CN103235486A - 一种校正曝光图形的方法 - Google Patents
一种校正曝光图形的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103235486A CN103235486A CN2013100369986A CN201310036998A CN103235486A CN 103235486 A CN103235486 A CN 103235486A CN 2013100369986 A CN2013100369986 A CN 2013100369986A CN 201310036998 A CN201310036998 A CN 201310036998A CN 103235486 A CN103235486 A CN 103235486A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pattern
- exposure
- correction
- mask plate
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明涉及一种校正曝光图形的方法，该方法是通过改变掩膜板结构来实现，所述的掩膜板边缘区域的图案与曝光时掩膜板边缘区域发生变形的图案垂直。本发明从掩膜板入手提出了极限曝光下校正其图案的技术手段，极限曝光时图案采用特定的掩膜板可以校正图案形状，提高光刻工艺的生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其是极限曝光条件下，利用校正的掩膜板参与曝光过程，得到光刻图案不易变形，有利于提高光刻工艺生产效率。
背景技术
光刻（Lithography）是以某种光子束或粒子束，经过由通透和非通透的图形组成的掩模版，照射在涂覆光刻胶（或称光致抗蚀剂）上，利用光刻胶的感光性或抗蚀性，形成与掩模版图形一致（正胶）或相补（负胶）的感光区域，再经过化学显影，去除或保留这些区域得到的光刻胶图案。光刻是高精度微几何形状图形化最有效的手段之一，它可以大规模复制微细图形进行生产，是一种低成本高效率的加工技术，是半导体工艺中的核心技术。光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂，是一种由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对某些波长感光灵敏的胶状混合液体。光刻胶是利用光化学反应进行图案转移的媒介，一类应用广泛的精细化学品。光刻胶的主要作用就是作为抗蚀剂保护基片表面，通过光照形成图案，再通过刻蚀将图案转移到基底上，从而加工出需要的微结构图案。
而光刻工艺中极限曝光面积下，曝光过程光路的输出是发散的，掩膜版面积大到极限时，光路中边缘的发散光会参与到工艺中，导致图案转移失真，直接影响后续加工工艺。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：提出一种校正曝光图形的方法，保证极限曝光面积下图案转移的准确度。
本发明所采用的技术方案为：一种校正曝光图形的方法，该方法是通过改变掩膜板结构来实现，所述的掩膜板边缘区域的图案与曝光时掩膜板边缘区域发生变形的图案垂直。
本发明所述的掩膜板边缘区域的图案为椭圆形；所述的掩膜板的曝光面积为极限曝光面积。
由于实际曝光中镜头的光束非中心的边缘部分是向外发散的，只有掩膜板的面积一定小时，光路主要由镜头轴心一束组成，所得图案会和掩膜板一样。掩膜板面积为机台允许的极限面积时，光路中非中心发散部分会参与曝光，导致边缘图案变形。因此，本发明直接把掩膜板边缘区域设计成于变形图案相垂直的图案，这样正好曝光时正好可以修正光路中非中心发散部分会参与曝光所带来的问题。
本发明的有益效果是：本发明从掩膜板入手提出了极限曝光下校正其图案的技术手段，极限曝光时图案采用特定的掩膜板可以校正图案形状，提高光刻工艺的生产效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1为小面积曝光场光路示意图；
图2为极限面积曝光场光路示意图；
图3为小面积曝光场掩膜版图案a和光刻胶图案b示意图；
图4为极限曝光场下掩膜板图案a和实际曝光图案b示意图；
图5为校正前掩膜板图案a和后掩膜版图案b示意图；
图6为校正掩膜板图案a和曝光图案b。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
实施例1
使用步进式曝光机，实际生产中采用的掩膜版曝光面积为5m*5m，极限曝光面积为20mm*20mm，且图案均为圆；涂胶和显影为一体机，同时可以完成涂胶和显影工艺，且工艺为自动过程；光刻胶为正性光刻胶。生产中采用的光刻工艺流程具体为：首先在衬底上根据预定的制程进行涂胶作业，将涂胶合格的衬底放置在步进式曝光机台中，选择5mm*5mm的掩膜版进行曝光作业，约1小时可以完成25片衬底的曝光；然后将曝光后的片子进行显影，检查显影后图案的情况如图3，发现最后得到的光刻胶图案为预期目标，这样就完成一个完整的光刻工艺。
实施例2
采用的掩膜版为极限曝光面积的20mm*20mm，工艺与实施例1工艺相似，此时完成25片的衬底曝光约需要10分钟，但是检查显影后图案如图4，发现越靠近边缘其图案慢慢不再是圆而是椭圆。
实施例3
采用的掩膜版仍然为极限曝光面积的20mm*20mm，工艺与实施例1工艺相似，不同之处在于本实例掩膜版的形状进行了校正如图5。根据实例2中光刻胶显影后的图案，将掩膜版图案修正为图5-b所示，将掩膜版边缘区域图案人为改变成椭圆，但是其排列与实例2中最后得到的光刻胶图案垂直，再一次进行光刻工艺流程，显影后检查图案发现边缘区域仍然为圆形，没有出现图案形变情况如图6。
以上说明书中描述的只是本发明的具体实施方式，各种举例说明不对本发明的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的具体实施方式做修改或变形，而不背离发明的实质和范围。
Claims (3)
1.一种校正曝光图形的方法，该方法是通过改变掩膜板结构来实现，其特征在于：所述的掩膜板边缘区域的图案与曝光时掩膜板边缘区域发生变形的图案垂直。
2.如权利要求1所述的一种校正曝光图形的方法，其特征在于：所述的掩膜板边缘区域的图案为椭圆形。
3.如权利要求1所述的一种校正曝光图形的方法，其特征在于：所述的掩膜板的曝光面积为极限曝光面积。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013100369986A CN103235486A (zh) | 2013-01-30 | 2013-01-30 | 一种校正曝光图形的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013100369986A CN103235486A (zh) | 2013-01-30 | 2013-01-30 | 一种校正曝光图形的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103235486A true CN103235486A (zh) | 2013-08-07 |
Family
ID=48883533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2013100369986A Pending CN103235486A (zh) | 2013-01-30 | 2013-01-30 | 一种校正曝光图形的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103235486A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105565253A (zh) * | 2014-10-17 | 2016-05-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件及其制备方法、电子装置 |
| CN105892222A (zh) * | 2016-06-03 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版、接近式曝光机、彩色滤光片的制备方法 |
| CN107703714A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-02-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示器的基板的制造方法及光罩 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1605936A (zh) * | 2003-10-06 | 2005-04-13 | 松下电器产业株式会社 | 光掩模及图案形成方法 |
| CN1688932A (zh) * | 2002-10-02 | 2005-10-26 | 索尼株式会社 | 掩模图形修正法 |
| CN101034255A (zh) * | 2006-03-08 | 2007-09-12 | 恩益禧电子股份有限公司 | 光掩模和曝光方法 |
| US20100013105A1 (en) * | 2006-11-13 | 2010-01-21 | United Microelectronics Corp. | Method of manufacturing photomask and method of repairing optical proximity correction |
| US20120307218A1 (en) * | 2011-05-30 | 2012-12-06 | Takashi Kamo | Method of correcting defects in a reflection-type mask and mask-defect correction apparatus |
-
2013
- 2013-01-30 CN CN2013100369986A patent/CN103235486A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1688932A (zh) * | 2002-10-02 | 2005-10-26 | 索尼株式会社 | 掩模图形修正法 |
| CN1605936A (zh) * | 2003-10-06 | 2005-04-13 | 松下电器产业株式会社 | 光掩模及图案形成方法 |
| CN101034255A (zh) * | 2006-03-08 | 2007-09-12 | 恩益禧电子股份有限公司 | 光掩模和曝光方法 |
| US20100013105A1 (en) * | 2006-11-13 | 2010-01-21 | United Microelectronics Corp. | Method of manufacturing photomask and method of repairing optical proximity correction |
| US20120307218A1 (en) * | 2011-05-30 | 2012-12-06 | Takashi Kamo | Method of correcting defects in a reflection-type mask and mask-defect correction apparatus |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105565253A (zh) * | 2014-10-17 | 2016-05-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件及其制备方法、电子装置 |
| CN105565253B (zh) * | 2014-10-17 | 2019-06-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件及其制备方法、电子装置 |
| CN105892222A (zh) * | 2016-06-03 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版、接近式曝光机、彩色滤光片的制备方法 |
| CN107703714A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-02-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示器的基板的制造方法及光罩 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9152046B2 (en) | Photo-resist with floating acid | |
| JPS6265326A (ja) | 露光装置 | |
| CN101295129B (zh) | 光学近距修正的方法 | |
| TW511149B (en) | Photomask and method for manufacturing the same | |
| US6337175B1 (en) | Method for forming resist pattern | |
| US20110154274A1 (en) | Frequency division multiplexing (fdm) lithography | |
| EP3465349A1 (en) | Improved method for computer modeling and simulation of negative-tone-developable photoresists | |
| CN103235486A (zh) | 一种校正曝光图形的方法 | |
| JP2014211478A5 (zh) | ||
| US11036141B2 (en) | Photoresist and manufacturing method of photoresist patterns | |
| WO2015043321A1 (zh) | 一种纳米压印光刻装置及其方法 | |
| CN113109991A (zh) | 目标版图的修正方法及掩膜版版图的形成方法 | |
| CN106371289B (zh) | 鸡蛋清稀薄蛋白作为光刻胶的应用 | |
| CN114488721A (zh) | 光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质 | |
| KR20230035943A (ko) | MPC(Mask Process Correction) 방법 및 이를 이용한 리소그래피 마스크 제조 방법 | |
| CN110361927B (zh) | 光刻模型生成方法以及opc修正方法 | |
| KR102668037B1 (ko) | 패턴 형성 방법 | |
| CN110488573B (zh) | 一种晶圆光刻方法及晶圆光刻用光罩组件 | |
| JPS6150377B2 (zh) | ||
| KR100854878B1 (ko) | 반도체 소자의 노광 방법 | |
| EP1299772A1 (en) | Apparatus and method for forming photoresist pattern with target critical dimension | |
| TWI811448B (zh) | 遮罩之形成方法 | |
| JPH0467613A (ja) | 微細コンタクトホールの形成方法 | |
| CN113050362B (zh) | 光学邻近修正方法及掩膜版 | |
| JP2005108892A (ja) | 調節フィルタ、露光装置、及び、露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130807 |