JP2012248768A - 反射型マスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 マスク上の欠陥を検出する機構及び欠陥を修正する機構を備えたマスク欠陥修正装置を用い、マスク上の欠陥を修正する反射型マスクの欠陥修正方法であって、マスクの欠陥を、ウェハ転写光学像を模擬することにより欠陥合否判定を行うAIMSにて検出した後、マスクの検出された欠陥20の近傍位置にマスク欠陥修正装置で検出可能なマーカ30を形成する。次いで、マスク欠陥修正装置でマーカ30を検出すると共に、該マーカ30の位置を基準にして欠陥20を修正する。そして、欠陥20が修正されたマスクからマーカ30を除去する。
【選択図】 図4
Description
図1(a)〜(e)は、第1の実施形態に係わる反射型マスクの欠陥修正方法を説明するためのもので、位相欠陥付きブランクスから作製されるEUV露光用マスクの修正フローを示す工程断面図である。
図4は、第2の実施形態に係わる反射型マスクの欠陥修正方法を説明するためのもので、位相欠陥付きEUV露光用マスクの修正フローを示す工程断面図である。なお、図4中の(a1)〜(a3)は位相欠陥部の断面を示し、(b1)〜(b3)はマーク部の断面を示している。
図8は、第3の実施形態に係わるマスク欠陥修正装置を示す概略構成図である。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、マスクとしてEUV露光用マスクの例を説明したが、必ずしもEUV露光用マスクに限らず反射型マスクであれば適用可能である。また、マスクを構成する多層膜、吸収体、その他の材料は、実施形態で説明したものに限らず適宜変更可能である。
11…Mo/Si多層膜(多層反射膜)
12…Ru膜(保護層)
13…TaBN膜(吸収体)
14…低反射層(LR層)
15…導電層
16…レジスト
20…位相欠陥
30…マーカ
100…欠陥修正部
101…EB鏡筒
102…ガスノズル
200…AIMS部
201…光源
202…明視野光学系
203…検出器
300…ステージ
301…マスク
Claims (8)
- マスク上の欠陥を検出する機構及び欠陥を修正する機構を備えたマスク欠陥修正装置を用い、マスク上の欠陥を修正する反射型マスクの欠陥修正方法であって、
前記マスク欠陥修正装置により取得されたマスクパターン像に対して、ウェハ転写光学像を模擬することにより欠陥合否判定を行うAIMSにて別途取得されたウェハ転写光学模擬パターン像を参照することにより、マスク欠陥位置を特定する工程と、
前記特定されたマスク欠陥位置を元に、前記マスク欠陥修正装置で前記欠陥を修正する工程と、
を含むことを特徴とする反射型マスクの欠陥修正方法。 - マスク上の欠陥を検出する機構及び欠陥を修正する機構を備えたマスク欠陥修正装置を用い、マスク上の欠陥を修正する反射型マスクの欠陥修正方法であって、
反射型マスクの欠陥を、ウェハ転写光学像を模擬することにより欠陥合否判定を行うAIMSにて検出する工程と、
前記マスクの前記検出された欠陥の近傍位置に前記マスク欠陥修正装置で検出可能なマーカを形成する工程と、
前記マスク欠陥修正装置で前記マーカを検出すると共に、該マーカの位置を基準にして前記欠陥を修正する工程と、
前記欠陥が修正されたマスクから前記マーカを除去する工程と、
を含むことを特徴とする反射型マスクの欠陥修正方法。 - 前記マーカとして、前記マスク上に局所的にカーボンを堆積することを特徴とする請求項2記載の反射型マスクの欠陥修正方法。
- 前記マーカを形成する工程として、前記マスク上に形成されたパターンの一部をエッチングし、前記マーカを除去する工程として、前記エッチングした部分に遮光材料を堆積することを特徴とする請求項2記載の反射型マスクの欠陥修正方法。
- 前記AIMSにて前記マーカから前記欠陥までの距離を測定し、前記マスク欠陥修正装置では、前記検出したマーカから前記測定された距離の位置に欠陥があるものとして該欠陥を修正することを特徴とする請求項2乃至4の何れかに記載の反射型マスクの欠陥修正方法。
- 前記マスクは、基板上に多層反射膜を形成し、該多層反射膜上に吸収体のパターンを形成したものであることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の反射型マスクの欠陥修正方法。
- ステージ上に載置されたマスクの欠陥検出機能及び欠陥修正機能を備えたマスク欠陥修正機構と、
前記ステージ上に載置された前記マスクに対してウェハ転写像を模擬することにより欠陥合否判定を行うAIMS機構と、
を具備し、
前記各機構の前記ステージが共通であり、該ステージが前記マスク欠陥修正機構と前記AIMS機構で移動可能となっていることを特徴とするマスク欠陥修正装置。 - 前記マスク欠陥修正機構は、前記マスク上で電子ビームを走査する光学系と、前記マスクが収容された空間にエッチングガス又は堆積ガスを供給するガス導入系を有し、欠陥修正のために、前記ガスを導入すると共に、前記AIMS機構で検出された欠陥の位置に前記電子ビームを照射することを特徴とするマスク欠陥修正装置。
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