JP2009290002A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 152
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 17
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 62
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 40
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 33
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 26
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
【解決手段】位相欠陥211が生じている開口パターン204の近傍の吸収層203に、開口パターン204よりも微細な開口径を有する補助パターン301を形成する。この補助パターン301は、ウエハ上のフォトレジスト膜に開口パターン204を転写する際の露光光量を調整するためのパターンである。
【選択図】図9
Description
(a)主面にフォトレジスト膜が形成された半導体ウエハを準備する工程と、
(b)反射型光学系を有する投影露光システムのウエハステージに前記半導体ウエハを配置する工程と、
(c)前記投影露光システムの所定の位置に、所定の波長の光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され、前記所定の波長の光を吸収する吸収層とにより形成される第1パターン、および前記所定の波長の光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され、前記所定の波長の光を吸収する吸収層とにより形成される第2パターンを有する反射型マスクを供給する工程と、
(d)前記反射型マスクの前記第1および第2パターンに基づいて、前記半導体ウエハのフォトレジスト膜を前記所定の波長の光で露光する工程と、
を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記反射型マスクの前記第1パターンを形成する前記吸収層は、前記反射層を露出し、かつ、前記第1パターンに対応する第1開口パターンと、前記第1開口パターンの周囲に形成され、かつ、前記第1開口パターンと異なる補助パターンとを有し、
前記反射型マスクの前記第2パターンを形成する前記吸収層は、前記反射層を露出し、かつ、前記第2パターンに対応する第2開口パターンを有し、前記第2開口パターンの周囲に前記第2開口パターンと異なる補助パターンを有していないものである。
まず、図6に示すEUV露光装置の概略図を参照しながら、EUV露光の特徴について説明する。
本実施の形態では、前記実施の形態1で説明したマスク欠陥修正技術を実際の半導体集積回路装置の製造に適用した例について説明する。図13は2入力NANDゲート回路NDを示しており、(a)はそのシンボル図、(b)はその回路図、(c)はそのレイアウト平面図をそれぞれ示している。図13(c)において、一点鎖線で囲まれた部分は単位セル110であり、p型ウエル領域PWの表面のn+型拡散層111n上に形成された2個のnMOSトランジスタQnと、n型ウエル領域NWの表面のp+型拡散層111p上に形成された2個のpMOSトランジスタQpとから構成されている。
102a、102b、102c、102d、102e、102f 吸収層
101e、101e’、101f、101f’ 開口パターン
103e、103f 補助パターン
110 単位セル
111n n+型拡散層
111p p+型拡散層
112 導電膜
112A ゲート電極
113 金属プラグ
114A、114B、114C 配線
115 絶縁膜
116 窒化シリコン膜
117 フォトレジスト膜
117a、117b、117c、117d、117e、117f レジストパターン
118 溝
119 絶縁膜
120 ゲート絶縁膜
121a、121b、121c 層間絶縁膜
122 第2層配線
201 基板
202 反射層
203 吸収層
204 開口パターン
205 黒欠陥残り
210、210a、210b パーティクル
211 位相欠陥
220 コンタミネーション
230 半導体ウエハ
231 フォトレジスト膜
232、233、234、235、236 転写パターン
237 転写欠陥部
301、302 補助パターン
1101 EUV光
1102 反射型光学系
1103 反射型マスク
1104 光学系ボックス
1105 反射投影光学系
1106 ウエハステージ
1107 半導体ウエハ
1108 開口
1112 光線
CNT コンタクトホール
M1〜M6 マスク
NW n型ウエル領域
PW p型ウエル領域
Qn nMOSトランジスタ
Qp pMOSトランジスタ
SG 素子分離溝
S(W) 半導体ウエハ
VIA スルーホール
Claims (12)
- (a)主面にフォトレジスト膜が形成された半導体ウエハを準備する工程と、
(b)反射型光学系を有する投影露光システムのウエハステージに前記半導体ウエハを配置する工程と、
(c)前記投影露光システムの所定の位置に、所定の波長の光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され、前記所定の波長の光を吸収する吸収層とにより形成される第1パターン、および前記所定の波長の光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され、前記所定の波長の光を吸収する吸収層とにより形成される第2パターンを有する反射型マスクを供給する工程と、
(d)前記反射型マスクの前記第1および第2パターンに基づいて、前記半導体ウエハのフォトレジスト膜を前記所定の波長の光で露光する工程と、
を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記反射型マスクの前記第1パターンを形成する前記吸収層は、前記反射層を露出し、かつ、前記第1パターンに対応する第1開口パターンと、前記第1開口パターンの周囲に形成され、かつ、前記第1開口パターンと異なる補助パターンとを有し、
前記反射型マスクの前記第2パターンを形成する前記吸収層は、前記反射層を露出し、かつ、前記第2パターンに対応する第2開口パターンを有し、前記第2開口パターンの周囲に前記第2開口パターンと異なる補助パターンを有していないことをすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記反射型マスクの前記補助パターンは、前記フォトレジスト膜を所定のパターンに露光するための光量を調整するためのパターンであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項2記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記所定の波長の光は、極端紫外(Extreme Ultra Violet)光であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項3記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記反射型マスクの反射層は、モリブデン(Mo)層とシリコン(Si)層とからなる多層膜を主要な構成要素とし、前記反射型マスクの吸収層は、窒化タンタル(TaN)膜またはクロム(Cr)膜を構成要素として含有していることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記第1開口パターンの周囲に複数の補助パターンを有し、前記複数の補助パターンのうち、前記所定の波長の光の向きに平行な方向に延在する補助パターンの幅と、前記所定の波長の光の向きに直交する方向に延在する補助パターンの幅とが異なることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法:
(a)主面にフォトレジスト膜が形成された半導体ウエハを準備する工程、
(b)反射型光学系を有する投影露光システムのウエハステージに前記半導体ウエハを配置する工程、
(c)前記投影露光システムの所定の位置に、所定の波長の光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され、前記所定の波長の光を吸収する吸収層とにより形成される開口パターンを有する反射型マスクを供給する工程、
(d)前記反射型マスクの前記開口パターンに基づいて、前記半導体ウエハのフォトレジスト膜を前記所定の波長の光で露光する工程、
(e)前記(d)工程の後、前記フォトレジスト膜に転写された前記開口パターンの不良箇所を抽出する工程、
(f)前記(e)工程で抽出された前記不良の内容が、前記開口パターンの非開口不良、あるいは開口寸法微小不良である場合は、前記開口パターンの近傍の前記吸収層に、前記開口パターンよりも微細な開口径を有する補助パターンを形成する工程。 - 請求項6記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記所定の波長の光は、極端紫外光であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項7記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記極端紫外光の波長は、13.5nmであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項6記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記反射型マスクの前記反射層は、モリブデン層とシリコン層とからなる多層膜を主要な構成要素とし、前記反射型マスクの前記吸収層は、窒化タンタル膜またはクロム膜を構成要素として含有していることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項6記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記開口パターンの不良は、位相欠陥、コンタミ欠陥、または黒欠陥であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項6記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記開口パターンは、ホールパターンであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項6記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記開口パターンは、溝パターンであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008141328A JP5155017B2 (ja) | 2008-05-29 | 2008-05-29 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
TW098109583A TWI536426B (zh) | 2008-05-29 | 2009-03-24 | 半導體積體電路之製造方法 |
CN2009101390085A CN101592871B (zh) | 2008-05-29 | 2009-05-13 | 半导体集成电路器件的制造方法 |
US12/466,014 US8206889B2 (en) | 2008-05-29 | 2009-05-14 | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008141328A JP5155017B2 (ja) | 2008-05-29 | 2008-05-29 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012267486A Division JP2013093588A (ja) | 2012-12-06 | 2012-12-06 | 反射型マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009290002A true JP2009290002A (ja) | 2009-12-10 |
JP5155017B2 JP5155017B2 (ja) | 2013-02-27 |
Family
ID=41380279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008141328A Active JP5155017B2 (ja) | 2008-05-29 | 2008-05-29 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8206889B2 (ja) |
JP (1) | JP5155017B2 (ja) |
CN (1) | CN101592871B (ja) |
TW (1) | TWI536426B (ja) |
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TWI536426B (zh) | 2016-06-01 |
CN101592871B (zh) | 2013-09-04 |
TW201005799A (en) | 2010-02-01 |
US8206889B2 (en) | 2012-06-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |