JP2013201315A - 反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 147
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 12
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONRPGGOGHKMHDT-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCN.OC1=CC=CC=C1O ONRPGGOGHKMHDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N boranylidynetantalum Chemical compound [Ta]#B XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N silicon tantalum Chemical compound [Si].[Ta] HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】基板上に、少なくとも、EUV光を反射するための多層反射層と、前記多層反射層を保護するための保護層と、EUV光を吸収する吸収層がこの順に形成された反射型マスクブランクを用いて作製された反射型マスクであって、前記吸収層に形成されたパターン領域の外側の少なくとも一部に、前記吸収層および前記保護層および前記多層反射層が除去されたEUV光の反射率の低い領域である遮光枠を備えてなり、前記遮光枠の側壁部には、前記多層反射層を構成するいずれかの層がサイドエッチングされることによって形成された周期的段差構造を備えていることを特徴とする反射型マスク。
【選択図】図1
Description
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が13.5nm近傍のEUVを光源に用いたEUVリソグラフィが提案されている。EUVリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。またEUVの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は1よりもわずかに小さい値である。このため、EUVリソグラフィにおいては従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク(以下、マスクと呼ぶ)も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。
このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板の上に、露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長の吸収層とが順次形成されており、更に基板の裏面には露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、多層反射層と、吸収層の間に緩衝層を有する構造を持つEUVマスクもある。反射形マスクブランクから反射形マスクへ加工する際には、EB(電子線)リソグラフィとエッチング技術とにより吸収層を部分的に除去し、緩衝層を有する構造の場合はこれも同じく除去し、吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。
反射光学系を用いた露光方法では、マスク面に対して垂直方向から所定角度傾いた入射角(通常6°)で照射されるため、吸収層の膜厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまい、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、転写パターンには、エッジ部のぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。これはシャドーイングと呼ばれ、反射マスクの原理的課題の一つである。
一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これはウェハ1枚あたりに取れるチップを出来るだけ増加したいという生産性向上のために、チップを高密度に配置するためである。この場合、この領域については複数回(最大で4回)に渡り露光(多重露光)されることになる。この転写パターンのチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層の部分である。しかしながら、上述したように吸収層上でのEUV光の反射率は、0.5〜2%程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまう問題があった。このため、マスク上のチップ外周部に通常の吸収層よりもEUV光の遮光性の高い領域(以下、遮光枠と呼ぶ)を設ける必要性が出てきた。
前記吸収層に形成されたパターン領域の外周部の少なくとも一部に、前記吸収層および前記保護層および前記多層反射層が除去されたEUV光の反射率の低い領域である遮光枠を備えてなり、
前記遮光枠の側壁部には、前記多層反射層を構成するいずれかの層がサイドエッチングされることによって形成された周期的段差構造を備えていることを特徴とする反射型マスクである。
吸収層に形成されたパターン領域の外側の少なくとも一部に、前記吸収層と保護層と多層反射層とが除去された、EUV光の反射率が低い領域である遮光枠を形成する遮光枠形成工程と、
前記遮光枠形成工程で露出した前記多層反射層の側壁部をエッチング処理して、前記多層反射層を構成する層のいずれかをサイドエッチングすることにより、周期的段差構造を形成するサイドエッチング工程と、からなることを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図1(a)の多層反射層2は、EUV光に対して60%程度の反射率を達成できるように設計されており、MoとSiが交互に40〜50ペア積層した積層膜で、さらに最上層
の保護層3は2〜3nm厚のRu(ルテニウム)あるいは厚さ10nm程度のSiで構成されている。Ru層の下に隣接する層はSi層である。MoやSiが使われている理由は、EUV光に対する吸収(消衰係数)が小さく、且つMoとSiのEUV光での屈折率差が大きいために、SiとMoの界面での反射率を高く出来るためである。保護層3がRuの場合は、吸収層4の加工におけるエッチングストッパーやマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。保護層3がSiの場合は、吸収層4との間に、緩衝層が有る場合もある。緩衝層は、吸収層4のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層2の最上層であるSi層を保護するために設けられており、Cr(クロム)の窒素化合物で構成されている。
図1(a)の吸収層4は、EUVに対して吸収率の高いTa(タンタル)の窒素化合物で構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物、タンタルシリコン、Taや、それらの酸化物でも良い。
図1(a)の裏面導電膜5は、一般にはクロムの窒化物で構成されているが、導電性が静電チャックが使用できる程度以上であれば良いので、絶縁性材料以外からなる材料であれば良い。
図1(a)では裏面導電膜5を有する構成で記載したが、裏面導電膜5を有さない反射型マスクブランク及び反射型マスクとしても良い。
本発明の反射型マスクの遮光枠11の形成方法について説明する。まずフォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによって、遮光枠部のみが開口したレジストパターンを形成する。次に、フッ素系もしくは塩素系ガス(あるいはその両方)を用いたドライエッチングによって、レジストパターンの開口部の吸収膜4と保護層3をエッチング除去する。次いで、多層反射層2を、フッ素系ガスまたは塩素系ガスまたはその両方を用いたドライエッチングか、アルカリ性溶液または酸性溶液を用いたウェットエッチングによって、多層反射層をエッチング除去する。
に周期的な段差構造を与えるための、ドライエッチング処理、もしくはウェットエッチング処理を追加する。
図2(a)に示した反射型マスクブランク201を使用した。これは、基板1の上に、波長13.5nmのEUV光に対して反射率が64%程度となるように設計されたMoとSiの40ペアの多層反射層2が、その上に2.5nm厚のRuの保護層3が、更にその上に70nm厚のタンタルシリサイドからなる吸収層4が、順次形成されている。
2 多層反射層
3 保護層
4 吸収層
5 裏面導電膜
9 レジスト
10 パターン領域
11 遮光枠
29 レジスト
101 本発明の反射型マスク
201 反射型マスクブランク
211 パターン領域に回路パターンが形成された反射型マスク
301 吸収層部でのEUV反射光
302 遮光枠内部でのEUV反射光
303 遮光枠エッジ部でのEUV反射光
304 遮光枠エッジ部でのEUV反射光
Claims (7)
- 基板上に、少なくとも、EUV光を反射するための多層反射層と、前記多層反射層を保護するための保護層と、EUV光を吸収する吸収層とが、この順に形成された反射型マスクブランクを用いて作製された反射型マスクであって、
前記吸収層に形成されたパターン領域の外側の少なくとも一部に、前記吸収層および前記保護層および前記多層反射層が除去されたEUV光の反射率の低い領域である遮光枠を備えてなり、
前記遮光枠の側壁部には、前記多層反射層を構成するいずれかの層がサイドエッチングされることによって形成された周期的段差構造を備えていることを特徴とする反射型マスク。 - 請求項1に記載の反射型マスクの製造方法であって、少なくとも、
吸収層に形成されたパターン領域の外周部の少なくとも一部に、前記吸収層と保護層と多層反射層とが除去された、EUV光の反射率が低い領域である遮光枠を形成する遮光枠形成工程と、
前記遮光枠形成工程で露出した前記多層反射層の側壁部をエッチング処理して、前記多層反射層を構成する層のいずれかをサイドエッチングすることにより、周期的段差構造を形成するサイドエッチング工程と、からなることを特徴とする反射型マスクの製造方法。 - 遮光枠形成工程とサイドエッチング工程をこの順に実施することを特徴とする請求項2に記載の反射型マスクの製造方法。
- 遮光枠形成工程とサイドエッチング工程を同時に実施することを特徴とする2または3に記載の反射型マスクの製造方法。
- 遮光枠形成工程とサイドエッチング工程で使用するエッチング処理に、フッ素原子または塩素原子を含むガスを使用したドライエッチングを行うことを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の反射型マスクの製造方法。
- フッ素原子もしくは塩素原子を含むガスは、少なくともCF4、C2F6、C4F8、C5F8、CHF3、SF6、ClF3、Cl2、HCl、CCl2F2のいずれかを含むガスであることを特徴とする請求項5に記載の反射型マスクの製造方法。
- 遮光枠形成工程とサイドエッチング工程で使用するエッチング処理に、少なくとも硝酸、リン酸、フッ酸、硫酸、酢酸、HF−HNO3−CH3COOH、KOH、N2H4+CH3CHOHCH3、H3PO4+HNO3のいずれかを含むエッチング液を用いて、ウェットエッチングを行うことを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の反射型マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012069181A JP5970901B2 (ja) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | 反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2012069181A JP5970901B2 (ja) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | 反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013201315A true JP2013201315A (ja) | 2013-10-03 |
JP5970901B2 JP5970901B2 (ja) | 2016-08-17 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012069181A Active JP5970901B2 (ja) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | 反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5970901B2 (ja) |
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US10036959B2 (en) | 2016-05-18 | 2018-07-31 | Toshiba Memory Corporation | Reflection mask and pattern formation method |
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-
2012
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US10036959B2 (en) | 2016-05-18 | 2018-07-31 | Toshiba Memory Corporation | Reflection mask and pattern formation method |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5970901B2 (ja) | 2016-08-17 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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