JP6728785B2 - 反射型フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記反射型フォトマスクの表面が回路パターン領域と、前記回路パターン領域の外側の遮光領域とを含む複数の領域に区分されており、
前記回路パターン領域では、前記基板上に前記多層反射層と前記吸収膜がこの順に積層さ
れており、かつ、前記吸収膜が回路パターンを構成しており、
前記遮光領域では、前記吸収膜と前記多層反射層が除去されて前記基板が露出しており、
前記遮光領域の前記基板が露出した部分には凹凸構造が形成されており、
前記遮光領域の側面及び前記凹凸構造の最表面には前記表面膜が配置されており、
前記表面膜のシート抵抗は500Ω/□以下であることを特徴とする反射型フォトマスクとしたものである。
いずれも0.1%以下であることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクとしたものである。
ここで、前記反射率は、入射光のエネルギーを100%とする、波長150〜300nmにおける平均反射率とする。
回路パターン領域の外側に、前記吸収膜と前記多層反射層を除去し、前記基板を露出させ
る遮光領域を形成する工程と、
前記遮光領域の前記基板が露出した部分に凹凸構造を形成する工程と、
前記遮光領域の側面及び前記凹凸構造の最表面に表面膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする反射型フォトマスクの製造方法としたものである。
一面上に多層反射層12、保護層13、吸収膜14が順次形成されている。なお、吸収膜14は2層以上の積層膜から形成されている場合もある。
には表面膜31が形成されている。凹凸構造30における凹凸パターンの形状として、モスアイパターン、ライン・スペースパターン、ドットパターン、ホールパターンなどの断面視で錐状や矩形形状のパターンが含まれる。
SPM洗浄条件:H2SO4:H2O2=3:1、120℃、10分
HPM洗浄条件:HCl:H2O2:H2O=1:1:50、80℃、10分
膜31を形成してもよい。
実施例と同様の手順で、遮光領域に矩形形状の凹凸構造を有するがその表面に表面膜31が形成されていない反射型マスク(図6(e))を作製した。このマスクについて遮光領域表面のシート抵抗を測定したところ、4端子法シート抵抗測定機では測定不能(1.0x109Ω/□以上)であった。さらに、遮光領域の内側(マスク中央側)の露光領域に形成した寸法100nmのライン&スペースからなる回路パターン部を電子線欠陥検査装置にて検査を試みたが、帯電により検査出来なかった。
12 多層反射層
13 保護層
14 吸収膜
15 裏面導電膜
20 回路パターン領域
21 遮光領域
30 凹凸構造
31 表面膜
40 電子線
41a〜41d レジスト
100 反射型マスクブランク
101 反射型マスク
Claims (4)
- 基板、多層反射層、吸収膜、表面膜を備える反射型フォトマスクであって、
前記反射型フォトマスクの表面が回路パターン領域と、前記回路パターン領域の外側の遮光領域とを含む複数の領域に区分されており、
前記回路パターン領域では、前記基板上に前記多層反射層と前記吸収膜がこの順に積層さ
れており、かつ、前記吸収膜が回路パターンを構成しており、
前記遮光領域では、前記吸収膜と前記多層反射層が除去されて前記基板が露出しており、
前記遮光領域の前記基板が露出した部分には凹凸構造が形成されており、
前記遮光領域の側面及び前記凹凸構造の最表面には前記表面膜が配置されており、
前記表面膜のシート抵抗は500Ω/□以下であることを特徴とする反射型フォトマスク。
- SPM(硫酸過酸化水素水)、及びHPM(塩酸過酸化水素水)による洗浄前後における、前記表面膜を備えた前記凹凸構造部の反射率の変化が、
いずれも0.1%以下であることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスク。
ここで、前記反射率は、入射光のエネルギーを100%とする、波長150〜300nmにおける平均反射率とする。 - 前記表面膜は、Si、Mo、Ta、Cr、Ru、Al、Ti、Zn、Sn、Hf、W、Zr、Au、Ag、Cu及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子、及び分子を主たる構成要素とすることを特徴とする請求項1、2のいずれか一項に記載の反射型フォトマスク。
- 基板と、前記基板上に形成された多層反射層と、前記多層反射層上に形成された吸収膜
とを少なくとも備えるフォトマスクブランクを使用して、
回路パターン領域の外側に、前記吸収膜と前記多層反射層を除去し、前記基板を露出させ
る遮光領域を形成する工程と、
前記遮光領域の前記基板が露出した部分に凹凸構造を形成する工程と、
前記遮光領域の側面及び前記凹凸構造の最表面に表面膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする反射型フォトマスクの製造方法。
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