JP2014521230A - Euvフォトマスクの欠陥を解析かつ除去する方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図9
Description
・フォーカス内で臨界寸法(CD)を得なければならない。
・CDに達するフォーカス範囲の処理ウィンドウを最適化しなければならない。
・修復形態を決定するときに、マスク修復システムが補正を実施することができるように設計規則を満たさなければならない。
D0=128nm+2・Δr
(4)
Drep=194nm+10.4Δ・h+0.72・Δw
Detch=Drep−C
ここで、定数Cは、例えば、20nmの範囲にあるとすることができる。
930 基準欠陥モデル
940 修復形態
945 吸収体線
950 調節された修復形態
Claims (26)
- 少なくとも1つの基板と少なくとも1つの多層構造とを含む極紫外波長範囲のための光学要素の欠陥を解析する方法であって、
a.前記欠陥を紫外放射線に露出することによって第1のデータを決定する段階、
b.走査プローブ顕微鏡を用いて前記欠陥を走査することによって第2のデータを決定する段階、
c.走査粒子顕微鏡を用いて前記欠陥を走査することによって第3のデータを決定する段階、及び
d.前記第1、前記第2、及び前記第3のデータを結合する段階、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記欠陥を少なくとも部分的に補償するために前記走査粒子顕微鏡を使用する段階を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記光学要素の前記多層構造上及び/又は吸収体構造上に材料を局所的に堆積させ、及び/又は該吸収体構造の中に局所凹部をエッチングすることによって少なくとも1つのマークを生成する段階を更に含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのマークを生成及び/又は除去するために前記走査粒子顕微鏡を使用する段階を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記第1、前記第2、及び前記第3のデータを結合する段階は、前記マークに対するずれ、及び/又は該第1、該第2、及び/又は該第3のデータのスケールに対するずれを補償する段階を含むことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の方法。
- 前記第1、前記第2、及び前記第3のデータを結合する段階は、該第1のデータの各ピクセルが、該第2のデータのピクセル及び該第3のデータのピクセルに関連付けられるように、少なくとも該第1、及び/又は該第2、及び/又は該第3のデータを変換する段階を更に含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記欠陥を紫外放射線に露出する段階は、該欠陥の少なくとも1つの空間像を記録する段階、及び/又は少なくとも1つのウェーハを露光する段階を更に含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記欠陥の少なくとも1つの空間像を記録する段階は、フォーカス内の空間像を記録する段階、及び/又は前記極紫外波長範囲のための前記光学要素に対して該フォーカスを変化させることによって空間像スタックを記録する段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記走査プローブ顕微鏡は、走査力顕微鏡、走査トンネル顕微鏡、磁気力顕微鏡、光近接場顕微鏡、又は音響走査近接場顕微鏡、又はこれらの顕微鏡の組合せであり、
前記走査粒子顕微鏡は、走査電子顕微鏡、集束イオンビーム顕微鏡、又は干渉計、又は組合せを含む、
ことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の方法。 - 前記欠陥は、前記光学要素の前記多層構造及び/又は前記基板に配置された埋め込み欠陥を含むことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも1つの前記欠陥のためのモデルのパラメータを前記結合された第1、第2、及び第3のデータに適応させる段階を更に含むことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記欠陥のための前記モデルは、高さと半幅とによってパラメータ化された回転対称ガウスプロフィールを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記欠陥のための前記モデルは、前記少なくとも1つのマークに対する該欠陥の位置に関する少なくとも2つのパラメータを更に含むことを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の方法。
- 少なくとも1つの基板と、少なくとも1つの多層構造と、少なくとも1つの吸収体構造とを含む極紫外波長範囲のためのフォトリソグラフィマスクの少なくとも1つの欠陥を少なくとも部分的に補償するための修復形態を決定する方法であって、
a.1つ又はいくつかの測定方法によって前記欠陥を解析する段階、
b.前記少なくとも1つの欠陥のためのモデルを決定する段階、及び
c.前記少なくとも1つの欠陥の前記モデルを用いて修復形態を決定する段階、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記極紫外波長範囲のための前記フォトリソグラフィマスクの前記吸収体構造に前記修復形態を適用する段階を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの欠陥を解析する段階は、
a.前記欠陥を紫外放射線に露出することによって第1のデータを決定する段階、
b.走査プローブ顕微鏡を用いて前記欠陥を走査することによって第2のデータを決定する段階、及び
c.走査粒子顕微鏡を用いて前記欠陥を走査することによって第3のデータを決定する段階、
を含む、
ことを特徴とする請求項14又は請求項15に記載の方法。 - 前記第1、前記第2、及び前記第3のデータを結合する段階を更に含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記決定された修復形態は、前記少なくとも1つの欠陥のための前記モデルの回転対称性を本質的に含むことを特徴とする請求項14から請求項17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記修復形態は、本質的に円形形状のものであることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- シミュレーションを用いて個々のパラメータを変化させることによって前記修復形態のパラメータを決定する段階を更に含むことを特徴とする請求項14から請求項19のいずれか1項に記載の方法。
- a.前記少なくとも1つの欠陥のための前記モデルの空間像を模擬することによって前記修復形態の前記パラメータを決定する段階、及び
b.前記吸収体構造の欠陥不在範囲の空間像と比較する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。 - 前記修復形態を決定する段階は、
a.前記欠陥のための前記モデルの空間像を前記修復形態を用いて模擬する段階、
b.前記模擬された空間像を前記吸収体構造の前記欠陥不在範囲の空間像と比較する段階、
c.前記模擬された空間像と前記欠陥不在範囲の前記空間像とのずれが所定の閾値よりも小さい場合に、現在のパラメータを有する修復形態を選択する段階、及び
d.前記模擬された空間像と前記欠陥不在範囲の前記空間像との前記ずれが前記所定の閾値よりも大きいか又はそれに等しい場合に、前記修復形態の前記パラメータを変更して段階a.−c.を繰り返す段階、
を含む、
ことを特徴とする請求項21に記載の方法。 - 段階b.の比較する段階は、臨界寸法の所定の変動を用いて行われることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記修復形態を決定する段階は、
a.前記修復形態のための初期パラメータを前記第1、前記第2、及び/又は前記第3のデータから決定する段階、
b.前記修復形態を用いて空間像を模擬する段階、
c.前記模擬された空間像をターゲット空間像と比較する段階、
d.前記模擬された空間像の前記ターゲット空間像からのずれが所定の閾値よりも小さい場合に、前記修復形態の前記パラメータを選択する段階、及び
e.前記模擬された空間像のターゲット空間像からの前記ずれが所定の閾値よりも大きい場合に、前記修復形態の前記パラメータを修正して段階b.、c.、及びd.を繰り返す段階、
を含む、
ことを特徴とする請求項14から請求項23のいずれか1項に記載の方法。 - 極紫外波長範囲のための光学要素の欠陥を解析するための装置であって、
a.前記欠陥の第1のデータを決定するための少なくとも1つの紫外放射線源、
b.前記欠陥の第2のデータを決定するための少なくとも1つの走査プローブ顕微鏡、
c.前記欠陥の第3のデータを決定するための少なくとも1つの走査粒子顕微鏡、及び
d.前記第1、前記第2、及び前記第3のデータを結合するようになった少なくとも1つの結合ユニット、
を含むことを特徴とする装置。 - 請求項1から請求項24のいずれか1項に記載の方法を実行するための手段を更に含むことを特徴とする請求項25に記載の装置。
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