KR101962830B1 - 사전 정렬 측정 장치 및 방법 - Google Patents

사전 정렬 측정 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101962830B1
KR101962830B1 KR1020177020995A KR20177020995A KR101962830B1 KR 101962830 B1 KR101962830 B1 KR 101962830B1 KR 1020177020995 A KR1020177020995 A KR 1020177020995A KR 20177020995 A KR20177020995 A KR 20177020995A KR 101962830 B1 KR101962830 B1 KR 101962830B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
wafer stage
correction
stage
ccd
Prior art date
Application number
KR1020177020995A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170105024A (ko
Inventor
롱 두
다웨이 유
천후이 유
Original Assignee
상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 filed Critical 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20170105024A publication Critical patent/KR20170105024A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101962830B1 publication Critical patent/KR101962830B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
    • G01B11/272—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7011—Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

사전 정렬 측정 장치가 개시되며, 상기 사전 정렬사전 정렬치는 빛의 전달 방향으로 배치된, 레이저, 제1 실린더형 렌즈, 제1 이미징 렌즈, 조명판, 제2 이미징 렌즈, 제2 실린더형 렌즈 및 CCD 검출기를 포함하되, 상기 레이저, 측정 대상 및 CCD 검출기는 상기 사전 정렬을 위한 측정 장치에 의해 형성되는 삼각형의 각 꼭지점에 배열되고, 광 빔이 레이저에서 방출되어 직선 빔으로 변환되며, 그리고 수평 배율과 수직 배율이 서로 다른 CCD 이미지를 형성하기 위해, 상기 직선 빔은 상기 측정 대상에 의해 반사되어 제2 실린더형 렌즈를 통과함으로써, 수평 해상도와 수직 해상도가 수평 측정 범위와 수직 측정 범위와 각각 정합되고, 상기 CCD 이미지는 측정 대상과 웨이퍼 스테이지에 의해 정의된 단차의 위치와 높이에 대한 정보를 포함한다.

Description

사전 정렬 측정 장치 및 방법
본 발명은 집적 회로(IC) 제조 장비 분야에 관한 것으로서, 특히 리소그래피 웨이퍼 및 기판을 사전에 정렬하기 위한 측정 장치 및 방법에 관한 것이다.
포토리소그래피 도구는 마이크로 전자 장치를 제조하는데 필수적이다. 일반적으로 포토리소그래피 도구는 매우 제한적인 시야를 가지므로, 웨이퍼를 포토리소그래피 도구의 스테이지 상에서 노광하기 전에 포토리소그래피 도구의 시야 내에 위치하도록 사전 정렬해야 한다. 따라서, 웨이퍼의 사전 정렬은 포토리소그래피 도구에 의해 웨이퍼를 노광하는 과정의 중요한 일부를 차지한다.
일반적으로, 사전 정렬은 기계적 또는 광학적인 방식으로 실행할 수 있다. 광학적인 사전 정렬은 기계적인 방식에 비해 정밀성이 더 높지만 고가이다. 광학적인 사전 정렬 과정은 정밀 광학을 이용하여 웨이퍼의 엣지와 노치를 검출하는 단계, 알고리즘에 따라 웨이퍼를 중심에 두는 단계, 및 선형 전하 결합 소자(CCD)를 센서로 사용하여 웨이퍼를 검출하는 단계를 포함한다.
광학적인 사전 정렬을 위해 흔히 사용되는 장치는 두 가지 종류로 나눌 수 있다.
도 1에 나타난 바와 같이, 한 종류는 투과 방식으로 작동하는 것으로서, 조사부와 이미지부가 측정 대상, 즉 웨이퍼의 양면에 배치된다. 측정 대상은 광을 투과하지 않으므로, 측정 대상의 경계선이 CCD 검출기 상에 이미지화되고, 상기 경계선의 이미지에 근거하여 웨이퍼의 위치(예를 들면, 수직 위치 및 수평 위치)와 자세(예를 들면, 기울기)를 산출할 수 있다. 실제로 사용시, 이러한 접근법은 주로 두 개의 쟁점과 관련된다. 1) 측정 대상이 노치나 플랫이 가공되지 않은 접합 웨이퍼이면, 빛이 차단되어 웨이퍼의 자세를 확인할 수 없다. 2) 글래스 기판에는 화질이 떨어진다.
다른 한 종류는, 도 2에 도시된 바와 같이, 반사 방식으로 작동하는 것으로서, 기판(즉, 캐리어 웨이퍼)과 웨이퍼의 서로 다른 반사율을 이용하여 웨이퍼 노치를 식별할 수 있다. 그러나, 반사 방식 사전 정렬 장치는 두 가지 주요 쟁점과 관련이 있다. 1) 보통 본딩이나 다른 공정의 결과로 웨이퍼 노치에 작은 프로파일 불규칙성이 나타나고, 이는 장치의 화질과 신뢰성을 저해하는 경향이 있다. 2) 상기 반사 방식 사전 정렬 장치는 간섭에 취약하다. 웨이퍼를 척(1) 상에 배치한 후, 도 3에 도시된 바와 같이, 척(1)에 있는 고리형 홈들(1a, 1b 및 1c)도 CCD 검출기 상에 이미지로 형성됨으로써, (도 4에 도시된 바와 같이) 캡쳐한 이미지에서 웨이퍼 엣지를 식별하는 것이 어렵다.
"웨이퍼 사전 정렬기 및 이를 위한 방법"이라는 제목을 가진 특허 공보 제 CN102402127A는 높이 차를 이용한 측정 장치를 제공한다. 그러나 이 장치는 수직 배율과 수평 배율 사이의 관계를 고려하지 않아 해상도가 충분하지 않다. 또한, 상기 패턴에서 개시된 보정(calibration)으로는 수평 측정치를 제공하지 못한다.
종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 사전 정렬을 위한 측정 장치를 제공한다.
상기 사전 정렬을 위한 측정 장치는 빛의 전달 방향으로 배치된, 레이저, 제1 실린더형 렌즈, 제1 이미징 렌즈, 조명판, 제2 이미징 렌즈, 제2 실린더형 렌즈 및 CCD 검출기를 포함한다. 측정 대상이 제1 실린더형 렌즈와 제1 이미징 렌즈 사이에 배열되고 웨이퍼 스테이지에 의해 이송되며, 상기 레이저, 측정 대상 및 CCD 검출기는 상기 사전 정렬을 위한 측정 장치에 의해 형성되는 삼각형의 각 꼭지점에 배열되고, 상기 삼각형의 일면은 상기 측정 대상의 일면에 수직이고 상기 측정 대상의 엣지에 접하며, 광 빔이 레이저에서 방출되어 상기 제1 실린더형 렌즈를 통과한 후 직선 빔으로 변환되며, 그리고 수평 배율과 수직 배율이 서로 다른 CCD 이미지를 형성하기 위해, 상기 직선 빔은 상기 측정 대상에 의해 반사되어 제2 실린더형 렌즈를 통과함으로써, 수평 해상도와 수직 해상도가 수평 측정 범위와 수직 측정 범위와 각각 정합되고, 상기 CCD 이미지는 측정 대상과 웨이퍼 스테이지에 의해 정의된 단차의 위치와 높이에 대한 정보를 포함한다.
상기 측정 장치는 상면이 웨이퍼 스테이지의 상면과 평면을 이루도록 웨이퍼 스테이지에 배치된 보정 표식판을 더 포함할 수 있다.
상기 보정 표식판 상에 제공된 보정 표식은 서로 다른 반사율을 가지는 두 개의 직사각형 패턴을 구비할 수 있다.
또한, 빛의 전달 방향으로 배치된, 레이저, 제1 실린더형 렌즈, 제1 이미징 렌즈, 조명판, 제2 이미징 렌즈, 제2 실린더형 렌즈 및 CCD 검출기를 포함하되, 웨이퍼 스테이지가 상기 제1 실린더형 렌즈와 제1 이미징 렌즈 사이에 배열된 측정 대상을 이송하고, 상기 레이저, 측정 대상 및 CCD 검출기는 사전 정렬을 위한 측정 장치에 의해 형성된 삼각형의 각 꼭지점에 배열되고, 상기 삼각형의 일면은 상기 측정 대상의 일면에 수직이고 상기 측정 대상의 엣지에 접하는, 상기 사전 정렬을 위한 측정 장치를 이용하여, 보정 표식을 가지는 웨이퍼 스테이지의 위치를 보정하는 방법이 개시된다. 상기 보정 방법은
1) 상기 웨이퍼 스테이지를 z 방향으로 점증적으로 이동하는 단계,
2) 각 수직 위치 z i에서, 상기 웨이퍼 스테이지를 x 방향으로 점증적으로 이동하는 단계,
3) 각 소정 위치에서, 상기 레이저에 의해 광 빔을 방출하고, 상기 광 빔을 상기 제1 실린더형 렌즈에 의해 직선 빔으로 변환하고, 상기 직선 빔을 상기 웨이퍼 스테이지 상의 측정 대상 상으로 조사하고, CCD 이미지에서 상기 측정 대상으로부터 반사된 선분을 검출하고, 상기 제2 실린더형 렌즈로 인해 상기 반사된 선분은 서로 다른 수평, 수직 배율을 가짐으로써 수평 해상도와 수직 해상도가 수평 측정 범위와 수직 측정 범위와 각각 정합되고, 상기 CCD 이미지에서 상기 반사된 선분의 다수 위치를 획득하고, 교점의 위치(u i, v i)를 결정하며, 여기서 u와 v는 상기 CCD 이미지의 좌표계에서 수평 및 수직 좌표를 각각 나타내고, i는 양의 정수인 단계,
4) 상기 각 위치(u i, v i)에 해당하는 웨이퍼 스테이지 상의 점의 위치(x i, z i) 를 기록하고, 여기서 z i는 상기 위치들(u i, v i)의 검출시 웨이퍼 스테이지가 위치한 수직 위치를 나타내고, x i,는 (u i, v i)가 검출된 순간에 웨이퍼 스테이지가 위치한 수평 위치와 웨이퍼-스테이지 좌표계에서 표식 교점의 각 위치를 합산하여 결정된 웨이퍼의 영점 위치를 기준으로 하는 좌표계에서 상기 표식 교점의 위치들을 나타내는 단계, 및
5) CCD 이미지들에서 교점의 위치들(u i, v i)과 웨이퍼-스테이지 좌표계에서 상기 표식 교점의 위치들(x i, z i)을 상관하는 단계를 포함한다.
단계 3)에서, 상기 CCD 이미지에서 상기 반사된 선분의 다수 위치들을 직선 검출 알고리즘에 의해 검출할 수 있다.
단계 3)에서, 상기 교점의 위치(u i, v i)를 결정하는 단계는, 상기 보정 표식을 위한 일차원 그레이 분포 곡선을 그리기 위해, 상기 반사된 선분의 점들의 위치에 근거하여, 상기 반사된 선분의 시작점에서 끝점까지 각 지점에 해당하는 CCD 검출기 그레이 값을 추출하는 단계, 및 기울기 극값 방법을 이용하여, 상기 일차원 그레이 분포 곡선으로부터 상기 교점의 위치(u i, v i)를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
사전 정렬 측정 장치의 측정 방법은
1) 위에서 정의한 방법을 이용하여, 상기 CCD 이미지들에서 상기 교점의 위치들(u i, v i)과 상기 웨이퍼-스테이지 좌표계에서 상기 교점의 위치들(x i, z i) 간의 상관관계를 획득하는 단계,
2) 상기 측정 대상과 측정 대상을 이송하는 웨이퍼 스테이지에 대해 N개의 단차 변화점들의 위치(u i, v i)를 산출하고, 여기서 u와 v는 상기 CCD 이미지들의 좌표계에서 각각 수평 및 수직 좌표를 나타내고, j는 1에서 N의 범위에 있는 양의 정수인 단계,
3) 단계 1)에서 획득한, 상기 CCD 이미지들에서 상기 교점의 위치들(u i, v i)과 상기 웨이퍼-스테이지 좌표계에서 상기 교점의 위치들(x i, z i) 간의 상관관계에 근거하여, 상기 N개의 단차 변화점들 각각에 대해, 인터폴레이션에 의해 높이 차 ΔZ i와 x-위치 좌표 X i를 산출하는 단계,
4) 상기 측정 대상의 공칭 두께에 근거하여, 측정 대상의 엣지를 나타내는 상기 N개의 단차 변화점들 중 하나의 위치(X k , ΔZ k)를 결정하고, 여기서 k는 1에서 N의 범위에 있는 양의 정수인 단계, 및
5) 상기 측정 대상의 엣지의 위치에 근거하여, 측정 대상의 중심 위치를 결정하여 상기 사전 정렬 측정 장치에 의해 사전 정렬을 실행하는 단계를 포함한다.
종래 기술에 비해, 본 발명에 따르면, 상기 측정 대상과 캐리어 간의 높이 차를 산출하고 이를 측정 대상의 공칭 두께와 비교한다. 이로써, 웨이퍼 정렬을 위한 척 홈들로부터의 간섭을 제거하고, 수평, 수직 해상도의 정합을 보장하면서도 결합 웨이퍼들을 보다 신뢰성 있게 사전 정렬할 수 있도록 한다.
본 발명의 장점과 기술은 하기 상세한 설명과 첨부된 도면으로부터 보다 더 이해될 수 있다.
도 1은 종래의 투과 방식의 사전 정렬 장치를 도시하는 구조도이다.
도 2는 종래의 반사 방식의 사전 정렬 장치를 도시하는 구조도이다.
도 3은 척에 있는 고리형 홈들을 개략적으로 도시한다.
도 4는 CCD 검출기에 의해 캡쳐된 상기 고리형 홈들의 이미지를 도시한다.
도 5는 본 발명에 따른, 사전 정렬을 위한 측정 장치를 도시한 구조도이다.
도 6은 단차로부터 빛을 이용한 이미지 형성을 도시하는 개략도이다.
도 7은 웨이퍼 스테이지에서의 보정 표식판을 도시하는 개략도이다.
도 8은 상기 보정 표식판의 이미지 형성을 개략적으로 도시한다.
도 9는 CCD 검출기 상의 보정 표식판의 이미지를 도시한다.
도 10은 보정된 위치들을 도시한다.
도 11은 보정 표식의 1차원 그레이 분포 곡선을 도시한다.
도 12는 본 발명에 따른 웨이퍼 사전 정렬을 개략적으로 도시한다.
도 13은 본 발명에 따른 웨이퍼 사전 정렬시 형성된 이미지를 도시한다.
첨부된 도면을 참조하여, 본 발명을 하기에 상세히 설명할 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 사전 정렬을 위한 측정 장치를 도시하는 구조도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 레이저(2), 제1 실린더형 렌즈(3), 제1 이미징 렌즈(4), 조명판(5), 제2 이미징 렌즈(6), 제2 실린더형 렌즈(7) 및 CCD 검출기(8)을 구비한다. 상기 레이저(2)에서 방출된 빛은 제1 실린더형 렌즈(3)에 의해 선형 빔의 형태가 되고, 이후 단차(높이차)를 가진 측정 대상(9)을 조사한다. 상기 측정 대상은 종래의 웨이퍼, 특히 접합 웨이퍼이거나 글래스 기판일 수 있다. 상기 단차는 측정 대상의 엣지부와 캐리어 표면에 의해 정의된다. 측정 대상(9)에 의해 반사된 후, 상기 광 빔은 이미지를 형성하고 이후 이 이미지는 상기 광 빔이 제1 이미징 렌즈(4)와 제2 이미징 렌즈(6)를 연속적으로 통과한 후 확대된다. 이미지 면의 방향 u 와 v 는 상기 단차의 위치와 높이를 각각 반영한다. 구체적으로, 예를 들면, 상기 단차에서 나온 광 빔의 이미지들의 서로 다른 위치를 나타내는 도 6을 참조할 수 있다. 입사광(20)이 상기 단차에서 반사된 후, 두 개의 반사 광 빔(21a와 21b)이 형성된다. 상기 단차는 측정 대상의 표면(9a)과 캐리어(예를 들면, 척)의 표면(9b) 간의 높이 차에 의해 정의된다. 상기 반사 광 빔(21a)은 입사광(20)이 측정 대상의 표면(9a)에 반사됨으로써 생기고, 상기 반사 광 빔(21b)은 입사광(20)이 캐리어의 표면(9b)에 반사됨으로써 생긴다. 도 6에서 보듯이, 상기 이미지의 u 방향은 측정 대상(9)과 캐리어 사이의 단차에 대한 위치 정보, 즉 측정 대상(9)의 엣지부의 위치 정보를 포함한다. 상기 이미지의 v 방향은 측정 대상(9)과 캐리어 사이의 단차에 대한 높이 정보, 즉 측정 대상(9)의 두께 정보를 포함한다. 상기 두 개의 방향에 대해 정밀도와 시야에 대한 요구 사항이 다르기 때문에, u 와 v 방향으로 서로 다른 배율이 가능하도록, 제2 실린더형 렌즈(7)는 제2 이미징 렌즈(6)의 하방에 제공된다. 상기 광은 마침내 CCD 검출기(8)의 검출면에 도달한다.
u 와 v 방향의 서로 다른 배율로 인해, 수평, 수직 해상도가 이들 방향의 측정 범위에 맞춰지게 된다.
상기 측정 대상(9)은, 예를 들어, 웨이퍼나 글래스 기판이다. 본 실시예는 측정 대상이 웨이퍼임을 예로 들어 설명한다. 상기 측정 대상(9)은 매끈하거나 거친 표면을 가질 수 있다. 상기 측정 대상(9)의 표면이 거친 경우에 발생하는 굴절 광의 영향을 감소시키기 위해, 조명판(5)을 제1 이미징 렌즈(4)의 하방에 배치한다.
사전 정렬을 위한 측정을 실시하기 위해, 우선 캐리어의 위치, 즉 웨이퍼 스테이지의 위치를 조정한다. 앞서 언급한 척은 측정 대상과 직접적으로 접촉하는 웨이퍼 스테이지의 일부이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 보정 표식판(10)의 상부가 웨이퍼 스테이지 상부와 동일 평면상에 있도록 보정 표식판(10)을 웨이퍼 스테이지에 배치한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 보정 표식판은 반사율이 상당히 다른 두 개의 결합된 패턴들(10a와 10b)로 구성된다. 제조 및 CCD에 의한 검출을 용이하게 하기 위해, 본 실시예에서는, 상기 두 개의 패턴들(10a와 10b)은 직사각형 형태를 갖는다. 그러나 상기 패턴들은 또한 다른 적절한 형태를 가질 수 있으므로, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 레이저에서 방출된 광 빔은 보정 표식판(10)에서 반사되어 최종적으로 CCD 검출기 상에 이미지를 형성한다. 선형 레이저에서 나온 광 빔이 선분(11)의 형태로 보정 표식판(10)을 조사하고, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 보정 표식판(10)에 의해 반사된 결과, 선분(11)은 교점(12)에서 패턴(10a 및 10b) 간의 경계선을 가로지르고, 상기 광 빔은 CCD 검출기 상에 이미지를 형성한다. 이 이미지는 교점(12)에 해당하는 교점(82)을 포함하는 선분(81)이 된다.
웨이퍼 스테이지의 교점(12)은 CCD 이미지의 교점(82)에 해당하여 웨이퍼 스테이지의 높이, 즉 웨이퍼 스테이지의 z 위치가 변하면, 상기 교점(82)의 v 위치가 따라서 변한다. 또한, 웨이퍼 스테이지가 x 방향으로 수평 이동하면, CCD 이미지의 상기 교점(82)은 u 방향으로 이동한다.
이러한 대응 관계에 근거하여, (예를 들면, 좌표 (u, v)로 표현되는) CCD 이미지의 교점(82)과 (예를 들면, 좌표 (x, z)로 표현되는) 웨이퍼 스테이지의 교점(12)간의 상관관계를 일련의 단계를 포함하는 보정 과정에 의해 설정할 수 있다.
상기 보정 과정은 주로 다음과 같은 단계들을 포함한다:
단계 1: 웨이퍼 스테이지를 수직으로, 즉 z 방향으로 점증적으로 이동하는 단계;
단계 2: 각 수직 위치 z i,에서, 웨이퍼 스테이지를 수평으로, 즉 x 방향으로 점증적으로 이동하는 단계;
단계 3: 각 소정 위치에서, 레이저 광의 반사된 선분을 검출하고, CCD 이미지 상의 상기 선분의 위치를 획득하고, 교점(82)의 위치 (u i, v i)를 결정하며, i는 양의 정수인 단계:
단계 4: 상기 교점의 각 위치(u i, v i)에 대해, 웨이퍼 스테이지 상의 해당 교점의 위치(x i, z i) 를 기록하고, 여기서 z i는 (u i, v i)가 검출된 순간에 웨이퍼 스테이지가 위치한 수직 위치를 나타내고, x i,는 (u i, v i)가 검출된 순간에 웨이퍼 스테이지가 위치한 수평 위치와 웨이퍼-스테이지 좌표계 상의 교점(12)의 위치(x i, z i)를 합산하여 결정된 웨이퍼의 영점 위치를 기준으로 하는 좌표계 상의 교점(12)의 위치를 나타낸다. 상기 조정된 위치는 도 10에 도시되어 있다. 그와 같이, CCD 이미지들 상의 교점(82)의 위치들(u i, v i)과 웨이퍼-스테이지 좌표계 상의 교점(12)의 위치들(x i, z i) 간의 상관관계가 상기 보정 과정에 의해 설정된다.
상기 보정 과정의 단계 3에서, 선분의 위치는 직선 검출 알고리즘(예를 들면, IEEE Transactions on Pattern Analysis and Machine Intelligence, Vol. 32, No. 4, pp. 722-732, April, 2010에 실린 Rafael Grompone von Gioi, Jeremie Jakubowicz, Jean-Michel Morel, 및 Gregory Randall의 "LSD: A Fast Line Segment Detector with a False Detection Control")을 이용하여 검출할 수 있다.
상기 보정 과정의 단계 3에서, 도 11에 나타난 바와 같이, 상기 선분이 검출된 위치에 근거하여, 상기 선분의 시작점과 마지막 점까지 각각의 점에 대해, 보정 표식을 위한 그레이 분포 곡선을 그리기 위해 CCD 검출기 상의 해당 그레이 값을 추출한다. 상기 그레이 분포 곡선으로부터, 상기 두 개의 소재들간의 교점(82)의 위치(u i, v i)를 기울기 극값 방법(gradient extremal method)을 사용하여 결정할 수 있다.
도 12에 나타난 바와 같이, 측정 대상(예를 들면 웨이퍼)을 캐리어(예를 들면, 웨이퍼 스테이지의 척) 상에 배치한 상태로, 도 13에 나타난 바와 같이 직선 레이저 광이 측정 대상에 조사되면 CCD 이미지가 형성된다. 이후 단차 변화를 나타내는 CCD 이미지상의 점들 A, B, C 및 D의 위치들(u i, v i)을 산출한다. 보정 과정에서 기록된 데이터에 근거하여, 상기 점들 중 하나에 해당하는 웨이퍼-스테이지 좌표계의 각 위치(x i, z i)를 결정할 수 있다. 이후, 상기 점들 중 각 두 지점간의 높이 차Δz j 를 산출한다. 즉, Δz 1=Δz B-Δz A , Δz 2=Δz C-Δz B 및 Δz 3=Δz D-Δz C .
측정 대상과 캐리어에 의해 정의되는 단차가 Δz 2에 해당하는 상기 두 개의 점, 즉 점 B와 C 중 하나에 위치함을 알 수 있도록, 절대값이 웨이퍼의 공칭 두께(nominal thickness) (본 실시예에서는 Δz 2)에 가장 가까운 Δz j 를 선택한다. 또한, 점 B와 C의 z 값들을 비교해보면, 점 B가 웨이퍼 엣지를 나타내는 점들 중 하나임을 알 수 있고, 점 B의 위치 데이터 (x B , z B)도 결정될 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼 엣지의 위치에 근거하여, 웨이퍼 중심의 위치를 원형 피팅 혹은 직사각형 피팅에 의해서 결정할 수 있다.
발명의 범위를 제한하는 것이 아니라, 발명의 주제를 설명하기 위해, 본 발명의 몇몇 소정의 바람직한 실시예만 여기에 개시하였다. 관련 기술 분야의 당업자들이 논리적 분석, 참조 혹은 제한적인 실험에 의해서 실시하는 모든 실시예들은 발명의 범위에 포함된다.
2: 레이저 3: 제1 실린더형 렌즈
4: 제1 이미징 렌즈 5: 조명판
6: 제2 이미징 렌즈 7: 제2 실린더형 렌즈
8: CCD 검출기 9: 측정 대상

Claims (9)

  1. 사전 정렬을 위한 측정 장치에 있어서,
    빛의 전달 방향으로 배치된, 레이저, 제1 실린더형 렌즈, 제1 이미징 렌즈, 조명판, 제2 이미징 렌즈, 제2 실린더형 렌즈 및 CCD 검출기를 포함하고,
    측정 대상이 빛의 전달 방향을 따라 제1 실린더형 렌즈와 제1 이미징 렌즈 사이에 배열되고 웨이퍼 스테이지에 의해 이송되며,
    광 빔이 레이저에서 방출되어 상기 제1 실린더형 렌즈를 통과한 후 직선 빔으로 변환되고,
    수평 배율과 수직 배율이 서로 다른 CCD 이미지를 형성하기 위해, 상기 직선 빔은 측정 대상의 엣지를 조사하고 상기 측정 대상에 의해 반사되어 제2 실린더형 렌즈를 통과함으로써, 상기 CCD 이미지는 측정 대상의 엣지와 웨이퍼 스테이지에 의해 정의된 단차의 위치와 높이에 대한 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는, 사전 정렬을 위한 측정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상면이 웨이퍼 스테이지의 상면과 평면을 이루도록 웨이퍼 스테이지에 배치된 보정 표식판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 사전 정렬을 위한 측정 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 보정 표식판상에 제공된 보정 표식은 서로 다른 반사율을 가지는 두 개의 직사각형 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는, 사전 정렬을 위한 측정 장치.
  4. 빛의 전달 방향으로 배치된, 레이저, 제1 실린더형 렌즈, 제1 이미징 렌즈, 조명판, 제2 이미징 렌즈, 제2 실린더형 렌즈 및 CCD 검출기를 포함하고, 웨이퍼 스테이지의 보정 표식이 빛의 전달 방향을 따라 상기 제1 실린더형 렌즈와 제1 이미징 렌즈 사이에 배열되고, 상기 보정 표식은 서로 다른 반사율을 가지는 두 개의 패턴을 포함하고 상기 두 개의 패턴 간의 경계선을 정의하는, 사전 정렬을 위한 측정 장치를 이용하여, 보정 표식을 가지는 웨이퍼 스테이지의 위치를 보정하는 방법에 있어서,
    1) 상기 웨이퍼 스테이지를 z 방향으로 점증적으로 이동하는 단계;
    2) 각 수직 위치 z i에서, 상기 웨이퍼 스테이지를 x 방향으로 점증적으로 이동하는 단계;
    3) 각 소정 위치에서, 상기 레이저에 의해 광 빔을 방출하고, 상기 광 빔을 상기 제1 실린더형 렌즈에 의해 직선 빔으로 변환하고, 상기 광 빔이 웨이퍼 스테이지 상의 표식 교점을 형성하도록 상기 보정 표식의 패턴들 간의 경계선을 가로지르도록 상기 직선 빔을 상기 웨이퍼 스테이지 상의 보정 표식 상으로 조사하고, CCD 이미지에서 상기 보정 표식으로부터 반사된 선분을 검출하고, 상기 제2 실린더형 렌즈로 인해 상기 반사된 선분은 서로 다른 수평, 수직 배율을 가짐으로써, 상기 CCD 이미지에서 상기 반사된 선분의 다수 위치를 획득하고, 상기 웨이퍼 스테이지 상의 상기 표식 교점에 해당하는 반사 선분에서의 교점의 위치(u i, v i)를 결정하며, 여기서 u와 v는 상기 CCD 이미지의 좌표계에서 수평 및 수직 좌표를 각각 나타내고, i는 양의 정수인 단계;
    4) 상기 각 위치(u i, v i)에 해당하는 웨이퍼 스테이지 상의 표식 교점의 위치(x i, z i) 를 기록하고, 여기서 z i는 상기 위치들(u i, v i)의 검출시 웨이퍼 스테이지가 위치한 수직 위치를 나타내고, x i는 (u i, v i)가 검출된 순간에 웨이퍼 스테이지가 위치한 수평 위치와 웨이퍼-스테이지 좌표계에서 표식 교점의 각 위치를 합산하여 결정된 웨이퍼의 영점 위치를 기준으로 하는 좌표계에서 상기 표식 교점의 위치들을 나타내는 단계; 및
    5) CCD 이미지들에서 교점의 위치들(u i, v i)과 웨이퍼-스테이지 좌표계에서 상기 표식 교점의 위치들(x i, z i)을 상관하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 보정 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    단계 3)에서, 상기 CCD 이미지에서 상기 반사된 선분의 다수 위치들을 직선 검출 알고리즘에 의해 검출하는 것을 특징으로 하는 보정 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    단계 3)에서, 상기 교점의 위치(u i, v i)를 결정하는 단계는,
    상기 보정 표식을 위한 일차원 그레이 분포 곡선을 그리기 위해, 상기 반사된 선분의 점들의 위치에 근거하여, 상기 반사된 선분의 시작점에서 끝점까지 각 지점에 해당하는 CCD 검출기 그레이값을 추출하는 단계; 및
    기울기 극값 방법을 이용하여, 상기 일차원 그레이 분포 곡선으로부터 상기 교점의 위치(u i, v i)를 결정하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 보정 방법.
  7. 사전 정렬 측정 장치를 위한 측정 방법에 있어서,
    1) 제4항에서 정의한 방법을 이용하여, 상기 CCD 이미지들에서 상기 교점의 위치들(u i, v i)과 상기 웨이퍼-스테이지 좌표계에서 상기 교점의 위치들(x i, z i) 간의 상관관계를 획득하는 단계;
    2) 측정 대상과 측정 대상을 이송하는 웨이퍼 스테이지에 대해 N개의 단차 변화점들의 위치(u i, v i)를 산출하고, 여기서 u와 v는 상기 CCD 이미지들의 좌표계에서 각각 수평 및 수직 좌표를 나타내고, j는 1에서 N의 범위에 있는 양의 정수인 단계;
    3) 단계 1)에서 획득한, 상기 CCD 이미지들에서 상기 교점의 위치들(u i, v i)과 상기 웨이퍼-스테이지 좌표계에서 상기 교점의 위치들(x i, z i) 간의 상관관계에 근거하여, 상기 N개의 단차 변화점들 각각에 대해, 인터폴레이션에 의해 높이 차 ΔZ i와 x-위치 좌표 X i를 산출하는 단계;
    4) 상기 측정 대상의 공칭 두께에 근거하여, 측정 대상의 엣지를 나타내는 상기 N개의 단차 변화점들 중 하나의 위치(X k, ΔZ k)를 결정하고, 여기서 k는 1에서 N의 범위에 있는 양의 정수인 단계; 및
    5) 상기 측정 대상의 엣지의 위치에 근거하여, 측정 대상의 중심 위치를 결정하여 상기 사전 정렬 측정 장치에 의해 사전 정렬을 실행하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    단계 2)에서 N은 4인 것임을 특징으로 하는 측정 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    단계 4)에서 상기 측정 대상의 중심 위치의 좌표는 원형 피팅 또는 직사각형 피팅에 의해 결점되는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
KR1020177020995A 2014-12-31 2015-12-30 사전 정렬 측정 장치 및 방법 KR101962830B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410845231.2A CN105807579B (zh) 2014-12-31 2014-12-31 一种硅片和基板预对准测量装置和方法
CN201410845231.2 2014-12-31
PCT/CN2015/099749 WO2016107573A1 (zh) 2014-12-31 2015-12-30 一种预对准测量装置和方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170105024A KR20170105024A (ko) 2017-09-18
KR101962830B1 true KR101962830B1 (ko) 2019-03-27

Family

ID=56284297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177020995A KR101962830B1 (ko) 2014-12-31 2015-12-30 사전 정렬 측정 장치 및 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10197390B2 (ko)
JP (1) JP6502504B2 (ko)
KR (1) KR101962830B1 (ko)
CN (1) CN105807579B (ko)
SG (1) SG11201705393QA (ko)
TW (1) TWI585550B (ko)
WO (1) WO2016107573A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107976875B (zh) * 2016-10-24 2020-09-29 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种基片对准装置及对准方法
TWI629468B (zh) * 2017-06-08 2018-07-11 中國鋼鐵股份有限公司 Steel strip trimming quality detecting device and detecting method thereof
US11263755B2 (en) * 2020-07-17 2022-03-01 Nanya Technology Corporation Alert device and alert method thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100808702B1 (ko) 1998-07-07 2008-02-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 웨이퍼 표면 상의 결함을 검출하기 위한 픽셀-기초식 방법, 장치 및 광학 헤드
KR100949170B1 (ko) 2005-06-13 2010-03-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 수동 레티클 툴, 리소그래피 장치 및 리소그래피 툴 내의디바이스를 패터닝하는 방법

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2862311B2 (ja) * 1990-02-23 1999-03-03 キヤノン株式会社 面位置検出装置
JPH05152186A (ja) * 1991-05-01 1993-06-18 Canon Inc 測定装置及び露光装置及び露光装置の位置決め方法
JPH0653117A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Hitachi Ltd アライメント方法及びその装置
JPH0766120A (ja) * 1993-08-26 1995-03-10 Canon Inc 面位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
US5625453A (en) * 1993-10-26 1997-04-29 Canon Kabushiki Kaisha System and method for detecting the relative positional deviation between diffraction gratings and for measuring the width of a line constituting a diffraction grating
US6046812A (en) * 1997-05-29 2000-04-04 Korea Atomic Energy Research Institute Shape-measuring laser apparatus using anisotropic magnification optics
JP3286246B2 (ja) * 1998-03-31 2002-05-27 住友重機械工業株式会社 変形フレネルゾーンプレートを用いた位置検出方法及び位置検出装置
US6162008A (en) * 1999-06-08 2000-12-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Wafer orientation sensor
JP2002286429A (ja) * 2001-03-22 2002-10-03 Konica Corp 表面検査方法及び装置
JP3903889B2 (ja) * 2001-09-13 2007-04-11 株式会社日立製作所 欠陥検査方法及びその装置並びに撮像方法及びその装置
EP1326273B1 (en) * 2001-12-28 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2003098668A2 (en) * 2002-05-16 2003-11-27 Asyst Technologies, Inc. Pre-aligner
JP3994223B2 (ja) * 2002-12-13 2007-10-17 株式会社ニコン 重ね合わせ測定装置および重ね合わせ測定方法
KR100598263B1 (ko) * 2003-12-31 2006-07-07 동부일렉트로닉스 주식회사 노광 장치 및 이를 이용한 샷 정렬 방법
WO2007027960A2 (en) * 2005-08-30 2007-03-08 Photon Dynamics, Inc. Substrate alignment using linear array sensor
KR20070052054A (ko) * 2005-11-16 2007-05-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 리소그래피 장치
JP4773329B2 (ja) * 2005-12-22 2011-09-14 パナソニック株式会社 界面位置測定方法および測定装置、層厚測定方法および測定装置、並びに、光ディスクの製造方法および製造装置
JP4512627B2 (ja) * 2007-10-03 2010-07-28 キヤノン株式会社 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP5043630B2 (ja) * 2007-12-18 2012-10-10 株式会社ディスコ レーザー加工機
JP2010010240A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Nikon Corp 面位置検出装置、露光装置、およびデバイス製造方法
CN102540778B (zh) * 2010-12-22 2014-07-16 上海微电子装备有限公司 一种测量系统及使用该测量系统的光刻设备
CN102087483B (zh) * 2010-12-27 2013-04-03 中国科学院光电技术研究所 一种用于投影光刻中焦面检测的光学系统
CN102243138A (zh) * 2011-08-05 2011-11-16 中国科学院光电技术研究所 一种用于投影光刻中的焦面检测装置
CN103543610B (zh) * 2012-07-12 2015-09-30 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平光斑位置校准方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100808702B1 (ko) 1998-07-07 2008-02-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 웨이퍼 표면 상의 결함을 검출하기 위한 픽셀-기초식 방법, 장치 및 광학 헤드
KR100949170B1 (ko) 2005-06-13 2010-03-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 수동 레티클 툴, 리소그래피 장치 및 리소그래피 툴 내의디바이스를 패터닝하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201705393QA (en) 2017-08-30
TWI585550B (zh) 2017-06-01
CN105807579B (zh) 2018-10-16
KR20170105024A (ko) 2017-09-18
US20170350696A1 (en) 2017-12-07
JP6502504B2 (ja) 2019-04-17
CN105807579A (zh) 2016-07-27
JP2018508811A (ja) 2018-03-29
US10197390B2 (en) 2019-02-05
TW201624149A (zh) 2016-07-01
WO2016107573A1 (zh) 2016-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101735403B1 (ko) 검사 방법, 템플릿 기판 및 포커스 오프셋 방법
US7643961B2 (en) Position detecting device and position detecting method
US6949755B2 (en) Position detection apparatus, position detection method, exposure apparatus, device manufacturing method, and substrate
US7006225B2 (en) Alignment mark, alignment apparatus and method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9797846B2 (en) Inspection method and template
US20130245971A1 (en) Defect coordinates measurement device, defect coordinates measurement method, mask manufacturing method, and reference mask
US11966171B2 (en) Method for producing overlay results with absolute reference for semiconductor manufacturing
JP5192795B2 (ja) 電子ビーム測定装置
CN109313405B (zh) 用于确定衬底上目标结构的位置的方法和设备、用于确定衬底的位置的方法和设备
KR102496148B1 (ko) 반도체 웨이퍼 검사를 위한 방법 및 그 시스템
KR101962830B1 (ko) 사전 정렬 측정 장치 및 방법
US11784077B2 (en) Wafer overlay marks, overlay measurement systems, and related methods
JP2004228327A (ja) アライメント方法及び装置並びに露光装置
CN115628685B (zh) 关键尺寸的测量方法、设备及关键尺寸的分级定位方法
JP3040845B2 (ja) アライメントマーク
JP4040668B2 (ja) 位置検出装置及び方法、露光装置並びにデバイス製造方法
CN114326337B (zh) 光刻对准方法
JP2013088342A (ja) カラーフィルタ基板の欠陥検査方法
JP2001223147A (ja) 投影露光方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP2005172698A (ja) パターン検査方法、及び、パターン検査装置
JP2003282392A (ja) アライメント方法及びアライメント装置
JPH04213852A (ja) 基板の回転補正方法
JP2013140843A (ja) 位置を求める方法、情報処理装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant