JP2012054412A - 遮光領域を有する反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、転写パターンに損傷を及ぼす危険性を解消しつつ、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制できる遮光領域を有する反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 遮光領域における反射層に段差を形成し、段差上面からの反射光と、段差底面からの反射光との間に位相差を生じさて、遮光領域から放射される反射光全体の強度を低減することにより、上記課題を解決する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：以後、ＥＵＶと記す）を用いてマスクパターンをウェハ上に転写するためのＥＵＶ露光用の反射型マスクに関し、より詳しくは、露光フィールド境界におけるオーバー露光を防止するための遮光領域を有する反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法に関するものである。

半導体デバイスの微細化に伴い、現在、ＡｒＦエキシマレーザを用いた光学式の投影露光装置により、フォトマスクを用いてウェハ上にパターン転写する露光方法が行なわれている。これらの光学式の投影露光装置による露光方法では、いずれ解像限界に達するため、電子線描画装置による直描やインプリントリソグラフィやＥＵＶリソグラフィのような新しいパターン形成方法が提案されている。

これらの新しいリソグラフィ技術の中でも、紫外線露光の短波長化の極限と見なされているＥＵＶ露光は、エキシマレーザよりもさらに短波長である波長１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光を用いて通常１／４程度に縮小して露光する技術であり、半導体デバイス用の次世代リソグラフィ技術として注目されている。ＥＵＶ露光においては、短波長のために屈折光学系が使用できないため、反射光学系が用いられ、マスクとしては反射型マスクが提案されている（特許文献１）。

このＥＵＶ露光用反射型マスク（以降、反射型マスクと記す）は、ＥＵＶ光を反射する多層膜構造の反射層と、この反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体パターンとを、少なくとも備えたマスクである。

上述のような反射型マスクにおいても、従来のフォトマスクと同様に、位相シフト法を用いることでさらに解像度を向上させることができる。例えば、反射層上に形成された吸収体パターンを構成するルテニウム（Ｒｕ）層とタンタル（Ｔａ）層の膜厚を、それぞれ最適化することで、所望の反射率と位相差を両立させたハーフトーン型の位相シフト反射型マスクが提案されている（特許文献２）。

図１２は、ハーフトーン型の位相シフト反射型マスクの一例を示す断面図である。図１２に示す反射型マスク１００は、少なくとも、基板１０１の主面上に、ＥＵＶ光を反射して第１の反射光を放射する多層膜構造の反射層１０２を有し、その上に、ＥＵＶ光の一部を前記第１の反射光とは位相が反転した第２の反射光として放射するハーフトーン型の吸収体パターン１０３Ａが形成された構造となっている。

なお、反射層１０２上には、反射層を保護するキャッピング層やマスクパターン形成時の反射層１０２へのエッチングダメージを防止するためのバッファ層が設けられていてもよい。

図１３は、位相シフト反射型マスクを用いたＥＵＶ露光の概念図である。図１３に示すように、ハーフトーン型の位相シフト反射型マスク１００の吸収体パターン１０３Ａから露出する反射層１０２に入射したＥＵＶ光１１１Ａは、第１の反射光１１２Ａとしてマスクから放射され、ウェハ１３０上に設けたレジストに縮小転写パターン１３１を形成する。

一方、ハーフトーン型の吸収体パターン１０３Ａに入射したＥＵＶ光１１１Ｂは、その一部は吸収されるが、他の一部は吸収体パターン１０３Ａを透過して反射層１０２で反射し、再び吸収体パターン１０３Ａを透過して、前記第１の反射光１１２Ａとは位相が反転した第２の反射光１１２Ｂとしてマスクから放射され、フォトマスクと同様な位相シフト効果により、ウェハ１３０上に形成されるパターン１３１の解像性を向上させる。

ここで、ＥＵＶ露光では、ＥＵＶ光は反射型マスク１００の主面に対し垂直な方向から数度（例えば、６度）傾いた方向から入射される。

従って、吸収体パターン１０３Ａの膜厚が厚いと、入射するＥＵＶ光１１１Ａ、または反射光１１２Ａが、吸収体パターン１０３Ａによって遮られ、吸収体パターン１０３Ａ自身の影が生じ、ウェハ１３０上に転写されたレジストパターン１３１のエッジ部分がぼけるなどのシャドーイング効果と呼ばれる現象により鮮明な転写パターンが得られなくなる。それゆえ、シャドーイング効果を低減し、鮮明な転写パターンを形成するためには、吸収体パターン１０３Ａの厚さは薄い方がより好ましい。

しかしながら、吸収体パターン１０３Ａの厚さを薄くした場合、以下のような露光フィールド境界部におけるレジストのオーバー露光の問題が生じる。

ＥＵＶ露光では、フォトマスクのステッパー露光と同様に、反射型マスク１００上のパターン領域を、図１３に示すように、反射型マスク１００上に設置されるブレード１２０によって矩形状の露光フィールド１３２に区切り、ステップアンドリピート方式によりウェハ１３０に多面付け露光する。

ここで、上述のように、吸収体パターン１０３Ａの膜厚を薄くした場合には、吸収体パターン１０３Ａから放射される第２の反射光１１２Ｂの強度が高まり、ブレード１２０境界近傍に相当する露光フィールド１３２外周の重なり部において、ウェハ１３０上のレジストが多重露光により、オーバー露光してしまう。

図１４は、ＥＵＶ露光における上記問題の説明図であり、ウェハ１３０上に４つの露光フィールド１３２が転写された状態を例示している。

図１４に示すように、ウェハ１３０上の各露光フィールド１３２の境界部１３３では、反射型マスクの吸収体パターンから放射される反射光により、２重あるいは４重に露光が重なり合って多重露光されるために、レジストが不適切に感光してしまう。

例えば、ポジ型レジストを用いた場合、露光フィールド１３２が重なり合う境界部１３３のレジストは多重露光されることになり、この多重露光による露光量がオーバー露光となってレジストの感度を上回ると、レジストの膜減り等の問題が発生する。

上記の露光フィールド境界でのオーバー露光の問題を解決するために、図１５に示すような転写パターン領域１４０外周の遮光領域１４１に工夫を凝らした反射型マスクが提案されている（特許文献３）。

ここで、上記の転写パターン領域とは、ウェハ等の被転写体に転写される露光フィールドに対応した反射型マスク上のパターン領域のことであり、上記の遮光領域とは、前記転写パターン領域の周囲に設けられたＥＵＶ光の反射を低減させた領域のことであり、前記遮光領域を設けることにより、ウェハ上で隣り合う露光フィールドの境界部におけるレジストのオーバー露光を防止する。

特許文献３には、図１５に示すように２つの方式が開示されている。

例えば、図１５（ａ）に示す反射型マスクは、遮光領域１４１の吸収層を２段構造にした吸収体積層方式の反射型マスクであり、第１の吸収体からなるパターン１０３Ａ上に、第２の吸収体からなる遮光枠１０４が設けられている。

一方、図１５（ｂ）に示す反射型マスクは、遮光領域１４１の反射層１０２をエッチング加工で除去した反射層加工方式の反射型マスクである。

特開昭６３−２０１６５６号公報 特開２００４−２０７５９３号公報 特開２００９−２１２２２０号公報 特開平４−１２７１５０号公報 特開平６−１７５３４７号公報

上述の図１５（ａ）に示すような吸収体積層方式の反射型マスクの製造方法については、特許文献３において、吸収体パターン１０３Ａを構成する第１の吸収層の上に、遮光枠１０４を構成する第２の吸収層を積層し、第２の吸収層の上に形成したレジストパターンをエッチングマスクにして、第２の吸収層と第１の吸収層をエッチング加工して、第２の吸収層と第１の吸収層の両方の厚さの転写パターンと遮光枠パターンを形成し、次いで、転写パターン領域の第２の吸収層からなる転写パターンのみを除去して上記のような吸収体積層方式の反射型マスクを得る方法が提案されている。

しかしながら、上記のように、第２の吸収層と第１の吸収層の両方をエッチング加工して転写パターンを形成することは、第１の吸収層のみをエッチング加工して転写パターンを形成することに比べて厚膜のエッチングとなり、精度良く転写パターンを形成することは困難である。また、第１の吸収層の転写パターンに損傷を与えずに、転写パターン領域の第２の吸収層からなる転写パターンのみを除去することも困難である。

また、吸収体積層方式の反射型マスクを得る別の方法として、吸収体パターン１０３Ａの上に別途形成した遮光枠１０４を、接着剤等を用いて貼り付ける方法もあるが、この方法では、貼付工程において欠陥を生じ易く、また、接着剤等からのアウトガスにより、ＥＵＶ露光装置を汚染する恐れや、ＥＵＶ転写精度を劣化させてしまうという問題がある。

次に、上述の図１５（ｂ）に示すような反射層加工方式の反射型マスクについては、Ｍｏ層とＳｉ層を交互に設けて一組の層とした４０層（例えば、厚さ２７４ｎｍ）に及ぶ多層膜構造の反射層１０２を深掘りエッチングして、遮光領域の反射層を除去する必要があるが、この反射層の除去は容易ではなく、工程が長くなるという問題を生じている。

さらに、反射層加工方式の反射型マスクにおいては、反射層１０２を構成するＭｏ層とＳｉ層を交互に積層した多層膜の側面が、遮光領域１４１において露出した構造となるため、マスク洗浄で多層膜が損傷してしまう恐れや、多層膜の一部が側面から溶出して転写パターンに欠陥が生じてしまうという問題がある。

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、上述のような転写パターンに損傷を及ぼす危険性を解消しつつ、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制できる遮光領域を有する反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法を提供することである。

本発明者は、種々研究した結果、遮光領域における反射層に段差を形成し、段差上面からの反射光と、段差底面からの反射光との間に位相差を生じさて、遮光領域から放射される反射光全体の強度を低減することにより、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。

すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、基板と、前記基板の主面上に形成され、ＥＵＶ光を反射して第1の反射光を放射する反射層と、前記反射層の上に形成され、前記ＥＵＶ光の一部を前記第１の反射光とは位相が反転した第２の反射光として放射する吸収体パターンとを、少なくとも備えたＥＵＶ露光用の反射型マスクであって、前記吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲には、前記ＥＵＶ光の反射光の放射を低減するための遮光領域が設けられており、前記遮光領域における前記反射層には、段差上面からの反射光と段差底面からの反射光との間で位相差を生じさせる段差が、交互に繰り返し形成されていることを特徴とする反射型マスクである。

また、本発明の請求項２に係る発明は、前記遮光領域における前記反射層に、交互に繰り返し形成されている前記段差の上面と底面の差（Ｄ）が、
Ｄ＝（２ｎ−１）×λ×ｃｏｓθ／４
（ｎは正の整数、λはＥＵＶ光の波長、θはＥＵＶ光の入射角）
であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクである。

また、本発明の請求項３に係る発明は、前記遮光領域における前記反射層に、交互に繰り返し形成されている前記段差の配列ピッチ（Ｐ）が、
Ｐ＝ｋ１×λ／ＮＡ
（ｋ１は係数、λはＥＵＶ光の波長、ＮＡは開口数）
であることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の反射型マスクである。

また、本発明の請求項４に係る発明は、前記遮光領域における前記反射層の下に、凸状、若しくは凹状の段差が交互に繰り返し形成されていることにより、前記遮光領域における前記反射層に前記段差が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の反射型マスクである。

また、本発明の請求項５に係る発明は、基板と、前記基板の主面上に形成され、ＥＵＶ光を反射して第1の反射光を放射する反射層と、前記反射層の上に形成され、前記ＥＵＶ光の一部を前記第１の反射光とは位相が反転した第２の反射光として放射する吸収層とを、少なくとも備えたＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスであって、前記反射層の所定の領域には、隣り合う段差上面からの反射光と段差底面からの反射光との間で位相差を生じさせる段差が、交互に繰り返し形成されていることを特徴とする反射型マスクブランクスである。

また、本発明の請求項６に係る発明は、前記反射層の所定の領域に、交互に繰り返し形成されている前記段差の上面と底面の差（Ｄ）が、
Ｄ＝（２ｎ−１）×λ×ｃｏｓθ／４
（ｎは正の整数、λはＥＵＶ光の波長、θはＥＵＶ光の入射角）
であることを特徴とする請求項５に記載の反射型マスクブランクスである。

また、本発明の請求項７に係る発明は、前記反射層の所定の領域に、交互に繰り返し形成されている前記段差の配列ピッチ（Ｐ）が、
Ｐ＝ｋ１×λ／ＮＡ
（ｋ１は係数、λはＥＵＶ光の波長、ＮＡは開口数）
であることを特徴とする請求項５〜６のいずれかに記載の反射型マスクブランクスである。

また、本発明の請求項８に係る発明は、前記所定の領域における前記反射層の下に、凸状、若しくは凹状の段差が交互に繰り返し形成されていることにより、前記反射層の所定の領域に前記段差が形成されていることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の反射型マスクブランクスである。

また、本発明の請求項９に係る発明は、基板と、前記基板の主面上に形成され、ＥＵＶ光を反射して第1の反射光を放射する反射層と、前記反射層の上に形成され、前記ＥＵＶ光の一部を前記第１の反射光とは位相が反転した第２の反射光として放射する吸収体パターンとを、少なくとも備え、前記吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲には、前記ＥＵＶ光の反射光の放射を低減するための遮光領域が設けられており、前記遮光領域における前記反射層には、段差上面からの反射光と段差底面からの反射光との間で位相差を生じさせる段差が、交互に繰り返し形成されているＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、前記反射型マスクの前記遮光領域となる前記基板の主面の所定の領域に、凸状、若しくは凹状の段差を交互に繰り返し形成する段差形成工程と、前記基板の主面の上に、前記反射層を形成する反射層形成工程と、前記反射層の上に前記吸収層を形成する吸収層形成工程と、前記吸収層を部分的に除去して、所望の部位で前記反射層が露出するように吸収体パターンを形成する吸収体パターン形成工程と、を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。

また、本発明の請求項１０に係る発明は、前記遮光領域となる前記基板の主面の所定の領域に、交互に繰り返し形成される前記段差の上面と底面の差（Ｄ）が、
Ｄ＝（２ｎ−１）×λ×ｃｏｓθ／４
（ｎは正の整数、λはＥＵＶ光の波長、θはＥＵＶ光の入射角）
であることを特徴とする請求項９に記載の反射型マスクの製造方法である。

また、本発明の請求項１１に係る発明は、前記遮光領域となる前記基板の主面の所定の領域に、交互に繰り返し形成される前記段差の配列ピッチ（Ｐ）が、
Ｐ＝ｋ１×λ／ＮＡ
（ｋ１は係数、λはＥＵＶ光の波長、ＮＡは開口数）
であることを特徴とする請求項９〜１０のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法ある。

本発明によれば、反射型マスクの遮光領域における反射層に形成された段差によって、段差上面からの反射光と段差底面からの反射光との間に位相差を生じさて、各々の反射光の強度を互いに打ち消し合わせることにより、遮光領域から照射される反射光全体の強度を低減させることができるため、反射型マスクの遮光領域の遮光性を高めることができる。それゆえ、本発明に係る反射型マスクは、ＥＵＶ露光におけるウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制することができる。

また、本発明によれば、位相シフト効果により遮光領域から照射される反射光全体の強度を低減させて遮光領域の遮光性を向上できるため、従来のように反射型マスクの吸収層を厚く設ける必要はなくなり、転写パターン領域の吸収層をより薄膜化することができる。それゆえ、本発明に係る反射型マスクは、ＥＵＶ露光におけるシャドーイングの影響を低減することができる。

また、本発明によれば、反射型マスクに別途形成した遮光枠の貼付をする必要はなく、貼付のための接着剤等も不要なため、前記接着剤等からのアウトガスを発生する危険性がなく、それゆえ、本発明に係る反射型マスクは、真空装置であるＥＵＶ露光装置内を汚染する恐れや、真空度の劣化を引き起こしてＥＵＶ光が吸収されてしまう恐れなしに、ＥＵＶ露光装置に搭載することができる。

また、本発明に係る反射型マスクは、多層膜構造の反射層の側面が露出するような構成ではないため、マスク洗浄等で多層膜の一部が側面から溶出して転写パターンが損傷するという危険性を解消することができる。

また、本発明によれば、遮光領域の反射層に、反射光に位相差を生じさせる段差を形成することにより、反射型マスクの遮光領域の遮光性を高めるため、上述の吸収層を積層加工する方法（吸収体積層方式）や、反射層をエッチング加工する方法（反射層加工方式）のような複雑で困難なマスク製造工程を用いる必要は無く、より容易な製造方法で、生産性良く本発明に係る反射型マスクを製造することができる。

本発明に係る反射型マスクの一例を示す図であり、（ａ）は全体の概略断面図、（ｂ）は（ａ）における領域Ｃ１の概略拡大図である。 本発明に係る反射型マスクの他の例を示す図であり、（ａ）は全体の概略断面図、（ｂ）は（ａ）における領域Ｃ２の概略拡大図である。 本発明に係る反射型マスクブランクスの一例を示す図であり、（ａ）は全体の概略断面図、（ｂ）は（ａ）における領域Ｃ１の概略拡大図である。 本発明に係る反射型マスクブランクスの他の例を示す図であり、（ａ）は全体の概略断面図、（ｂ）は（ａ）における領域Ｃ２の概略拡大図である。 本発明に係る反射型マスクの遮光領域における反射光について示す説明図であり、（ａ）は反射層に段差の無い場合、（ｂ）は反射層に所定の段差がある場合を示す。 図１に示す本発明に係る反射型マスクの製造方法の例を示す模式的工程図である。 図６に続く本発明に係る反射型マスクの製造方法の例を示す模式的工程図である。 図７に続く本発明に係る反射型マスクの製造方法の例を示す模式的工程図である。 図２に示す本発明に係る反射型マスクの製造方法の例を示す模式的工程図である。 図９に続く本発明に係る反射型マスクの製造方法の例を示す模式的工程図である。 図１０に続く本発明に係る反射型マスクの製造方法の例を示す模式的工程図である。 ハーフトーン型の位相シフト反射型マスクの一例を示す断面図である。 位相シフト反射型マスクを用いたＥＵＶ露光の概念図である。 ＥＵＶ露光の露光フィールド境界部における多重露光の説明図である。 従来の遮光領域を有する反射型マスクの例を示す断面図であり、（ａ）は吸収体積層方式の反射型マスクであり、（ｂ）は反射層加工方式の反射型マスクである。

以下、本発明の遮光領域を有する反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法について詳細に説明する。
＜反射型マスク、および反射型マスクブランクス＞
（第１の実施形態）
図１は、本発明に係る反射型マスクの第１の実施形態の例を示す図であり、（ａ）は全体の概略断面図、（ｂ）は（ａ）における領域Ｃ１の概略拡大図である。

また、図３は、本発明に係る反射型マスクブランクスの第１の実施形態の例を示す図であり、（ａ）は全体の概略断面図、（ｂ）は（ａ）における領域Ｃ１の概略拡大図である。

すなわち、図１に示す本発明に係る反射型マスク１は、図３に示す本発明に係る反射型マスクブランクス３０の吸収層１３を部分的に除去して、所望の部位で反射層１２が露出するように吸収体パターン１３Ａを形成したものである。

図１（ａ）に示すように、反射型マスク１の主面には、吸収体パターン１３Ａによって形成された転写パターン領域２０と遮光領域２１が形成されている。ここで、転写パターン領域２０は、ウェハ等の被転写体に転写される露光フィールドに対応した反射型マスク１上のパターン領域であり、遮光領域２１は、転写パターン領域２０の周辺に設けられたＥＵＶ光の反射を逓減させた領域である。

例えば、外形６インチ角の反射型マスクにおいて、転写パターン領域２０の面積は１００ｍｍ×１３０ｍｍ程度であり、遮光領域２１の幅は３ｍｍ程度である。

本発明に係る反射型マスク１は、ハーフトーン型の位相シフト反射型マスクであり、吸収体パターン１３Ａから露出する反射層１２に入射したＥＵＶ光は、第１の反射光として反射型マスクから放射され、一方、吸収体パターン１３Ａに入射したＥＵＶ光は、その一部は吸収体パターン１３Ａに吸収されるが、他の一部は吸収体パターン１３Ａを透過して反射層１２で反射し、再び吸収体パターン１３Ａを透過して、前記第１の反射光とは位相が反転した第２の反射光として反射型マスクから放射され、フォトマスクと同様な位相シフト効果により、ウェハ上に形成されるレジストパターンの解像性を向上させる。

そして、本発明に係る反射型マスク１の遮光領域２１における反射層１２には、段差上面からの反射光と段差底面からの反射光とで位相差を生じさせる段差が交互に繰り返し形成されており、本発明に係る反射型マスク１においては、この段差により生じる位相差を利用して、段差上面と段差底面で反射される各々の反射光を、互いに打ち消し合わせることにより、遮光領域から照射される反射光全体の強度を低減させて、遮光領域の遮光性を高めている。

ここで、本発明に係る反射型マスクの第１の実施形態においては、図１（ｂ）に示すように、凸状の段差パターン１４Ａを、反射層１２の下に形成することで、遮光領域２１における反射層１２に、上述のような位相差を生じさせる段差を形成している。

段差パターン１４Ａを構成する材料には、金属やその酸化物、または窒化物を用いることができ、例えば、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ）、窒化クロム（ＣｒＮ）等を挙げることができる。そして、段差パターン１４Ａを形成するには、例えば、上記の材料をスパッタ等の従来技術を用いて所望の膜厚に成膜し、従来のリソグラフー技術を用いて、所望の部位を残して他の部位をエッチング除去することで、所望の部位に、所望のサイズ、および所望の形状の段差パターン１４Ａを形成することができる。

遮光領域２１における反射層１２に交互に繰り返し形成される前記段差の上面と底面の差（Ｄ）は、
Ｄ＝（２ｎ−１）×λ×ｃｏｓθ／４
（ｎは正の整数、λはＥＵＶ光の波長、θはＥＵＶ光の入射角）であることが望ましい。前記段差が上記の大きさである場合、段差の上面と底面で反射される各反射光の光路長の差はＥＵＶ光の波長の１／２の奇数倍となり、位相シフト効果により段差上下で反射される反射光が互いに打ち消し合うことになるからである。

上記の効果について、図を用いて、より詳しく説明する。図５は、本発明に係る反射型マスクの遮光領域における反射光について示す説明図であり、（ａ）は反射層に段差の無い場合、（ｂ）は反射層に所定の段差、すなわち上述の段差（Ｄ）がある場合を示す。

まず、図５（ａ）に示すように、多層膜構造の反射層１２に段差が無い場合には、入射光４０は、例えば４０層からなる多層膜で各々反射されて、位相の揃った反射光４１が放射される。

一方、図５（ｂ）に示すように、多層膜構造の反射層１２に所定の段差（Ｄ）がある場合には、段差上面で反射される反射光４０と、段差底面で反射される反射光４１に位相差が生じる。そして、段差（Ｄ）が、
Ｄ＝（２ｎ−１）×λ×ｃｏｓθ／４
（ｎは正の整数、λはＥＵＶ光の波長、θはＥＵＶ光の入射角）である場合、反射光４１と反射光４２の光路長の差はＥＵＶ光の波長の１／２の奇数倍となり、反射光４１と反射光４２は、位相が１８０度シフトした関係になる。そうすると、位相シフト効果により、反射光４１と反射光４２は、互いに打ち消し合うことになる。

ここで、一般に、上述の位相シフト効果は、位相差が１８０度の場合に最も効果が発揮されるものであるが、この位相差１８０度に対して±２０％の範囲であれば、その効果を得ることができる（特許文献４）。

すなわち、本発明に係る反射型マスクの遮光領域の遮光性を、上記の位相シフト効果により有効に向上させるには、遮光領域における反射層に形成される前記段差の上面と底面の差（Ｄ）が、
Ｄ＝（２ｎ−１）×λ×ｃｏｓθ／４
（ｎは正の整数、λはＥＵＶ光の波長、θはＥＵＶ光の入射角）であることが望ましいが、目標とする大きさの±２０％の範囲内、好ましくは±１０％の範囲内であればその効果を得ることができる。

例えば、露光に用いるＥＵＶ光の波長が１３．５ｎｍであり、入射角６度で反射型マスクに入射する場合、Ｄの値が、例えば、ｎ＝１のときの目標の大きさである３．３６ｎｍに対し、概ね２．７〜４．１ｎｍ、好ましくは３．０〜３．７ｎｍの範囲になるように段差を形成すればよい。

さらに、本発明に係る反射型マスク１においては、遮光領域２１の反射層１２の上には吸収体パターン１３Ａの膜が形成されており、この吸収体パターン１３Ａの膜が反射光の一部を吸収するため、反射層から放射される反射光の強度を、上記の段差構造による位相シフト効果によって１／５程度に抑制できれば、十分に遮光効果を奏することができる。

次に、遮光領域２１における反射層１２に形成される前記段差の配列ピッチについて説明する。前記段差の配列ピッチは、ＥＵＶ露光装置の光学系のパラメータにより決定される。すなわち、前記段差の配列ピッチ（Ｐ）は、
Ｐ＝ｋ１×λ／ＮＡ（ｋ１は係数、λはＥＵＶ光の波長、ＮＡは開口数）
であることが好ましい。

したがって、図１（ｂ）に示す例においては、段差パターン１４Ａの配列ピッチ、すなわち、交互に繰り返し形成されている矩形の段差パターン１４Ａの各中心値の間隔を、上述の、
ｋ１×λ／ＮＡ（ｋ１は係数、λはＥＵＶ光の波長、ＮＡは開口数）
となるように設計すればよい。

例えば、ＥＵＶ露光装置のＮＡが０．２５の場合、ＥＵＶ光の波長（λ）は１３．５ｎｍであることから、ｋ１を０．８とすると、配列ピッチ（Ｐ）は、４３．２ｎｍになる。

ここで、従来のフォトマスクにおいては、上述のような位相シフト効果を利用して遮光領域を形成するには、ハーフトーンの遮光膜をエッチング加工して、上述の配列ピッチとなる開口を設けていた（特許文献５）。

しかしながら、ＥＵＶ露光用の反射型マスクにおいても、同様に、吸収体パターンの膜をエッチング加工して、上述のような配列ピッチとなる開口を設けようとすることには、問題がある。その理由は、上記の吸収体パターンの膜厚は、例えば、４０ｎｍ程度あり、また吸収体パターンの材料もＴａ（タンタル）等の窒化物等であって、フォトマスクに用いられてきたＣｒ（クロム）等の加工技術に比べて、その加工技術は熟しておらず、上述のような４０ｎｍ程度の配列ピッチで開口を設けることは、現状困難だからである。

一方、本発明のように、段差パターン１４Ａを、反射層１２の下に形成することで、遮光領域２１における遮光性を高める方法を用いた反射型マスクであれば、上述のような４０ｎｍ程度の配列ピッチで加工すべき対象には、加工技術が精錬されたＣｒ等からなる段差パターン１４Ａの膜を用いることができ、かつ、その膜厚（Ｄ）は、
Ｄ＝（２ｎ−１）×λ×ｃｏｓθ／４
（ｎは正の整数、λはＥＵＶ光の波長、θはＥＵＶ光の入射角）
となる厚さ、例えば、３．４ｎｍ程度の薄い膜を用いることができ、上述のような厚膜である吸収体パターンの膜を加工することに比べて容易に製造することができる。
（第２の実施形態）
次に、本発明に係る反射型マスク、および反射型マスクブランクスの第２の実施形態について説明する。

図２は、本発明に係る反射型マスクの第２の実施形態の例を示す図であり、（ａ）は全体の概略断面図、（ｂ）は（ａ）における領域Ｃ２の概略拡大図である。

また、図４は、本発明に係る反射型マスクブランクスの第２の実施形態の例を示す図であり、（ａ）は全体の概略断面図、（ｂ）は（ａ）における領域Ｃ２の概略拡大図である。

すなわち、図２に示す本発明に係る反射型マスク１は、図４に示す本発明に係る反射型マスクブランクス３０の吸収層１３を部分的に除去して、所望の部位で反射層１２が露出するように吸収体パターン１３Ａを形成したものである。

本発明に係る反射型マスクの第２の実施形態においても、吸収体パターン１３Ａ、反射層１２の構成は、上述の第１の実施形態と同じである。

ただし、この第２の実施形態においては、上述の第１の実施形態の凸状の段差パターン１４Ａに換えて、図２（ｂ）に示すように、基板１１を凹状に加工することで、段差パターン１４Ｂを形成している点で、上述の第１の実施形態と相違する。

基板１１を構成する材料には、通常、主成分としてＳｉＯ₂が含まれているため、例えば、フッ酸水溶液によるウェットエッチングや、フッ素系ガスによるドライエッチングを用いて、所望の部位に、所望のサイズ、および所望の形状の段差パターン１４Ｂを形成することができる。

なお、段差パターン１４Ｂの段差の大きさや、形状、配列ピッチは、上述の第１の実施形態の段差パターン１４Ａと同様に設計すれば良い。

次に、本発明に係る反射型マスク、および反射型マスクブランクスを構成するその他の要素について説明する。
（基板）
本発明の反射型マスクを構成する基板１１としては、パターン位置精度を高精度に保持するために低熱膨張係数を有し、高反射率および転写精度を得るために平滑性、平坦度が高く、マスク製造工程の洗浄などに用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましく、石英ガラス、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系の低熱膨張ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどのガラス基板、さらにはシリコンを用いることもできる。

基板１１は、０．２ｎｍＲｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることが高反射率および転写精度を得るために好ましい。マスクブランクスの平坦度としては、例えば、パターン領域において５０ｎｍ以下が求められている。
（反射層）
反射層１２は、ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を高い反射率で反射する材料が用いられ、Ｍｏ（モリブデン）層とＳｉ（シリコン）層からなる多層膜が多用されており、例えば、２．８ｎｍ厚のＭｏ層と４．２ｎｍ厚のＳｉ層を各４０層積層した多層膜よりなる反射層が挙げられる。それ以外には、特定の波長域で高い反射率が得られる材料として、Ｒｕ／Ｓｉ、Ｍｏ／Ｂｅ、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜およびＳｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜なども用いることができる。ただし、材料によって最適な膜厚は異なる。

Ｍｏ層とＳｉ層からなる多層膜の場合、イオンビームスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いてＳｉ層を成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いてＭｏ層を成膜し、これを１周期として、３０〜６０周期、好ましくは４０周期積層されて、多層膜の反射層が得られる。上記のように、ＥＵＶ光を高い反射率で反射させるために、１３．５ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０度で入射したときの反射層１２の反射率は、通常、６０％以上を示すように設定されている。
（キャッピング層）
反射層１２の反射率を高めるには屈折率の大きいＭｏ層を最上層とするのが好ましいが、Ｍｏは大気で酸化され易く、反射率が低下するので、酸化防止やマスク洗浄時における保護のための保護層として、スパッタリング法などによりＳｉやＲｕ（ルテニウム）を成膜し、キャッピング層を設けることが行われている。

例えば、キャッピング層としてＳｉを用いる場合は、反射層１２の最上層に１１ｎｍの厚さで設けられる。
（バッファ層）
ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を吸収する吸収層１３をドライエッチングなどの方法でパターンエッチングするときに、下層の反射層１２に損傷を与えるのを防止するために、反射層１２と吸収層１３との間にバッファ層を設けてもよい。

バッファ層の材料としてはＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｃｒ、ＣｒＮなどが用いられる。ＣｒＮを用いる場合は、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＣｒターゲットを用いてＮ₂ガス雰囲気下で、上記の反射層の上にＣｒＮ膜を５ｎｍ〜１５ｎｍ程度の膜厚で成膜するのが好ましい。
（吸収層）
マスクパターンを形成し、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１３の材料としては、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮなどのＴａを主成分とする材料、Ｃｒ、Ｃｒを主成分としＮ、Ｏ、Ｃから選ばれる少なくとも１つの成分を含有する材料などが、膜厚２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の範囲で用いられる。

なお、ハーフトーン型の位相シフト反射型マスクの場合には、入射するＥＵＶ光の１％〜２０％を反射光（第２の反射光）として放射し、かつ、前記反射光（第２の反射光）と露出した反射層１２からの反射光（第１の反射光）との位相差が、概ね１７５度〜１８５度となるように、吸収層１３の材料、および膜厚が決定される。例えば、吸収層１３の材料にＴａＮを用いた場合、その膜厚は、約４４ｎｍとすることができる。
（ハードマスク層）
吸収層１３の上には、吸収層のエッチングマスクとしてハードマスク層を設けても良い。ハードマスク層の材料としては、吸収層１３のエッチングに耐性をもつものであって、反射型マスクの転写パターンに応じた微細加工に適したものを用いる必要がある。例えば、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニュウム（Ｈｆ）およびその窒化物、酸化物などである。

また、ハードマスク層の材料は、バッファ層と同一の材料であることが好ましい。この場合、吸収層１３のエッチングの後に、ハードマスク層の除去とバッファ層の除去とを同一工程で除去できる。

ハードマスク層の厚さは、その材料のエッチング耐性や転写パターンのサイズに応じた加工精度にもよるが、例えば５ｎｍ〜１５ｎｍである。

ハードマスク層は、例えば、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、Ｃｒをスパッタ成膜することで、ＣｒＮからなるハードマスク層を設けることができる。
（導電層）
基板１１の主面上に設けられた反射層１２と相対する他方の面（裏面側）の上には、導電層が形成されていてもよい。この導電層は、反射型マスクの裏面を静電吸着するために、設けられるものである。この導電層は、導電性を示す金属や金属窒化物などの薄膜であって、例えば、クロム（Ｃｒ）や窒化クロム（ＣｒＮ）などを厚さ２０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度に成膜して用いられる。
＜反射型マスクの製造方法＞
次に、本発明に係る反射型マスクの製造方法について説明する。
（第１の実施形態）
図６〜図８は、本発明に係る第１の実施形態の反射型マスクの製造方法の例を示す模式的工程図である。ここで、図６〜図７では、本発明の特徴である遮光領域の製造工程を拡大して説明し、図８では、本発明に係る反射型マスクブランクスから反射型マスクを製造する工程を、マスク全体図で説明している。

まず、図６（ａ）に示すように、表面研磨された基板１１を用意し、その主面の上に薄膜層１４を形成する（図６（ｂ））。この薄膜層１４は、パターン加工されて段差パターン１４Ａを構成するものであり、その材料には、金属、金属酸化物、または金属窒化物のいずれかを含む薄膜を用いることができる。そして、薄膜層１４の膜厚（Ｄ）は、
Ｄ＝（２ｎ−１）×λ×ｃｏｓθ／４
（ｎは正の整数、λはＥＵＶ光の波長、θはＥＵＶ光の入射角）
となる厚さが好ましく、例えば、薄膜層１４は、Ｃｒ（クロム）等の金属を基板１４の主面上に膜厚３．４ｎｍでスパッタ成膜することにより形成することができる。

次に、図６（ｃ）に示すように、薄膜層１４の上にレジスト層５０を形成し、電子線描画等により、所定の領域にレジストパターン５０Ａを形成する（図６（ｄ））。ここで、レジストパターン５０Ａの配列ピッチ（Ｐ）は、
Ｐ＝ｋ１×λ／ＮＡ
（ｋ１は係数、λはＥＵＶ光の波長、ＮＡは開口数）となるように設計する。

例えば、ＥＵＶ露光装置のＮＡが０．２５の場合、ＥＵＶ光の波長（λ）は１３．５ｎｍであることから、ｋ１を０．８とすると、配列ピッチ（Ｐ）は、４３．２ｎｍになる。

次に、レジストパターン５０Ａの開口に露出する薄膜層１４をエッチングし、その後、レジストパターン５０Ａを除去して、配列ピッチ（Ｐ）が、
Ｐ＝ｋ１×λ／ＮＡ
（ｋ１は係数、λはＥＵＶ光の波長、ＮＡは開口数）となる段差パターン１４Ａを得る（図７（ｅ）〜（ｆ））。

次に、基板１１の主面の上に、段差パターン１４Ａを被覆するようにして反射層１２を形成する（図７（ｇ））。

反射型マスクにおいて遮光領域となる所定の領域の反射層１２には、段差パターン１４Ａに起因して、段差上面からの反射光と段差底面からの反射光との間に位相差を生じさせる段差が形成さる。

次に、反射層１２の上に、吸収層１３を形成して、本発明に係る反射型マスクブランクス３０を得る（図８（ｈ））。

吸収層１３は、ハーフトーン型の吸収層であり、例えば、窒化タンタル（ＴａＮ）を膜厚４４ｎｍにスパッタ成膜して形成することができる。

次に、反射型マスクブランクス３０の吸収層１３の上に、レジストパターン５１Ａを形成し（図８（ｉ））、レジストパターン５１Ａの開口に露出する吸収層１３をエッチングして所望の部位で前記反射層１２が露出するように吸収体パターン１３Ａを形成し（図８（ｊ））、その後、レジストパターン５１Ａを除去して、本発明に係る反射型マスク１を得る（図８（ｋ））。

なお、図６〜図８においては省略しているが、反射層１２と吸収層１３の間には、キャッピング層やバッファ層を形成してもよい。この場合には、吸収層１３のエッチングの後に、露出するバッファ層もエッチング除去する。
（第２の実施形態）
次に、本発明に係る第２の実施形態の反射型マスクの製造方法について説明する。

図９〜図１１は、本発明に係る第２の実施形態の反射型マスクの製造方法の例を示す模式的工程図である。上述の第１の実施形態の場合と同様に、図９〜図１０では、本発明の特徴である遮光領域の製造工程を拡大して説明し、図１１では、本発明に係る反射型マスクブランクスから反射型マスクを製造する工程を、マスク全体図で説明している。

まず、図９（ａ）に示すように、表面研磨された基板１１を用意し、その主面の上にレジスト層５２を形成し（図９（ｂ））、電子線描画等により、所定の領域にレジストパターン５２Ａを形成する（図９（ｃ））。ここで、レジストパターン５２Ａの配列ピッチ（Ｐ）は、
Ｐ＝ｋ１×λ／ＮＡ
（ｋ１は係数、λはＥＵＶ光の波長、ＮＡは開口数）となるように設計する。

例えば、ＥＵＶ露光装置のＮＡが０．２５の場合、ＥＵＶ光の波長（λ）は１３．５ｎｍであることから、ｋ１を０．８とすると、配列ピッチ（Ｐ）は、４３．２ｎｍになる。

次に、レジストパターン５２Ａの開口に露出する基板１１を所定の深さにエッチングし（図９（ｄ））、その後、レジストパターン５２Ａを除去して、配列ピッチ（Ｐ）が、
Ｐ＝ｋ１×λ／ＮＡ
（ｋ１は係数、λはＥＵＶ光の波長、ＮＡは開口数）となる凹状の段差パターン１４Ｂを得る（図１０（ｅ））。

ここで、段差パターン１４Ｂの段差（Ｄ）は、
Ｄ＝（２ｎ−１）×λ×ｃｏｓθ／４
（ｎは正の整数、λはＥＵＶ光の波長、θはＥＵＶ光の入射角）
となることが好ましく、例えば、基板１１を、希釈したフッ酸水溶液でウェットエッチングすることにより、所望の段差を形成することができる。

次に、基板１１の主面の上に、段差パターン１４Ｂを被覆するようにして反射層１２を形成する（図１０（ｆ））。

反射型マスクにおいて遮光領域となる所定の領域の反射層１２には、段差パターン１４Ｂに起因して、段差上面からの反射光と段差底面からの反射光との間に位相差を生じさせる段差が形成さる。

次に、反射層１２の上に、吸収層１３を形成して、本発明に係る反射型マスクブランクス３０を得る（図１１（ｇ））。

吸収層１３は、ハーフトーン型の吸収層であり、例えば、窒化タンタル（ＴａＮ）を膜厚４４ｎｍにスパッタ成膜して形成することができる。

次に、反射型マスクブランクス３０の吸収層１３の上に、レジストパターン５３Ａを形成し（図１１（ｈ））、レジストパターン５３Ａの開口に露出する吸収層１３をエッチングして所望の部位で前記反射層１２が露出するように吸収体パターン１３Ａを形成し（図１１（ｉ））、その後、レジストパターン５１Ａを除去して、本発明に係る反射型マスク１を得る（図１１（ｊ））。

なお、図９〜図１１においては省略しているが、反射層１２と吸収層１３の間には、キャッピング層やバッファ層を形成してもよい。この場合には、吸収層１３のエッチングの後に、露出するバッファ層もエッチング除去する。

上述のように、本発明の製造方法によれば、吸収層を積層加工する方法（積層吸収体方式）や、反射層をエッチング加工する方法（多層膜加工方式）のような複雑なマスク製造工程を用いず、遮光領域の反射層に、反射光に位相差を生じさせる段差を形成することにより、反射型マスクの遮光領域の遮光性を高めるため、より容易な製造方法で、生産性良く本発明に係る反射型マスクを製造することができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
基板１１として、光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板を用い、その一方の主面（表面）上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｃｒターゲットを用いてＣｒ膜を３．４ｎｍの厚さに成膜し、薄膜層１４を形成した。

次に、上記の薄膜層１４の上にネガ型の電子線レジスト（信越化学工業製、Ｎ３７）を塗布し、加速電圧が１００ｋＶのスポットビーム電子線描画機を用いて、外形が４３ｎｍ×４３ｎｍの矩形のレジストパターンを、配列ピッチ（Ｐ）４３．２ｎｍで、所定の領域に格子状に形成した。

なお、上記の所定の領域とは、反射型マスクにおいて遮光領域となる領域であり、本実施例では、転写パターン領域は、基板中央の１００ｍｍ×１３０ｍｍの領域であり、遮光領域はその外周から幅３ｍｍの領域とした。

次に、上記Ｃｒからなる薄膜層１４を、塩素系ガスを用いてドライエッチングし、その後、前記レジストパターンを除去して、段差パターン１４Ａを形成した。

次に、基板１１の上に、イオンビームスパッタ法により、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層してＭｏとＳｉの多層膜よりなる反射層１２を形成した後、最表面のＭｏ膜の上にＳｉ膜を１１ｎｍ成膜してキャッピング層を形成した。

次に、上記のキャッピング層上に、ハーフトーン型の吸収層１３として、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＮ膜を４４ｎｍの厚さで形成し、本発明に係る反射型マスクブランクス３０を得た。

次に、この反射型マスクブランクス３０を用い、電子線レジストを塗布し、電子線描画装置で吸収体パターン用のレジストパターンを形成した。次いで、前記レジストパターンの開口から露出するＴａＮの吸収層をＣｌ₂ガスでドライエッチングして、キャッピング層を露出させ、レジストパターンを除去して、本発明に係る反射型マスク１を得た。
（実施例２）
基板１１として、光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板を用い、その一方の主面（表面）上に、ポジ型の電子線レジスト（日本ゼオン製、ＺＥＰ５２０）を塗布し、加速電圧が１００ｋＶのスポットビーム電子線描画機を用いて、４３ｎｍ×４３ｎｍの開口が、配列ピッチ（Ｐ）４３．２ｎｍで、所定の領域に格子状に配列されたレジストパターンを形成した。

なお、上記の所定の領域とは、反射型マスクにおいて遮光領域となる領域であり、本実施例では、転写パターン領域は、基板中央の１００ｍｍ×１３０ｍｍの領域であり、遮光領域はその外周から幅３ｍｍの領域とした。

次に、前記レジストパターンの開口から露出する基板１１を、希釈した緩衝フッ酸液を用いて、深さ３．４ｎｍにウェットエッチングし、その後、前記レジストパターンを除去して、凹状の段差パターン１４Ｂを形成した。

次に、基板１１の上に、イオンビームスパッタ法により、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層してＭｏとＳｉの多層膜よりなる反射層１２を形成した後、最表面のＭｏ膜の上にＳｉ膜を１１ｎｍ成膜してキャッピング層を形成した。

次に、上記のキャッピング層上に、ハーフトーン型の吸収層１３として、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＮ膜を４４ｎｍの厚さで形成し、本発明に係る反射型マスクブランクス３０を得た。

次に、この反射型マスクブランクス３０を用い、電子線レジストを塗布し、電子線描画装置で吸収体パターン用のレジストパターンを形成した。次いで、前記レジストパターンの開口から露出するＴａＮの吸収層をＣｌ₂ガスでドライエッチングして、キャッピング層を露出させ、レジストパターンを除去して、本発明に係る反射型マスク１を得た。

１ 反射型マスク
１１ 基板
１２ 反射層
１３ 吸収層
１３Ａ 吸収体パターン
１４ 薄膜層
１４Ａ、１４Ｂ 段差パターン
２０ 転写パターン領域
２１ 遮光領域
３０ 反射型マスクブランクス
４０ 入射光
４１、４２ 反射光
５０、５１、５２、５３ レジスト層
５０Ａ、５１Ａ、５２Ａ、５３Ａ レジストパターン
１００ 反射型マスク
１０１ 基板
１０２ 反射層
１０３Ａ 吸収体パターン
１０４ 遮光枠
１１１Ａ、１１１Ｂ ＥＵＶ光
１１２Ａ、１１２Ｂ 反射光
１２０ ブレード
１３０ ウェハ
１３１ パターン
１３２ 露光フィールド
１３３ 境界部
１４０ 転写パターン領域
１４１ 遮光領域

Claims (11)

1. 基板と、前記基板の主面上に形成され、ＥＵＶ光を反射して第1の反射光を放射する反射層と、前記反射層の上に形成され、前記ＥＵＶ光の一部を前記第１の反射光とは位相が反転した第２の反射光として放射する吸収体パターンとを、少なくとも備えたＥＵＶ露光用の反射型マスクであって、
   前記吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲には、前記ＥＵＶ光の反射光の放射を低減するための遮光領域が設けられており、
   前記遮光領域における前記反射層には、段差上面からの反射光と段差底面からの反射光との間で位相差を生じさせる段差が、交互に繰り返し形成されていることを特徴とする反射型マスク。
2. 前記遮光領域における前記反射層に、交互に繰り返し形成されている前記段差の上面と底面の差（Ｄ）が、
   Ｄ＝（２ｎ−１）×λ×ｃｏｓθ／４
   （ｎは正の整数、λはＥＵＶ光の波長、θはＥＵＶ光の入射角）
   であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスク。
3. 前記遮光領域における前記反射層に、交互に繰り返し形成されている前記段差の配列ピッチ（Ｐ）が、
   Ｐ＝ｋ１×λ／ＮＡ
   （ｋ１は係数、λはＥＵＶ光の波長、ＮＡは開口数）
   であることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の反射型マスク。
4. 前記遮光領域における前記反射層の下に、凸状、若しくは凹状の段差が交互に繰り返し形成されていることにより、前記遮光領域における前記反射層に前記段差が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の反射型マスク。
5. 基板と、前記基板の主面上に形成され、ＥＵＶ光を反射して第1の反射光を放射する反射層と、前記反射層の上に形成され、前記ＥＵＶ光の一部を前記第１の反射光とは位相が反転した第２の反射光として放射する吸収層とを、少なくとも備えたＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスであって、
   前記反射層の所定の領域には、段差上面からの反射光と段差底面からの反射光との間で位相差を生じさせる段差が、交互に繰り返し形成されていることを特徴とする反射型マスクブランクス。
6. 前記反射層の所定の領域に、交互に繰り返し形成されている前記段差の上面と底面の差（Ｄ）が、
   Ｄ＝（２ｎ−１）×λ×ｃｏｓθ／４
   （ｎは正の整数、λはＥＵＶ光の波長、θはＥＵＶ光の入射角）
   であることを特徴とする請求項５に記載の反射型マスクブランクス。
7. 前記反射層の所定の領域に、交互に繰り返し形成されている前記段差の配列ピッチ（Ｐ）が、
   Ｐ＝ｋ１×λ／ＮＡ
   （ｋ１は係数、λはＥＵＶ光の波長、ＮＡは開口数）
   であることを特徴とする請求項５〜６のいずれかに記載の反射型マスクブランクス。
8. 前記所定の領域における前記反射層の下に、凸状、若しくは凹状の段差が交互に繰り返し形成されていることにより、前記反射層の所定の領域に前記段差が形成されていることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の反射型マスクブランクス。
9. 基板と、前記基板の主面上に形成され、ＥＵＶ光を反射して第1の反射光を放射する反射層と、前記反射層の上に形成され、前記ＥＵＶ光の一部を前記第１の反射光とは位相が反転した第２の反射光として放射する吸収体パターンとを、少なくとも備え、前記吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲には、前記ＥＵＶ光の反射光の放射を低減するための遮光領域が設けられており、前記遮光領域における前記反射層には、段差上面からの反射光と段差底面からの反射光との間で位相差を生じさせる段差が、交互に繰り返し形成されているＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、
   前記反射型マスクの前記遮光領域となる前記基板の主面の所定の領域に、凸状、若しくは凹状の段差を交互に繰り返し形成する段差形成工程と、
   前記基板の主面の上に、前記反射層を形成する反射層形成工程と、
   前記反射層の上に前記吸収層を形成する吸収層形成工程と、
   前記吸収層を部分的に除去して、所望の部位で前記反射層が露出するように吸収体パターンを形成する吸収体パターン形成工程と、を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
10. 前記遮光領域となる前記基板の主面の所定の領域に、交互に繰り返し形成される前記段差の上面と底面の差（Ｄ）が、
    Ｄ＝（２ｎ−１）×λ×ｃｏｓθ／４
    （ｎは正の整数、λはＥＵＶ光の波長、θはＥＵＶ光の入射角）
    であることを特徴とする請求項９に記載の反射型マスクの製造方法。
11. 前記遮光領域となる前記基板の主面の所定の領域に、交互に繰り返し形成される前記段差の配列ピッチ（Ｐ）が、
    Ｐ＝ｋ１×λ／ＮＡ
    （ｋ１は係数、λはＥＵＶ光の波長、ＮＡは開口数）
    であることを特徴とする請求項９〜１０のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。
    

Images