JP2010085778A - フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの欠陥修正システム及びフォトマスクの欠陥修正プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】 フォトマスクの欠陥修正工程において微小な欠陥の位置を特定し、適切に修正することが可能となるフォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの欠陥修正システム及びフォトマスクの欠陥修正プログラムを提供する。
【解決手段】 像質評価装置により検査を行った結果、修正すべき欠陥が発見されたがその位置の特定が修正装置では困難な場合に、位置合わせ用マークを形成する。位置合わせ用マークを基準として像質評価装置による画像と修正装置による画像とを重ね合わせることによって、修正装置において修正すべき欠陥の位置情報を正確に把握することができる。
【選択図】 図９

Description

本発明はフォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの欠陥修正システム及びフォトマスクの欠陥修正プログラムに関する。

半導体集積回路の製造に用いられるフォトマスクの製造工程において、フォトマスク基板上に形成されたマスクパターンが良好かどうか、つまりある合格基準を満たすかどうかチェックすることが必要である。それにはウェハー転写に使う露光装置と同様な光学系を持った検査装置で観察することが理想である。

一般的には、露光装置と同波長、同光学系を持つ像質評価装置で検査を行う。具体的にはデバイスを作製する時と全く同様の照明条件を作り出すことにより、マスクパターンをウェハーに転写した場合のパターン像を得ることができ、このパターン像を評価することでフォトマスクの検査を行う（例えば、特許文献１参照）。

像質評価装置により検査を行った結果、修正すべき欠陥が発見された場合、修正装置内で欠陥の修正が行われる。しかし、像質評価装置により微小な欠陥が発見された場合、修正装置により得られる画像は分解能が低いため、像質評価装置からアウトプットされる欠陥座標情報に基づいて欠陥座標に移動しても、修正すべき欠陥の位置を特定することが困難であるという問題があった。
特開２００３−１４０３２１

フォトマスクの欠陥修正工程において微小な欠陥の位置を特定し、適切に修正することが可能となるフォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの欠陥修正システム及びフォトマスクの欠陥修正プログラムを提供する。

本発明の一態様によるフォトマスクの欠陥修正方法は、フォトマスクの欠陥検査工程において、修正装置により前記フォトマスクの第一の画像を取得する工程と、像質評価装置により欠陥領域を含む前記フォトマスクのウェハー転写画像である第二の画像を取得する工程と、前記第一の画像及び第二の画像を重ね合わせることにより、前記第一の画像における前記欠陥領域の位置を特定する工程とを備えることを特徴とする。

本発明の一態様によるフォトマスクの欠陥修正システムは、第一の画像である欠陥領域を含むフォトマスクの画像を取得する修正装置部と、第二の画像である前記欠陥領域を含む前記フォトマスクのウェハー転写画像を取得する像質評価装置部と、前記像質評価装置と前記修正装置部との間で前記フォトマスクを搬送する搬送部と、前記第一の画像及び第二の画像を格納する情報記憶部と、前記第一の画像及び第二の画像を重ね合わせて前記第一の画像における前記欠陥領域の位置を特定する演算処理部と、前記修正装置部、像質評価装置部、搬送部、情報記憶部及び演算処理部の動作を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。

本発明の一態様によるフォトマスクの欠陥修正プログラムは、フォトマスクの欠陥修正工程において、修正装置により欠陥領域を含む前記フォトマスクの第一の画像を取得する手段と、像質評価装置により前記欠陥領域を含む前記フォトマスクのウェハー転写画像である第二の画像を取得する手段と、前記第一の画像及び第二の画像を重ね合わせることにより、前記第一の画像における前記欠陥領域の位置を特定する手段と、修正装置により前記欠陥領域を修正する手段と、をコンピュータに実行させることを特徴とする。

フォトマスクの欠陥修正工程において微小な欠陥の位置を特定し、適切に修正することが可能となるフォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの欠陥修正システム及びフォトマスクの欠陥修正プログラムを提供することができる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。

（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正方法について図１を用いて説明を行う。

図１（ａ）はフォトマスク基板上に形成された複数のラインアンドスペースパターン１０１をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）方式によって観察した画像を表している。フォトマスクの製造工程では、製造されたフォトマスクが良好かどうか、つまりある合格基準を満たすかどうか評価することが必要である。それを判断するには、修正されたフォトマスクを用いて実際にウェハー上にパターンを転写し、ウェハー上に形成されたパターンを評価することが理想的である。

その要求を満たすため、一般的には、実際にパターン転写に用いられる露光装置と同波長、同光学系を持つ像質評価装置によって検査を行う。像質評価装置は、デバイスを作製する時と全く同様の照明条件を作り出すことにより、マスクパターンをウェハー上に転写した場合のウェハー上に形成されるパターン像を得ることができる。

図１（ｂ）は、図１（ａ）のフォトマスクを像質評価装置によって観察した画像を表している。像質評価装置を用いると、修正機による画像では見出すことが難しい微小欠陥等により、正常にパターンが転写されない領域（以下、異常転写領域と称する）１０２、１０３等を観察することができる。この正異常転写領域１０２、１０３の場所や寸法等を評価し、所定の評価基準を満たしていれば、そのフォトマスクは正常と判定される。

一方、評価基準を満たしていない場合は、そのフォトマスクは修正装置により修正を行う必要があるものと判定され、修正装置に搬送される。修正装置における修正すべき欠陥位置の特定は、像質評価装置からアウトプットされる欠陥座標情報に従って行われるため、修正装置内のステージにホールドされたフォトマスクはその情報に基づいて指定の座標に移動する。

このときの送り誤差は通常１〜数μｍ程度あるため、像質評価装置からアウトプットされる欠陥座標情報に基づいて欠陥座標に移動したあと、修正装置で修正すべき欠陥の位置を特定することが困難である。欠陥座標に移動したあと、修正装置による画像を取り込んだとして、欠陥が視野内に収まるのがやっとであり、その位置情報が０．１μｍ以下の精度で分かることはない。

本実施形態において問題にしている欠陥サイズは具体的には０．１μｍ以下のものであり、ＣＤエラー系の欠陥であれば０．０１μｍ前後のサイズのものである。修正装置により画像を取得した後、修正すべき欠陥の位置を特定するのは、画像を見る人の目で行うかそれを見出すための専用のソフトウェアが必要になる。

修正装置による画像の分解能が十分に高ければ問題ないが、上記した欠陥のサイズに対しては現在のところ十分な分解能を有する修正装置はなく、ラインアンドスペースパターンのように目印になる特徴的なパターンが無い場合、欠陥を見つけるのが非常に困難である。

ＥＢ修正装置は他の修正装置に比べてイメージ分解能が高く、修正すべき欠陥の位置を特定することができる可能性はあるが、十分とは言えず、また欠陥の種類によっては見つけにくい場合が存在する。例えば、ラインの太さが長さ数μｍに渡ってｎｍオーダーで太くなっているようないわゆるCDエラー欠陥の場合などである。この場合、視野内にあるライン部を一定区間に分けて全て計測すれば発見できる可能性はあるが、画像に乗る振動成分やパターンのラフネスとも相まって場所の特定が困難であると考えられる。

上記の問題を解決するために、本実施形態では、図１（ｃ）に示すように、像質評価装置により検査を行った結果、修正すべき欠陥が発見された場合に、修正装置において位置合わせ用マーク１０４をフォトマスクのパターン１０１の無いスペース上に形成することを特徴としている。位置合わせ用マーク１０４は像質評価装置で取得される画像において認識可能な程度の大きさで構わない。例えば、２６０ｎｍのスペースサイズであれば、１５０ｎｍ程度の直径のドットパターンを形成する。

図２は図１（ｃ）のＡ−Ｂ線に沿って切断された場合の断面図を表している。位置合わせ用マーク１０４は、図２に示すように、フォトマスク基板１０５へのダメージの誘発が少ないデポジションにより形成することが望ましい。特に、ＥＢ修正装置では電子線を用いてデポジションを行うことが可能なため、フォトマスク基板１０５へのダメージを最小限に抑えることができるため望ましい。具体的には、ガスノズル１０６から排出されるデポジションガス１０７とイオンビームや電子線１０８を用いたＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって位置合わせ用マーク１０４を形成することが考えられる。位置合わせ用マーク１０４としてＳｉＯ２を形成する場合には、デポジションガス１０８にはＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）等を用いることができる。

このあと再度像質評価装置で画像を取得することにより、この位置合わせ用マーク１０４を光強度プロファイルが変化する領域１０９として見出すことが出来る（図３）。像質評価装置で取得した画像と、修正装置で取得する画像のスケールが異なる場合でも、像質評価装置で取得した画像における位置合わせ用マーク１０４から修正すべき位置までの距離を明らかにすることによって、修正装置において、その位置関係の情報をもとに修正すべき位置の加工を行うことが出来る。

この作業をより簡単かつ精度良く行なう方法として、例えば、画像マッチングを用いる方法が挙げられる。まず像質評価装置から得られた画像上で、位置合わせ用マーク１０４と修正が必要な部分が含まれるように画像を切り出す。一方、修正装置から得られる画像上でもそれに対応した領域の画像を切り出して、２つの画像を重ね合わせる。このとき、２つの画像間で倍率や回転・ミラーの対応関係が一致するようにあらかじめ補正を加えておくことが必要である。また、重ね合わせたとき下の画像が見えるように、上の画像を透過性のものに変換するような画像処理を行っておく必要がある。

図４は、上記の方法を用いて得られた重ね合わせ画像を示している。図４に示すように、重ね合わせ画像を参照することにより、容易に修正の必要なパターンエッジとその区間を把握することができる。修正装置において、どの領域をどの程度修正すればよいのかは像質評価装置から得られた画像からフィードバックされた情報により決定される。従って、図４に示すように、修正の必要な領域が複数ありそれぞれの修正条件が異なる場合でも、予めマスクパターンの所定の領域毎に修正処理による透過率や寸法変動等の処理データを取得しておくことによって領域毎に修正条件を決定することが可能である。

修正条件の決定方法としては、例えば、修正エリア１では修正エリア２よりも不要転写領域が大きいため、修正エリア１を修正する際の削りこみパラメータを、修正エリア２を修正する際の削りこみパラメータよりも大きく設定する等により決定される。削りこみパラメータの調整は、ＥＢ修正装置やＦＩＢ修正装置のようなビーム系の修正機ならばドーズ量を、ＡＦＭ修正装置ならばエッジバイアスや探針加圧パラメータを調整することによって行われる。

修正装置により修正が終わったフォトマスクは再び像質評価装置を用いて評価を行い、修正した領域が評価基準を満たしているか否かの判定を行う。評価基準を満たしていない場合には再度修正を施し、評価基準を満たすまで修正と評価を繰り返す。再度修正を行う場合には、先の修正によって修正の必要な領域や修正すべき量等が変化している場合があるため、再度重ね合わせを行い、修正条件を再設定しておくことが望ましい。

一方、評価基準を満たしている場合には位置合わせ用マーク１０４を取り除く工程に移る。位置合わせ用マーク１０４を取り除く方法としては、ＥＢ修正装置やＦＩＢ修正装置のようなビーム系の修正装置ならばビームを照射してエッチング除去する方法、ＡＦＭ修正装置ならばプローブを使って削り取る方法等が考えられる。

図５にＥＢ修正装置やＦＩＢ修正装置のようなビーム系の修正装置を用いた場合の除去方法の一例を示す。図５（ａ）に示すように、ガスノズル１１０から排出されるエッチングガス１１１と位置合わせ用マーク１０４に対し、イオンビームや電子線１１２を照射し、反応させることにより位置合わせ用マーク１０４を除去する（図５（ｂ））。予め位置合わせ用マーク１０４の膜厚を測定しておき、いつも一定膜厚で形成するようにしておくことにより、取り除くときの条件も一定となるため、非常に簡便に除去を行うことができる。位置合わせ用マーク１０４としてＳｉＯ２を用いた場合には、エッチングガス１１１にはＸｅＦ２等を用いることができる。

また、図６にＡＦＭ修正装置を用いた場合の除去方法の一例を示す。図６（ａ）に示すように、プローブ１１３を位置合わせ用マーク１０４に接触させ削り取ることにより位置合わせ用マーク１０４を除去する。この時、図６（ｂ）に示すように、フォトマスク基板１０５上には位置合わせ用マーク１０４の破砕片１１４が残存する可能性があるため、洗浄によって破砕片１１４を除去する必要がある。破砕片１１４を除去する方法としては、一般的に利用されているドライアイスパウダー噴射方式によるドライクリーニング洗浄でも良いし、通常のマスク製造工程中の硫酸・過酸化水素水等を用いたウェット洗浄でも良い（図６（ｃ））。

位置合わせ用マーク１０４除去工程の後、像質評価装置により位置合わせ用マーク１０４が正常に除去されたかどうかを確認すれば、修正工程は完了となる。

以上説明したように、本実施形態によれば、像質評価装置により検査を行った結果、修正すべき欠陥が発見された場合に、修正装置において位置合わせ用マーク１０４を形成することによって像質評価装置で取得した画像情報により、修正装置において修正すべき欠陥の位置情報を正確に把握することができる。

そのため、修正装置で修正可能な欠陥であっても、位置の把握が困難なため修正が出来ないという状況を回避することができる。また、位置合わせに使えるようなパターンが修正すべき領域を取り込んだ画像の範囲内にない場合でも、精度良く位置合わせをすることができ、修正の際に間違って不必要な場所を削ってしまうことも防止することができる。すなわち、本実施形態のフォトマスクの欠陥修正方法を用いることにより、フォトマスクの歩留まりを向上させることができるため、結果としてフォトマスク製造コストや製造ＴＡＴ（Turn Around Time）を低く抑えることができる。

（第２の実施形態）
続いて、本発明の第２の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正方法について図８を用いて説明を行う。

図７（ａ）はフォトマスク上に形成された複数のラインアンドスペースパターン２０１上に渡って黒欠陥２０２が形成された場合の、ＳＥＭ方式によって観察した画像を表している。本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、像質評価装置により発見された微小欠陥のみならず、一度修正を行った領域の修正時に発生したダメージ欠陥に対しても適用することができる点である。

図７（ａ）に示すように、複数のラインアンドスペースパターン２０１上に渡って黒欠陥２０２が形成された場合、本来形成されるべきでは無いパターン２０１間のスペース部に形成された黒欠陥２０２は、修正装置によって修正される。具体的には、修正はＦＩＢ技術、レーザー技術、ＡＦＭ技術、ＥＢ技術等を応用してパターン２０１間に形成された黒欠陥２０２を取り除くことにより行われる。図７（ｂ）は、黒欠陥１０２が取り除かれ、修正されたフォトマスクの修正装置による画像を表している。修正装置によって不要な位置に形成されたパターンが取り除かれており、修正装置による画像から判断した場合、これ以上修正する余地の無い状態であると仮定する。

修正装置によって修正されたフォトマスクは、修正した結果が良好かどうか、つまり所定の合格基準を満たすかどうか評価することが必要である。それを判断するには、第１の実施形態と同様に、像質評価装置を用いて行う。

図７（ｃ）は、修正装置によって修正された図７（ｂ）のフォトマスクを像質評価装置によって観察した画像を表している。像質評価装置を用いると、修正装置による画像では見出すことが難しい微小欠陥の他に、修正時に発生したダメージ欠陥等により、正常にパターンが転写されない領域２０３、２０４等を観察することができる。この異常転写領域２０３、２０４の場所や寸法等を評価し、所定の評価基準を満たしていれば、そのフォトマスクは正常と判定される。

一方、評価基準を満たしていない場合は、そのフォトマスクは再度修正装置により修正を行う必要があるものと判定され、修正装置に搬送される。修正装置における欠陥修正方法は、前記した第１の実施形態と同様であるので、ここでは説明は省略する。１回修正を施したマスクパターンの場合、再度同じ領域を修正しようとしても、未修正のパターンエッジのテーパー形状とは異なっているので、修正条件の判定が困難であるという問題があった。

また、修正装置で得られた画像における寸法測定値が必ずしも像質評価装置で得られた画像における寸法測定値と一致しない場合も考えられる。基板やパターンに欠陥を取り除く際に誘発されたダメージがある場合で、これは修正装置では観察することができない。修正装置により誘発されるダメージとしてはオーバーエッチ、アンダーエッチ、Ｇａステイン、リバーベッド、等が挙げられる。リバーベッドのような溝が出来ている場合は高分解能の修正装置で観察することはできるが、それがどの程度ウェハー上への転写パターンに影響を及ぼすのかその場で判断するのが難しい。また、シミュレーションで見積もることは可能であるが、修正後のパターンの３次元形状を完全にシミュレーターに取り込むためには大変な手間がかかる。

なお、本実施形態において位置合わせ用マークは修正装置により画像を取り込んだ際に、一度修正を行った領域と同時に画像内に取り込まれる位置に形成することが望ましい。

第１の実施形態と同様に、位置合わせ用マーク除去工程の後、像質評価装置により位置合わせ用マークが正常に除去されたかどうかを確認すれば、修正工程は完了となる。

以上説明したように、本実施形態によれば、像質評価装置により検査を行った結果、修正すべき欠陥が発見された場合に、修正装置において位置合わせ用マーク１０４を形成することによって像質評価装置で取得した画像情報により、修正装置において修正すべき欠陥の位置情報を正確に把握することができる。さらに、１回修正を行ったフォトマスクに対し、１回目の修正領域と同じ領域に対し２回目以降の修正を行う際に、修正装置において位置合わせ用マークを形成する。そうすることによって修正装置では発見することができないフォトマスクの修正誤差や、修正時のダメージによってウェハー上に正常なパターンが転写されない場合であっても、本実施形態のフォトマスクの修正を用いることによって、精度良く修正を行うことができる。

従って、複数回の修正を行う場合には本実施形態のフォトマスクの欠陥修正方法を用いることが好ましい。本実施形態のフォトマスクの欠陥修正方法を用いることにより、フォトマスクの歩留まりを向上させることができるため、結果としてフォトマスク製造コストや製造ＴＡＴ（Turn Around Time）を低く抑えることができる。

（第３の実施形態）
本実施形態では、図８を参照して、本発明の第３の実施形態に係るフォトマスク欠陥修正システムについての説明を行う。図８は、本実施形態に係るフォトマスク欠陥修正システムを示すブロック図である。本実施形態に係るフォトマスク欠陥修正システム３０１は、像質評価装置部３０２、修正装置部３０３、搬送部３０４、情報記憶部３０５、演算処理部３０６及び制御部３０７により構成されている。

像質評価装置部３０２は、画像取得部３０８及び情報記憶部３０９を備えており、画像取得部３０８はデバイスを作製する時と全く同様の照明条件を作り出すことにより、マスクパターンをウェハー上に転写した場合のウェハー上に形成されるパターン像を得ることができ、その情報を情報記憶部３０９に格納する。

修正装置部３０３は、ＳＥＭ等の手段によりフォトマスクの画像を取得する画像取得部３１０とフォトマスクの修正、位置合わせ用マーク及び除去等を行う修正加工部３１１及び画像取得部で得られた画像を格納する情報記憶部３１２により構成されている。また、像質評価装置部３０２と修正装置部３０３との間には互いの装置間へのフォトマスクの搬送を行う搬送部３０４が備えられている。

情報記憶部３０５は、位置合わせ用マークの形成方法や、形成条件、除去方法、修正装置と像質評価装置で得られる２つの画像間での倍率や回転・ミラーの対応関係等の情報や、制御部３０７に処理を実行させるプログラム等を格納することができる。また、演算処理部３０６は、像質評価装置部３０２と修正装置部３０３で得られた画像の重ね合わせや、重ね合わせの結果に基づいた修正条件を決定する。制御部３０７は情報記憶部３０５に格納されているプログラムに基づいて、各部の制御を行う。

以上のように、本実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正システムにより、前記第１の実施形態及び第２の実施形態のフォトマスクの欠陥修正方法を実施することが可能となる。

すなわち、本実施形態のフォトマスクの欠陥修正システムを用いることにより、フォトマスクの歩留まりを向上させることができるため、結果としてフォトマスク製造コストや製造ＴＡＴ（Turn Around Time）を低く抑えることができる。

（第４の実施形態）
本実施形態では、図９を参照して、本発明の第４の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正を実施するプログラムについての説明を行う。図９は、本実施形態に係るフォトマスク欠陥修正プログラムによりコンピュータに実行される手順を示すフローチャートである。なお、本実施形態に係るプログラムにより実施されるフォトマスクの欠陥修正方法は第１の実施形態或いは第２の実施形態に記載したフォトマスクの欠陥修正方法と同様であるため、第１の実施形態と同内容の部分の説明は省略する。

本プログラムを実行する前に、予め位置合わせ用マークの形成方法や、形成条件、除去方法、修正装置と像質評価装置で得られる２つの画像間での倍率や回転・ミラーの対応関係等の情報を取得しておく。さらに、像質評価装置により得られた画像に対する所定の評価基準を決定しておく。

まず、製造されたフォトマスクを像質評価装置に搬送し、像質評価装置により得られた画像に対し所定の評価基準を満たすか否かの判定を行う（Ｓ４０１）。評価基準を満たしたフォトマスクは良品として判定され、次工程に進む。一方、評価基準を満たさなかったフォトマスクは、修正装置に搬送され、欠陥位置の特定が修正装置上でも容易に行うことができるが否かの判定を行う（Ｓ４０２）。この工程は、本実施形態のプログラムにより所定の基準により自動で行っても構わないし、画像を見る人が判断しても構わない。欠陥位置の特定が修正装置上でも容易に行うことができると判定されたフォトマスクは、修正装置による修正工程を経て次工程へと進む。

一方、欠陥位置の特定が修正装置上で容易に行うことができないと判定されたフォトマスクは、修正装置による位置合わせ用マークの形成を行う（Ｓ４０３）。位置合わせ用マークの形成を行った後、フォトマスクを再度像質評価装置に搬送し画像を取得する（Ｓ４０４）。続いて、像質評価装置で得られた画像と修正装置で得られた画像とを重ね合わせ、修正領域の決定と、修正条件の決定を行う（Ｓ４０５）。次に、フォトマスクを修正装置に搬送し、重ね合わせによって得られた情報に基づいてフォトマスクの修正を行う（Ｓ４０６）。

次に、フォトマスクを像質評価装置に搬送し画像を取得し、修正後のマスクパターンが所定の評価基準を満たすか否かの判定を行う（Ｓ４０７）。続いて、評価基準を満たしたフォトマスクを修正装置に搬送し、位置合わせ用マークの除去を行う（Ｓ４０８）。位置合わせ用マークの除去を行ったフォトマスクを像質評価装置に搬送し、正常に除去されたか否かを判定し、次工程に進む（Ｓ４０９）。正常に除去されていない場合には、Ｓ４０８の除去工程に戻る。

Ｓ４０７において所定の評価基準を満たさなかった場合には、修正後の像質評価装置で得られた画像と修正装置で得られた画像とを重ね合わせ、再度修正領域の決定と、修正条件の決定を行う（Ｓ４１０）。続いて、フォトマスクを修正装置に搬送し、Ｓ４１０で決定された新たな条件に基づいてフォトマスクの修正を行う（Ｓ４１１）。次に、フォトマスクを像質評価装置に搬送し画像を取得し、修正後のマスクパターンが所定の評価基準を満たすか否かの判定を行う（Ｓ４１２）。Ｓ４１０〜Ｓ４１２を所定の評価基準を満たすまでＳ４１０〜Ｓ４１２を繰り返す。

なお、本実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正プログラムによりＳ４０１〜Ｓ４１２の全ての工程をコンピュータに実行させるものでなくても構わない。例えば、Ｓ４０２において、画像を見る人が欠陥位置の特定が容易か否かを判断しても構わないし、位置合わせマークの除去工程及び、除去後の判定工程を手動によりコンピュータに実行させても構わない。従って、少なくともＳ４０３〜Ｓ４０７の工程をコンピュータに実行させるプログラムであれば良い。

以上のように、本実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正プログラムによれば、前記のＳ４０１〜Ｓ４１２をコンピュータに実行させることが可能となり、像質評価装置で取得した画像情報により、修正装置において修正すべき欠陥の位置情報を正確に把握することができる。すなわち、本実施形態のフォトマスクの欠陥修正プログラムを用いることにより、フォトマスクの歩留まりを向上させることができるため、結果としてフォトマスク製造コストや製造ＴＡＴ（Turn Around Time）を低く抑えることができる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々に変形して実施することができる。

本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正方法を示す平面図である。 本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正方法を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正方法を示す平面図である。 本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正方法を示す平面図である。 本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正方法を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正方法を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正方法を示す平面図である。 本発明の第３の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正システムを示すブロック図である。 本発明の第４の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正プログラムの実行工程を示すフローチャートである。

符号の説明

１０１、２０１ マスクパターン
１０２、１０３、２０３、２０４ 異常転写領域
１０４ 位置合わせマーク
１０５ フォトマスク基板
１０６、１１０ ガスノズル
１０７ デポジションガス
１０８、１１２ 電子・イオンビーム
１０９ 光強度変化領域
１１１ エッチングガス
１１３ プローブ
１１４ 破砕片
２０２ 黒欠陥
３０１ フォトマスク欠陥修正システム
３０２ 像質評価装置部
３０３ 修正装置部
３０４ 搬送部
３０５、３０９、３１２ 情報記憶部
３０６ 演算処理部
３０７ 制御部
３０８、３１０ 画像取得部
３１１ 修正加工部

Claims (5)

1. フォトマスクの欠陥修正工程において、
   修正装置により欠陥領域を含む前記フォトマスクの第一の画像を取得する工程と、
   像質評価装置により前記欠陥領域を含む前記フォトマスクのウェハー転写画像である第二の画像を取得する工程と、
   前記第一の画像及び第二の画像を重ね合わせることにより、前記第一の画像における前記欠陥領域の位置を特定する工程と、
   修正装置により前記欠陥領域を修正する工程と、
   を備えることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
2. 修正装置により前記フォトマスクの第一の画像を取得する工程の前に、位置合わせのためのマークを形成する工程をさらに備え、
   前記第一の画像及び第二の画像を重ね合わせる際に、前記マークを一致させることにより前記欠陥領域の位置を特定することを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
3. 前記欠陥領域を含む所定の範囲の透過率及び寸法変動値を予め取得する工程と、
   前記透過率及び寸法変動値に基づいて修正装置の修正条件を決定する工程をさらに備え、
   前記修正条件により前記欠陥領域を修正することを特徴とする請求項１又は２記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
4. 第一の画像である欠陥領域を含むフォトマスクの画像を取得する修正装置部と、
   第二の画像である前記欠陥領域を含む前記フォトマスクのウェハー転写画像を取得する像質評価装置部と、
   前記像質評価装置と前記修正装置部との間で前記フォトマスクを搬送する搬送部と、
   前記第一の画像及び第二の画像を格納する情報記憶部と、
   前記第一の画像及び第二の画像を重ね合わせて前記第一の画像における前記欠陥領域の位置を特定する演算処理部と、
   前記修正装置部、像質評価装置部、搬送部、情報記憶部及び演算処理部の動作を制御する制御部と、
   を備えることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正システム。
5. フォトマスクの欠陥修正工程において、
   修正装置により欠陥領域を含む前記フォトマスクの第一の画像を取得する手段と、
   像質評価装置により前記欠陥領域を含む前記フォトマスクのウェハー転写画像である第二の画像を取得する手段と、
   前記第一の画像及び第二の画像を重ね合わせることにより、前記第一の画像における前記欠陥領域の位置を特定する手段と、
   修正装置により前記欠陥領域を修正する手段と、
   をコンピュータに実行させることを特徴とするフォトマスクの欠陥検査プログラム。

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