯を設けるに際し、前記遮光帯のないＥＵＶ露光用の反射型マスクを作製した後に、前記基板の他方の主面側から、前記基板を通して、前記転写用パターンの周囲の前記多層反射膜にレーザ光を照射して前記基板と前記吸収層との間に挟まれた前記多層反射膜を破壊し、前記破壊した多層反射膜により前記遮光帯を形成することを特徴とするものである。

本発明のＥＵＶ露光用の反射型マスクによれば、遮光帯が多層反射膜と同一平面上にあって、ＥＵＶ露光における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性を高めて露光光の漏れを抑制するとともに、露光光のシャドーイングの影響を低減し、多層反射膜の側面が露出していないので、耐洗浄性に優れた遮光帯を有するＥＵＶ露光用の反射型マスクが可能となる。

本発明のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法によれば、多層反射膜にレーザ光を照射して多層反射膜を破壊した層により遮光帯を構成するために、遮光帯材料を新たに成膜する必要がなく、マスク作製時の加工方法を複雑にせずに簡単な工程で短時間に遮光帯を有する反射型マスクの製造が可能となる。さらに、本発明のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法は、遮光領域を有していない既に完成された反射型マスクを用いて、そのマスクの所定の位置に遮光帯を形成し、遮光帯を備えた反射型マスクとすることもできるという特徴を有する。

遮光帯を有する本発明の反射型マスクにおける第１の実施形態を示す概略断面図および平面図である。遮光帯を有する本発明の反射型マスクにおける第１の実施形態の別な例を示す概略断面図および平面図である。遮光帯を有する本発明の反射型マスクにおける第２の実施形態を示す概略断面図および平面図である。反射型マスクの製造工程を示す断面模式図である。図１に示す遮光帯を有する本発明の反射型マスクの図４に続く第１の実施形態の製造工程を示す断面模式図である。図３に示す遮光帯を有する本発明の反射型マスクの第２の実施形態の製造工程を示す断面模式図である。図３に示す遮光帯を有する本発明の反射型マスクの第３の実施形態の製造工程を示す断面模式図である。ＥＵＶ露光の概念図である。ＥＵＶ露光によるフーィルドが重なり合う部分における多重露光の問題点の説明図である。従来の遮光領域を有する反射型マスクの断面構造を示す模式図である。従来のＥＵＶ露光用反射型マスクの一例を示す断面図である。

以下、本発明のＥＵＶ露光用の反射型マスクおよびその製造方法について、図面を参照しながら実施形態を説明する。

<反射型マスク>
１．第１の実施形態
図１は、本発明の遮光帯を有する反射型マスクの第１の実施形態を示す図であり、図１（ａ）は概略断面図であり、パターン側から見た平面図である図１（ｂ）のＡ−Ａ線における断面図を示す。図１（ａ）に示すように、本実施形態の遮光帯を有する反射型マスク１０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、その多層反射膜１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１５とを少なくとも設けて形成された転写用パターンを有するマスクであって、ウェハなどの被転写体への転写用パターンの形成領域を規定し、転写用パターンの形成領域以外へのＥＵＶ光の照射を防止するために、転写用パターンの周囲の遮光領域に所定幅の遮光帯１８が設けられている。図１において、ウェハなどの被転写体へフィールドとして転写用パターンを形成する領域を転写パターン領域２１とし、転写用パターン形成領域以外の周囲の遮光領域を周辺部遮光領域２２としている。遮光帯１８は、周辺部遮光領域２２にあり露光時に多重露光となる領域に設けられている。したがって、周辺部遮光領域２２の遮光帯１８を設けた部分は、吸収層１５と遮光帯１８との２つの層で遮光性をより高めていることになる。なお、遮光帯１８よりもさらに外側は、露光時にブレードを用いて遮光することができる。
以下、本発明の低反射型マスク１０を構成する遮光帯１８についてさらに詳しく説明する。

（遮光帯）
本実施形態の遮光帯１８は、多層反射膜１２にレーザ光を照射して多層反射膜１２を破壊した層により構成されており、基板１１上の多層反射膜１２と同一平面上にあり、ＥＵＶ光に対する遮光帯１８の反射率は多層反射膜１２の反射率よりも低いことを特徴とするものである。さらに、図１（ａ）に示すように、遮光帯１８は、基板１１と吸収層１５（図１（ａ）では後述するキャッピング層１３、バッファ層１４を介している）との間に挟まれて反射型マスクに内蔵されていることを特徴とする。したがって、パターン側から見た平面図の図１（ｂ）では、遮光帯１８の存在は確認できない。図１（ｂ）では、点線と実線で囲まれた枠内に遮光帯１８が内蔵されていることを示している。しかし、基板１１が透過性の場合には、パターン形成した主面側と相対する他方の主面側から、遮光帯１８を確認することができる。本発明において、遮光帯１８の幅は、通常４倍マスクにおいて１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲内の所定値であり、転写用パターンの周囲に矩形トラック状に設けられる。

本発明において、遮光帯１８は、レーザ光照射で多層反射膜を破壊した層により構成されている。多層反射膜１２は、通常、数１０層の複数の薄膜を交互に積層した多層構造で構成され、多層膜反射鏡の役割を果たしており、その材料としては代表的にはＭｏ／Ｓｉの多層反射膜がよく用いられている。しかし、多層構造を有する多層反射膜は、高熱に弱いことが知られている。

本発明において、レーザ光照射された多層反射膜が破壊され、例えばＭｏとＳｉの多層反射膜の場合、レーザ光の熱により多層反射膜が融解してＭｏとＳｉが合金化しているか、あるいはＭｏとＳｉが拡散層を形成しているか、あるいは他の構造に変化しているかは不明であるが、レーザ光照射により多層反射膜としての機能が破壊され、レーザ光を照射された部分がＥＵＶ光に対して多層反射膜よりも低反射率な層となれば遮光帯として用いることができる。したがって、遮光帯１８は、必ずしも多層反射膜の全ての層が破壊されていなくてもよい。例えば、基板１１側からのレーザ光照射により数１０層に積層された多層反射膜のパターン側の層が損傷を受けていなくても、基板１１側の層が破壊されていれば、ＥＵＶ項に対する反射率は低下し、本発明の遮光帯として用いることができる。

（他の構成要素）
反射型マスク１０は、パターンを形成する吸収層１５が必ずしも多層反射膜１２に直接に接していなくてもよい。吸収層１５をパターン状にドライエッチングする時に下層の多層反射膜１２に損傷を与えるのを防止するために、通常、多層反射膜１２と吸収層１８との間にバッファ層（エッチングストッパー層とも称する）１４が設けられる。さらに必要に応じて、多層反射膜１２の上に反射膜の酸化防止などのために、キャッピング層（保護層とも称する）１３が設けられる。また、マスク検査時の検査光（２５０ｎｍ）の反射コントラストを上げるために、吸収層１５の上に反射防止層１６を設ける場合もある。
本実施形態の反射型マスクは、遮光帯１８以外の他の構成要素、材料として従来の反射型マスクの構成要素、材料をそのまま適用することが可能であるが、以下に説明する。

（基板）
本発明の反射型マスク１０の基板１１としては、パターン位置精度を高精度に保持するために低熱膨張係数を有し、高反射率および転写精度を得るために平滑性、平坦度が高く、マスク製造工程の洗浄などに用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましく、石英ガラス、ＳｉＯ₂−ＴｉＯ₂系の低熱膨張ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどのガラス基板、さらにはシリコンを用いることもできる。マスクブランクスの平坦度としては、例えば、パターン領域において５０ｎｍ以下が求められている。

（多層反射膜）
多層反射膜１２は、ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を高い反射率で反射する材料が用いられ、ＭｏとＳｉからなる多層膜が多用されており、例えば、２．７４ｎｍ厚のＭｏと４．１１ｎｍのＳｉを各４０層積層した多層膜よりなる反射膜が挙げられる。それ以外には、特定の波長域で高い反射率が得られる材料として、Ｒｕ／Ｓｉ、Ｍｏ／Ｂｅ、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜およびＳｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜なども用いることができる。ただし、材料によって最適な膜厚は異なる。ＭｏとＳｉからなる多層膜の場合、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気下でＳｉ膜を成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気下でＭｏ膜を成膜し、これを１周期として、３０〜６０周期、好ましくは４０周期積層されて、多層反射膜が得られる。上記のように、ＥＵＶ光を高い反射率で反射させるために、１３．４ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０度で入射したときの多層反射膜１２の反射率は、通常、６０％以上を示すように設定されている。

（キャッピング層）
多層反射膜１２の反射率を高めるには屈折率の大きいＭｏを最上層とするのが好ましいが、Ｍｏは大気で酸化され易くて反射率が低下するので、酸化防止やマスク洗浄時における保護のための保護膜として、スパッタリング法などによりＳｉやＲｕを成膜し、キャッピング層１３を設けることがある。例えば、キャッピング層１３としてＳｉは多層反射膜１２の最上層に１１ｎｍの厚さに設けられる。

（バッファ層）
ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を吸収する吸収層１５をドライエッチングなどの方法でパターンエッチングするときに、下層の多層反射膜１２に損傷を与えるのを防止するために、通常、多層反射膜１２と吸収層１５との間にバッファ層１４が設けられる。バッファ層１４の材料としてはＳｉＯ₂が多用されるが、吸収層をエッチングする条件によっては、耐エッチング性の高い材料としてＡｌ₂Ｏ₃、Ｃｒ、ＣｒＮなどを用いても良い。ＳｉＯ₂を用いる場合は、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｉＯ₂ターゲットを用いてＡｒガス雰囲気下で、上記の多層反射膜上へＳｉＯ₂膜を５ｎｍ〜１５ｎｍ程度の膜厚で成膜するのが好ましい。

（吸収層）
マスクパターンを形成し、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１５の材料としては、Ｔａ、ＴａＢ、ＴａＢＮなどのＴａを主成分とする材料、Ｃｒ、Ｃｒを主成分としＮ、Ｏ、Ｃから選ばれる少なくとも１つの成分を含有する材料などが、膜厚３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の範囲、より好ましくは５０ｎｍ〜８５ｎｍの範囲で用いられる。

（反射防止層）
また、マスクパターン検査時の検出感度を上げるために、吸収層１５上に検査光（２５０ｎｍ）に対して低反射とした反射防止層１６を設ける場合もある。反射防止層１６の材料としては、例えば、タンタルの窒化物（ＴａＮ）、酸化物（ＴａＯ）、酸窒化物（ＴａＮＯ）、タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＮ）、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）などが挙げられ、膜厚５ｎｍ〜３０ｎｍ程度の範囲で用いられる。

２．第１の実施形態の別な例
図２は、本発明の遮光帯を有する反射型マスクの第１の実施形態における別な例を示す概略断面図である。図２において、図１と同じ部位と材料を示す場合には、図１と同じ符号を用いている。図２に示す本実施形態の別な例においては、基板１１の一方の主面上に設けられたマスクパターンと相対する他方の主面上に、導電層１７が形成されている点が図１の場合と異なるが、他は図１と同じである。

すなわち、図２に示すように、本実施形態の別な例を示す遮光帯を有する反射型マスク２０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、その多層反射膜１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１５とを少なくとも設けて形成された転写用パターンを有し、基板１１の他方の主面上に導電層１７が形成されており、ウェハなどの被転写体への転写用パターンの形成領域を規定し、転写用パターンの形成領域以外へのＥＵＶ光の照射を防止するために、転写用パターン領域２１の周囲に所定幅の遮光帯１８が設けられている。遮光帯１８は、周辺部遮光領域２２にあり露光時に多重露光となる領域に設けられている。導電層１７を除く他の構成要素および遮光帯１８は、上記の第１の実施形態で述べた内容と同じなので、ここでの説明は省略する。以下、導電層１７について述べる。

（導電層）
導電層１７は、前述したように、ＥＵＶ露光用マスクの静電チャック用に設けるものであり、導電層１７の材料としては、導電性を示す金属や金属窒化物などの薄膜を設けたものであり、例えば、クロム（Ｃｒ）や窒化クロム（ＣｒＮ）などを厚さ２０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度に成膜して用いられる。

図２に示す反射型マスク２０は、基板１１が透過性の場合であっても、パターン側あるいはパターン側と相対する他方の主面側のいずれからも遮光帯１８を確認することはできない。図２に示す反射型マスク２０は、後述する本発明の反射型マスクの製造方法において、図１に示す反射型マスク１０を製造した後に、パターン側と相対する他方の主面側に導電層１７を成膜形成して得ることができる。

上記の第１の実施形態によるＥＵＶ露光用の反射型マスクによれば、遮光帯１８は、多層反射膜１２と同一平面上にあるので露光光のシャドーイングの影響が低減され、基板１１と吸収層１５との間に挟まれて反射型マスクに内蔵されているのでマスクの耐洗浄性に優れ、ＥＵＶ露光における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性を高めて露光光の漏れを抑制する効果が得られ、良好な転写パターンを得ることができる。

３．第２の実施形態
図３は、本発明の遮光帯を有する反射型マスクの第２の実施形態を示す図であり、図３（ａ）は概略断面図であり、、パターン側から見た平面図である図３（ｂ）のＢ−Ｂ線における断面図を示す。図３において、図１と同じ部位と材料を示す場合には、図１と同じ符号を用いている。図３（ａ）に示すように、本実施形態の遮光帯を有する反射型マスク３０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、その多層反射膜１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１５とを少なくとも設けて形成された転写用パターンを有し、基板１１の他方の主面上に導電層１７を形成したマスクであり、ウェハなどの被転写体への転写用パターンの形成領域を規定し、転写用パターンの形成領域以外への前記ＥＵＶ光の照射を防止するために、転写用パターンの周囲に所定幅の遮光帯１８が設けられている。図３において、図１と同様に、ウェハなどの被転写体へフィールドとして転写用パターンを形成する領域を転写パターン領域２１とし、転写用パターン形成領域以外の周囲の遮光領域を周辺部遮光領域２２としている。遮光帯１８は、周辺部遮光領域２２にあり露光時に多重露光となる領域に設けられている。また、遮光帯１８よりもさらに外側は、露光時にブレードを用いて遮光することができる。
本実施形態の反射型マスク３０を構成する遮光帯１８についてさらに詳しく説明する。

（遮光帯）
本実施形態の遮光帯１８は、多層反射膜１２にレーザ光を照射して多層反射膜１２を破壊した層により構成されており、基板１１上の多層反射膜１２と同一平面上にあり、ＥＵＶ光に対する遮光帯１８の反射率は多層反射膜１２の反射率よりも低いことを特徴とするものである。さらに、図３（ａ）に示すように、基板１１上に形成された遮光帯１８の上部の吸収層１５は取り除かれており、遮光帯１８の表面が露出していることを特徴とする。したがって、パターン側から見た平面図である図３（ｂ）に示すように、遮光帯１８の存在は容易に確認することができる。第２の実施形態における遮光帯１８の幅は、第１の実施形態の場合と同じである。本実施形態における遮光帯１８は、遮光帯１８がパターン側から多層反射膜１２にレーザ光を照射して多層反射膜１２を破壊した層により構成されている。本実施形態における遮光帯１８は、上記の第１の実施形態と同様に、レーザ光照射により多層反射膜１２を破壊してＥＵＶ光に対して多層反射膜１２の反射率よりも低くすれば、必ずしもレーザ光照射で数１０層に積層された多層反射膜１２の全ての層を破壊した層としなくてもよい。

本実施形態の反射型マスク３０は、図３（ａ）に示すように、基板１１の一方の主面上に設けられたマスクパターンと相対する他方の主面上に、導電層１７が形成されている場合を示しているが、導電層１７が設けられていなくてもよい。

本実施形態の反射型マスク３０を構成する遮光膜１８以外に用いられる他の構成要素については、上記の第１の実施形態に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。

上記の第２の実施形態によるＥＵＶ露光用の反射型マスクによれば、遮光帯１８は、多層反射膜１２と同一平面上にあるので露光光のシャドーイングの影響が低減され、遮光帯１８および反射膜１２の側面は露出していないのでマスクの耐洗浄性に優れ、ＥＵＶ露光における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性を高めて露光光の漏れを抑制する効果が得られ、良好な転写パターンを得ることができる。
次に、本発明のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法について説明する。

<反射型マスクの製造方法>
本発明の反射型マスクの製造方法は、基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、この多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けて形成された転写用パターンを有するＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、被転写体への転写用パターンの形成領域を規定し、転写用パターンの形成領域以外へのＥＵＶ光の照射を防止するために、転写用パターンの周囲に遮光帯を設けるに際し、転写用パターンの周囲の遮光帯を形成する領域の多層反射膜にレーザ光を照射して多層反射膜を破壊し、上記の破壊した多層反射膜により遮光帯を形成することを特徴とするものである。

本発明の反射型マスクの製造方法によれば、上記の特許文献２に記載された反射型マスクのように、第２の吸収膜を成膜しパターン加工する工程が不要であり、あるいは４０層に及ぶ多層反射膜を深掘りエッチングして多層反射膜を除去する工程も不要であり、マスク作製時の加工方法を複雑にせずに簡単な工程で短時間に遮光帯を有する反射型マスクの製造が可能となる。

以下、本発明のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法における実施形態について図面を用いて説明する。また、以下の図面において、同じ部位と材料を示す場合には、同じ符号を用いている。なお、本発明の製造方法における反射型マスクの各構成要素、材料は、上記の反射型マスクに記載した内容と同様であるので、説明は省略する。

図４は、遮光帯を設けていない反射型マスクの製造工程の一例を示す断面模式図で、従来公知の反射型マスクの製造工程であり、本発明の反射型マスクの製造方法における第１の実施形態および第２の実施形態に共通する前工程となる工程である。

先ず、ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクス４０を準備する（図４（ａ））。反射型マスクブランクス４０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、その多層反射膜１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１５ａとを少なくとも設けてパターン形成層としている。図４（ａ）に示す反射型マスクブランクス４０は、さらに、多層反射膜１２上にキャッピング層１３、バッファ層１４ａが順に設けられ、吸収層１５ａ上には、反射防止層１６ａが設けられている。

次に、吸収層１５ａをパターニングするために、レジストパターン１９を形成し（図４（ｂ））、反射防止層１６ａ、吸収層１５ａ、バッファ層１４ａの順にドライエッチングして、図４（ｃ）に示すように、反射型マスク５０を作製する。反射型マスク５０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、その多層反射膜１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１５とを少なくとも設けてパターン形成層としており、転写パターン領域２１と周辺部遮光領域２２を有する。図４（ｃ）に示す反射型マスク５０は、さらに、多層反射膜１２上にキャッピング層１３、バッファ層１４が順に設けられ、吸収層１５上には、反射防止層１６を設けた構成をしている。

上記のように、図４（ｃ）に示す反射型マスク５０およびその製造方法は公知であるので、図４の製造方法の詳細は省略する。以下に説明する第１の実施形態および第２の実施形態に示す遮光帯を有する本発明の反射型マスクの製造方法は、吸収層１５ａをエッチングし転写用パターンを形成して反射型マスク５０を作製した後に遮光帯を形成することに特徴を有するものである。

１．第１の実施形態
図５は、図１に示す遮光帯を有する本発明の反射型マスクの図４に続く第１の実施形態の製造工程を示す断面模式図である。本実施形態の反射型マスクの製造方法は、先ず遮光帯のないＥＵＶ露光用の反射型マスクを作製した後に、基板の他方の主面側から、基板を通して、転写用パターンの周囲の多層反射膜にレーザ光を照射して多層反射膜を破壊し、上記の破壊した多層反射膜により遮光帯を形成することを特徴とするものである。

図５（ａ）に示すように、図４で説明した反射型マスク５０を準備する。反射型マスク５０は、基板１１の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、多層反射膜１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１５とを少なくとも設けて形成された転写用パターンを有するマスクである。図５（ａ）に示す反射型マスク５０は、さらに、多層反射膜１２上にキャッピング層１３、バッファ層１４が順に設けられ、吸収層１５上には、反射防止層１６が設けられている。

次に、図５（ｂ）に示すように、基板１１の転写用パターン形成側に相対する他方の主面側から、多層反射膜１２にレーザ光２３を照射して多層反射膜１２を破壊する。破壊された多層反射膜１２部分は、被転写体への転写用パターンの形成領域を規定するＥＵＶ光に対して低反射の所定幅の遮光帯１８として形成され、遮光帯１８を有する反射型マスク１０が得られる。

図５（ｃ）は、遮光帯１８を形成した本発明の反射型マスク１０の断面模式図である。遮光帯１８は、基板１１上の多層反射膜１２と同一平面上にあり、基板１１と、キャッピング層１３、バッファ層１４を介して、吸収層１５との間に挟まれて反射型マスク１０に内蔵されている。

ＥＵＶ露光においては、例えば、厚み２．９ｎｍのＭｏと４．０ｎｍのＳｉを交互に４０層重ねて形成した多層反射膜のように、ＥＵＶ光の反射膜は規則性を有した多層膜にしないと、効率良くＥＵＶ光を反射することができない。一方、本発明の反射型マスクにおいて説明したように、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２は高熱に弱く、レーザ光照射による熱で多層反射膜１２が破壊され、ＥＵＶ光に対する反射率が低下する。したがって、レーザ光照射により照射部の温度を上昇させ、その熱作用で熱に弱い多層膜の規則性を破壊してしまえば、ＥＵＶ光の反射率を低下させることができる。本発明における多層反射膜１２の破壊においては、多層反射膜１２を蒸散させたり、多層反射膜１２に空孔を形成させたりするほどの高いエネルギーのレーザ光照射は必ずしも必要としない。

本発明において、レーザ光照射された多層反射膜１２が熱により融解し合金化しているか、あるいはＭｏとＳｉが拡散層を形成しているか、あるいは他の構造に変化しているかは不明であるが、レーザ光照射により反射膜としての機能が破壊され、レーザ光照射部がＥＵＶ光に対して多層反射膜よりも低反射率の層となれば遮光帯として用いることができる。したがって、遮光帯１８は、必ずしも多層反射膜の全てが破壊されていなくてもよい。

レーザ加工の大きな特徴として、スポットビーム径による局所的な加工に優れていることが挙げられる。遮光帯１８の幅は、通常４倍マスクにおいて１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲内の加工であるのに対し、一般的なレーザ光のビーム径は２０μｍ〜３０μｍまで微小に絞ることが可能である。そのため、遮光帯形成領域以外にはダメージを与えず簡素な工程で遮光帯を作製することができる。

上記の多層反射膜１２の照射部に熱作用を生じさせて破壊する目的に沿うレーザとしては、各種のレーザを用いることができ特に限定されないが、基板１１がガラスの場合には、例えば、レーザ光２３として、ＣＯ₂レーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ、フェムト秒レーザなどが挙げられる。基板１１が可視光や紫外光を透過しないシリコンの場合には、赤外光レーザであるＣＯ₂レーザが用いられる。また、パルスレーザを用いることにより、ナノ秒〜フェムト秒程度の時間幅の短いパルス光を得ることが可能で、短い時間幅の中にエネルギーを集中させ、高出力を得て加工時間を短縮することができる。

本発明において、図示はしていないが、発振器で発振されたレーザ光は光路を通じて伝送され、集光レンズ２４で適切なサイズへ集光され、反射型マスクの多層反射膜に照射する。レーザ集光点（加工点）を高速で移動させることができるＸＹ駆動系を設けて、反射型マスクを設置してレーザ光を照射すれば容易に転写パターンの周囲に矩形トラック状の遮光帯を形成することができる。

本実施形態の製造方法は、基板１１の他方の主面側から、基板１１を通して、レーザ光２３を照射して多層反射膜１２を破壊し、この破壊した多層反射膜１２により遮光帯１８を形成するために、遮光帯材料を新たに成膜する必要がなく、さらに遮光帯領域を設けるためのレジストプロセスやドライエッチング加工工程が不要であり、簡単な工程で所定領域に遮光帯を形成できるという利点を有する。さらに、本発明のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法は、遮光領域を有していない既に完成された反射型マスクを用いて、そのマスクの所定の位置に遮光帯を形成し、遮光帯を備えた反射型マスクとすることができる。本実施形態において、もしも基板１１の他方の主面側に導電層を設ける場合には、図５（ｃ）に示す遮光帯を形成した後に、他方の主面側に導電層を形成すればよい。

２．第２の実施形態
図６は、図３に示す遮光帯を有する本発明の反射型マスクにおける第２の実施形態の製造工程を示す断面模式図である。本実施形態の反射型マスクの製造方法は、遮光帯のないＥＵＶ露光用の反射型マスクを作製した後に、転写用パターンを形成した基板の一方の主面上に、遮光帯を形成するためのレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして吸収層をエッチングして遮光帯とする領域の多層反射膜を露出させ、次に、基板の一方の主面側から、露出させた多層反射膜にレーザ光を照射して露出させた多層反射膜を破壊し、上記の破壊した多層反射膜により遮光帯を形成することを特徴とするものである。

図６（ａ）に示すように、遮光帯のない反射型マスク６０を準備する。反射型マスク６０は、基板１１の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、多層反射膜１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１５とを少なくとも設けて形成された転写用パターンを有し、基板１１の他方の主面上に導電層１７を形成したマスクである。図６（ａ）に示す反射型マスク６０は、さらに、多層反射膜１２上にキャッピング層１３、バッファ層１４が順に設けられ、吸収層１５上には、反射防止層１６が設けられている。本実施形態において、反射型マスク６０は、図４に示す製造方法と同じ方法で作製することができる。

次に、図６（ｂ）に示すように、転写用パターンを形成した基板の一方の主面上に、遮光帯を形成するためのレジストを塗布し、露光、現像して、遮光帯のレジストパターン２５を形成する。次いで、図６（ｃ）に示すように、上記のレジストパターン２５をマスクとして、反射防止層１６、吸収層１５、バッファ層１４の順にエッチングして開口部２６を形成し、遮光帯とする領域の多層反射膜１２を露出させる。図６（ｃ）に示すように、キャッピング層１２が設けてある場合は、キャッピング層１２をエッチング除去しても良いし、あるいはそのまま残しておいても良く、キャッピング層１２の有無に係らず多層反射膜１２へのレーザ加工は可能である。

次に、図６（ｄ）に示すように、基板１１の一方の主面側から、露出させた多層反射膜１２にレーザ光２３を照射して露出させた多層反射膜１２を破壊する。破壊された多層反射膜１２部分は、被転写体への転写用パターンの形成領域を規定するＥＵＶ光に対して低反射の所定幅の遮光帯１８として形成され、遮光帯１８を有する反射型マスク３０が得られる。

図６（ｅ）は、遮光帯１８を形成した本発明の反射型マスク３０の断面模式図である。遮光帯１８は、多層反射膜にレーザ光を照射して多層反射膜を破壊した層により構成され、基板１１上の多層反射膜１２と同一平面上にあり、基板１１上に形成された遮光帯１８の上部の吸収層１５が除かれており、遮光帯１８の表面が露出している。

本実施形態の製造方法は、転写用パターンを形成した基板１１の一方の主面上に形成したレジストパターン２５をマスクとして吸収層１５をエッチングして遮光帯とする領域の多層反射膜１２を露出させ、次に、基板１１の一方の主面側から、露出させた多層反射膜１２にレーザ光２３を照射して露出させた多層反射膜１２を破壊し、この破壊した多層反射膜１２により遮光帯１８を形成するために、遮光帯材料を新たに成膜したりパターニングする必要がなく、簡単な工程で所定領域に遮光帯を形成できるという利点を有する。また、基板１１の他方の主面側に導電層１７を設けているマスクであっても、遮光帯を形成することができる。さらに、本発明のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法は、遮光領域を有していない既に完成された反射型マスクを用いて、そのマスクの所定の位置に遮光帯を形成し、遮光帯を備えた反射型マスクとすることができる。

３．第３の実施形態
図７は、図３に示す遮光帯を有する本発明の反射型マスクの製造方法における第３の実施形態の製造工程を示す断面模式図である。本実施形態の反射型マスクの製造方法は、反射型マスクブランクスを用いて転写用パターンと、遮光帯とを形成するためのレジストパターンを吸収層上に形成し、該レジストパターンをマスクとして吸収層をエッチングして多層反射膜を露出させ、次に、転写用パターンを形成した基板の一方の主面側から、露出させた多層反射膜の遮光帯とする領域にレーザ光を照射して多層反射膜を破壊し、上記の破壊した多層反射膜により遮光帯を形成することを特徴とするものである。

図７（ａ）に示すように、遮光帯のない反射型マスクブランクス４０を準備する。反射型マスクブランクス４０は、基板１１の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、多層反射膜１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１５ａとを少なくとも設けてあり、基板１１の他方の主面上に導電層１７を形成したマスクブランクスである。図７（ａ）に示す反射型マスクブランクス４０は、さらに、多層反射膜１２上にキャッピング層１３、バッファ層１４ａが順に設けられ、吸収層１５ａ上には、反射防止層１６ａが設けられている。

次に、図７（ｂ）に示すように、基板１１の一方の主面上に、転写用パターンと、遮光帯とを形成するためのレジストを塗布し、露光、現像して、転写用パターンと遮光帯とのレジストパターン２７を形成する。次いで、図７（ｃ）に示すように、上記のレジストパターン２７をマスクとして、反射防止層１６、吸収層１５、バッファ層１４の順にエッチングして転写パターンを形成するとともに遮光帯用の開口部２６を形成し、遮光帯とする領域の多層反射膜１２を露出させる。図７（ｃ）に示すように、キャッピング層１３が設けてある場合は、キャッピング層１３をエッチング除去しても良いし、あるいはそのまま残しておいても良く、キャッピング層１３の有無に係らず多層反射膜１２へのレーザ加工は可能である。

次に、図７（ｄ）に示すように、基板１１の一方の主面側から、露出させた多層反射膜１２にレーザ光２３を照射して露出させた多層反射膜１２を破壊する。破壊された多層反射膜１２部分は、被転写体への転写用パターンの形成領域を規定するＥＵＶ光に対して低反射の所定幅の遮光帯１８として形成され、遮光帯１８を有する反射型マスク３０が得られる。

図７（ｅ）は、遮光帯１８を形成した本発明の反射型マスク３０の断面模式図である。遮光帯１８は、多層反射膜にレーザ光を照射して前記多層反射膜を破壊した層により構成され、基板１１上の多層反射膜１２と同一平面上にあり、基板１１上に形成された遮光帯１８の上部の吸収層１５が除かれており、遮光帯１８の表面が露出している。

本実施形態の製造方法は、基板１１の一方の主面上に転写用パターンと、遮光帯とを形成するためのパターンを同時に形成し、露出させた遮光帯とする領域の多層反射膜１２にレーザ光２３を照射して多層反射膜１２を破壊し、この破壊した多層反射膜１２により遮光帯１８を形成する方法であり、遮光帯材料を新たに成膜したりパターニングする必要がなく、簡単な工程で所定領域に遮光帯を形成できるという利点を有する。また、基板１１の他方の主面側に導電層１７を設けているマスクであっても、遮光帯形成することができる。本実施形態の製造方法は、転写用パターンと遮光帯用開口部とを同時に形成するので、レジストプロセスが１工程でよく、上記の第２の実施形態に比べて工程が短縮されるという利点を有する。
以下、実施例により、本発明をさらに詳しく述べる。

（実施例１）
光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板の一方の主面（表面）上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気下で、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を１１ｎｍ成膜してキャッピング層とし、ＭｏとＳｉの多層膜よりなるＥＵＶ光を反射する多層反射膜を形成した。
次に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、上記の多層反射膜上にＣｒターゲットを用いてＣｒＮ膜を１０ｎｍの厚さに成膜し、バッファ層とした。
続いて、上記のＣｒＮ膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、ＴａおよびＢを含むターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＢＮ膜を８０ｎｍの厚さで成膜し、ＥＵＶ光を吸収する吸収層としたＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスを得た。

次に、このＥＵＶ露光用マスクブランクスを用い、ＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画してレジストパターンを形成した。次いで、ＴａＢＮの吸収層をＣｌ₂ガスでドライエッチングし、さらにＣｒＮのバッファ層をＣｌ₂と酸素との混合ガスでドライエッチングし、レジストパターンを剥膜して、キャッピング層を設けた多層反射膜を露出させ、転写用パターンを有し遮光帯のない反射型マスクを得た。

次に、上記の反射型マスクの転写用パターン形成側に相対する石英基板の他方の主面（裏面）側から、遮光帯を形成すべき転写用パターンの周囲の多層反射膜に、中心波長８００ｎｍのフェムト秒レーザ光を照射して多層反射膜を破壊した。破壊された多層反射膜部分は、被転写体への転写用パターンの形成領域を規定するＥＵＶ光に対して低反射率の矩形トラック状幅５ｍｍの遮光帯として形成され、マスク内に内蔵された遮光帯を有する反射型マスクが得られた。

本実施例の遮光帯を有する反射型マスクは、遮光帯が、石英基板上の多層反射膜と同一の平面上にあり、石英基板と、キャッピング層、バッファ層を介して、吸収層との間に挟まれて反射型マスクに内蔵されており、１ショットの露光フィールドは２４×３６ｍｍとした。本実施例の反射型マスクを用い、ウェハ上へのパターン露光を行ったところ、フィールド境界での多重露光による問題は生じず、良好なレジストパターンを形成することができた。また、本実施例の反射型マスクは、遮光帯がマスク内に内蔵されているので、遮光帯を有しないマスクと同等の高い耐洗浄性を示した。

（実施例２）
実施例１と同じ反射型マスクブランクスを用い、そのブランクスの他方の主面（裏面）上に、導電層としてＣｒを厚さ２０ｎｍスパッタリング成膜し、導電層付きの反射型マスクブランクスとした。

次に、上記のマスクブランクスを用い、ＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画してレジストパターンを形成した。次いで、ＴａＢＮの吸収層をＣｌ₂ガスによりドライエッチングし、さらにＣｒＮのバッファ層をＣｌ₂と酸素との混合ガスでドライエッチングし、レジストパターンを剥膜して、キャッピング層を設けた多層反射膜を露出させ、転写用パターンを有し遮光帯のない反射型マスクを得た。

次に、上記の遮光帯のない反射型マスクを用い、転写用パターンを形成した基板の一方の主面（表面）上に、遮光帯を形成するためのレジストを塗布し、露光、現像して、遮光帯のレジストパターンを形成した。次いで、上記のレジストパターンをマスクとして、吸収層をＣｌ₂ガス、バッファ層をＣｌ₂と酸素との混合ガスで順にドライエッチングし、遮光帯用の開口部を形成し、遮光帯とする領域の多層反射膜を露出させた。

次に、石英基板の一方の主面（表面）側から、露出させた多層反射膜にＣＯ₂レーザ光を照射して露出させた多層反射膜を破壊した。破壊された多層反射膜部分は、被転写体への転写用パターンの形成領域を規定するＥＵＶ光に対して低反射の８ｍｍ幅の遮光帯として形成され、遮光帯を有する反射型マスクが得られた。

本実施例の遮光帯を有する反射型マスクは、遮光帯が、多層反射膜にレーザ光を照射して多層反射膜を破壊した層により構成され、石英基板上の多層反射膜と同一平面上にあり、石英基板上に形成された遮光帯の上部の吸収層が除かれており、遮光帯の表面が露出しており、本実施例の反射型マスクを用いたウェハ上へのパターン露光において、フィールド境界での多重露光による問題は生じず、良好なレジストパターンを形成することができた。また、本実施例の反射型マスクは、遮光帯および反射膜の側面は露出していないので、高い耐洗浄性を示した。

（実施例３）
実施例２で用いたのと同じ導電層付きの反射型マスクブランクスを準備し、石英基板の一方の主面（表面）上に、転写用パターンと、遮光帯とを形成するためのレジストを塗布し、露光、現像して、転写用パターンと遮光帯とのレジストパターンを形成した。次いで、上記のレジストパターンをマスクとして、吸収層をＣｌ₂ガス、バッファ層をＣｌ₂と酸素との混合ガスで順にドライエッチングし、転写パターンを形成するとともに遮光帯用の開口部を形成し、遮光帯とする領域の多層反射膜を露出させた。

本実施例の遮光帯を有する反射型マスクは、遮光帯が、多層反射膜にレーザ光を照射して多層反射膜を破壊した層により構成され、石英基板上の多層反射膜と同一平面上にあり、石英基板上に形成された遮光帯の上部の吸収層が除かれており、遮光帯の表面が露出しており、本実施例の反射型マスクを用いたウェハ上へのパターン露光において、フィールド境界での多重露光による問題は生じず、良好なレジストパターンを形成することができた。また、本実施例の反射型マスクは、高い耐洗浄性を示した。

１０、２０、３０遮光帯を有する反射型マスク
１１基板
１２多層反射膜
１３キャッピング層
１４バッファ層
１４ａバッファ層（パターニング前）
１５吸収層
１５ａ吸収層（パターニング前）
１６反射防止層
１６ａ反射防止層（パターニング前）
１７導電層
１８遮光帯
２１転写パターン領域
２２周辺部遮光領域
２３レーザ光
２４集光レンズ
２５レジストパターン
２６開口部
４０、７０反射型マスクブランクス
５０、６０反射型マスク（遮光帯はない）
８０ＥＵＶ露光用反射型マスク
８１ＥＵＶ光
８２ブレード
８３ウェハ
８４フィールド
８５転写パターン
８６フィールド重なり部
１０１低膨張率基板
１０２多層反射膜
１０３保護膜
１０４バッファ層
１０５第１の吸収膜
１０６第２の吸収膜
１０７転写パターン領域
１０８遮光領域
１１０反射型マスク
１１１基板
１１２多層反射膜
１１３キャッピング層
１１４バッファ層
１１５吸収層
１１６反射防止層

Claims

基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に前記ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けて形成された転写用パターンを有するＥＵＶ露光用の反射型マスクであって、
被転写体への前記転写用パターンの形成領域を規定し、前記転写用パターンの形成領域以外への前記ＥＵＶ光の照射を防止するために、前記転写用パターンの周囲に遮光帯が設けられており、
前記遮光帯は、前記多層反射膜にレーザ光を照射して前記多層反射膜を破壊した層により構成され、前記基板上の前記多層反射膜と同一平面上にあり、前記ＥＵＶ光に対する前記遮光帯の反射率が前記多層反射膜の反射率よりも低く、前記基板と前記吸収層との間に挟まれて前記反射型マスクに内蔵されていることを特徴とする反射型マスク。
基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に前記ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けて形成された転写用パターンを有するＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、
被転写体への前記転写用パターンの形成領域を規定し、前記転写用パターンの形成領域以外への前記ＥＵＶ光の照射を防止するために、前記転写用パターンの周囲に遮光帯を設けるに際し、
前記遮光帯のないＥＵＶ露光用の反射型マスクを作製した後に、
前記基板の他方の主面側から、前記基板を通して、前記転写用パターンの周囲の前記多層反射膜にレーザ光を照射して前記基板と前記吸収層との間に挟まれた前記多層反射膜を破壊し、前記破壊した多層反射膜により前記遮光帯を形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。