CN101034255A - 光掩模和曝光方法 - Google Patents

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CN101034255A CNA2007100857077A CN200710085707A CN101034255A CN 101034255 A CN101034255 A CN 101034255A CN A2007100857077 A CNA2007100857077 A CN A2007100857077A CN 200710085707 A CN200710085707 A CN 200710085707A CN 101034255 A CN101034255 A CN 101034255A
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Abstract

一种光掩模，其用于利用偶极子式照明光对半导体晶片进行曝光，并且包括主开口、第一辅助开口、第二辅助开口、第三辅助开口和第四辅助开口。设置每个辅助开口以使得其中心点其偏离第一直线和第二直线，其中第一直线平行于第一方向并经过主开口的中心点，以及第二直线平行于第二方向并经过主开口的中心点。此处，第一方向是光掩模的面内方向中的方向，该方向平行于偶极子式照明光的有效光源分布的排列方向。此外，第二方向是光掩模的面内方向中的方向，其与排列方向垂直。

Description

光掩模和曝光方法
本申请基于日本专利申请No.2006-062994，其内容通过引用并入此处。
技术领域
本发明涉及一种光掩模，以及涉及一种使用该光掩模的曝光方法。背景技术
可以在日本未决公开专利公开No.H11-135402(专利文献1)中找到迄今为止开发的光掩模的实例。其中公开的光掩模包括主开口之外的辅助开口(开口特征)。这里，主开口是指所配置的透明图案，从而与将要形成在半导体晶片上的光致抗蚀剂膜上的预定开口图案相对应，由此其被转移到半导体晶片上。辅助开口是指配置在主开口周围的透明图案，但是不将其转移到半导体晶片上的光致抗蚀剂膜。辅助开口连同主开口以方形网格图案排列。
发明内容
当通过光掩模对半导体晶片上的光致抗蚀剂膜进行曝光时，如此配置在主开口周围的辅助开口允许增加分辨率。然而，利用根据专利文献1的光掩模使用偶极子式(dipole)照明光进行曝光将会导致在特定的方向处的分辨率非常低。这往往使得在半导体晶片上沿着那个方向邻近地布局的图案会发生短路。
根据本发明，提供一种光掩模，其用于利用偶极子式照明光曝光半导体晶片，包括：主开口，其被配置为对应于将要形成在半导体晶片上的光致抗蚀剂膜上的预定图案，并且将要被转移到半导体晶片上的光致抗蚀剂膜；以及辅助开口，其被配置在主开口周围，但不会被转移至半导体晶片上的光致抗蚀剂膜；其中，当与偶极子式照明光的有效光源分布的排列方向平行和垂直的光掩模的面内方向中的方向被分别定义为第一和第二方向时，辅助开口位于使得辅助开口的中心点偏离下述第一直线和第二直线的位置，其中所述第一直线平行于第一方向并经过主开口的中心点，以及第二直线平行于第二方向并经过主开口的中心点。
在该光掩模中，辅助开口的中心点偏离第一和第二直线。相反地，在辅助开口的中心点落在第一直线上的情况下，第二方向处的分辨率极度恶化。此外，在辅助开口的中心点落在第二直线上的情况下，第一方向处的分辨率极度恶化。设置辅助开口从而使中心点偏离第一和第二直线，因此，防止了在特定方向处的分辨率极度恶化。
这里，假设主开口具有一定质量，则主开口的中心点被定义为重心。例如，当主开口具有矩形形状时，其中心点与两个对角线的交叉点重合。当主开口是圆形时，中心点与圆心重合。这也适用于辅助开口的中心点。
根据本发明，还提供一种通过上述光掩模利用偶极子式照明光对半导体晶片进行曝光的照相方法。由于使用了上述光掩模，该曝光方法防止了沿着晶片表面平面内的特定方向的极端的分辨率损失。
由此，本发明提供一种光掩模和一种曝光方法，其防止了沿着晶片表面平面内的特定方向的极端的分辨率损失。
附图说明
根据以下说明书和附图，本发明的上述及其他目的、优点和特征将变得更加明显，其中：
图1示出了根据本发明的第一实施例的光掩模的平面图；
图2A和2B分别示出了用于仿真的环形照明光源和偶极子式照明光源的平面图；
图3A示出了根据本发明的第一工作实例的光掩模的平面图；
图3B示出了对于图3A所示的光掩模，利用该偶极子式照明光的空间像(aerial image)仿真结果的图形；
图3C示出了对于图3A所示的光掩模，利用该环形照明光的空间像仿真结果的图形；
图4A示出了根据第一比较实例的光掩模的平面图；
图4B示出了对于图4A所示的光掩模，利用偶极子式照明光的空间像仿真结果的图形；
图4C示出了对于图4A所示的光掩模，利用该环形照明光的空间像仿真结果的图形；
图5A示出了根据第二比较实例的光掩模的平面图；
图5B示出了对于图5A所示的光掩模，利用偶极子式照明光的空间像仿真结果的图形；
图6A示出了根据第三比较实例的光掩模的平面图；
图6B示出了对于图6A所示的光掩模，利用偶极子式照明光的空间像仿真结果的图形；
图7A示出了根据第四比较实例的光掩模的平面图；
图7B示出了对于图7A所示的光掩模，利用该环形照明光的空间像仿真结果的图形；
图8A示出了根据第五比较实例的光掩模的平面图；
图8B示出了对于图8A所示的光掩模相关，利用该环形照明光的空间像仿真结果的图形；
图9示出了基于空间像仿真结果的、沿着辅助开口的位置方向的强度分布曲线图；
图10示出了基于空间像仿真结果的聚焦裕度的曲线图；
图11示出了工作实例和比较实例之间的将被暴露的孔图案的圆度的对比的曲线图；
图12示出了工作实例和比较实例之间的将被暴露的孔图案的圆度的对比的曲线图；
图13示出了根据本发明的第二实施例的光掩模的平面图；
图14A示出了根据本发明的第二工作实例的光掩模的平面图；
图14B示出了对于图14A所示的光掩模，利用偶极子式照明光的空间像仿真结果的图形；
图14C示出了对于图14A所示的光掩模，利用该环形照明光的空间像仿真结果的图形；
图15A示出了根据第六比较实例的光掩模的平面图；
图15B示出了对于图15A所示的光掩模，利用偶极子式照明光的空间像仿真结果的图形；
图15C示出了对于图15A所示的光掩模，利用该环形照明光的空间像仿真结果的图形；以及
图16A至16D示出了用于说明实施例效果的曲线图。
具体实施方式
现在将要参考说明性的实施例描述本发明。本领域技术人员将认识到，利用本发明的讲述可以完成多种可选实施例，并且本发明并不局限于为了说明目的而示出的这些实施例。
以下，将要参考附图详细描述根据本发明的光掩模和曝光方法的示例性实施例。在所述图中，相同的组成部分被给予了相同的数字，并且将不再重复其说明。
(第一实施例)
图1示出了根据本发明的第一实施例的光掩模的平面图。光掩模1将被用于利用偶极子式照明光对半导体晶片进行曝光，且包括主开口10以及辅助开口22(第一辅助开口)、辅助开口24(第二辅助开口)、辅助开口26(第三辅助开口)和辅助开口28(第四辅助开口)。
主开口10被配置为与将被形成在半导体晶片上的预定图案相对应，由此将被转移至半导体晶片。在本实施例中，图案是孔图案。辅助开口22、24、26、28位于主开口10周围，且不会被转移至半导体晶片。更加详细地，辅助开口22、24、26、28的开口面积小于主开口10的开口面积，且在曝光工艺中透射强度不足以转移辅助开口的光束。辅助开口22、24、26、28的开口面积可以是例如主开口10的大约50％至80％。在本实施例中，主开口10和辅助开口22、24、26、28都是矩形的，且更具体地，是正方形。
分别设置辅助开口22、24、26、28以使得中心点23、25、27、29偏离直线L1(第一直线)和直线L2(第二直线)，其中直线L1平行于第一方向并经过主开口10的中心点11，以及直线L2平行于第二方向并经过中心点11。
此处，第一方向是光掩模1的面内方向中的方向，该方向平行于偶极子式照明光的有效光源分布的排列方向(图1中的水平方向)。此外，第二方向是光掩模1的面内方向中的方向，该方向与排列方向垂直(图1中的垂直方向)。在本实施例中，第一和第二方向平行于主开口10的四边(各个辅助开口22、24、26、28的四边)中的一个。偶极子式照明光的有效光源分布的排列方向可以解释为与如下线平行的方向，所述线是恰好在偶极子式照明光入射到光掩模1上之前连接偶极子式照明光的两个强度峰值的线。
此外，假设主开口10具有一定质量，则主开口10的中心点11被定义为重心。在本实施例中，由于主开口10具有矩形形状，因此中心点11与两条对角线的交叉点重合。这也适用于各个辅助开口22、24、26、28的中心点23、25、27、29。当然，尽管如图1所示中心点11、23、25、27、29都是可见的，但是它们都是假想的点。
将要更详细地描述辅助开口22、24、26、28的位置。辅助开口22、24、26、28被设置在直线L3(第三直线)或直线L4(第四直线)上，其中直线L3平行于第三方向并经过主开口10的中心点11，以及直线L4平行于第四方向并经过中心点11。更具体地，辅助开口22和辅助开口24位于直线L3上，关于中心点11彼此相对，以及辅助开口26和辅助开口28位于直线L4上，关于中心点11彼此相对。在本实施例中，具体来说，辅助开口22的中心点23和辅助开口24的中心点25落在直线L3上，以及辅助开口26的中心点27和辅助开口28的中心点29落在直线L4上。
此处，第三和第四方向是光掩模1的面内方向中的方向，其分别被定义为相对于偶极子式照明光的有效光源分布的排列方向的45°和135°。当将直线L1围绕中心点11在光掩模1的平面中逆时针旋转角度θ(0≤θ＜180°)时获得一直线，而平行于该直线的方向是限定了角度θ的方向(参考图1)。上述第一和第二直线分别对应于θ是0°和90°的情况。
根据本发明的曝光方法的第一实施例表示了通过上述光掩模1利用偶极子式照明光辐照半导体晶片的情形。
该实施例提供了以下的有益效果。在该光掩模1中，辅助开口22、24、26、28的所有中心点23、25、27、29偏离L1直线和直线L2。相反地，在中心点23、25、27、29的任一个落在直线L1上的情况下，第二方向处的分辨率极度恶化。同样地，在中心点23、25、27、29的任一个落在直线L2上的情况下，第一方向处的分辨率极度恶化。
为了说明上述要点，假定直线L1和经过辅助开口和主开口的中心点的直线定义了角度ψ(0≤ψ＜180°)。以与角度θ相同的方式采用角度ψ。现在，图16A至16D示出了归一化图像对数斜率(NormalizedImage Log-Slope)(以下，NILS)和ψ之间的关系曲线图。NILS是通过使用与阈值位置移动(相应于曝光量的变化)相关的尺寸波动斜率乘以线宽而获得的值。NILS越高，就能够获得更高的分辨率。图16A和16B表示了使用不对称照明的情形，其通常是偶极子式照明，而图16C和16D表示了使用对称照明的情形，其通常是环形照明。此外，图16A和16C示出了第一方向的NILS，而图16B和16D示出了第二方向的NILS。
如图16A和16B所示的，在使用偶极子式照明的情况下，当角度ψ从0°增加到45°时，第一方向处的分辨率单调下降，而第二方向处的分辨率单调增加。当ψ进一步从45°增加到90°时，第一和第二方向处的分辨率单调下降。进一步，当ψ从180°降到90°时，第一和第二方向处的分辨率表现出与上述相类似的趋势。因此，当角度ψ在0≤ψ＜180°的范围内变化时，在ψ＝0°、90°或180°处第二方向的分辨率变为最小值，而在ψ＝90°处第一方向处的分辨率变为最小值。
上述内容解释了为什么设置辅助开口从而使中心点偏离第一和第二直线能够保持特定方向处的分辨率不会极度恶化。换言之，可以增大分辨率变为最小值的方向处的分辨率，由此可以减少取决于方向的分辨率波动。由此在不同的方向处获得了平衡的分辨率，这在孔图案曝光中是尤其显著的优点。
此外，辅助开口22、24、26、28位于直线L3或直线L4上。上述位置对应于角度ψ接近45°或135°的情况。由于在上述点处第一方向处的分辨率和第二方向处的分辨率变得彼此更接近，因此对于在两个方向处获得均衡的分辨率来说，根据本实施例的位置是最优的。
光掩模1中的辅助开口包括位于直线L3上关于中心点11彼此相对的辅助开口22和辅助开口24，以及位于直线L4上关于中心点11彼此相对的辅助开口26和辅助开口28。由此，以对称图案在主开口10周围设置多个辅助开口增强了获得均衡分辨率的上述效果。
本实施例的曝光方法使用了光掩模1。因此，上述方法防止了特定方向处的分辨率的极端恶化。
现在参考图2A至8B，将要描述为证明本实施例的效果而执行的仿真的结果。图2A和2B示出了在这个仿真中使用的光源的平面图。前者示出了偶极子式照明光源，而后者示出了环形照明光源。如图2A所示，偶极子式照明光源的开口是半径为0.30的圆形。从两个开口之间的中点到各个开口的中心点的距离(相当于两个开口的中心点之间的距离的1/2)是0.70。随后如图2B所示，环形照明光源的内径和外径分别是0.57和0.85。在该仿真中，通过二元掩模，照明光波长为157nm、数值孔径(NA)为0.8，对70nm的孤立孔进行曝光。在本文中，诸如图案大小和图案之间的距离的尺寸被示出为转移到晶片上的尺寸，以简化说明，但是掩模图案的大小与被转移到晶片上的大小不同。
图3A示出了根据本发明的第一工作实例的光掩模的平面图。作为图1所示的光掩模1，该光掩模包括45°和135°方向处的全部四个辅助开口20。主开口10的中心点和辅助开口20的中心点之间的距离近似地为170nm。主开口10是边长为90nm的正方形，且辅助开口20是边长为70nm的正方形。在随后将描述的图4A、5A、7A和8A中，主开口10和辅助开口20的形状和尺寸是相同的。
图3B示出了对于图3A所示的光掩模，利用该偶极子式照明光的空间像仿真结果的图形。当基于该结果计算NILS时，在0°方向(第一方向)处得到的值为1.413，在90°(第二方向)处得到的值为1.424，且在45°(第三方向)处得到的值为1.467。在实际的半导体制造工艺中，期望NILS为1.4或更高。
图3C示出了对于图3A所示的光掩模，利用该环形照明光的空间像仿真结果的图形。在45°方向处，基于该结果计算的NILS为1.373。
图4A示出了根据第一比较实例的光掩模的平面图。该光掩模仅仅包括主开口10和辅助开口20当中的主开口10。
图4B示出了对于图4A所示的光掩模，利用偶极子式照明光的空间像仿真结果的图形。在0°方向处基于该结果计算的NILS为1.199，在90°处为1.277。
图4C示出了对于图4A所示的光掩模，利用该环形照明光的空间像仿真结果的图形。基于该结果计算的NILS为1.238。
图5A示出了根据第二比较实例的光掩模的平面图。在0°方向处，该光掩模包括两个辅助开口20。主开口10的中心点和相应的辅助开口20的中心点之间的距离为160nm。
图5B示出了对于图5A所示的光掩模，利用偶极子式照明光的空间像仿真结果的图形。基于该结果计算的NILS在0°方向处为1.807，且在90°处为1.104。
图6A示出了根据第三比较实例的光掩模的平面图。在0°方向处该光掩模包括两个辅助开口20。然而，主开口10是矩形，其具有60nm的短边和120nm的长边，且辅助开口20是矩形，其具有50nm的短边和90nm的长边。主开口10的中心点和相应的辅助开口20的中心点之间的距离为160nm。
图6B示出了对于图6A所示的光掩模，利用偶极子式照明光的空间像仿真结果的图形。在0°方向处，基于该结果计算的NILS为1.502，在90°处为1.151。
图7A示出了根据第四比较实例的光掩模的平面图。该光掩模包括在0°和90°方向处的四个辅助开口20。主开口10的中心点和相应的辅助开口20的中心点之间的距离为160nm。
图7B示出了对于图7A所示的光掩模，利用该环形照明光的空间像仿真结果的图形。基于该结果计算的NILS为1.364。
图8A示出了根据第五比较实例的光掩模的平面图。在0°、45°、90°和135°处，该光掩模包括总共八个辅助开口20。主开口10的中心点和位于0°和90°处的相应辅助开口20的中心点之间的距离为160nm。主开口10的中心点和位于45°和135°处的相应辅助开口20的中心点之间的距离大约为230nm。
图8B示出了对于图8A所示的光掩模，利用该环形照明光的空间像仿真结果的图形。基于该结果计算的NILS为1.227。
考虑到上述结果可以理解，对于表示本发明的工作实例的图3B获得的0°、45°和90°方向处的所有NILS值都高于对于表示比较实例的图3C、4B、4C、7B和8B的NILS值。尽管表示比较实例的图5B和6B的0°方向处的NILS值高于图3B的值，但是在图5B和6B的90°方向处的NILS值远低于图3B的值。当特定的方向处的NILS如此之低时，主开口和辅助开口，或者邻近地位于那个方向的各辅助开口可能会发生短路。
图9示出了基于上述空间像仿真结果、沿着辅助开口的位置方向的强度分布曲线图。图10示出了基于上述结果的聚焦裕度曲线图。在这些曲线图中，线C31、C32、C41、C42、C51、C61、C71和C81分别对应于图3B、3C、4B、4C、5B、6B、7B和8B。
如图9的曲线图所示的，确保了充足的转移(transference)裕度。此处所称的转移裕度是指如下所述的照明光强度范围，其是使主开口转移而不允许辅助开口转移所需的照明光强度范围。此外，如根据图10可以理解的，当通过图3A的光掩模利用偶极子式照明光执行曝光时，获得了0.17μm的最大聚焦裕度(参考线C31)。另一方面，在通过图4A的光掩模利用环形照明光执行曝光的情况下，聚焦裕度为0.12μm(参考线C42)。
现在参考图11和12，在工作实例和比较实例之间比较被曝光的孔图案的圆度。图11示出了聚焦裕度的曲线图，且图12示出了NILS的曲线图。在这些曲线图中，线C31a且C31b分别表示关于图3B的垂直方向(90°)和水平方向(0°)的结果。同样地，线C41a和C41b分别表示了关于图4B的垂直方向和水平方向的结果；线C51a和C51b分别表示了图5B的垂直方向和水平方向，以及线C61a和C61b分别表示了图6B的垂直方向和水平方向。
如图11和12的曲线图所示的，当利用偶极子式照明光执行曝光时，通过图3A的光掩模(参考线C31a和C31b)，在垂直方向和水平方向之间获得了尺寸以及NILS的最小差。此外，在这种情况下，尺寸以及NILS的差接近于零。这表示可以复制一般精确的圆。相反，当利用偶极子式照明光通过图5A的光掩模执行曝光时(参考线C51a和C51b)，在垂直方向和水平方向之间尺寸差(CD)为15.6nm。此外，当利用偶极子式照明光通过图6A的光掩模执行曝光时(参考线C61a和C61b)，在垂直方向和水平方向之间尺寸差为8.7nm。由此，当在偶极子式照明的情况下辅助开口位于0°方向处时，圆明显地变形为椭圆(参考图5B和6B)。
(第二实施例)
图13示出了根据本发明的第二实施例的光掩模的平面图。光掩模2用于利用偶极子式照明光曝光半导体晶片，且包括多个主开口10和多个辅助开口20。具体地，光掩模2包括九块主开口10和四块辅助开口20。
类似于图1中所示那样配置各个主开口10。类似于图1所示的辅助开口22、24、26、28那样配置各个辅助开口20。此外，在本实施例中，设置辅助开口20以使其中心点偏离第一和第二直线。此外，辅助开口20位于第三或第四直线上。
第一、第二、第三和第四直线的定义与上述实施例中的相同。然而，如在本实施例中这样配置了多个主开口10的情况下，第一直线是指平行于第一方向且经过最接近于相应的辅助开口20的主开口10的中心点的直线。这也适用于第二、第三和第四直线。例如，对于位于图13中右上侧的辅助开口20，与该辅助开口20最接近的主开口10是包围相同辅助开口20的四个主开口10。
根据本发明的曝光方法的第二实施例表示了通过上述光掩模2利用偶极子式照明光辐照半导体晶片的情形。
同时，在本实施例中，由于所有辅助开口20的中心点都偏离第一和第二直线，因此可以防止特定方向处的分辨率极度恶化。此外，本实施例提供了通过上述实施例而提供的类似的优点。
参考图14A至15C，将要描述为证明本实施例的效果而执行的仿真的结果。在该仿真中，通过二元掩模，照明光波长为157nm、数值孔径(NA)为0.8，使用图2A和2B所示的光源对半致密孔进行曝光。孔之间的间距为240nm，且每个孔的大小为70nm。
图14A示出了根据本发明的第二工作实例的光掩模的平面图。主开口10和辅助开口20的布局与光掩模2相同。彼此最接近的主开口10的中心点之间的距离为240nm。主开口10之一的中心点和与其最接近的辅助开口20的中心点之间的距离约为170nm。主开口10是边长为90nm的正方形，且每个辅助开口20是边长为70nm的正方形。
图14B示出了对于图14A所示的光掩模，利用该偶极子式照明光的空间像仿真结果的图形。基于该结果计算的NILS为1.528。
图14C示出了对于图14A所示的光掩模，利用该环形照明光的空间像仿真结果的图形。基于该结果计算的NILS为1.287。
图15A示出了根据第六比较实例的光掩模的平面图。该光掩模仅仅包括主开口10和辅助开口20当中的主开口10。配置了多个主开口10作为图14A所示的光掩模。彼此最接近的主开口10的中心点之间的距离也为240nm。每个主开口10是边长为90nm的正方形。
图15B示出了对于图15A所示的光掩模，利用偶极子式照明光的空间像仿真结果的图形。基于该结果计算的NILS为1.298。
图15C示出了对于图15A所示的光掩模，利用该环形照明光的空间像仿真结果的图形。基于该结果计算的NILS为1.100。
如那些结果所示的，当利用偶极子式照明光执行曝光时，通过图14A的光掩模获得了最大的NILS。
根据本发明的光掩模和曝光方法不局限于上述实施例，而是可以作出各种改型。为了引述一些实例，尽管在上述实施例中辅助开口位于45°和135°的方向处，但是只要辅助开口的中心点偏离第一和第二直线，那么辅助开口也可以位于与45°或135°不同的方向。
此外，尽管上述实施例示出了配置了四块辅助开口的情况，但是只要是一个或更多，则可以配置任何数量的辅助开口。
进一步，尽管实施例示出了辅助开口具有正方形形状的情况，但是可以将辅助开口形成为不同的形状。除了正方形之外的形状的例子包括矩形、圆和椭圆。
很明显本发明不局限于上述实施例，并且可以在不背离本发明的保护范围和精神的情况下作出改变和变化。

Claims (6)

1.一种用于利用偶极子式照明光对半导体晶片进行曝光的光掩模，包括：
主开口，其被配置为对应于将要形成在所述半导体晶片上的预定图案并且将要被转移至所述半导体晶片；以及
次分辨率辅助开口，其被配置在所述主开口周围；
其中，当与所述偶极子式照明光的有效光源分布的排列方向平行和垂直的所述光掩模的面内方向中的方向被分别定义为第一和第二方向时，所述辅助开口位于使得所述辅助开口的中心点偏离下述第一直线和第二直线的位置，其中所述第一直线平行于所述第一方向并经过所述主开口的中心点，以及所述第二直线平行于所述第二方向并经过所述主开口的所述中心点。
2.根据权利要求1所述的光掩模，
其中，当与相对于所述偶极子式照明光的所述有效光源分布的所述排列方向成45°和135°的所述光掩模的所述面内方向中的方向被分别定义为第三和第四方向时，所述辅助开口位于第三直线或第四直线上，其中所述第三直线平行于所述第三方向且经过所述主开口的所述中心点，以及所述第四直线平行于所述第四方向且经过所述主开口的所述中心点。
3.根据权利要求2所述的光掩模，
其中所述辅助开口包括位于所述第三直线上从而关于所述主开口的所述中心点彼此相对的第一和第二辅助开口，以及位于所述第四直线上从而关于所述主开口的所述中心点彼此相对的第三和第四辅助开口。
4.根据权利要求1所述的光掩模，
其中配置了多个所述主开口和多个所述辅助开口；
所述第一直线是平行于所述第一方向且经过最接近于每个所述辅助开口的所述主开口的所述中心点的直线；以及
所述第二直线是平行于所述第二方向且经过最接近于每个所述辅助开口的所述主开口的所述中心点的直线。
5.根据权利要求2所述的光掩模，
其中配置了多个所述主开口和多个所述辅助开口；
所述第一直线是平行于所述第一方向且经过最接近于每个所述辅助开口的所述主开口的所述中心点的直线；
所述第二直线是平行于所述第二方向且经过最接近于每个所述辅助开口的所述主开口的所述中心点的直线；
所述第三直线是平行于所述第三方向且经过最接近于每个所述辅助开口的所述主开口的所述中心点的直线；以及
所述第四直线是平行于所述第四方向且经过最接近于每个所述辅助开口的所述主开口的所述中心点的直线。
6.一种利用偶极子式照明光曝光半导体晶片的方法，包括通过根据权利要求1的所述光掩模利用所述偶极子式照明光辐照所述半导体晶片。
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