JP4719262B2 - フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの欠陥修正システム及びフォトマスクの欠陥修正プログラム - Google Patents
フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの欠陥修正システム及びフォトマスクの欠陥修正プログラム Download PDFInfo
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Description
を備えることを特徴とする
る制御部と、を備えることを特徴とする。
まず、本発明の第1の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正方法について図1を用いて説明を行う。
続いて、本発明の第2の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正方法について図8を用いて説明を行う。
本実施形態では、図8を参照して、本発明の第3の実施形態に係るフォトマスク欠陥修正システムについての説明を行う。図8は、本実施形態に係るフォトマスク欠陥修正システムを示すブロック図である。本実施形態に係るフォトマスク欠陥修正システム301は、像質評価装置部302、修正装置部303、搬送部304、情報記憶部305、演算処理部306及び制御部307により構成されている。
本実施形態では、図9を参照して、本発明の第4の実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正を実施するプログラムについての説明を行う。図9は、本実施形態に係るフォトマスク欠陥修正プログラムによりコンピュータに実行される手順を示すフローチャートである。なお、本実施形態に係るプログラムにより実施されるフォトマスクの欠陥修正方法は第1の実施形態或いは第2の実施形態に記載したフォトマスクの欠陥修正方法と同様であるため、第1の実施形態と同内容の部分の説明は省略する。
102、103、203、204 異常転写領域
104 位置合わせマーク
105 フォトマスク基板
106、110 ガスノズル
107 デポジションガス
108、112 電子・イオンビーム
109 光強度変化領域
111 エッチングガス
113 プローブ
114 破砕片
202 黒欠陥
301 フォトマスク欠陥修正システム
302 像質評価装置部
303 修正装置部
304 搬送部
305、309、312 情報記憶部
306 演算処理部
307 制御部
308、310 画像取得部
311 修正加工部
Claims (4)
- フォトマスクの欠陥修正工程において、
位置合わせのためのマークを形成する工程と、
前記マークの形成後、修正装置により欠陥領域を含む前記フォトマスクの第一の画像を取得する工程と、
像質評価装置により前記欠陥領域を含む前記フォトマスクのマスクパターンをウェハー上に転写した場合にウェハー上に形成されるパターン画像である第二の画像をシミュレーションにより取得する工程と、
前記第一の画像及び第二の画像を重ね合わせて前記マークを一致させることにより、前記第一の画像における前記欠陥領域の位置を特定する工程と、
修正装置により前記欠陥領域を修正する工程と、
を備えることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。 - 前記欠陥領域を含む所定の範囲の透過率及び寸法変動値を予め取得する工程と、
前記透過率及び寸法変動値に基づいて修正装置の修正条件を決定する工程をさらに備え、
前記修正条件により前記欠陥領域を修正することを特徴とする請求項1記載のフォトマスクの欠陥修正方法。 - 第一の画像である欠陥領域を含むフォトマスクの画像を取得し、位置合わせのためのマークを形成可能な修正装置部と、
第二の画像である前記欠陥領域を含む前記フォトマスクのマスクパターンをウェハー上に転写した場合にウェハー上に形成されるパターン画像をシミュレーションにより取得する像質評価装置部と、
前記像質評価装置と前記修正装置部との間で前記フォトマスクを搬送する搬送部と、
前記第一の画像及び第二の画像を格納する情報記憶部と、
前記第一の画像及び第二の画像を重ね合わせて前記マークを一致させることで前記第一の画像における前記欠陥領域の位置を特定する演算処理部と、
前記修正装置部、像質評価装置部、搬送部、情報記憶部及び演算処理部の動作を制御す
る制御部と、
を備えることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正システム。 - フォトマスクの欠陥修正工程において、
位置合わせのためのマークを形成する手段と、
前記マークの形成後、修正装置により欠陥領域を含む前記フォトマスクの第一の画像を取得する手段と、
像質評価装置により前記欠陥領域を含む前記フォトマスクのマスクパターンをウェハー上に転写した場合にウェハー上に形成されるパターン画像である第二の画像をシミュレーションにより取得する手段と、
前記第一の画像及び第二の画像を重ね合わせて前記マークを一致させることにより、前記第一の画像における前記欠陥領域の位置を特定する手段と、
修正装置により前記欠陥領域を修正する手段と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするフォトマスクの欠陥検査プログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008255639A JP4719262B2 (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの欠陥修正システム及びフォトマスクの欠陥修正プログラム |
US12/569,727 US20100092876A1 (en) | 2008-09-30 | 2009-09-29 | Method for repairing photo mask, system for repairing photo mask and program for repairing photo mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008255639A JP4719262B2 (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの欠陥修正システム及びフォトマスクの欠陥修正プログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010085778A JP2010085778A (ja) | 2010-04-15 |
JP4719262B2 true JP4719262B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=42099155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008255639A Expired - Fee Related JP4719262B2 (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの欠陥修正システム及びフォトマスクの欠陥修正プログラム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100092876A1 (ja) |
JP (1) | JP4719262B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11187975B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-11-30 | Toshiba Memory Corporation | Correction pattern generation device, pattern defect correction system, correction pattern generation method, and semiconductor device manufacturing method |
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JP6364813B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2018-08-01 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
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-
2008
- 2008-09-30 JP JP2008255639A patent/JP4719262B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-29 US US12/569,727 patent/US20100092876A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100092876A1 (en) | 2010-04-15 |
JP2010085778A (ja) | 2010-04-15 |
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