JP2017156658A - 反射型フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 29
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 29
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrochloride Chemical compound Cl.OO CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 25
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- MMBMIVSDYYPRHH-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Chemical compound OO.OO MMBMIVSDYYPRHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
前記フォトマスクの表面が回路パターン領域と、前記回路パターン領域の外側の遮光領域とを含む複数の領域に区分されており、
前記回路パターン領域では、前記基板上に前記多層反射層と前記吸収膜がこの順に積層されており、かつ、前記吸収膜が回路パターンを構成しており、
前記遮光領域では、前記基板表面が凹凸構造を有しており、かつ、前記表面膜が配置されており、
前記表面膜のシート抵抗は500Ω/□以下であることを特徴とする反射型フォトマスクとしたものである。
いずれも0.1%以下であることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクとしたものである。
ここで、前記反射率は、入射光のエネルギーを100%とする、波長150〜300nmにおける平均反射率とする。
回路パターン領域の外側に、前記吸収膜と前記多層反射層を除去し、前記基板を露出させる遮光領域を形成する工程と、
前記遮光領域の前記基板が露出した部分に凹凸構造を形成する工程と、
前記凹凸構造の最表面に表面膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする反射型フォトマスクの製造方法としたものである。
一面上に多層反射層12、保護層13、吸収膜14が順次形成されている。なお、吸収膜14は2層以上の積層膜から形成されている場合もある。
には表面膜31が形成されている。凹凸構造30における凹凸パターンの形状として、モスアイパターン、ライン・スペースパターン、ドットパターン、ホールパターンなどの断面視で錐状や矩形形状のパターンが含まれる。
SPM洗浄条件:H2SO4:H2O2=3:1、120℃、10分
HPM洗浄条件:HCl:H2O2:H2O=1:1:50、80℃、10分
膜31を形成してもよい。
実施例と同様の手順で、遮光領域に矩形形状の凹凸構造を有するがその表面に表面膜31が形成されていない反射型マスク(図6(e))を作製した。このマスクについて遮光領域表面のシート抵抗を測定したところ、4端子法シート抵抗測定機では測定不能(1.0x109Ω/□以上)であった。さらに、遮光領域の内側(マスク中央側)の露光領域に形成した寸法100nmのライン&スペースからなる回路パターン部を電子線欠陥検査装置にて検査を試みたが、帯電により検査出来なかった。
12 多層反射層
13 保護層
14 吸収膜
15 裏面導電膜
20 回路パターン領域
21 遮光領域
30 凹凸構造
31 表面膜
40 電子線
41a〜41d レジスト
100 反射型マスクブランク
101 反射型マスク
Claims (4)
- 基板、多層反射層、吸収膜、表面膜を備える反射型フォトマスクであって、
前記フォトマスクの表面が回路パターン領域と、前記回路パターン領域の外側の遮光領域とを含む複数の領域に区分されており、
前記回路パターン領域では、前記基板上に前記多層反射層と前記吸収膜がこの順に積層されており、かつ、前記吸収膜が回路パターンを構成しており、
前記遮光領域では、前記基板表面が凹凸構造を有しており、かつ、前記表面膜が配置されており、
前記表面膜のシート抵抗は500Ω/□以下であることを特徴とする反射型フォトマスク。 - SPM(硫酸過酸化水素水)、及びHPM(塩酸過酸化水素水)による洗浄前後における、前記表面膜を備えた前記凹凸構造部の反射率の変化が、
いずれも0.1%以下であることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスク。
ここで、前記反射率は、入射光のエネルギーを100%とする、波長150〜300nmにおける平均反射率とする。 - 前記表面膜は、Si、Mo、Ta、Cr、Ru、Al、Ti、Zn、Sn、Hf、W、Zr、Au、Ag、Cu及びそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群より選択される少なくとも一種の原子、及び分子を主たる構成要素とすることを特徴とする請求項1、2のいずれか一項に記載の反射型フォトマスク。
- 基板と、前記基板上に形成された多層反射層と、前記多層反射層上に形成された吸収膜とを少なくとも備えるフォトマスクブランクを使用して、
回路パターン領域の外側に、前記吸収膜と前記多層反射層を除去し、前記基板を露出させる遮光領域を形成する工程と、
前記遮光領域の前記基板が露出した部分に凹凸構造を形成する工程と、
前記凹凸構造の最表面に表面膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする反射型フォトマスクの製造方法。
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JP (1) | JP6728785B2 (ja) |
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