JP6281205B2

JP6281205B2 - 反射型マスク

Info

Publication number: JP6281205B2
Application number: JP2013166211A
Authority: JP
Inventors: 慎平近藤; 福上　典仁; 典仁福上
Original assignee: Toppan Inc
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2013-08-09
Filing date: 2013-08-09
Publication date: 2018-02-21
Anticipated expiration: 2033-08-09
Also published as: JP2015035529A

Description

本発明は、特に極端紫外線（ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ；以下「ＥＵＶ」と表記する。）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用される反射型マスクに関する。

（ＥＵＶリソグラフィの説明）
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。またＥＵＶの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は１よりもわずかに小さい値である。このため、ＥＵＶリソグラフィにおいては従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクと呼ぶ）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。

（ＥＵＶマスクとブランク構造の説明）
このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板の上に、露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長の吸収層とが順次形成されており、更に基板の裏面には露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、多層反射層と、吸収層の間に緩衝層を有する構造を持つＥＵＶマスクもある。反射形マスクブランクから反射形マスクへ加工する際には、ＥＢ（電子線）リソグラフィとエッチング技術とにより吸収層を部分的に除去し、緩衝層を有する構造の場合はこれも同じく除去し、吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。

（ＥＵＶマスクの吸収層の膜厚と反射率の説明）
反射光学系を用いた露光方法では、マスク面に対して垂直方向から所定角度傾いた入射角（通常６°）で照射されるため、吸収層の膜厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまい、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、転写パターンには、エッジ部のぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。これはシャドーイングと呼ばれ、反射マスクの原理的課題の一つである。

このようなパターンエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれを防ぐためには、吸収層の膜厚は小さくし、パターンの高さを低くすることが有効であるが、吸収層の膜厚が小さくなると、吸収層における遮光性が低下し、転写コントラストが低下し、転写パターンの精度低下となる。つまり吸収層を薄くし過ぎると転写パターンの精度を保つための必要なコントラストが得られなくなってしまう。つまり、吸収層の膜厚は厚すぎても薄すぎても問題になるので、現在は概ね５０〜９０ｎｍの間になっており、ＥＵＶ光（極端紫外光）の吸収層での反射率は０．５〜２％程度である。

（隣接するチップの多重露光の説明）
一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これはウェハ１枚あたりに取れるチップを出来るだけ増加したいという生産性向上のために、チップを高密度に配置するためである。この場合、この領域については複数回（最大で４回）に渡り露光（多重露光）されることになる。この転写パターンのチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層の部分である。しかしながら、上述したように吸収層上でのＥＵＶ光の反射率は、０．５〜２％程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまう問題があった。遮光枠からの反射光が大きいと、隣接するショットの有効領域内に影響を与えるなどして歩留まり低下の原因となる。
このため、マスク上のチップ外周部に通常の吸収層よりもＥＵＶ光の遮光性の高い領域（以下、遮光枠と呼ぶ）を設ける必要性が出てきた。

このような問題を解決するために、反射型マスクの吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することで多層反射層の反射率を低下させることにより、露光光源波長に対する遮光性の高い遮光枠を設けた反射型マスクが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、吸収層と多層反射層を単に掘り込んだだけの遮光枠では、次のような問題が生じる。これについて図を用いて詳しく説明する。図６の遮光枠１０の大部分はＥＵＶ反射率をほぼゼロにすることが出来るが、遮光枠のエッジ付近のＥＵＶ反射光３０３、３０４の反射率は、遮光枠を形成する前よりも逆に高くなってしまう問題が発生する。何故なら、多層反射層２を単に掘り込む方法では、ＥＵＶ反射率の低減に貢献していた吸収層４も除去する必要があるため、遮光枠のエッジ付近では、ＥＵＶ光の入射と反射の行程で、吸収層４を１回しか通らない場合が発生するためである。例えば、遮光枠領域側から斜め入射されたＥＵＶ入射光３００は、吸収層を通らずに多層反射層の側壁部から入り、基板１で反射されたＥＵＶ光が１度だけ吸収層を通り、ウェハ側に漏れたり（図６の３０４）、また、斜め入射されたＥＵＶ入射光３００が最初に吸収層を通っても、遮光枠のエッジ付近では、基板１で反射されたＥＵＶ入射光３００の一部が多層反射層の側壁部を抜けてウェハ側に漏れる（図６の３０３）ためである。つまり、ＥＵＶ反射率を低下させるための遮光枠１０によって、遮光枠のエッジ部分では、逆にＥＵＶ反射光の漏れが生じ、ＥＵＶ反射率を上げてしまう問題を発生させ、遮光性能の低下を招いてしまう。

特開２００９−２１２２２０号公報

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、遮光枠に面する多層反射層側壁部のＳｉ（シリコン）もしくはＭｏ（モリブデン）のいずれかをエッチングにより掘り込むことで、側壁部に周期的段差構造を形成し、遮光性能の高い遮光枠を有する反射型マスクを提供することを課題とするものである。

上記課題を解決する手段として、請求項１に記載の発明は、
基板上に、少なくとも、ＥＵＶ光を反射するための多層反射層と、前記多層反射層を保護するための保護層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とが、この順に形成された反射型マスクブランクを用いて作製された反射型マスクにおいて、
前記吸収層に形成されたパターン領域の外周部の少なくとも一部に、前記吸収層および前記保護層および前記多層反射層が除去されたＥＵＶ光の反射率の低い領域である遮光枠を備えてなり、
前記遮光枠の側壁部には、前記多層反射層を構成するいずれかの層がサイドエッチングされることによって形成された周期的段差構造を備えており、
前記遮光枠のエッジから、前記多層反射層側および前記遮光枠側にかけて、多層反射層の厚さ×ｔａｎ６°の距離（概ね、２８〜２９ｎｍ）を前後に離間した範囲内の領域で、反射型マスクへの入射角度６°以下で照射されるＥＵＶ光の反射率が１．５％以下であることを特徴とする反射型マスクである。

本発明は、多層反射層を除去し遮光枠を形成した反射型マスクにおいて、遮光枠エッジ付近でのＥＵＶ光の反射を低減できるため、高い遮光性能を有する反射型マスクが可能となり、高い精度の転写パターンを形成できるという効果を奏する。

（ａ）本発明の反射型マスクの構造の一例を示す概略断面図と（ｂ）本発明の反射型マスクの構造の一例を示す概略平面図。本発明の実施例の反射型マスクの作製工程（パターン形成まで）の一例を示す概略断面図で、（ａ）は反射型マスクブランク、（ｂ）はその表面にレジストを塗布した状態、（ｃ）はレジストパターンを形成した状態、（ｄ）は吸収層までをエッチング除去してパターンが形成された状態、（ｅ）はレジストを剥離した状態、をそれぞれ示している。本発明の実施例の反射型マスク（パターン形成まで）の一例を示す概略平面図。本発明の実施例の反射型マスクの作製工程（遮光枠形成）の一例を示す概略断面図で、（ａ）は反射型マスクブランクの吸収層をエッチング除去し、更にレジストを剥離してパターンが形成された状態、（ｂ）はその表面にレジストを塗布した状態、（ｃ）はレジストパターンを形成した状態、（ｄ）は吸収層までをエッチング除去した状態、（ｅ）は更に保護層と多層反射層をエッチング除去した状態、（ｆ）は多層反射層の側壁部に周期的な段差構造を形成した状態、（ｇ）はレジストを剥離して遮光枠形成が完了した状態、をそれぞれ示している。（ａ）は本発明の実施例の反射型マスクの一例を示す概略平面図、（ｂ）は本発明の実施例の反射型マスクの一例を示す概略断面図。従来の反射型マスクの遮光枠構造の課題を示す概略断面図。反射型マスクに対するＥＵＶ光入射角が６°の時の状況を説明する概略断面図であり、従来の反射型マスクの場合を示している。反射型マスクに対するＥＵＶ光入射角が６°の時の状況を説明する概略断面図であり、本発明の反射型マスクの場合を示している。従来の反射型マスクの遮光枠エッジ部のＥＵＶ反射率のシミュレーション結果を示す概略図。実施例の反射型マスクの遮光枠エッジ部のＥＵＶ反射率のシミュレーション結果を示す概略図。

（本発明の反射型マスクの構造）
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。

まず、本発明の反射型マスクの構造について説明する。図１（ａ）は、本発明の反射型マスクの構造の概略断面図で、図１（ｂ）は、図１（ａ）を上から見た概略平面図である。

図１（ａ）に示す反射型マスク１０１は、基板１の表面に、多層反射層２、保護層３、吸収層４が順次形成された反射型マスクブランクを加工することで作製される。基板１の裏面には裏面導電膜５が形成された構造となっている。保護層３と吸収層４の間には、緩衝層が形成されている場合もある。緩衝層は、吸収膜４のマスクパターン修正時に、下地の保護層３にダメージを与えないために設けられた層である。

本発明の反射型マスク１０１は、吸収層４が加工されたパターン領域１０と、その外周部に吸収層４と保護層３と多層反射層２と緩衝層がある場合は緩衝層も含め、全ての層が除去されて形成された遮光枠１１を有する。

本発明の反射型マスク１０１は、図１（ａ）に示すように多層反射層２の側壁部に、多層反射層２を構成する２種の薄膜層のうち、いずれか一方がサイドエッチングされることで形成された周期的な段差構造が存在する。この段差は少なくとも２８ｎｍであれば良いが、サイドエッチング量が大きいと段差の強度が弱くなる事を考慮すると、過剰なサイドエッチングは不要であり、上限は３５ｎｍ程度までが好ましい。多層反射層２を構成する２種類の薄膜層として好適に適用できる材料としては、Ｍｏ（モリブデン）とＳｉ（シリコン）の組合せを挙げることができる。しかしＥＵＶ光に対して、反射型マスクに用いる多層反射層として、実用的な反射率が得られる材料の組合せであれば良く、本発明はこれらＭｏとＳｉに限定するものではないが、以後の説明では、ＭｏとＳｉを代表例として取上げて説明する。

本発明の反射型マスク１０１においては、その周期的な段差構造によって、６°以内で入射されるＥＵＶ露光における遮光枠１１のエッジ付近でのＥＵＶ反射光の漏れが生じることはない。
その理由は、ＥＵＶ光の反射はＭｏとＳｉの界面によって発生しており、どちらか一方がなくなれば、反射が起こらないためである。
また、図８（ｂ）に示すように、多層反射層２のエッジから漏れる光が通る行路は、６°入射の場合、多層反射層２の底でエッジから最大２８ｎｍ（多層反射層の高さのｔａｎ６°に相当）の箇所である。その為、２８ｎｍ以上の掘り込み（サイドエッチ）を行うとエッジ付近でのＥＵＶ反射光の漏れが生じる事はない。

マスクブランクスの種類・仕様に応じて多層反射層の厚さが変わると、その値にｔａｎ６°を乗じて得られるＥＵＶ反射光の漏れが生じる範囲も変化する。
Ｓｉ／Ｍｏの組合せ厚さ＝６．６ｎｍ，４０ペア総厚＝約２６６ｎｍの場合、上記のエッジからの最大距離＝２８ｎｍが導かれる。
図６を用いて説明すると、遮光枠のエッジから多層反射層側に２８ｎｍ離れた箇所（便宜上、−２８ｎｍとする）からの入射光が反射する光３０３と、遮光枠のエッジから遮光枠側に２８ｎｍ離れた箇所（便宜上、＋２８ｎｍとする）からの入射光が反射する光３０４では、反射率が１．５％を超えることがある。本発明では、遮光枠のエッジから多層反射層側／遮光枠側に離間した距離を「前後に」と称して正負で表すものとする。
Ｓｉ（４．０ｎｍ）／Ｍｏ（２．９ｎｍ）の組合せ４０ペアからなる多層反射層（総厚＝２７６ｎｍ）の場合、上記のエッジからの最大距離＝２９ｎｍが導かれる。

（本発明の反射型マスクの構成の詳細：多層反射層、保護層、緩衝層）
図１（ａ）の多層反射層２は、ＥＵＶ光に対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、ＭｏとＳｉが交互に４０〜５０ペア積層した積層膜で、さらに最上層の保護層３は２〜３ｎｍ厚のＲｕ（ルテニウム）あるいは厚さ１０ｎｍ程度のＳｉで構成されている。Ｒｕ層の下に隣接する層はＳｉ層である。ＭｏやＳｉが使われている理由は、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＭｏとＳｉのＥＵＶ光での屈折率差が大きいために、ＳｉとＭｏの界面での反射率を高く出来るためである。保護層３がＲｕの場合は、吸収層４の加工におけるエッチングストッパーやマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。保護層３がＳｉの場合は、吸収層４との間に、緩衝層が有る場合もある。緩衝層は、吸収層４のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層２の最上層であるＳｉ層を保護するために設けられており、Ｃｒ（クロム）の窒素化合物で構成されている。

（本発明の反射型マスクの構成の詳細：吸収層）
図１（ａ）の吸収層４は、ＥＵＶに対して吸収率の高いＴａ（タンタル）の窒素化合物で構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物、タンタルシリコン、Ｔａや、それらの酸化物でも良い。

図１（ａ）の吸収層４は、上層に波長１９０〜２６０ｎｍの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた２層構造から成る吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。

（本発明の反射型マスクの構成の詳細：裏面導電膜）
図１（ａ）の裏面導電膜５は、一般にはクロムの窒化物で構成されているが、導電性が静電チャックが使用できる程度以上であれば良いので、絶縁性材料以外からなる材料であれば良い。
図１（ａ）では裏面導電膜５を有する構成で記載したが、裏面導電膜５を有さない反射型マスクブランク及び反射型マスクとしても良い。

（本発明の反射型マスクの構成の詳細：多層反射層の掘り込み）
本発明の反射型マスクの遮光枠１１の形成方法について説明する。まずフォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによって、遮光枠部のみが開口したレジストパターンを形成する。次に、フッ素系もしくは塩素系ガス（あるいはその両方）を用いたドライエッチングによって、レジストパターンの開口部の吸収膜４と保護層３をエッチング除去する。次いで、多層反射層２を、フッ素系ガスまたは塩素系ガスまたはその両方を用いたドライエッチングか、アルカリ性溶液または酸性溶液を用いたウェットエッチングによって、多層反射層をエッチング除去する。

ドライエッチングによって、多層反射層２をエッチング除去する際に、フッ素系ガスまたは塩素系ガスまたはその両方を用いるのは、多層反射層２の材料であるＭｏとＳｉの両方に対して、エッチング性を有するためである。この際に用いるフッ素系ガスは、ＣＦ_４、Ｃ２Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８、Ｃ_５Ｆ_８、ＣＨＦ_３、ＳＦ６、ＣｌＦ_３、Ｃｌ_２、ＨＣｌなどが挙げられる。

ウェットエッチングによって、多層反射層２をエッチング除去する際のエッチング液には、多層反射層２の材料であるＭｏとＳｉのエッチングに適している必要がある。例えば、アルカリ性溶液としては、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＫＯＨ（水酸化カリウム）、ＥＤＰ（エチレンジアミンピロカテコール）などが適している。酸性溶液としては、硝酸とリン酸の混合液が適しているが、これにフッ酸、硫酸、酢酸を加えても良い。

上述の多層反射層２のエッチング除去の処理後に、別途、上述の多層反射層２の側壁部に周期的な段差構造を与えるための、ドライエッチング処理、もしくはウェットエッチング処理を追加する。

ドライエッチングによって、多層反射層の側壁部に周期的な段差構造を形成する際にＳｉのみを選択的にエッチングする場合は、その際使用するガスはＣＦ_４、ＣＦ_４／０_２、ＣＣｌ_２Ｆ_２などが挙げられる。

ウェットエッチングによって、多層反射層の側壁部に周期的な段差構造を形成する際にＳｉのみを選択的にエッチングする場合は、エッチング液としてはＨＦ−ＨＮＯ_３−ＣＨ_３ＣＯＯＨ、ＫＯＨ、Ｎ_２Ｈ_４＋ＣＨ_３ＣＨＯＨＣＨ_３などの酸化ケイ素のエッチング液が挙げられ、Ｍｏのみを選択的にエッチングする場合は、エッチング液としてはＨ_３ＰＯ_４＋ＨＮＯ_３などのモリブデンのウェットエッチング液が挙げられる。

また、多層反射層の側壁部に周期的な段差構造を形成する工程が、多層反射層２のエッチング除去する処理と同時に実施してもよく、その場合は、上述したガスやエッチング液を、多層反射層２のエッチング除去の処理のドライエッチングに用いるガスやエッチング液に添加することで、側壁部の段差構造を形成しても良い。

本発明の反射型マスク１０１は、パターン領域１０のパターン形成は、遮光枠１１の形成後であっても、遮光枠１１の形成前であっても構わない。

このようにして、多層反射層２を除去し遮光枠１１を形成したＥＵＶマスクにおいて、遮光枠１１のエッジ付近でのＥＵＶ光の反射をほぼゼロにまで低減できるため、高い遮光性能を有する反射型マスクを得る。

ＥＵＶ露光機内では、ＥＵＶ光がマスク面を円弧状にスキャンするため、場所によっては６°より大きい入射角になる場合があるが、その場合も遮光枠１１のエッジ付近でのＥＵＶ光の漏れの大部分を低減できるため、本発明の効果は大きい。

以下、本発明の反射型マスクの製造方法を、実施例を用いて詳細に説明する。
図２（ａ）に示した反射型マスクブランク２０１を使用した。これは、基板１の上に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して反射率が６４％程度となるように設計されたＭｏとＳｉの４０ペアの多層反射層２が、その上に２．５ｎｍ厚のＲｕの保護層３が、更にその上に７０ｎｍ厚のタンタルシリサイドからなる吸収層４が、順次形成されている。

上記の反射型マスクブランク２０１に対し、ポジ型化学増幅レジスト９（ＦＥＰ１７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を３００ｎｍの膜厚で塗布し（図２（ｂ））、電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子社製）によって描画後、１１０℃、１０分のＰＥＢ（ＰｏｓｔＥｘｐｏｓｕｒｅＢａｋｅ）およびスプレー現像機（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）により現像を行い、レジスト部分にレジストパターンを形成した（図２（ｃ））。

次いで、ドライエッチング装置（ＶＬＲ７００シリーズ：ユナクシス社製）を用いて、ＣＦ４プラズマとＣｌ２プラズマにより、吸収層４をエッチング除去し（図２（ｄ））、その後レジスト剥離洗浄することで、図２（ｅ）に示す評価パターンを有する反射型マスク２１１を作製した。評価パターンは、寸法２００ｎｍの１：１のライン＆スペースパターンをマスク中心に配置した。パターン領域の大きさは、１０ｃｍ×１０ｃｍとした。反射型マスク２１１の上面図を図３に示す。

次いで、図４（ａ）〜（ｇ）に示したように、上述の評価パターンを有する反射型マスク２１１のパターン領域１０に対して、遮光枠１１を形成する工程を行った。反射型マスク２１１（図４（ａ））にｉ線レジスト２９を５００ｎｍの膜厚で塗布し（図４（ｂ））、そこへｉ線描画機（ＡＬＴＡ３０００：アプライドマテリアル社製）により描画、現像を行うことにより、後に遮光枠１１となる領域を抜いたレジストパターンを形成した（図４（ｃ））。このときレジストパターンの開口幅は５ｍｍとし、マスク中心部の１０ｃｍ×１０ｃｍのメインパターン領域の端部から外側に３ｍｍの距離に配置した。

次いで、ドライエッチング装置（ＶＬＲ７００シリーズ：ユナクシス社製）を用いてＣＨＦ_３プラズマ（ドライエッチング装置内の圧力５０ｍＴｏｒｒ、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）パワー５００Ｗ、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）パワー２０００Ｗ、ＣＨＦ３：流量２０ｓｃｃｍ、処理時間６分、これらは、以下の表記で同じとする。）により、上記レジストの開口部の吸収層４と多層反射層２とを異方性ドライエッチングでエッチング除去し（図４（ｄ）および（ｅ））、ついで、ＫＯＨ水溶液（３０ｗｔ％、８５℃）によるウェットエッチングで４分間処理することで多層反射層２のＳｉ層のみをサイドエッチングし、図４（ｆ）に示すような多層反射層２の側壁部に周期的段差構造を得た。

最後に、硫酸系の剥離液とアンモニア過酸化水素水により、レジスト剥離・洗浄を実施し、エッチングマスクとして使用したレジストパターンを除去した（図４（ｇ））。図５（ａ）と（ｂ）に本実施例で作製した反射型マスク１０１を示す。

このようにして作製した遮光枠１１の一部を断裁して、電子顕微鏡にて断面観察したところ、約３０ｎｍのサイドエッチングが、多層反射層２のＳｉ層にのみに形成されていることを確認した。図８に示したように、ＥＵＶ光の入射角が６°の場合は、多層反射層２のサイドエッチングがエッジから２８ｎｍより更に大きい３０ｎｍ程度となっているため、遮光枠１１のエッジ付近でのＥＵＶ反射光の漏れが生じることはなかった。

図９は従来の反射マスクの遮光枠エッジ部のＥＵＶ反射率のシミュレーション結果であり、エッジ部で反射率が大きくなっている事が示されている。
一方、図１０は実施例１の反射型マスクの遮光枠エッジ部のＥＵＶ反射率のシミュレーション結果であり、反射率の漏れが生じてない事を示している。

このように、遮光性能の高い遮光枠を有する反射型マスクを作製することができた。

本発明は、ＥＵＶリソグラフに用いる反射型マスク等に有用である。

１基板
２多層反射層
３保護層
４吸収層
５裏面導電膜
９レジスト
１０パターン領域
１１遮光枠
２９レジスト
１０１本発明の反射型マスク
２０１反射型マスクブランク
２１１パターン領域に回路パターンが形成された反射型マスク
３０１吸収層部でのＥＵＶ反射光
３０２遮光枠内部でのＥＵＶ反射光
３０３遮光枠エッジ部でのＥＵＶ反射光
３０４遮光枠エッジ部でのＥＵＶ反射光

Claims

基板上に、少なくとも、ＥＵＶ光を反射するための多層反射層と、前記多層反射層を保護するための保護層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とが、この順に形成された反射型マスクブランクを用いて作製された反射型マスクにおいて、
前記吸収層に形成されたパターン領域の外周部の少なくとも一部に、前記吸収層および前記保護層および前記多層反射層が除去されたＥＵＶ光の反射率の低い領域である遮光枠を備えてなり、
前記遮光枠の側壁部には、前記多層反射層を構成するいずれかの層がサイドエッチングされることによって形成された周期的段差構造を備えており、
前記遮光枠のエッジから、前記多層反射層側および前記遮光枠側にかけて、多層反射層の厚さ×ｔａｎ６°の距離だけ前後に離間した範囲内の領域で、反射型マスクへの入射角度６°以下で照射されるＥＵＶ光の反射率が１．５％以下であることを特徴とする反射型マスク。
前記前後に多層反射層の厚さ×ｔａｎ６°の距離は、前記遮光枠のエッジから±２８〜２９ｎｍである請求項１記載の反射型マスク。