CN105807579B - 一种硅片和基板预对准测量装置和方法 - Google Patents

一种硅片和基板预对准测量装置和方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种硅片和基板预对准测量装置，其特征在于，沿光线传播方向依次包括：激光器、柱面镜、被测物、成像镜片、照明光阑、成像镜片、柱面镜和CCD探测器探测器；所述激光器、被测物和CCD探测器探测器，各位于整个所述测量装置所形成的三角型的顶点上，所述三角型所在平面与所述被测物所在平面垂直，且所述三角型所在面相切于所述被测物的边缘，所述经过被测物反射的光线中体现了所述被测物及承载所述被测物的工件台而形成的台阶位置信息和台阶高度信息。本发明还公开了一种硅片和基板预对准测量方法。与现有技术相比较，本发明通过计算被测物与承载物的高度差，并与被测物的名义位置比较，可以消除吸盘沟槽给硅片对准带来的干扰，可以更可靠的进行键合片预对准，并保证了水平向与垂直向的分辨率匹配。

Description

一种硅片和基板预对准测量装置和方法
技术领域
本发明涉及一种集成电路装备制造领域,尤其涉及一种光刻机硅片和基板预对准测量装置和方法。
背景技术
光刻机是微电子器件制造业中不可或缺的工具，而由于光刻机视野很小，因此在将硅片传送到光刻机进行曝光之前，必须将硅片进行预对准，使得传送到曝光台上的硅片在光刻机的视野之内，所以，硅片预对准是光刻机进行硅片曝光的重要组成部分。
通常预对准主要有机械预对准和光学预对准。光学预对准比机械预对准方式精度高，但价格成本高，它是采用光学精密仪器元件对硅片的边缘和缺口进行检测，通过算法来实现硅片定心，利用线性电荷耦合器件(CCD探测器)作为传感器对硅片进行检测。
可以将当前常用的光学预对准装置归纳为两种。
首先是透射式，如图1所示，照明与成像分别位于测量对象的两侧，利用测量对象不透光的特性将被测对象边界成像在CCD探测器上，检测边界从而计算出硅片的位置与姿态。这种方法在实际使用中主要存在两个问题。第一，对于键合片，基底在硅片缺口或平边处未加工，光线无法穿透，因此无法确定硅片的姿态。第二，对于玻璃材料的基板，成像质量不佳。
另一种是反射式，如图2所示，利用基底与硅片的反射率不同，可以将硅片缺口识别出来。反射式主要有两个问题。第一，由于键合及其他工艺的影响，缺口处常有微小的形貌起伏，成像质量往往较差，影响设备的可靠性。第二，反射式抗干扰能力不强，当硅片放置在吸盘上时，吸盘本身的环状沟槽(如图3)也会成像到CCD探测器上，使得从图像中难以识别硅片边缘，如图4。
从上文分析可看出，对于这些硅片的缺口(notch)，高度差才是其明显的特征。然而传统的三角测量(如FLS调焦调平系统)装置仅能测量高度，高度发生变化所在的水平位置无法探测。
在专利201010286105.x《一种硅片预对准装置及方法.》中提出了一种利用高度差的测量装置，但是该装置未考虑垂向与水平向倍率关系，造成分辨率不足。另外该专利中的标定未能实现水平向测量。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺陷，本发明提出一种硅片和基板预对准测量装置，其特征在于，沿光线传播方向依次包括：激光器、第一柱面镜、被测物、第一成像镜片、照明光阑、第二成像镜片、第二柱面镜和CCD探测器；所述激光器、被测物和CCD探测器，各位于整个所述测量装置所形成的三角型的顶点上，所述三角型所在平面与所述被测物所在平面垂直，且所述三角型所在面相切于所述被测物的边缘，所述经过被测物反射的光线中体现了所述被测物及承载所述被测物的工件台而形成的台阶位置信息和台阶高度信息。
其中，所述成像面x，y方向放大倍率不同，使得水平向与垂直向分辨率与量程匹配。
其中，所述测量装置还包括标定标记板，所述标定标记板嵌在所述工件台内，所述标定标记板的上表面与所述工件台表面共面。
其中，所述标定标记板上的标定标记由反射率不同的两个矩形图形组成。
本发明还公开一种工件台标定标记板进行位置标定的方法，其特征在于，主要包括如下步骤：
步骤一：以一定步距垂向运动工件台；
步骤二：在每个垂向位置，以一定步距水平向运动所述工件台；
步骤三：在每个具体位置，检测激光器的反射线段，得到所述反射线段在图像中的位置，并求出分界线的位置(u,v)；
步骤四：记录所述位置(u,v)及对应的所述工件台垂向位置z，及由所述工件台水平向位置、标定标记分界点在所述工件台坐标系中的位置；
步骤五：将所述步骤四中所记录的各值相加，确定所述标定标记在所述工件台零位坐标系下的位置x。
其中，所述步骤三中线段位置可用直线检测算法检测。
其中，所述步骤三还包括：根据检测出线段位置，从起点到终点，取出每个点对应的CCD探测器灰度值，得到标定标记的一维灰度分布图；从灰度分布图上，可以用梯度极值法检测出标定板两种材料的边界位置(u,v)。
一种硅片和基板预对准测量装置的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：计算出被测物及承载所述被测物的工件台的A、B、C、D四个阶跃点在图像中的位置(ui,vi)；
步骤二：根据标定记录的数据，插值计算每个点对应的高度差及x向位置(xi,Δzi)；
步骤三：根据所述被测物的名义厚度值，剔除A、C、D三个阶跃点，得到表征所述被测物边缘的数据(xB,ΔzB)；
步骤四：基于所述被测物边缘的位置，再进行圆或矩形拟合，得到所述被测物的中心位置。
与现有技术相比较，本发明通过计算被测物与承载物的高度差，并与被测物的名义位置比较，可以消除吸盘沟槽给硅片对准带来的干扰，可以更可靠的进行键合片预对准，并保证了水平向与垂直向的分辨率匹配。
附图说明
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。
图1是现有透射式预对准装置结构示意图；
图2是现有反射式预对准装置结构示意图；
图3是吸盘的环状沟槽示意图；
图4是环状沟槽在CCD探测器上成像示意图；
图5是本发明预对准测量装置结构示意图；
图6是光线经过台阶后成像示意图；
图7是工件台标定标记板示意图；
图8是标定标记板成像示意图；
图9是标定标记板在CCD探测器上成像；
图10是标定位置示意图；
图11是标定标记的一维灰度分布图；
图12是本发明硅片预对准测量示意图；
图13是本发明硅片预对准测量成像图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。
图5是本发明预对准测量装置结构示意图。如图5所示，本装置由激光器1、柱面镜2、成像镜片3、照明光阑4、成像镜片5、柱面镜6和CCD探测器7组成。激光器1发射出的光，经过柱面镜2变成线光源，照射到有台阶(高度差异)的被测物体8上，光线经过被测物8反射，经过成像镜片3及成像镜片5像被放大。成像面x、y方向分别体现了被测物8的台阶位置及台阶高度，在这两个方向的精度及视场要求一般是不同的，因此在成像镜片5之后，加入柱面镜6使得成像面x，y方向放大倍率不同。最终光线到达CCD探测器7的探测面。
被测对象有可能是光面，也可能是毛面。为了减少毛面的衍射光的影响，在成像镜片3后加入了照明光阑4。
图6展示了光线经过台阶之后成像位置的不同。
为了进行预对准测量，首先对工件台位置进行标定。
如图7所示，在工件台内放置标定标记板9，标定标记板9的上表面与工件台表面共面。如图8所示，标定标记板由反射率差异较大的两个矩形图形组成。线激光器发出的一束光经标记反射，最终在CCD探测器上成像，如图9所示。
改变工件台的高度，线段在CCD探测器中的V向位置也将随着改变。沿x向移动工件台，标记边界点在图像中将沿U方向移动。
标定流程主要包括：
步骤一：以一定步距垂向运动工件台；
步骤二：在每个垂向位置，以一定步距水平向运动工件台；
步骤三：在每个具体位置，检测激光器的反射线段，得到反射线段在图像中的位置，并求出分界线的位置(u,v)；
步骤四：记录(u,v)及对应的工件台垂向位置z，及由工件台水平向位置及标记分界点在工件台坐标系中的位置相加确定的标记在工件台零位坐标系下的位置x。标定出的各位置如图10所示。
上述标定流程的第三步，线段位置可用直线检测算法(如："LSD:A Fast LineSegment Detector with a False Detection Control"by Rafael Grompone von Gioi,Jeremie Jakubowicz,Jean-Michel Morel,and Gregory Randall,IEEE Transactions onPattern Analysis and Machine Intelligence,vol.32,no.4,pp.722-732,April,2010.)检测。
上述标定流程的第三步，根据检测出线段位置，从起点到终点，取出每个点对应的CCD探测器灰度值，得到标定标记的一维灰度分布图，如图11所示。从灰度分布图上，可以用梯度极值法检测出标定板两种材料的边界位置(u,v)。
如图12所示，硅片放置在吸盘上，经过线激光照射成像如图13所示。计算出A、B、C、D四个阶跃点在图像中的位置(ui,vi)。根据标定记录的数据，插值计算每个点对应的高度差及x向位置(xi,Δzi)。
根据硅片的名义厚度值，剔除A、C、D三个阶跃点，得到表征硅片边缘的数据(xB,ΔzB)。
基于硅片边缘的位置，再进行圆或矩形拟合，得到硅片的中心位置。
本说明书中所述的只是本发明的较佳具体实施例，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明的限制。凡本领域技术人员依本发明的构思通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在本发明的范围之内。

Claims (8)

1.一种硅片和基板预对准测量装置，其特征在于，沿光线传播方向依次包括：激光器、第一柱面镜、被测物、第一成像镜片、照明光阑、第二成像镜片、第二柱面镜和CCD探测器；所述激光器、被测物和CCD探测器，各位于整个所述测量装置所形成的三角型的顶点上，所述三角型所在平面与所述被测物所在平面垂直，且所述三角型所在面相切于所述被测物的边缘，所述经过被测物反射的光线中体现了所述被测物及承载所述被测物的工件台而形成的台阶位置信息和台阶高度信息。
2.如权利要求1所述的硅片和基板预对准测量装置，其特征在于，所述测量装置的成像面x，y方向放大倍率不同，使得水平向与垂直向分辨率与量程匹配。
3.如权利要求1所述的硅片和基板预对准测量装置，其特征在于，所述测量装置还包括标定标记板，所述标定标记板嵌在所述工件台内，所述标定标记板的上表面与所述工件台表面共面。
4.如权利要求3所述的硅片和基板预对准测量装置，其特征在于，所述标定标记板上的标定标记由反射率不同的两个矩形图形组成。
5.一种工件台采用如权利要求3或4所述的标定标记板进行位置标定的标定方法，其特征在于，主要包括如下步骤：
步骤一：以一定步距垂向运动工件台；
步骤二：在每个垂向位置，以一定步距水平向运动所述工件台；
步骤三：在每个具体位置，检测激光器的反射线段，得到所述反射线段在图像中的位置，并求出分界线的位置(u,v)；
步骤四：记录所述位置(u,v)及对应的所述工件台垂向位置z，及由所述工件台水平向位置、标定标记分界点在所述工件台坐标系中的位置；
步骤五：将所述步骤四中所记录的各值相加，确定所述标定标记在所述工件台零位坐标系下的位置x。
6.如权利要求5所述的标定方法，其特征在于，所述步骤三中线段位置可用直线检测算法检测。
7.如权利要求5所述的标定方法，其特征在于，所述步骤三还包括：根据检测出线段位置，从起点到终点，取出每个点对应的CCD探测器灰度值，得到标定标记的一维灰度分布图；从灰度分布图上，可以用梯度极值法检测出标定板两种材料的边界位置(u,v)。
8.一种采用如权利要求1-4任一测量装置进行硅片和基板预对准测量的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：计算出被测物及承载所述被测物的工件台的A、B、C、D四个阶跃点在图像中的位置(ui,vi)；
步骤二：根据标定记录的数据，插值计算每个点对应的高度差及x向位置(xi,Δzi)；
步骤三：根据所述被测物的名义厚度值，剔除A、C、D三个阶跃点，得到表征所述被测物边缘的数据(xB,ΔzB)；
步骤四：基于所述被测物边缘的位置，再进行圆或矩形拟合，得到所述被测物的中心位置。
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TW104144552A TWI585550B (zh) 2014-12-31 2015-12-30 Pre-alignment measuring devices and methods
JP2017534786A JP6502504B2 (ja) 2014-12-31 2015-12-30 プレアライメント測定装置及び方法
PCT/CN2015/099749 WO2016107573A1 (zh) 2014-12-31 2015-12-30 一种预对准测量装置和方法
KR1020177020995A KR101962830B1 (ko) 2014-12-31 2015-12-30 사전 정렬 측정 장치 및 방법
US15/540,909 US10197390B2 (en) 2014-12-31 2015-12-30 Pre-alignment measurement device and method
SG11201705393QA SG11201705393QA (en) 2014-12-31 2015-12-30 Pre-alignment measuring device and method

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107976875B (zh) * 2016-10-24 2020-09-29 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种基片对准装置及对准方法
TWI629468B (zh) * 2017-06-08 2018-07-11 中國鋼鐵股份有限公司 Steel strip trimming quality detecting device and detecting method thereof
US11263755B2 (en) * 2020-07-17 2022-03-01 Nanya Technology Corporation Alert device and alert method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102087483A (zh) * 2010-12-27 2011-06-08 中国科学院光电技术研究所 一种用于投影光刻中焦面检测的光学系统
CN102243138A (zh) * 2011-08-05 2011-11-16 中国科学院光电技术研究所 一种用于投影光刻中的焦面检测装置
CN102540778A (zh) * 2010-12-22 2012-07-04 上海微电子装备有限公司 一种测量系统及使用该测量系统的光刻设备
CN103543610A (zh) * 2012-07-12 2014-01-29 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平光斑位置校准方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2862311B2 (ja) * 1990-02-23 1999-03-03 キヤノン株式会社 面位置検出装置
JPH05152186A (ja) * 1991-05-01 1993-06-18 Canon Inc 測定装置及び露光装置及び露光装置の位置決め方法
JPH0653117A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Hitachi Ltd アライメント方法及びその装置
JPH0766120A (ja) 1993-08-26 1995-03-10 Canon Inc 面位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
US5625453A (en) * 1993-10-26 1997-04-29 Canon Kabushiki Kaisha System and method for detecting the relative positional deviation between diffraction gratings and for measuring the width of a line constituting a diffraction grating
US6046812A (en) * 1997-05-29 2000-04-04 Korea Atomic Energy Research Institute Shape-measuring laser apparatus using anisotropic magnification optics
JP3286246B2 (ja) * 1998-03-31 2002-05-27 住友重機械工業株式会社 変形フレネルゾーンプレートを用いた位置検出方法及び位置検出装置
US6366690B1 (en) * 1998-07-07 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Pixel based machine for patterned wafers
US6162008A (en) * 1999-06-08 2000-12-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Wafer orientation sensor
JP2002286429A (ja) * 2001-03-22 2002-10-03 Konica Corp 表面検査方法及び装置
JP3903889B2 (ja) * 2001-09-13 2007-04-11 株式会社日立製作所 欠陥検査方法及びその装置並びに撮像方法及びその装置
EP1326273B1 (en) * 2001-12-28 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7042568B2 (en) * 2002-05-16 2006-05-09 Asyst Technologies, Inc. Pre-aligner
JP3994223B2 (ja) * 2002-12-13 2007-10-17 株式会社ニコン 重ね合わせ測定装置および重ね合わせ測定方法
KR100598263B1 (ko) * 2003-12-31 2006-07-07 동부일렉트로닉스 주식회사 노광 장치 및 이를 이용한 샷 정렬 방법
EP1910898B1 (en) * 2005-06-13 2012-10-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for determining a polarization property of a lithographic apparatus
WO2007027960A2 (en) * 2005-08-30 2007-03-08 Photon Dynamics, Inc. Substrate alignment using linear array sensor
KR20070052054A (ko) * 2005-11-16 2007-05-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 리소그래피 장치
JP4773329B2 (ja) * 2005-12-22 2011-09-14 パナソニック株式会社 界面位置測定方法および測定装置、層厚測定方法および測定装置、並びに、光ディスクの製造方法および製造装置
JP4512627B2 (ja) * 2007-10-03 2010-07-28 キヤノン株式会社 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP5043630B2 (ja) * 2007-12-18 2012-10-10 株式会社ディスコ レーザー加工機
JP2010010240A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Nikon Corp 面位置検出装置、露光装置、およびデバイス製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102540778A (zh) * 2010-12-22 2012-07-04 上海微电子装备有限公司 一种测量系统及使用该测量系统的光刻设备
CN102087483A (zh) * 2010-12-27 2011-06-08 中国科学院光电技术研究所 一种用于投影光刻中焦面检测的光学系统
CN102243138A (zh) * 2011-08-05 2011-11-16 中国科学院光电技术研究所 一种用于投影光刻中的焦面检测装置
CN103543610A (zh) * 2012-07-12 2014-01-29 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平光斑位置校准方法

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