JP5742300B2 - 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク - Google Patents

Description

本発明は、反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法に関する。特に、極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ；ＥＵＶ）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用される、反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクに関する。

近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィは、光源波長の特性のため、真空中で行われる必要がある。

ＥＵＶ光は、その波長領域において、ほとんどの物質の屈折率が１よりもわずかに小さい値であり、非常に光吸収性されやすい。このため、ＥＵＶリソグラフィにおいては従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクと呼ぶ）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型マスクとする必要がある。

このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板の上に露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長の吸収層が順次形成されており、更に基板の裏面には露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、前記多層反射層と、吸収層の間に緩衝層を有する構造を持つＥＵＶマスクもある。反射形マスクブランクから反射形マスクへ加工する際には、ＥＢリソグラフィとエッチング技術により吸収層を部分的に除去し、緩衝層を有する構造の場合はこれも同じく除去し、吸収部と反射部からなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。

反射光学系を用いた露光方法では、マスク面に対して垂直方向から所定角度傾いた入射角（通常６°）で照射されるため、吸収層の膜厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまい、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、転写パターンのエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。これはシャドーイングと呼ばれ、反射マスクの原理的課題の一つである。

このようなパターンエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれを防ぐためには、吸収層の膜厚は小さくし、パターンの高さを低くすることが有効であるが、吸収層の膜厚が小さくなると、吸収層における遮光性が低下し、転写コントラストが低下し、転写パターンの精度低下となる。つまり、吸収層を薄くし過ぎると転写パターンの精度を保つための必要なコントラストが得られなくなってしまう。従って、吸収層の膜厚は、厚すぎても薄すぎても問題になるので、現在は、概ね５０〜９０ｎｍの間になっており、ＥＵＶ光の吸収層での反射率は０．５〜２％程度である。

一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これは、ウェハ１枚あたりに取れるチップを出来るだけ増やしたいという生産性向上の要求のために、チップを高密度に配置するためである。この場合、この領域については、複数回（最大で４回）に渡り露光（多重露光）されることになる。この転写パターンのチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層の部分である。

しかしながら、上述したように吸収層上でのＥＵＶ光の反射率は、０．５〜２％程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまう問題があった。このため、マスク上のチップ外周部は通常の吸収層よりもＥＵＶ光の遮光性の高い領域（以下、遮光枠と呼ぶ）の必要性が出てきた。

このような問題を解決する技術として、反射型マスクの吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することや、回路パターン領域の吸収層の膜厚よりも厚い膜を形成することや、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで多層反射層の反射率を低下させることにより、露光光源波長に対する遮光性の高い遮光枠を設けた反射型マスクが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００９−２１２２２０号公報

しかしながら、前記特許文献１に記載される技術では、吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することや、回路パターン領域の吸収層の膜厚よりも厚い膜を形成することで遮光枠を形成する場合、遮光枠の形成にリソグラフィによるパターニング工程が新たに発生し、反射型マスクを製造する工程が複雑となるため、歩留まりの悪化が懸念される。特にマスク作製工程における多層反射層の掘り込みはＳｉとＭｏの合計８０層を加工する必要があり、加工面からのパーティクル発生は避けられず、欠陥面でのマスク品質の低下を招くとうい不都合を有する。さらに、この方法では、上層の吸収層を除去した後に、多層反射層を除去することから、多層反射層がほんの数層残ってしまった場合は、逆に反射率を高くしてしまう懸念がある。

また、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで遮光枠を形成する場合、多層反射層以外によるレーザ光もしくはイオンの損失があるため、この損失分を考慮したレーザ光もしくはイオンを照射しなくてはならない。また多層反射層以外の膜にはレーザ光もしくはイオンの照射によるダメージが生じ、吸収層の露光光源波長の吸収率の低下してしまうことが懸念される。

そこで、本発明は、遮光枠の形成において、マスク作製時のリソグラフィ、エッチングなどによるパターニング工程を必要とせず、且つ欠陥面でのマスク品質低下を防ぎ、且つ吸収層へのダメージや光学的性質の変化のない、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクを提供することを目的とする。

請求項１に係る発明による反射型マスクブランクは、低熱膨張基板と、前記低熱膨張基板の表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層とを具備し、前記吸収層には転写回路パターンが形成され、ブランク作製時に前記転写回路パターン領域の外側に、前記低熱膨張基板の表面が高さ２．５〜４．５ｎｍ、周期３０ｎｍ以下の凹凸形状を有するＥＵＶ光の反射率の低い遮光枠を設け、前記凹凸形状が、多層反射層、吸収層まで引き継がれた構成である。

請求項２に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、後に遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に、多層反射層を形成する工程と、前記多層反射層を形成する工程に先だって、前記低熱膨張基板の表面が高さ２．５〜４．５ｎｍ、周期３０ｎｍ以下の凹凸形状を形成する工程とを備えて構成した。

請求項３に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に前記多層反射層の形成に先立ち凹凸形状を形成する工程に、少なくともリソグラフィとエッチング工程を備えて構成した。

請求項４に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程に、少なくとも自己組織化単分子膜による工程を備えて構成した。

請求項５に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程に、少なくともプラズマ処理による工程を備えて構成した。

請求項６に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程に、少なくともウェット処理による工程を備えて構成した。

請求項７に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程に、少なくともサンドブラスト処理による工程を備えて構成した。

請求項８に係る発明による反射型マスクは、請求項１に記載の反射型マスクブランクを用いて構成した。

本発明によれば、反射型マスクの製造工程を変更する必要が無いため、マスクの欠陥品質を低下することなく、マスク上のチップ外周部に従来の吸収層よりも遮光性の高い遮光枠を形成することができる。このため、本発明の反射型マスクを用いることで、高い精度で転写パターンを形成できるという効果を奏する。

本発明の一実施の形態に係る反射型マスクブランクの構成を説明するために示した概略断面図である。 図１を上面側から見た状態を示した概略平面図である。 本発明の他の実施の形態に係る反射型マスクブランクの構成を説明するために示した概略断面図である。 図３を上面側から見た状態を示した概略平面図である。 本発明による実施例の作製手順を説明するために示した概略断面図である。 図５により作製した反射型マスクブランクのＥＵＶ反射率を示した特性図である。 本発明による反射型マスクの作製手順を説明するために示した概略断面図である。

以下、本発明の実施の形態に係る反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。

まず、本発明の反射型マスクブランクの構成について説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の反射型マスクブランク１００、２００、３００、４００の断面を示している。即ち、本発明のブランクの構成は、１００、２００、３００、４００のいずれを用いてもよい。図２は、図１（ａ）〜（ｄ）の本発明の反射型マスクブランク１００、２００、３００、４００を上面から見た図である。

図１（ａ）に示す反射型マスクブランク１００は、基板１１の表面に、多層反射層２１、吸収層５１が順次形成されている。図１（ｂ）に示す反射型マスクブランク２００は、基板１１の表面に、多層反射層２１、吸収層５１が順次形成されていると共に、基板１１の裏面に導電膜７１が形成された構造となっている。つまり、図１（ｂ）の反射型マスクブランク２００は、図１（ａ）の反射型マスクブランク１００の基板１１の裏面に導電膜７１が形成されている。図１（ｃ）の反射型マスクブランク３００は、基板１１の表面に多層反射層２１、緩衝層４１、吸収層５１が順次形成されている。図１（ｄ）の反射型マスクブランク４００は、図１（ｃ）の反射型マスクブランク３００の基板１１の裏面に導電膜７１が形成された構造となっている。

前記基板１１の多層反射層側の表面で、後にチップ周辺部の遮光枠に相当する領域には、微細な凹凸パターンが形成された凹凸領域１１ａが存在しており、次いで形成された多層反射層２１には多層反射層の凹凸領域２１ａが、次いで形成された吸収層５１には、吸収層の凹凸領域５１ａが形成されている。図１（ｃ）、（ｄ）の場合は、緩衝層４１の凹凸領域４１ａも形成されている。図１（ａ）〜（ｄ）の反射型マスクブランク１００、２００、３００、４００を上面から見ると図２のように、通常の吸収層領域８０と遮光枠領域９０が形成されている。

ここで、前記基板１１の凹凸領域１１ａの凹凸パターンについて説明する。即ち、基板１１は、後にパターン周辺部の遮光枠領域となる部分が、高さ２．５〜４．５ｎｍ、周期３０ｎｍ以下の凹凸領域１１ａを有している。基板１１の凹凸領域１１ａの凹凸は、ドット、ホール、ライン＆スペースのいずれでも良い。また、上述した高さと周期の条件を満たせば、ランダムな配置であっても良い。

次に、前記基板１１に凹凸領域１１ａを形成する方法について説明する。まず、図１に示す基板１１を用意し、その表面に対し、リソグラフィ、エッチング、レジスト剥離洗浄工程を経て、基板１１の凹凸領域１１ａを形成する。このときのパターンの周期が３０ｎｍ以下であれば、パターンの種類はドット、ホール、ライン＆スペースのいずれでも良い。

エッチングの掘り込み深さは、２．５〜４．５ｎｍになるように、エッチング条件と処理時間を設定する。エッチング方法は、ウェットエッチングであればエッチング液にフッ酸を用い、ドライエッチングであれば、基板のエッチングに適している塩素、フッ素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子を含むガスを用いたプラズマエッチング法が可能である。

また、基板１１に凹凸領域１１ａを形成する別の方法としては、凹凸領域となる部分の基板表面に自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ-Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒｓ：ＳＡＭ）によって、周期３０ｎｍ以下のドットパターンを形成し、次いでＳＡＭをエッチングマスクとしてドライエッチングにより、基板１１に深さ２．５〜４．５ｎｍの凹凸パターンを形成しても良い。

さらに、基板１１に凹凸領域１１ａを形成する別の方法としては、上述したようなリソグラフィや自己組織化単分子膜による所望の周期や大きさを有する微細パターン（後にエッチングマスクとなるもの）を形成せずに、基板に直接プラズマやウェット処理をすることで、表面にラフネスを形成しても良い。リソグラフィや自己組織化単分子膜に比べ、パターンの周期や大きさなどの制御性は、低いが、周期３０ｎｍ以下、且つ深さ２．５〜４．５ｎｍの凹凸パターンは、エッチング条件と時間を適宜設定して形成することも可能である。ただし、この場合、凹凸領域以外の領域は、エッチングによって処理されないように保護される必要があるので、あらかじめリソグラフィやフィルムにより保護膜を形成しておく。

また、さらに基板１１に凹凸領域１１ａを形成する別の方法としては、基板１１に対して直接サンドブラスト処理を施すことによって所望の周期や高さを有するラフネスを形成しても良い。ただし、この場合も、凹凸領域以外の領域は、サンドブラストによって処理されないように保護される必要があるので、あらかじめリソグラフィやフィルムにより保護膜を形成しておく。

次に、基板以外のブランクの構成（多層反射層２１、緩衝層４１、吸収層５１、裏面導電膜７１）について説明する。これらの膜は、いずれもスパッタリング法により形成する。

このうち、図１（ａ）、（ｂ）の多層反射層２１は、１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶ光に対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）が交互に４０〜５０ペア積層した積層膜で、さらに最上層はルテニウム（Ｒｕ）で構成されている。Ｒｕ層の下に隣接する層はＳｉ層である。ＭｏやＳｉが使われている理由は、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＭｏとＳｉのＥＵＶ光での屈折率差が大きいために、ＳｉとＲｕの界面での反射率を高く出来るためである。多層反射層の最上層のＲｕは、吸収層の加工におけるストッパーやマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。

そして、図１（ｃ）、（ｄ）の多層反射層２１は、１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶ光に対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、ＭｏとＳｉが交互に４０〜５０ペア積層した積層膜で、最上層はＳｉ層で構成されている。この場合の多層反射層の最上層のＳｉも、上述したＲｕと同様の役割を果たす。

また、図１（ｃ）、（ｄ）の緩衝層４１は、吸収層５１のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層２１の最上層であるＳｉ層を保護するために設けられており、クロム（Ｃｒ）の窒素化合物（ＣｒＮ）で構成されている。

そして、図１（ａ）〜（ｄ）の吸収層５１は、１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶに対して吸収率の高いタンタル（Ｔａ）の窒素化合物（ＴａＮ）で構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）、タンタルシリコン（ＴａＳｉ）、タンタル（Ｔａ）や、それらの酸化物（ＴａＢＯＮ、ＴａＳｉＯ、ＴａＯ）でも良い。

そして、図１（ａ）〜（ｄ）の吸収層５１は、上層に波長１９０〜２６０ｎｍの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた２層構造から成る吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。

また、図１（ｂ）及び図１（ｄ）の導電膜７１は、一般にはＣｒＮで構成されているが、導電性があれば良いので、金属材料からなる材料であれば良い。

前記反射型マスクブランク１００，２００，３００，４００は、基板１１の凹凸領域１１ａが形成された表面に、スパッタリング法により多層反射層２１、吸収層５１、緩衝層４１が形成されるため、基板１１の凹凸領域１１ａの凹凸形状は、最上層の吸収層５１まで引き継がれる。したがって、多層反射層２１、吸収層５１、緩衝層４１それぞれの凹凸領域２１a、５１ａ、４１ａは、別段の処理をしなくとも、自動的に形成される。

ここで、重要なことは、基板１１の凹凸形状によって、多層反射層２１にも同様の高さ２．５〜４．５ｎｍ、周期３０ｎｍ以下の凹凸形状が形成されることである。これによって、ＥＵＶ光を露光し、反射されるＥＵＶ光の位相が凹凸の凹部と凸部でほぼ１８０度反転するために、打ち消しあい、反射率を大幅に低下させることが可能となる。本来、凹凸部の高低差は、ＥＵＶ光の波長１３．５ｎｍの１／４波長の奇数倍（３．３７５ｎｍ、１０．１２５ｎｍ、１６．８７５ｎｍ）で、丁度１８０度反転する計算になるが、実験によれば、概ね２．５〜４．５ｎｍの範囲で充分な効果が見られた。周期に関しては、ＥＵＶ波長１３．５ｎｍにおいて、反転した位相が効果を発揮する距離を、周期を振った実験によって調べたところ、概ね３０ｎｍ以下で効果が見られた。

次に、この発明の一実施の形態に係る反射型マスク及びその製造方法について詳細に説明する。

ここで、図３（ａ）には、前記図１（ａ）の反射型マスクブランク１００から作製した反射型マスク１０１を示し、図３（ｂ）には、前記図１（ｂ）の反射型マスクブランク２００から作製した反射型マスク２０１を示す。そして、図３（ｃ）には、前記図１（ｃ）の反射型マスクブランク３００から作製した反射型マスク３０１を示し、図３（ｄ）には、前記図１（ｄ）の反射型マスクブランク４００から作製した反射型マスク４０１を示す。いずれも、多層反射層２１の上部の吸収層５１及び緩衝層４１がある場合は緩衝層４１を掘り込むことによって、回路パターン領域８５を有する反射型マスクが形成される。これら図３（ａ）〜（ｄ）の反射型マスク１０１、２０１、３０１、４０１は，いずれも図４に示すように通常の吸収層領域８０と遮光枠領域９０と回路パターン領域８５から構成されている。

このようにして、ＥＵＶ光に対する反射率が吸収層領域８０よりも充分に小さい遮光枠領域９０を有する反射型マスクブランクを得る。

ここで、上記反射マスクを作製する場合には、まず、図１に示す反射型マスクブランク１００もしくは２００を用意し、電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層５１をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、吸収層５１に回路パターン領域８５を形成して図３に示す反射型マスク１０１もしくは２０１を作製する。

また、図１に示す反射型マスクブランク３００もしくは４００を用意し、電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層５１をエッチングし、次いで塩素プラズマにより緩衝層４１をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、吸収層５１および緩衝層４１に回路パターン領域８５を形成して図３（ａ）に示す反射型マスク３０１もしくは４０１を作製する。

このようにして、ＥＵＶ光に対する反射率が吸収層領域よりも充分に小さい遮光枠領域を有する反射型マスク１０１，２０１，３０１，４０１を作製する。

次に、本願発明による実施例１として反射型マスクブランクを作成し、実施例２として実施例１で作製した反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを作製して、その特性を確認する。

（実施例１）
図５（ａ）に示すように基板として低熱膨張ガラス基板１１１を用意して、後に遮光枠となる領域（チップ外周部を取り囲むように幅２ｍｍの帯状の領域）に、電子線レジスト１３１（ＺＥＰ５２０、日本ゼオン製）を膜厚２０ｎｍでコートする（図５（ｂ）参照）。次に、ＥＢ描画機（ＪＢＸ９０００、日本電子製）により、ドーズ１００μＣ／ｃｍ２で、パターン線幅１５ｎｍ、周期３０ｎｍのパターンを描画し、有機現像によりレジストドットパターン１３１ａを形成した（図５（ｃ）参照）。

続いて、ＣＦ４／Ａｒ混合ガスプラズマによるドライエッチングと、残ったレジストの剥膜洗浄を経て、基板１１１の一部にドットからなる凹凸パターン１１１ａを形成する（図５（ｄ）参照）。

次に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して反射率が６４％程度となるように設計されたＭｏとＳｉの４０ペアの積層及び最上層にＲｕをもつ多層反射層１２１とＴａＮからなる吸収層１５１をスパッタリング装置により順次形成する（図５（ｄ）、（ｅ）参照）。このときの吸収層１５１の膜厚は、５０ｎｍとした。このようにして、外周部に遮光領域９０（図２参照）を有する反射型マスクブランク１００が完成される（図５（ｆ）参照）。

そして、この実施例１にて作製した反射型マスクブランク１００の吸収層側のＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）の反射率を測定した。この結果、遮光枠以外の領域（通常の吸収層部）での反射率が１．２４％であるのに対し、遮光枠領域（遮光枠部）の反射率が０．２１％となり、遮光枠以外に比べて、概ね１／６に低減していることが確認された（図６参照）。網掛け
（実施例２）
実施例１にて作製した反射型マスクブランク１００から反射型マスク１０１を作製し、露光テストを図７に示す手順で実施した。即ち、反射型マスクブランク１００に電子線リソグラフィとドライエッチング、レジスト剥離洗浄を行い、吸収層１５１に回路パターン１８５を形成し、本発明の遮光枠を有する反射型マスク１０１を作製した。電子線リソグラフィには、化学増幅型ポジレジストＦＥＰ１７１（富士フィルムエレクトニクスマテリアルズ製）を用いて、描画機ＪＢＸ９０００（日本電子製）によってドーズ１５μＣ／ｃｍ描画した後に、ＴＭＡＨ２．３８％現像液によりレジストパターン１８４を形成した（図７（ｃ）参照）。吸収層５１のエッチングには、Ｃｌ_２の誘導結合型プラズマを適用した。

そして、この実施例２にて作製した反射型マスク１０１を用いて１３．５ｎｍのＥＵＶを光源とした露光を行い、半導体基板上に隣接した４つのチップを転写した。隣接したチップにおいて、作製した反射型マスク上の遮光枠に相当する領域の一部は重なっていたにもかかわらず、半導体基板上の当該領域におけるレジストの感光は確認されなかった。

本発明は、上記実施の形態に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記実施形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより、種々の発明が抽出され得る。

例えば実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。

本発明によれば、遮光枠の形成において、マスク作製時のリソグラフィ、エッチングなどによるパターニング工程を必要とせず、且つ欠陥面でのマスク品質低下を防ぎ、且つ吸収層へのダメージや光学的性質の変化のない、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクを提供することができる。

１１・・・基板
１１ａ・・・基板の凹凸領域
２１・・・多層反射層
２１ａ・・・多層反射層の凹凸領域
４１・・・緩衝層
４１ａ・・・緩衝層の凹凸領域
５１・・・吸収層
５１ａ・・・吸収層の凹凸領域
７１・・・裏面導電膜
８０・・・非遮光枠領域
８５・・・回路パターン領域
９０・・・遮光枠領域
１００、２００、３００、４００・・・反射型マスクブランク
１０１、２０１、３０１、４０１・・・反射型マスク
１１１・・・低熱膨張基板
１１１ａ・・・低熱膨張基板の凹凸領域
１２１・・・多層反射層
１２１ａ・・・多層反射層の凹凸領域
１５１・・・吸収層
１５１ａ・・・吸収層の凹凸領域
１３１・・・基板の凹凸パターン形成のためのレジスト
１３１ａ・・・基板の凹凸パターン形成のためのレジストパターン
１６１・・・回路パターン形成のためのレジスト
１８４・・・回路パターン形成のためのレジストパターン
１８５・・・吸収枠の回路パターン

Claims (8)

1. 低熱膨張基板と、
   前記低熱膨張基板の表面に形成された多層反射層と、
   前記多層反射層の上に形成された吸収層と、
   を具備し、
   前記吸収層には転写回路パターンが形成され、ブランク作製時に前記転写回路パターン領域の外側に、前記低熱膨張基板の表面が高さ２．５〜４．５ｎｍ、周期３０ｎｍ以下の凹凸形状を有するＥＵＶ光の反射率の低い遮光枠を設け、前記凹凸形状が、多層反射層、吸収層まで引き継がれた構成である、
   ことを特徴とする反射型マスクブランク。
2. 後に遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に、多層反射層を形成する工程と、
   前記多層反射層を形成する工程に先だって、前記低熱膨張基板の表面が高さ２．５〜４．５ｎｍ、周期３０ｎｍ以下の凹凸形状を形成する工程と、
   を具備することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
3. 前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に前記多層反射層の形成に先立ち凹凸形状を形成する工程は、少なくともリソグラフィとエッチング工程を備えることを特徴とする請求項２記載の反射型マスクブランクの製造方法。
4. 前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程は、少なくとも自己組織化単分子膜による工程を備えることを特徴とする請求項２記載の反射型マスクブランクの製造方法。
5. 前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程は、少なくともプラズマ処理による工程を備えることを特徴とする請求項２記載の反射型マスクブランクの製造方法。
6. 前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程は、少なくともウェット処理による工程を備えることを特徴とする請求項２記載の反射型マスクブランクの製造方法。
7. 前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程は、少なくともサンドブラスト処理による工程を備えることを特徴とする請求項２記載の反射型マスクブランクの製造方法。
8. 請求項１に記載の反射型マスクブランクの上面に吸収層領域、遮光枠領域、回路パターン領域を形成したことを特徴とする反射型マスク。

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