JP6431786B2 - 線幅誤差取得方法、線幅誤差取得装置および検査システム - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 266
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 50
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 35
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 28
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 26
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 21
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 19
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
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- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
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- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Description
パターンの設計データから、光学画像データに対応する参照画像データを生成する工程と、
参照画像データにおいて、信号量の最小値と最大値を所定の比率で内分する閾値を指定し、この閾値の信号量に対応する位置をパターンのエッジとする工程と、
光学画像データにおいて、上記の閾値に等しい信号量の位置をパターンのエッジとし、このパターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出する工程と、
光学画像データからエッジペアを用いてパターンの線幅を求め、この線幅と、光学画像データのエッジペアに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られるパターンの線幅との差である線幅誤差を取得する工程とを有し、
光源の光量が変動した場合または光学画像データのコントラストが低下した場合には、閾値を新たに指定し、光学画像データにおいて、この新たな閾値に等しい信号量の位置をパターンのエッジとすることを特徴とする線幅誤差取得方法に関する。
パターンの設計データから、光学画像データに対応する参照画像データを生成する工程と、
参照画像データにおいて、信号量の最小値と最大値を所定の比率で内分する閾値を指定し、この閾値の信号量に対応する位置をパターンのエッジとする工程と、
光学画像データにおいて、上記の閾値に等しい信号量の位置をパターンのエッジとし、このパターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出する工程と、
光学画像データからエッジペアを用いて前記パターンの線幅を求める工程と、
パターンの線幅のいずれかを含む線幅範囲を指定する工程と、
上記の線幅範囲に含まれる線幅を有するパターンを抽出し、このパターンの線幅と、このパターンの光学画像データに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られるパターンの線幅との差である線幅誤差を取得する工程とを有し、
光源の光量が変動した場合または光学画像データのコントラストが低下した場合には、線幅範囲を新たに指定し、光学画像データにおいて、この新たな線幅範囲に含まれる線幅を有するパターンを抽出することを特徴とする線幅誤差取得方法に関する。
テーブルの位置座標を測定する位置測定部と、
光源からの光をテーブルに載置された試料に照明する照明光学系と、
試料を透過または試料で反射した光をセンサに入射させて、試料に形成されたパターンの光学画像データを取得する撮像部と、
パターンの設計データから作成された参照画像データと、参照画像データに対応する光学画像データにおいて、参照画像データの信号量の最小値と最大値を所定の比率で内分する閾値に等しい光学画像データの信号量の位置をパターンのエッジとし、このパターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出し、このエッジペアを用いて光学画像データのパターンの線幅を求め、この線幅と、上記のエッジペアに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られるパターンの線幅との差である線幅誤差を取得する線幅誤差取得部と、
光源の光量の変動を検知する光量センサとを有し、
線幅誤差取得部は、光量センサが光源の光量の変動を検知すると、閾値を新たに指定し、光学画像データにおいて、この新たな閾値に等しい信号量の位置をパターンのエッジとすることを特徴とする線幅誤差取得装置に関する。
テーブルの位置座標を測定する位置測定部と、
光源からの光でテーブルに載置された試料を照明する照明光学系と、
試料を透過または試料で反射した光をセンサに入射させて、試料に形成されたパターンの光学画像データを取得する撮像部と、
パターンの設計データから光学画像データに対応する参照画像データを作成する参照画像データ生成部と、
パターンの光学画像データと参照画像データを比較して、これらの差分値が所定の閾値を超える場合に欠陥と判定する比較部と、
参照画像データの信号量の最小値と最大値を所定の比率で内分する閾値に等しい光学画像データの信号量の位置をパターンのエッジとし、このパターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出し、このエッジペアを用いて光学画像データのパターンの線幅を求め、この線幅と、光学画像データに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られるパターンの線幅との差である線幅誤差を取得する線幅誤差取得部と、
光源の光量の変動を検知する光量センサとを有し、
線幅誤差取得部は、光量センサが光源の光量の変動を検知すると、閾値を新たに指定し、光学画像データにおいて、この新たな閾値に等しい信号量の位置をパターンのエッジとすることを特徴とする検査システムに関する。
図1は、本実施の形態における線幅誤差取得装置100の概略構成図である。線幅誤差取得装置100は、被検査対象の光学画像を取得し、この光学画像を用いて被検査対象の線幅誤差(ΔCD)を求めて線幅誤差マップ(ΔCDマップ)を作成する。線幅誤差取得装置100の主たる構成部は、次の通りである。
図2の光学画像データ取得工程S1では、マスクMaのパターンの光学画像を取得し、次いで、この光学画像をデジタル変換して光学画像データを得る。
図2の参照画像データ生成工程S2では、マスクMaの設計パターンデータを基に参照画像データが生成される。尚、参照画像データは、ダイ−トゥ−データベース比較方式による検査において、光学画像データと比較して欠陥判定するための基準となるものである。
マスクMaに形成されたパターンの線幅(CD)を測定する際は、測定の基準位置となるパターンのエッジ位置を決める必要がある。本実施の形態では、公知の閾値法によってエッジ位置を定める。例えば、まず、参照画像データの黒レベルの信号量(輝度)と白レベルの信号量(輝度)との間で任意の値(閾値)を指定する。閾値は、信号量の最小値と最大値を所定の比率で内分する値である。そして、参照画像データにおいて、閾値の信号量に対応する位置をエッジ位置とする。また、光学画像データにおいても、この閾値と一致する信号量の位置をエッジ位置とする。かかる閾値は、図2の閾値決定工程S3で決定される。例えば、ライン・アンド・スペースパターンでの場合、閾値は、ラインパターンとスペースパターンの境界になる。
図2のエッジペア検出工程S4では、光学画像データ取得工程S1で得られた光学画像データと、参照画像データ生成工程S2で得られた参照画像データとを用いて、線幅(CD)の測定の基準となるエッジペアを検出する。具体的には、閾値決定工程S3で得られた最新の閾値を用いて、光学画像データにおけるパターンのエッジの位置を定める。そして、参照画像データにおけるパターンのエッジの位置とペアになる光学画像データのエッジの位置を検出する。検出されたエッジのうち、線幅測定の始点となるエッジと、同じ線幅測定の終点となるエッジとで、エッジペアが構成される。エッジペアは、例えば、画素単位で検出される。例えば、Y方向に2つのエッジが延びるラインパターンの場合、両エッジ上に画素単位でエッジペアが検出される。また、X方向に2つのエッジが延びるラインパターンの場合にも、両エッジ上に画素単位でエッジペアが検出される。
図1の線幅誤差取得部126では、エッジペア検出工程S4に続いて、線幅誤差取得工程S5が行われる。
図2のΔCDマップ作成工程S6は、図1のマップ作成部127で行われる。具体的には、線幅誤差取得部126からマップ作成部127へ、線幅誤差(ΔCD)の値と、(位置情報部113から送られた)テーブル101の位置座標の測定値が送られる。マップ作成部127では、線幅誤差(ΔCD)を、マスクMa上の位置座標と対応させてプロットすることにより、ΔCDマップが作成される。
実施の形態1では、マスクに形成された測定パターンについて、光学画像データの取得とともに線幅を測定して線幅誤差を取得する例を述べた。この場合、線幅誤差は、例えば、全てのパターンについて取得される。一方、マスク上のパターンから特定のパターンを抽出し、かかるパターンについてのみ線幅誤差を調べたい場合がある。こうしたとき、例えば、所望とする任意の線幅範囲を指定して登録する。そして、登録した範囲の値のいずれかに一致する線幅を有するパターンを抽出して、かかるパターンの線幅誤差を取得する。
図13のエッジペア検出工程S13では、光学画像データ取得工程S11で得られた光学画像データと、参照画像データ生成工程S12で得られた参照画像データとを用いて、線幅(CD)の測定の基準となるエッジペアを検出する。
図12の線幅誤差取得部226では、エッジペア検出工程S13に続いて、線幅測定工程S14が行われる。この工程は、実施の形態1で図9および図10を用いて説明したものと同様であるので説明を省略する。
本実施の形態では、以上のようにして測定された各パターンの線幅のうち、指定された特定の線幅を有するパターンのみを抽出して線幅誤差を取得する。そのため、線幅範囲決定工程S15において、所望とする任意の線幅範囲を指定して登録する。この工程は、図12の線幅範囲決定部225で行われる。
次に、線幅誤差取得部226において、線幅範囲決定部225に登録された線幅範囲に含まれる線幅を有するパターンが抽出される。そして、抽出されたパターンの線幅と、かかるパターンの参照画像データの対応するエッジペアを用いて得られる線幅との差が求められる。得られた差が、線幅誤差である。線幅誤差は、例えばフレーム毎に求められる。
図13のΔCDマップ作成工程S17は、図12のマップ作成部127で行われる。具体的には、線幅誤差取得部226からマップ作成部127へ、線幅誤差(ΔCD)の値と、(位置情報部113から送られた)テーブル101の位置座標の測定値が送られる。マップ作成部127では、線幅誤差(ΔCD)を、マスクMa上で抽出されたパターンの位置座標と対応させてプロットすることにより、ΔCDマップが作成される。
図14は、本実施の形態の検査システム300の構成図である。この検査システムは、図1に示す実施の形態1の線幅誤差取得装置100と同様の構成を有する。尚、線幅誤差取得装置100に代えて、図12に示す実施の形態2の線幅誤差取得装置200と同様の構成を有していてもよい。
以下に、本願補正前の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
光源からの光を試料に形成されたパターンに照明し、前記試料を透過または前記試料で反射した光をセンサに入射させて、前記パターンの光学画像データを取得する工程と、
前記パターンの設計データから、前記光学画像データに対応する参照画像データを生成する工程と、
前記参照画像データにおいて、信号量の最小値と最大値を所定の比率で内分する閾値を指定し、前記閾値の信号量に対応する位置を前記パターンのエッジとする工程と、
前記光学画像データにおいて、前記閾値に等しい信号量の位置を前記パターンのエッジとし、該パターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出する工程と、
前記光学画像データから前記エッジペアを用いて前記パターンの線幅を求め、該線幅と、該エッジペアに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られる該パターンの線幅との差である線幅誤差を取得する工程とを有し、
前記光源の光量が変動した場合または前記光学画像データのコントラストが低下した場合には、前記閾値を新たに指定し、前記光学画像データにおいて、該新たな閾値に等しい信号量の位置を前記パターンのエッジとすることを特徴とする線幅誤差取得方法。
[C2]
前記光源の光量の変動量と前記閾値の最適値との関係、および、前記コントラストの低下量と前記閾値の最適値との関係の少なくとも一方を実験によって求め、
前記関係の少なくとも1つにしたがって前記新たな閾値を指定することを特徴とする[C1]に記載の線幅誤差取得方法。
[C3]
光源からの光を試料に形成されたパターンに照明し、前記試料を透過または前記試料で反射した光をセンサに入射させて、前記パターンの光学画像データを取得する工程と、
前記パターンの設計データから、前記光学画像データに対応する参照画像データを生成する工程と、
前記参照画像データにおいて、信号量の最小値と最大値を所定の比率で内分する閾値を指定し、前記閾値の信号量に対応する位置を前記パターンのエッジとする工程と、
前記光学画像データにおいて、前記閾値に等しい信号量の位置を前記パターンのエッジとし、該パターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出する工程と、
前記光学画像データから前記エッジペアを用いて前記パターンの線幅を求める工程と、
前記パターンの線幅のいずれかを含む線幅範囲を指定する工程と、
前記線幅範囲に含まれる線幅を有するパターンを抽出し、該パターンの線幅と、該パターンの光学画像データに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られる該パターンの線幅との差である線幅誤差を取得する工程とを有し、
前記光源の光量が変動した場合または前記光学画像データのコントラストが低下した場合には、前記線幅範囲を新たに指定し、前記光学画像データにおいて、該新たな線幅範囲に含まれる線幅を有するパターンを抽出することを特徴とする線幅誤差取得方法。
[C4]
前記光源の光量の変動量と前記線幅範囲の最適値との関係、および、前記コントラストの低下量と前記線幅範囲の最適値との関係の少なくとも一方を実験によって求め、
前記関係の少なくとも1つにしたがって前記新たな線幅範囲を指定することを特徴とする[C3]に記載の線幅誤差取得方法。
[C5]
X軸方向およびY軸方向に移動可能なテーブルと、
前記テーブルの位置座標を測定する位置測定部と、
光源からの光を前記テーブルに載置された試料に照明する照明光学系と、
前記試料を透過または前記試料で反射した光をセンサに入射させて、前記試料に形成されたパターンの光学画像データを取得する撮像部と、
前記パターンの設計データから作成された参照画像データと、前記参照画像データに対応する光学画像データにおいて、参照画像データの信号量の最小値と最大値を所定の比率で内分する閾値に等しい光学画像データの信号量の位置をパターンのエッジとし、該パターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出し、前記エッジペアを用いて光学画像データのパターンの線幅を求め、該線幅と、前記エッジペアに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られるパターンの線幅との差である線幅誤差を取得する線幅誤差取得部と、
前記光源の光量の変動を検知する光量センサとを有し、
前記線幅誤差取得部は、前記光量センサが前記光源の光量の変動を検知すると、前記閾値を新たに指定し、前記光学画像データにおいて、該新たな閾値に等しい信号量の位置を前記パターンのエッジとすることを特徴とする線幅誤差取得装置。
[C6]
前記位置測定部から出力された前記テーブルの位置座標の情報を用いて、前記線幅誤差を前記試料上の位置座標と対応させた線幅誤差マップを作成するマップ作成部を有することを特徴とする[C5]に記載の線幅誤差取得装置。
[C7]
X軸方向およびY軸方向に移動可能なテーブルと、
前記テーブルの位置座標を測定する位置測定部と、
光源からの光で前記テーブルに載置された試料を照明する照明光学系と、
前記試料を透過または前記試料で反射した光をセンサに入射させて、前記試料に形成されたパターンの光学画像データを取得する撮像部と、
前記パターンの設計データから前記光学画像データに対応する参照画像データを作成する参照画像データ生成部と、
前記パターンの光学画像データと参照画像データを比較して、これらの差分値が所定の閾値を超える場合に欠陥と判定する比較部と、
前記参照画像データの信号量の最小値と最大値を所定の比率で内分する閾値に等しい前記光学画像データの信号量の位置を前記パターンのエッジとし、該パターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出し、前記エッジペアを用いて該光学画像データのパターンの線幅を求め、該線幅と、該光学画像データに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られる該パターンの線幅との差である線幅誤差を取得する線幅誤差取得部と、
前記光源の光量の変動を検知する光量センサとを有し、
前記線幅誤差取得部は、前記光量センサが前記光源の光量の変動を検知すると、前記閾値を新たに指定し、前記光学画像データにおいて、該新たな閾値に等しい信号量の位置を前記パターンのエッジとすることを特徴とする検査システム。
101 テーブル
102 レーザ測長システム
103 照明光学系
104 撮像部
108 比較部
110 全体制御部
113 位置情報部
114 テーブル制御部
116,128 参照画像データ生成部
116a,128a 展開回路
116b,128b 参照回路
119 磁気ディスク装置
125 閾値決定部
126,226 線幅誤差取得部
127 マップ作成部
140 光量センサ
225 線幅範囲決定部
Ma マスク
St ストライプ
F フレーム
Claims (16)
- 光源からの光を試料に形成されたパターンに照明し、前記試料を透過または前記試料で反射した光をセンサに入射させて、前記パターンの光学画像データを取得する工程と、
前記パターンの設計データから、前記光学画像データに対応する参照画像データを生成する工程と、
前記参照画像データにおいて、パターンのエッジ位置を決めるための閾値を指定し、前記閾値の信号量に対応する位置を前記パターンのエッジとする工程と、
前記光学画像データにおいて、前記閾値に等しい信号量の位置を前記パターンのエッジとし、該パターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出する工程と、
前記光学画像データから前記エッジペアを用いて前記パターンの線幅を求め、該線幅と、該エッジペアに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られる該パターンの線幅との差である線幅誤差を取得する工程とを有し、
前記光源の光量が変動した場合または前記光学画像データのコントラストが低下した場合には、前記光学画像データにおいてエッジペアを検出するための閾値を新たに指定し、前記光学画像データにおいて、該新たな閾値に等しい信号量の位置を前記パターンのエッジとすることを特徴とする線幅誤差取得方法。 - 前記光源の光量の変動量と前記閾値の最適値との関係、および、前記コントラストの低下量と前記閾値の最適値との関係の少なくとも一方を実験によって求め、
前記関係の少なくとも1つにしたがって前記新たな閾値を指定することを特徴とする請求項1に記載の線幅誤差取得方法。 - 光源からの光を試料に形成されたパターンに照明し、前記試料を透過または前記試料で反射した光をセンサに入射させて、前記パターンの光学画像データを取得する工程と、
前記パターンの設計データから、前記光学画像データに対応する参照画像データを生成する工程と、
前記参照画像データにおいて、パターンのエッジ位置を決めるための閾値を指定し、前記閾値の信号量に対応する位置を前記パターンのエッジとする工程と、
前記光学画像データにおいて、前記閾値に等しい信号量の位置を前記パターンのエッジとし、該パターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出する工程と、
前記光学画像データから前記エッジペアを用いて前記パターンの線幅を求める工程と、
前記パターンの線幅のいずれかを含む線幅範囲を指定する工程と、
前記線幅範囲に含まれる線幅を有するパターンを抽出し、該パターンの線幅と、該パターンの光学画像データに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られる該パターンの線幅との差である線幅誤差を取得する工程とを有し、
前記光源の光量が変動した場合または前記光学画像データのコントラストが低下した場合には、前記線幅範囲を新たに指定し、前記光学画像データにおいて、該新たな線幅範囲に含まれる線幅を有するパターンを抽出することを特徴とする線幅誤差取得方法。 - 前記光源の光量の変動量と前記線幅範囲の最適値との関係、および、前記コントラストの低下量と前記線幅範囲の最適値との関係の少なくとも一方を実験によって求め、
前記関係の少なくとも1つにしたがって前記新たな線幅範囲を指定する
ことを特徴とする請求項3に記載の線幅誤差取得方法。 - X軸方向およびY軸方向に移動可能なテーブルと、
前記テーブルの位置座標を測定する位置測定部と、
光源からの光を前記テーブルに載置された試料に照明する照明光学系と、
前記試料を透過または前記試料で反射した光をセンサに入射させて、前記試料に形成されたパターンの光学画像データを取得する撮像部と、
前記パターンの設計データから作成された参照画像データと、前記参照画像データに対応する光学画像データにおいて、前記参照画像データにおけるパターンのエッジ位置を決めるための閾値に等しい光学画像データの信号量の位置をパターンのエッジとし、該パターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出し、前記エッジペアを用いて光学画像データのパターンの線幅を求め、該線幅と、前記エッジペアに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られるパターンの線幅との差である線幅誤差を取得する線幅誤差取得部と、
前記光源の光量の変動を検知する光量センサと
を有し、
前記線幅誤差取得部は、前記光源の光量が変動した場合または前記光学画像データのコントラストが低下した場合に、前記光学画像データにおいてエッジペアを検出するための閾値を新たに指定し、前記光学画像データにおいて、該新たな閾値に等しい信号量の位置を前記パターンのエッジとすることを特徴とする線幅誤差取得装置。 - 前記位置測定部から出力された前記テーブルの位置座標の情報を用いて、前記線幅誤差を前記試料上の位置座標と対応させた線幅誤差マップを作成するマップ作成部を有することを特徴とする請求項5に記載の線幅誤差取得装置。
- 前記光源の光量の変動量と前記閾値の最適値との関係、および、前記コントラストの低下量と前記閾値の最適値との関係の少なくとも一方を実験によって求め、
前記関係の少なくとも1つにしたがって前記新たな閾値を指定する
ことを特徴とする請求項5または請求項6に記載の線幅誤差取得装置。 - X軸方向およびY軸方向に移動可能なテーブルと、
前記テーブルの位置座標を測定する位置測定部と、
光源からの光で前記テーブルに載置された試料を照明する照明光学系と、
前記試料を透過または前記試料で反射した光をセンサに入射させて、前記試料に形成されたパターンの光学画像データを取得する撮像部と、
前記パターンの設計データから前記光学画像データに対応する参照画像データを作成する参照画像データ生成部と、
前記パターンの光学画像データと参照画像データを比較して、これらの差分値が所定の閾値を超える場合に欠陥と判定する比較部と、
前記参照画像データにおけるパターンのエッジ位置を決めるための閾値に等しい前記光学画像データの信号量の位置を前記パターンのエッジとし、該パターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出し、前記エッジペアを用いて該光学画像データのパターンの線幅を求め、該線幅と、該光学画像データに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られる該パターンの線幅との差である線幅誤差を取得する線幅誤差取得部と、
を有し、
前記線幅誤差取得部は、前記光源の光量が変動した場合または前記光学画像データのコントラストが低下した場合に、前記光学画像データにおいてエッジペアを検出するための閾値を新たに指定し、前記光学画像データにおいて、該新たな閾値に等しい信号量の位置を前記パターンのエッジとすることを特徴とする検査システム。 - 前記位置測定部から出力された前記テーブルの位置座標の情報を用いて、前記線幅誤差を前記試料上の位置座標と対応させた線幅誤差マップを作成するマップ作成部を有することを特徴とする請求項8に記載の検査システム。
- 前記光源の光量の変動量と前記閾値の最適値との関係、および、前記コントラストの低下量と前記閾値の最適値との関係の少なくとも一方を実験によって求め、
前記関係の少なくとも1つにしたがって前記新たな閾値を指定する
ことを特徴とする請求項8または請求項9に記載の検査システム。 - X軸方向およびY軸方向に移動可能なテーブルと、
前記テーブルの位置座標を測定する位置測定部と、
光源からの光を前記テーブルに載置された試料に照明する照明光学系と、
前記試料を透過または前記試料で反射した光をセンサに入射させて、前記試料に形成されたパターンの光学画像データを取得する撮像部と、
前記パターンの設計データから作成された参照画像データと、前記参照画像データに対応する光学画像データにおいて、前記参照画像データにおけるパターンのエッジ位置を決めるための閾値に等しい光学画像データの信号量の位置をパターンのエッジとし、該パターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出し、前記エッジペアを用いて光学画像データのパターンの線幅を求め、指定された線幅範囲に含まれる線幅を有するパターンを抽出し、該線幅と、前記エッジペアに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られる該パターンの線幅との差である線幅誤差を取得する線幅誤差取得部と、
を有し、
前記線幅誤差取得部は、前記光源の光量が変動した場合または前記光学画像データのコントラストが低下した場合に、前記線幅範囲を新たに指定し、前記光学画像データにおいて、該新たな線幅範囲に含まれる線幅を有するパターンを抽出することを特徴とする線幅誤差取得装置。 - 前記位置測定部から出力された前記テーブルの位置座標の情報を用いて、前記線幅誤差を前記試料上の位置座標と対応させた線幅誤差マップを作成するマップ作成部を有することを特徴とする請求項11に記載の線幅誤差取得装置。
- 前記光源の光量の変動量と前記線幅範囲の最適値との関係、および、前記コントラストの低下量と前記線幅範囲の最適値との関係の少なくとも一方を実験によって求め、
前記関係の少なくとも1つにしたがって前記新たな線幅範囲を指定する
ことを特徴とする請求項11または請求項12に記載の線幅誤差取得装置。 - X軸方向およびY軸方向に移動可能なテーブルと、
前記テーブルの位置座標を測定する位置測定部と、
光源からの光で前記テーブルに載置された試料を照明する照明光学系と、
前記試料を透過または前記試料で反射した光をセンサに入射させて、前記試料に形成されたパターンの光学画像データを取得する撮像部と、
前記パターンの設計データから前記光学画像データに対応する参照画像データを作成する参照画像データ生成部と、
前記パターンの光学画像データと参照画像データを比較して、これらの差分値が所定の閾値を超える場合に欠陥と判定する比較部と、
前記参照画像データにおけるパターンのエッジ位置を決めるための閾値に等しい前記光学画像データの信号量の位置を前記パターンのエッジとし、該パターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出し、前記エッジペアを用いて該光学画像データのパターンの線幅を求め、指定された線幅範囲に含まれる線幅を有するパターンを抽出し、該線幅と、該光学画像データに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られる該パターンの線幅との差である線幅誤差を取得する線幅誤差取得部と、
を有し、
前記線幅誤差取得部は、前記光源の光量が変動した場合または前記光学画像データのコントラストが低下した場合に、前記線幅範囲を新たに指定し、前記光学画像データにおいて、該新たな線幅範囲に含まれる線幅を有するパターンを抽出することを特徴とする検査システム。 - 前記位置測定部から出力された前記テーブルの位置座標の情報を用いて、前記線幅誤差を前記試料上の位置座標と対応させた線幅誤差マップを作成するマップ作成部を有することを特徴とする請求項14に記載の検査システム。
- 前記光源の光量の変動量と前記線幅範囲の最適値との関係、および、前記コントラストの低下量と前記線幅範囲の最適値との関係の少なくとも一方を実験によって求め、
前記関係の少なくとも1つにしたがって前記新たな線幅範囲を指定する
ことを特徴とする請求項14または請求項15に記載の検査システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015035796A JP6431786B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 線幅誤差取得方法、線幅誤差取得装置および検査システム |
US15/051,744 US9646374B2 (en) | 2015-02-25 | 2016-02-24 | Line width error obtaining method, line width error obtaining apparatus, and inspection system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015035796A JP6431786B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 線幅誤差取得方法、線幅誤差取得装置および検査システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016156746A JP2016156746A (ja) | 2016-09-01 |
JP6431786B2 true JP6431786B2 (ja) | 2018-11-28 |
Family
ID=56693216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015035796A Active JP6431786B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 線幅誤差取得方法、線幅誤差取得装置および検査システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9646374B2 (ja) |
JP (1) | JP6431786B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105092608B (zh) * | 2015-09-24 | 2017-11-03 | 哈尔滨工业大学 | 终端光学元件损伤在线检测中孪生像的剔除方法 |
CN107657600B (zh) * | 2017-09-05 | 2020-06-30 | 深圳市斯尔顿科技有限公司 | 眼科oct图像的基准图选取方法和图像合成方法 |
JP7072844B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-05-23 | 東レエンジニアリング先端半導体Miテクノロジー株式会社 | ウェハパターンのエッジと基準パターンのエッジとの乖離量と基準パターンのスペース幅との関係を示す補正線を生成する方法および装置、並びにコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US10509328B2 (en) * | 2018-04-27 | 2019-12-17 | Applied Materials, Inc. | Fabrication and use of dose maps and feature size maps during substrate processing |
JP7064404B2 (ja) * | 2018-08-13 | 2022-05-10 | 株式会社キーエンス | 光学式変位計 |
US10684561B2 (en) | 2018-10-29 | 2020-06-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography method |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07174513A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Olympus Optical Co Ltd | 周期的パターン測定装置 |
US6965687B2 (en) * | 2000-06-21 | 2005-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Size checking method and apparatus |
JP4834244B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2011-12-14 | 株式会社東芝 | 寸法検査方法及びその装置並びにマスクの製造方法 |
JP3824542B2 (ja) | 2002-01-25 | 2006-09-20 | 株式会社東芝 | 線幅検査方法とその装置 |
JP4817861B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2011-11-16 | 株式会社東芝 | パターン寸法測定方法及び寸法測定装置 |
JP5010701B2 (ja) | 2010-03-17 | 2012-08-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置および検査方法 |
JP5254270B2 (ja) | 2010-04-09 | 2013-08-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査方法および検査装置 |
-
2015
- 2015-02-25 JP JP2015035796A patent/JP6431786B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-24 US US15/051,744 patent/US9646374B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9646374B2 (en) | 2017-05-09 |
JP2016156746A (ja) | 2016-09-01 |
US20160247267A1 (en) | 2016-08-25 |
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|
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