JP2010206177A - 露光用マスク及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】露光対象となっている露光領域以外の領域に光が漏洩することなく、精度よく欠陥検査ができる露光用マスク及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板11上に光反射膜12、バッファ層13及び光吸収膜14が形成されたEUVマスクブランクスを準備する。そして、パターン形成領域17において光吸収膜14を選択的に除去してパターン18を形成すると共に、パターン形成領域17を囲む枠状の領域において光吸収膜14を除去する。次に、この枠状の領域においてバッファ層13及び光反射膜12を除去して遮光枠20を形成する。次に、基板11上に、積層膜15における遮光枠20の内部に配置された部分15inを積層膜15における遮光枠20の外部に配置された部分15outに接続するように配線21を形成する。次に、電子ビームを照射してパターン18を検査する。これにより、露光用マスク1を製造する。
【選択図】図3
【解決手段】絶縁性の基板11上に光反射膜12、バッファ層13及び光吸収膜14が形成されたEUVマスクブランクスを準備する。そして、パターン形成領域17において光吸収膜14を選択的に除去してパターン18を形成すると共に、パターン形成領域17を囲む枠状の領域において光吸収膜14を除去する。次に、この枠状の領域においてバッファ層13及び光反射膜12を除去して遮光枠20を形成する。次に、基板11上に、積層膜15における遮光枠20の内部に配置された部分15inを積層膜15における遮光枠20の外部に配置された部分15outに接続するように配線21を形成する。次に、電子ビームを照射してパターン18を検査する。これにより、露光用マスク1を製造する。
【選択図】図3
Description
本発明は、露光用マスク及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法に関し、特に、反射型の露光用マスク及びその製造方法並びにこの露光用マスクを用いた半導体装置の製造方法に関する。
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求が高まっている。既に、デバイスの設計ルールは24nm(ナノメートル)にまで微細化し、リソグラフィの露光も従来の波長が193nmのArFエキシマレーザー光を用いた露光から、波長が13.5nmのEUV(Extreme UltraViolet:極端紫外線)を用いた露光に置き換わりつつある。
EUVに対しては、ほとんどの物質が高い光吸収性をもつため、EUV露光用のマスク(EUVマスク)は、従来の透過型のマスクとは異なり、反射型のマスクである(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1には、ガラス基板上にモリブデン(Mo)層及びシリコン(Si)層を交互に積層して多層膜からなる光反射膜を形成し、その上にタンタル(Ta)を主成分とする光吸収体によりパターンを形成する技術が開示されている。
また、近年、EUVマスクはハーフトーン(HT)型が主流になりつつある。HT型ではない通常のEUVマスクにおいては、光吸収体の厚さは90nm程度であり、EUVの反射率はほぼ0であるが、HT型のEUVマスクにおいては、光吸収体の厚さは50nm程度と薄く、EUVの反射率は2〜3%である。また、光吸収体内を透過して光反射膜により反射されたEUVは、光吸収体内を透過せずに直接光反射膜に到達して反射されたEUVに対して、位相が約180度ずれている。これにより、ウェーハ上でのコントラストが向上し、露光・現像されたレジストパターンのエッジレフネスが向上する。
しかし、HT型のEUVマスクにおいては、光吸収体に入射したEUVも反射されるため、ウェーハのある露光領域を露光する際に、この露光領域の隣の露光領域にEUVが漏れてしまうという問題がある。そこで、このEUVの漏洩を防止するために、光吸収体のパターンが形成されるEUVマスクの中央領域を囲む枠状の領域において、光反射膜を除去する技術が開発されている。この光反射膜が除去された枠状の領域においてはガラス基板が露出しており、入射したEUVをほとんど反射しないため、EUVが隣の露光領域に漏洩することを防止できる。
一方、EUVマスクの欠陥検査はSEM(Scanning Electron Microscope:走査型電子顕微鏡)等の電子ビームを照射する手法で行い、検査中はEUVマスクの周辺領域に導通ピンを接触させて、照射された電子を逃がしている。これにより、EUVマスクがチャージアップすることなく、鮮明な画像を取得して検査を行うことができる。
ところが、EUVマスクにおいて光反射膜等を枠状に除去すると、光反射膜及び光吸収体における枠状の領域の内側に位置する部分と外側に位置する部分とが電気的に絶縁されてしまう。検査対象となるパターンは枠状の領域の内側部分に形成されているが、導通ピンを接触させる位置は枠状の領域の外側部分である。このため、パターンが形成された部分は電気的に浮遊状態となってしまい、電子ビームを照射して欠陥検査を行うと、チャージアップにより画像が歪み、欠陥検査を精度よく行うことができなくなる。これにより、パターンの欠陥検査において欠陥が見逃され、これらの欠陥を含むEUVマスクが良品と判定されてしまう。この結果、半導体デバイスの製造段階でこれらの欠陥が半導体デバイスに転写されてしまい、半導体デバイスの製造歩留まりを低下させてしまう。
本発明の目的は、露光対象となっている露光領域以外の領域に光が漏洩することなく、精度よく欠陥検査ができる露光用マスク及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、絶縁性の基板と、前記基板上に設けられた光反射膜と、前記光反射膜上に設けられ、前記基板上の中央領域においてパターンを形成する光吸収膜と、前記基板上に設けられた配線と、を備え、前記中央領域を囲む枠状の領域においては、前記光反射膜及び前記光吸収膜は設けられておらず、前記配線は、前記光反射膜及び前記光吸収膜からなる積層膜における前記枠状の領域の内部に配置された部分を、前記積層膜における前記枠状の領域の外部に配置された部分に電気的に接続するように配置されていることを特徴とする露光用マスクが提供される。
本発明の他の一態様によれば、絶縁性の基板上に光反射膜が形成され前記光反射膜上に光吸収膜が形成されたマスクブランクスの中央領域において前記光吸収膜を選択的に除去してパターンを形成すると共に、前記中央領域を囲む枠状の領域において前記光吸収膜を除去する工程と、前記枠状の領域において前記光反射膜を除去する工程と、前記基板上に、前記光反射膜及び前記光吸収膜からなる積層膜における前記枠状の領域の内部に配置された部分を、前記積層膜における前記枠状の領域の外部に配置された部分に接続するように配線を形成する工程と、電子ビームを照射して前記パターンを検査する工程と、を備えたことを特徴とする露光用マスクの製造方法が提供される。
本発明の更に他の一態様によれば、半導体基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記露光用マスクを使用して前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記半導体基板に対して選択的に処理を施す工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、露光対象となっている露光領域以外の領域に光が漏洩することなく、精度よく欠陥検査ができる露光用マスク及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法を実現することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。
本実施形態は露光用マスクの実施形態であり、より具体的には、EUVを用いた露光に使用する反射型のハーフトーン型位相シフトマスクである。このEUVの波長は、例えば13.5nmである。
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。
本実施形態は露光用マスクの実施形態であり、より具体的には、EUVを用いた露光に使用する反射型のハーフトーン型位相シフトマスクである。このEUVの波長は、例えば13.5nmである。
図1は、本実施形態に係る露光用マスクを例示する平面図であり、
図2は、図1の領域Aを例示する一部拡大平面図であり、
図3は、図1に示すB−B’線による断面図であり、
図4は、図3の領域Cを例示する一部拡大断面図である。
なお、図示の便宜上、各図間において、各部の寸法比及びパターンの形状は異ならせている。
図2は、図1の領域Aを例示する一部拡大平面図であり、
図3は、図1に示すB−B’線による断面図であり、
図4は、図3の領域Cを例示する一部拡大断面図である。
なお、図示の便宜上、各図間において、各部の寸法比及びパターンの形状は異ならせている。
図1及び図3に示すように、本実施形態に係る露光用マスク1においては、基板11が設けられている。基板11は低熱膨張ガラスにより形成されており、絶縁性である。基板11の厚さは例えば6.35mm(ミリメートル)である。
基板11上には、光反射膜12が形成されている。光反射膜12は、入射したEUVの少なくとも一部を反射する膜であり、多層膜によって構成されている。一例では、図4に示すように、光反射膜12においては、厚さが2.9nmのモリブデン層12aと厚さが4.0nmのシリコン層12bとが交互に40対積層されている。但し、光反射膜12の最上層に積層されたシリコン層12bだけは、厚さが10nmとなっており、キャッピングレイヤーとなっている。これにより、光反射膜12全体の厚さは、例えば約280nmとなっている。
光反射膜12上には、バッファ層13が形成されている。バッファ層13はパターン欠陥の修正時に光反射膜12を保護するものである。バッファ層13は、例えばクロムナイトライド(CrN)からなり、厚さは10nmである。
バッファ層13上には光吸収膜14が形成されている。光吸収膜14は、入射したEUVの少なくとも一部を吸収する膜である。一例では、図4に示すように、光吸収膜14においては、厚さが40nmのタンタルボロンナイトライド(TaBN)層14aが設けられており、その上に厚さが11nmのタンタルボロンオキサイド(TaBO)層14bが設けられている。これにより、光吸収膜14全体の厚さは、例えば51nmとなっている。光反射膜12、バッファ層13及び光吸収膜14により、積層膜15が形成されている。積層膜15は導電性である。
図1に示すように、基板11の上面に対して垂直な方向(以下、「上方」という)から見て、露光用マスク1の外形は矩形であり、例えば、一辺の長さが152mmの正方形である。そして、上方から見て、露光用マスク1の中央部には、露光領域16が設定されている。露光領域16は露光用のパターンが形成可能な最大限の領域である。露光領域16の形状は、例えば、一辺の長さが104mmであり、他の一辺の長さが132mmの長方形である。
露光領域16の中央領域は、パターン形成領域17となっている。パターン形成領域17においては、バッファ層13及び光吸収膜14が選択的に除去されてパターン18が形成されている。パターン18の最小幅は、例えば96nmである。これは、露光に用いるEUVの波長が13.5nmであり、ウェーハ(図示せず)に転写するパターンの最小幅がハーフピッチで24nmであり、ウェーハには露光用マスク1のパターン18を4分の1に縮小して転写するため、パターン18の最小幅はウェーハに転写するパターンの4倍(24nm×4=96nm)となるためである。なお、図1においては、図示の便宜上、パターン18の形状をラインアンドスペースとしているが、パターン18の形状はこれに限定されない。
露光領域16内におけるパターン形成領域17(中央領域)の外部であって、パターン形成領域17を囲む矩形の枠状の領域においては、積層膜15が設けられておらず溝19となっている。溝19の底面には基板11が露出している。以下、溝19が形成され基板11が露出した枠状の領域を「遮光枠」という。遮光枠20の幅は例えば1mmである。
そして、基板11上には、遮光枠20を横断するように、導電性の配線21が設けられている。配線21は遮光枠20の各辺に設けられており、例えば、各辺に3本ずつ、全体で12本の配線21が設けられている。配線21は金属、例えばクロム(Cr)により形成されている。
図2に示すように、各配線21の一端部は、積層膜15における遮光枠20の内部に配置された部分15in上に乗り上げており、他端部は積層膜15における遮光枠20の外部に配置された部分15out上に乗り上げており、一端部と他端部との間の部分は溝19の内面に沿って屈曲している。このように、各配線21は、積層膜15の部分15inを部分15outに接続するように配置されている。
配線21の幅は、パターン18の最小幅よりも細い。これにより、配線21によって反射されたEUVがウェーハに到達したときに、配線21の像が結像せず、ウェーハに配線21が転写されない。この効果を確実に得るためには、配線21の幅はパターン18の最小幅の半分以下であることが好ましい。上述の如く、露光に使用するEUVの波長が13.5nmである場合は、例えば、ウェーハ上に転写されるパターンのハーフピッチは24nm程度であり、パターン18の最小幅は96nmであるため、配線21の幅は48nm以下であることが好ましい。また、露光に用いる光学系の開口数を増加させる等の手段により、ウェーハ上に転写されるパターンのハーフピッチは18nm程度まで縮小できる。この場合は、パターン18の最小幅は72nm(=18nm×4)となるため、配線21の幅は36nm以下であることがより好ましい。一方、配線21の厚さは、例えば10〜100nmであり、例えば50nmである。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態によれば、遮光枠20を横断するように配線21が形成されているため、積層膜15における遮光枠20の内側に位置する部分15inが、遮光枠20の外側に位置する部分15outに配線21を介して電気的に接続されている。このため、部分15outに導通ピン(図示せず)を接触させてアースをとりながら、部分15inのパターン形成領域17に電子ビームを照射してパターン18の検査を行えば、電子ビームの照射により部分15inがチャージアップすることがなく、精度よく検査を行うことができる。この結果、遮光枠の形成後においても精度よく欠陥検査を行うことができ、パターン18に生じている欠陥を確実に検出して除去することができる。
本実施形態によれば、遮光枠20を横断するように配線21が形成されているため、積層膜15における遮光枠20の内側に位置する部分15inが、遮光枠20の外側に位置する部分15outに配線21を介して電気的に接続されている。このため、部分15outに導通ピン(図示せず)を接触させてアースをとりながら、部分15inのパターン形成領域17に電子ビームを照射してパターン18の検査を行えば、電子ビームの照射により部分15inがチャージアップすることがなく、精度よく検査を行うことができる。この結果、遮光枠の形成後においても精度よく欠陥検査を行うことができ、パターン18に生じている欠陥を確実に検出して除去することができる。
また、本実施形態においては、配線21の幅がパターン18の最小幅よりも細いため、配線21によって反射されたEUVがウェーハに到達したときに、配線21の像の幅がEUVの解像度未満のサイズとなり、ウェーハにおいて結像することがない。このため、ウェーハの露光時に配線21がウェーハに転写されることがない。
更に、本実施形態においては、配線21が遮光枠20の各辺に設けられているため、部分15inに電子ビームを照射したときに、部分15inのチャージアップをより確実に防止することができる。
次に、第1の実施形態の変形例について説明する。
図5は、本変形例に係る露光用マスクを例示する一部拡大断面図である。
図5が示す領域は、前述の第1の実施形態において図4が示す領域に相当する。
図5は、本変形例に係る露光用マスクを例示する一部拡大断面図である。
図5が示す領域は、前述の第1の実施形態において図4が示す領域に相当する。
図5に示すように、本変形例に係る露光用マスクは、前述の第1の実施形態に係る露光用マスク1(図4参照)と比較して、積層膜15の構成が異なっている。すなわち、露光用マスク2においては、光反射膜12の最上層に、キャッピングレイヤーとして、厚さが2.5nmのルテニウム(Ru)化合物層12cが設けられている。ルテニウム化合物層12cは、例えば、ルテニウムとニオブの化合物により形成されている。また、光反射膜12を構成する複数のシリコン層12bの厚さは、いずれも同じ厚さである。更に、露光用マスク2にはバッファ層13(図4参照)は設けられておらず、その分、タンタルボロンナイトライド(TaBN)層14aが厚くなっている。本変形例においては、タンタルボロンナイトライド層14aの厚さは例えば51nmである。
後述の第2の実施形態において説明するように、露光用マスクの製造時にパターン欠陥が発生した場合には、荷電粒子ビームを照射してこのパターン欠陥を修正する。そして、前述の第1の実施形態においては、荷電粒子ビームとして電子ビーム又はイオンビームを使用する。しかし、イオンビームは粒子の運動量が大きく、光反射膜12に直接照射すると損傷を与えてしまうため、バッファ層13が必要となる。これに対して、本変形例においては、パターン欠陥修正用の荷電粒子ビームとして電子ビームを使用する。電子ビームは光反射膜12に直接照射しても損傷を与えることがないため、バッファ層を省略することができる。バッファ層を省略することにより、露光用マスクの製造工程を簡略化し、露光用マスクのコストを削減することができる。本変形例における上記以外の構成及び作用効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
本実施形態は、露光用マスクの製造方法の実施形態である。
図6は、本実施形態に係る露光用マスクの製造方法を例示するフローチャート図であり、
図7(a)〜(d)は、本実施形態に係る露光用マスクの製造方法を例示する工程断面図である。
本実施形態は、露光用マスクの製造方法の実施形態である。
図6は、本実施形態に係る露光用マスクの製造方法を例示するフローチャート図であり、
図7(a)〜(d)は、本実施形態に係る露光用マスクの製造方法を例示する工程断面図である。
本実施形態においては、前述の第1の実施形態に係る露光用マスク1を製造する。
先ず、図6のステップS1及び図7(a)に示すように、EUVマスクブランクス10を準備する。通常、EUVマスクブランクスは、ブランクスメーカーが製造したものを購入する。図7(a)及び図4に示すように、EUVマスクブランクス10においては、低熱膨張ガラスからなる基板11が設けられており、この基板11上の全面に、厚さが2.9nmのモリブデン層12aと厚さが4.0nmのシリコン層12bとが交互に40対積層されている。なお、最上層のシリコン層12bだけは、厚さが10nmとなっており、キャッピングレイヤーとされている。これにより、絶縁性の基板11上に厚さが例えば280nmの光反射膜12が形成されている。
先ず、図6のステップS1及び図7(a)に示すように、EUVマスクブランクス10を準備する。通常、EUVマスクブランクスは、ブランクスメーカーが製造したものを購入する。図7(a)及び図4に示すように、EUVマスクブランクス10においては、低熱膨張ガラスからなる基板11が設けられており、この基板11上の全面に、厚さが2.9nmのモリブデン層12aと厚さが4.0nmのシリコン層12bとが交互に40対積層されている。なお、最上層のシリコン層12bだけは、厚さが10nmとなっており、キャッピングレイヤーとされている。これにより、絶縁性の基板11上に厚さが例えば280nmの光反射膜12が形成されている。
また、光反射膜12上の全面に、例えばクロムナイトライド(CrN)が10nmの厚さに堆積されている。これにより、バッファ層13が形成されている。
更に、バッファ層13上の全面に、例えば、タンタルボロンナイトライド(TaBN)が40nmの厚さに堆積されており、タンタルボロンナイトライド層14aが形成されている。更にまた、タンタルボロンナイトライド層14a上の全面には、タンタルボロンオキサイド(TaBO)が11nmの厚さに堆積されており、タンタルボロンオキサイド層14bが形成されている。これにより、厚さが51nmの光吸収膜14が形成されている。更にまた、光吸収膜14上の全面には、電子ビームレジスト(図示せず)が塗布されている。このようにして、EUVマスクブランクス10が構成されている。
次に、ステップS2及び図7(b)に示すように、EUVマスクブランクス10の光吸収膜14を選択的に除去する。すなわち、電子ビームレジストに対して電子ビームを選択的に照射することにより、電子ビームレジストに所定のパターンを描画する。このパターンの描画は、例えば、ニューフレアテクノロジー社製の電子ビーム描画装置(EBM7000)によって行う。これにより、パターン形成領域17の内部においては、ウェーハ上に形成する予定のハーフピッチ(hp)24nmのパターンを4倍に拡大したパターン、すなわち、最小幅が96nmのパターンが描写される。また、露光領域16の内部であってパターン形成領域17の外部においては、遮光枠20(図1参照)に相当するパターンが描画される。その後、電子ビームレジストを現像して、レジストパターンを形成する。
そして、このレジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行う。これにより、パターン形成領域17において光吸収膜14を選択的に除去してパターン18を形成する。また、パターン形成領域17を囲む枠状の領域、すなわち、遮光枠20(図3参照)が形成される予定の領域において光吸収膜14を除去する。なお、このとき、バッファ層13はエッチングせずに全面に残留させる。その後、電子ビームレジストを除去し、洗浄する。これにより、露光用マスク1の前駆体が作製される。
次に、ステップS3に示すように、パターン18の1回目の検査を行う。この検査は、パターン形成領域17に対して電子ビームを照射して、パターン18の電子像を取得することにより行い、例えば、荏原製作所製の電子ビーム欠陥検査装置(EBeye−M)によって行う。これにより、パターン18に発生している欠陥を検出する。パターンの欠陥の種類としては、「パターン欠陥」及び「異物付着」がある。パターン欠陥には、光吸収膜14が除去されているはずの領域に光吸収膜14が残留している黒欠陥、及び、光吸収膜14が残留しているはずの領域に光吸収膜14が残留していない白欠陥がある。
次に、図6のステップS4及び図7(c)に示すように、前駆体の全面に電子ビームレジスト(図示せず)を塗布した後、パターン18に対してアライメントしながら電子ビームを選択的に照射して、遮光枠20に相当するパターンを描画する。この描画は、例えば、ニューフレアテクノロジー社製の電子ビーム描画装置(EBM6000)によって行う。その後、電子ビームレジストを現像して、遮光枠20が形成される予定の領域を開口させる。そして、この電子ビームレジストをマスクとしてエッチングを行い、遮光枠20が形成される予定の領域からバッファ層13及び光反射膜12を除去する。これにより、光反射膜12、バッファ層13及び光吸収膜14からなる積層膜15に溝19が形成され、溝19の底面においては基板11が露出する。これにより、パターン形成領域17の周囲に、入射したEUVがほとんど反射されない遮光枠20が形成される。
次に、図6のステップS5及び図7(d)に示すように、ステップS3に示す1回目の検査において検出されたパターン欠陥の修正を行う。具体的には、エッチングガス雰囲気中において黒欠陥に対して荷電粒子ビームを照射することにより、残留した光吸収膜14をエッチングして除去する。また、デポジションガス雰囲気中において白欠陥に対して荷電粒子ビームを照射することにより、光吸収膜14が欠損している部分に光吸収材料を堆積させる。このとき、バッファ層13は荷電粒子ビームの照射から光反射膜12を保護する保護膜として機能する。このパターン欠陥の修正は、例えば、カールツァイス社製の電子ビーム欠陥修正装置(MeRiT)によって行う。
そして、このとき、基板11上に、遮光枠20を横断するように配線21を形成する。この配線21の形成は、上述のパターン欠陥の修正装置と同じ装置を使用してパターン欠陥の修正と同じタイミングで行う。すなわち、修正装置内から前駆体を取り出すことなく、パターン欠陥の修正及び配線の形成を連続して行う。例えば、先にパターン欠陥を修正してから配線21を形成してもよく、先に配線21を形成してからパターン欠陥を修正してもよく、パターン欠陥の修正の合間に配線21を形成してもよい。なお、処理効率を向上させるためには、パターン欠陥の修正及び配線の形成を含む一連の処理の間に、修正装置の真空を破らないことが好ましい。
配線21の形成は、例えば、クロムヘキサカルボニル(Cr(CO)6)ガス雰囲気中において、配線21を形成する予定の領域に電子ビームを照射することにより、この領域にクロム(Cr)を堆積させることによって行う。配線21は、積層膜15における遮光枠20の内部に配置された部分15inを遮光枠20の外部に配置された部分15outに接続するように形成する。また、配線21は遮光枠20の各辺に3本ずつ形成する。各配線21の厚さは例えば10〜100nm、例えば50nmとする。また、各配線21の幅はパターン18の最小幅よりも細い幅とし、例えば50nmとする。
次に、図6のステップS6及び図3に示すように、光吸収膜14をマスクとしてバッファ層13をエッチングし、光吸収膜14の直下域以外の領域からバッファ層13を除去する。その後、前駆体を洗浄する。
次に、図6のステップS7に示すように、パターン18の2回目の検査を行う。この検査は露光用マスクの出荷前検査である。この検査は、部分15outに導通ピン(図示せず)を接触させてアースをとりながら、部分15inのパターン形成領域17に電子ビームを照射してパターン18の電子像を取得することにより行い、例えば、上述の電子ビーム欠陥検査装置(EBeye−M)を用いて、電子ビームを面状に照射する電子ビーム写像投影方式により行う。このとき、電子ビームが照射される部分15inは、配線21を介して、導通ピンが接触している部分15outに電気的に接続されているため、電子ビームを照射してもチャージアップすることがない。これにより、従来問題となっていたチャージアップによる画像歪みを発生させることなく、精度よく検査を行うことができ、例えば、欠陥検査感度を20nmに維持することができる。この結果、パターン18に付着した異物、例えば、上述の遮光枠20の形成工程(ステップS4)、パターン欠陥の修正及び配線21の形成工程(ステップS5)、バッファ層13のエッチング工程(ステップS6)において付着した異物を、確実に検出することができる。
次に、ステップS8に示すように、ステップS7に示す2回目の検査において異物が検出された場合には、これらの異物を除去する。このとき、例えば、ウェット洗浄によって異物を一括して除去してもよく、AFM(Atomic Force Microscope:原子間力顕微鏡)の探針を異物に側方から押し当てることにより、異物を個別に除去してもよい。これにより、欠陥がない露光用マスク1を製造することができる。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態によれば、図6に示すステップS5において遮光枠20を横断する配線21を形成することにより、ステップS7に示す2回目の検査においてチャージアップを防止して高精度な検査を行うことができる。この結果、露光用マスクの出荷直前の検査においてパターン18に生じている欠陥を確実に検出して除去することができ、欠陥がない露光用マスク1を得ることができる。
本実施形態によれば、図6に示すステップS5において遮光枠20を横断する配線21を形成することにより、ステップS7に示す2回目の検査においてチャージアップを防止して高精度な検査を行うことができる。この結果、露光用マスクの出荷直前の検査においてパターン18に生じている欠陥を確実に検出して除去することができ、欠陥がない露光用マスク1を得ることができる。
また、本実施形態においては、配線21の形成をパターン欠陥の修正と同じ装置を使用して同じタイミングで行っているため、配線21を形成するための専用の工程を設ける必要がなく、また、専用の装置を準備する必要がない。このため、配線21の形成による製造コストの増加を抑えることができる。
次に、第2の実施形態の変形例について説明する。
図8は、本変形例に係る露光用マスクの製造方法を例示するフローチャート図であり、
図9は、本変形例に係る露光用マスクの製造方法を例示する工程断面図である。
本変形例においては、パターン欠陥の修正と配線の形成を別の工程で行う。
図8は、本変形例に係る露光用マスクの製造方法を例示するフローチャート図であり、
図9は、本変形例に係る露光用マスクの製造方法を例示する工程断面図である。
本変形例においては、パターン欠陥の修正と配線の形成を別の工程で行う。
先ず、図8のステップS1〜S3に示す工程を実施する。図8のステップS1〜S3に示す工程は、図6のステップS1〜S3に示す工程と同じである。すなわち、前述の第2の実施形態と同様に、EUVマスクブランクスを準備し(ステップS1)、光吸収膜14を選択的に除去してパターン18を形成し(ステップS2)、1回目の検査を行う(ステップS3)。これにより、図7(b)に示す前駆体が作製される。
次に、図8のステップS11に示すように、1回目の検査(ステップS3)の結果に基づいて、パターン欠陥の修正を行う。パターン欠陥の修正方法は、前述の第2の実施形態と同様である。
次に、図8のステップS12及び図7(c)に示すように、パターン形成領域17を囲む枠状の領域から積層膜15を除去して、遮光枠20を形成する。遮光枠20の形成方法も前述の第2の実施形態と同様である。
次に、図8のステップS13及び図9に示すように、パターニングされた光吸収膜14をマスクとしてバッファ層13をエッチングし、光吸収膜14の直下域以外の領域からバッファ層13を除去する。その後、前駆体を洗浄する。
次に、図8のステップS14及び図3に示すように、配線21を形成する。配線21の形成方法も、前述の第2の実施形態と同様である。
以後の方法は、前述の第2の実施形態と同様である。すなわち、図8のステップS7に示すように、2回目の検査を行い、その検査結果に基づいて、ステップS8に示すように、異物を除去する。これにより、露光用マスク1を製造することができる。
本変形例によっても、前述の第2の実施形態と同様に、図8に示すステップS14において配線21を形成することにより、ステップS7に示す2回目の検査においてチャージアップを防止して高精度な検査を行うことができる。この結果、欠陥がない露光用マスク1を得ることができる。
なお、本変形例においては、ステップS11に示すパターン欠陥の修正とステップS12に示す遮光枠の形成の順番を入れ替えてもよい。
なお、本変形例においては、ステップS11に示すパターン欠陥の修正とステップS12に示す遮光枠の形成の順番を入れ替えてもよい。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
本実施形態は、前述の第1の実施形態に係る露光用マスクを用いた半導体装置の製造方法の実施形態である。
図10(a)〜(d)は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程断面図である。
本実施形態は、前述の第1の実施形態に係る露光用マスクを用いた半導体装置の製造方法の実施形態である。
図10(a)〜(d)は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程断面図である。
先ず、図10(a)に示すように、半導体基板31を用意する。半導体基板31は、例えば、シリコンウェーハである。そして、半導体基板31上にレジスト膜32を形成する。レジスト膜32は、電子ビームによって感光する電子ビームレジストである。
次に、図10(b)に示すように、前述の第1の実施形態に係る露光用マスクを使用して、レジスト膜32を露光する。すなわち、図1及び図3に示すように、波長が13.5nmのEUVのレーザ光を露光用マスク1に照射する。露光用マスク1に入射したEUVのうち、光吸収膜14及びバッファ層13を介さずに光反射膜12に直接到達した光は、その一部が光反射膜12によって反射される。このときの反射率は例えば65%程度である。また、光吸収膜14に到達した光は、その一部が光吸収膜14又はバッファ層13に吸収され、残部は光吸収膜14及びバッファ層13を透過して光反射膜12に到達し、光反射膜12によって反射され、再びバッファ層13及び光吸収膜14を吸収されつつ透過し、全体として例えば2〜3%の反射率で反射される。このとき、光吸収膜14及びバッファ層13の屈折率は空気の屈折率よりも高く、光吸収膜14及びバッファ層13内を透過する光路の光路長は空気中を通過する光路の光路長よりも長いため、光吸収膜14及びバッファ層13を介して反射された光の位相は、光反射膜12に直接到達して反射された光の位相に対して、約180度ずれる。
そして、露光用マスク1によって反射したEUVのビームを、ビーム径が例えば4分の1になるように集光させて、レジスト膜32において結像させる。これにより、レジスト膜32を選択的に感光させる。このとき、光吸収膜14から出射した光の位相は、光反射膜12に直接反射された光の位相に対して約180度ずれているため、レジスト膜32においてコントラストが高いパターンを結像させることができる。
このとき、積層膜15における遮光枠20の外側に配置された部分15out及び遮光枠20の外周部分は、露光光学系に設けられたブラインド(図示せず)によって遮光され、EUVが入射されない。一方、遮光枠20の内周部分にはブラインドの開口部を介してEUVが入射されるが、遮光枠20に到達したEUVは、ほとんど反射されずに基板11に吸収される。このため、露光用マスク1によって反射されたEUVによりウェーハのある露光領域を露光する際に、ブラインドの開口部の外縁部分からはEUVが出射しないため、露光対象となる露光領域の隣の露光領域にEUVが照射されてしまうことがない。なお、ブラインドの開口部の形状は遮光枠20の形状に合わせて調整可能であるが、開口部の端縁の位置決めに際しては、機械的な要因による誤差が発生する。しかし、遮光枠20の幅は1mm程度あるため、この誤差を吸収することが可能である。
その後、図10(c)に示すように、露光されたレジスト膜32を現像して、レジストパターン32aを形成する。
次に、図10(d)に示すように、レジストパターン32aをマスクとして半導体基板に対して選択的に処理を施す。例えば、レジストパターン32aをマスクとしてドナーとなる不純物を注入し、半導体基板21の上層部分にN型領域33を選択的に形成する。以後、適宜通常の処理を施すことにより、半導体装置40が製造される。
本実施形態によれば、図10(b)に示す工程において、前述の第1の実施形態に係る露光用マスク1(図1参照)を使用している。前述の如く、この露光用マスクからは欠陥が除去されているため、露光用マスクの欠陥が半導体基板31に転写されることがない。以下、この効果を、本実施形態の実施例及び比較例を挙げて説明する。
(実施例)
前述の第2の実施形態に係る方法により、第1の実施形態に係る露光用マスクを実際に複数枚製造した。EUVマスクブランクスは、HOYA株式会社から購入した。このとき、図6のステップS3に示す1回目の検査において、露光用マスク1枚当たり15〜18個の欠陥が検出された。これらの欠陥は、いずれも光吸収膜が残留した黒欠陥であった。そして、ステップS5に示すパターン欠陥の修正工程において、これらの黒欠陥を全て修正した。
前述の第2の実施形態に係る方法により、第1の実施形態に係る露光用マスクを実際に複数枚製造した。EUVマスクブランクスは、HOYA株式会社から購入した。このとき、図6のステップS3に示す1回目の検査において、露光用マスク1枚当たり15〜18個の欠陥が検出された。これらの欠陥は、いずれも光吸収膜が残留した黒欠陥であった。そして、ステップS5に示すパターン欠陥の修正工程において、これらの黒欠陥を全て修正した。
その後、ステップS7において2回目の検査を行った。この検査は、パターン形成領域に電子ビームを照射して電子ビーム画像を取得することによって行ったが、チャージアップすることなく、明瞭な画像を取得することができた。そして、この検査の結果、露光用マスク1枚当たり5〜7個の欠陥が検出された。これらの欠陥は全て異物の付着であった。そこで、ステップS8において、これらの異物を除去した。これにより、第1の実施形態に係る露光用マスクが製造された。
その後、本第3の実施形態に係る方法により、この露光用マスクを使用してリソグラフィを行い、ハーフピッチが24nmの半導体装置を製造し、これを検査した。その結果、製造された半導体装置には、露光用マスクの欠陥に起因する欠陥は検出されなかった。また、配線21が転写された痕跡も認められなかった。これにより、半導体装置を歩留まりよく製造することができた。
(比較例)
比較例として、遮光枠20に配線21を形成していない露光用マスクも複数枚製造した。このとき、図6のステップS3に示す1回目の検査において、露光用マスク1枚当たり15〜18個の黒欠陥が検出された。ため、ステップS5に示すパターン欠陥の修正工程において、これらの黒欠陥を全て修正した。なお、この工程において、配線21は形成しなかった。その後、ステップS7において2回目の検査を行った。しかしながら、電子ビームの照射によりパターン形成領域がチャージアップしてしまい、取得した画像は不明瞭なものとなった。この2回目の検査においては、欠陥は認識されなかった。
比較例として、遮光枠20に配線21を形成していない露光用マスクも複数枚製造した。このとき、図6のステップS3に示す1回目の検査において、露光用マスク1枚当たり15〜18個の黒欠陥が検出された。ため、ステップS5に示すパターン欠陥の修正工程において、これらの黒欠陥を全て修正した。なお、この工程において、配線21は形成しなかった。その後、ステップS7において2回目の検査を行った。しかしながら、電子ビームの照射によりパターン形成領域がチャージアップしてしまい、取得した画像は不明瞭なものとなった。この2回目の検査においては、欠陥は認識されなかった。
その後、このようにして製造した露光用マスクを使用して、本第3の実施形態に係る方法と同様な方法により、ハーフピッチが24nmの半導体装置を製造し、これを検査した。その結果、製造された半導体装置において、露光用マスクの欠陥に起因する欠陥が検出された。これは、上述の2回目の検査において取得された画像が不明瞭であったため、検査の精度が低く、露光用マスクの欠陥が見逃され、それが半導体装置に転写されたものと考えられる。このように、比較例においては、半導体装置の歩留まりが低かった。
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。すなわち、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。例えば、遮光枠を横断する配線の太さ及び本数等は、前述の実施形態には限定されず、適宜変更しても構わない。
1 露光用マスク、10 EUVマスクブランクス、11 基板、12 光反射膜、12a モリブデン層、12b シリコン層、12c ルテニウム層、13 バッファ層、14 光吸収膜、14a タンタルボロンナイトライド(TaBN)層、14b タンタルボロンオキサイド(TaBO)層、15 積層膜、15in、15out 部分、16 露光領域、17 パターン形成領域、18 パターン、19 溝、20 遮光枠、21 配線、31 半導体基板、32 レジスト膜、32a レジストパターン、33 N型領域、40 半導体装置
Claims (5)
- 絶縁性の基板と、
前記基板上に設けられた光反射膜と、
前記光反射膜上に設けられ、前記基板上の中央領域においてパターンを形成する光吸収膜と、
前記基板上に設けられた配線と、
を備え、
前記中央領域を囲む枠状の領域においては、前記光反射膜及び前記光吸収膜は設けられておらず、
前記配線は、前記光反射膜及び前記光吸収膜からなる積層膜における前記枠状の領域の内部に配置された部分を、前記積層膜における前記枠状の領域の外部に配置された部分に電気的に接続するように配置されていることを特徴とする露光用マスク。 - 前記配線の幅は、前記パターンの最小幅よりも細いことを特徴とする請求項1記載の露光用マスク。
- 絶縁性の基板上に光反射膜が形成され前記光反射膜上に光吸収膜が形成されたマスクブランクスの中央領域において前記光吸収膜を選択的に除去してパターンを形成すると共に、前記中央領域を囲む枠状の領域において前記光吸収膜を除去する工程と、
前記枠状の領域において前記光反射膜を除去する工程と、
前記基板上に、前記光反射膜及び前記光吸収膜からなる積層膜における前記枠状の領域の内部に配置された部分を、前記積層膜における前記枠状の領域の外部に配置された部分に接続するように配線を形成する工程と、
電子ビームを照射して前記パターンを検査する工程と、
を備えたことを特徴とする露光用マスクの製造方法。 - 前記パターンを形成した後、前記光反射膜を除去する前に、電子ビームを照射して前記パターンを検査する工程をさらに備え、
前記配線の形成は、前記パターンの欠陥の修正と同じ装置を使用して同じタイミングで行うことを特徴とする請求項3記載の露光用マスクの製造方法。 - 半導体基板上にレジスト膜を形成する工程と、
請求項1または2に記載の露光用マスクを使用して前記レジスト膜を露光する工程と、
前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記半導体基板に対して選択的に処理を施す工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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