JP4644210B2 - パターン欠陥検査方法 - Google Patents
パターン欠陥検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4644210B2 JP4644210B2 JP2006552973A JP2006552973A JP4644210B2 JP 4644210 B2 JP4644210 B2 JP 4644210B2 JP 2006552973 A JP2006552973 A JP 2006552973A JP 2006552973 A JP2006552973 A JP 2006552973A JP 4644210 B2 JP4644210 B2 JP 4644210B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- inspection
- defect
- reticle
- inspected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
信号線や電源線といった極く単純な形状のパターンに対しては、以上の例のように検査感度の適切な設定が可能であるが、パターン形状がより複雑且つ微小になると、以下述べるような問題が生じ、検査感度を適正化することが難しくなる。
上記の課題について、本発明者は、実パターンと基準パターンとのずれに関して、当該ずれの発生に規則性が存在し、尚且つ、その規則性が基準パターンの形状と関連性があることを見出し、本発明をなすに至った。
本発明によれば、本発明のパターン欠陥検査方法では、レチクルあるいは半導体ウェーハに形成された複雑且つ微小なパターンの欠陥検査に際し、パターンの複雑度に応じて検査感度を変えるようにしているので、従来に比べて、検査感度のより適切な設定が可能となる。そして、本発明のパターン欠陥検査方法は、擬似欠陥の数を大幅に減少することを実現可能とし、検査精度の向上とともに検査時間の短縮を図る上で有益である。
図1は、本発明の実施に用いるパターン欠陥検査装置を示すブロック図である。
次に、図1に示したパターン欠陥検査装置を利用したパターン欠陥検査において、パターン形状の複雑度を示す指標としてパターンの角部数に代えてパターン角部における角度を用いる。本実施例では、この角度が所定値を超えるか否かに応じて異なるしきい値を設定する例について述べる。
次に、図6、図7を参照し、検査感度を調整した例を説明する。本実施例では、パターン形状の複雑度を示す指標として、基準パターンにおける隣り合う角部間の距離を用い、この距離が所定値を超えるか否かに応じて、異なるしきい値を設定する。
次に、図8、図9を参照し、検査感度を調整した例を説明する。本実施例では、パターン形状の複雑度を示す指標として、基準パターンにおけるパターンの幅、すなわち、パターンの長手方向に対する垂直の方向の長さを用い、この長さが所定値を超えるか否かに応じて、異なるしきい値を設定する。
次に、図10〜図17を参照し、本実施形態による検査の流れを説明する。なお、本実施例のパターン欠陥検査においても、説明の際に、図1に示したパターン欠陥装置のブロック図を使用する。
(1)パターンの角部数を用い、パターンの角部数が所定数を超えるか否かに応じて異なるしきい値を設定した例、
(2)パターン角部における角度が所定値を超えるか否かに応じて異なるしきい値を設定した例、
(3)基準パターンにおける隣り合う角部間の距離が所定値を超えるか否かに応じて異なるしきい値を設定した例、
(4)基準パターンにおけるパターンの幅が所定値を超えるか否かに応じて異なるしきい値を設定した例
について述べたが、これらの指標を組み合わせて用いることによって、より実際的な検出感度の設定を行うことも可能である。
2 XYステージ
3 照明用光源
4 対物レンズ
5 ハーフミラー
6 CCDイメージセンサ
7 画像取得部
8 比較部
9 画像処理部
10 ステージ制御部
11 基準データ生成部
12 検査感度設定部
13 欠陥判定部
14 欠陥記憶部
21、23、25、27、29、31、45、47 基準パターン
22、24、26、28、30、32、46、48 レチクルパターン
101 設計データ
103 検査用設計データ
105 検査データ
114 検査感度データ
126 レチクルパターン
200 枠
210 特定エリア
220 欠陥
250 グリッド
Claims (9)
- 基板上のパターンに対するパターン欠陥の検査方法であって、
前記基板上の被検査パターンの画像の情報を抽出するステップと、
前記被検査パターンに対応する基準パターンの情報を、設計情報から得るステップと、
前記基準パターンの角部の数に応じて、検出感度を設定するステップと、
前記被検査パターンの画像と前記基準パターンとを比較するステップと、
前記検出感度を使用して前記パターン欠陥を検出するステップと
を有することを特徴とするパターン欠陥検査方法。 - 前記角部の数が予め定められた所定値より大きい場合の前記検出感度を、前記角部の数が前記所定値以下の場合よりも低く設定することを特徴とする請求項1に記載のパターン欠陥検査方法。
- 前記検出するステップの前に、
前記角部の数と前記検出感度とを関連付けた関連付け情報を抽出するステップを有し、
前記検出するステップにおいて、前記関連付け情報に基づいて前記検出感度を調節することを特徴とする請求項1に記載のパターン欠陥検査方法。 - 前記被検査パターンの画像と前記基準パターンとを比較した結果は、パターンずれが生じている箇所における座標及びずれ量を含む不一致情報であることを特徴とする請求項1に記載のパターン欠陥検査方法。
- 前記基準パターンの有する角部のうち、隣り合う検査領域内で同じ座標に存在する角部を除いたものを、検査対象の角部として認識することを特徴とする請求項1に記載のパターン欠陥検査方法。
- 基板上のパターンに対するパターン欠陥の検査方法であって、
前記基板上の被検査パターンの画像の情報を抽出するステップと、
前記被検査パターンに対応する基準パターンの情報を、設計情報から得るステップと、
前記基準パターンの角部の角度に応じて、検出感度を設定するステップと、
前記被検査パターンの画像と前記基準パターンとを比較した後、前記検出感度を使用して前記パターン欠陥を検出するステップと
を有することを特徴とするパターン欠陥検査方法。 - 前記角部の角度が予め定められた所定値以下の場合の前記検出感度を、前記角部の角度が前記所定値よりも大きい場合よりも低く設定することを特徴とする請求項6に記載のパターン欠陥検査方法。
- 基板上の複数パターンに対するパターン欠陥の検査方法であって、
前記基板上の被検査パターンの画像の情報を抽出するステップと、
前記被検査パターンに対応する基準パターンの情報を、設計情報から得るステップと、
前記基準パターンの隣り合う角部間の距離に応じて、検出感度を検出するステップと、
前記被検査パターンの画像と前記基準パターンとを比較するステップと、
前記検出感度を使用して前記パターン欠陥を検出するステップと
を有することを特徴とするパターン欠陥検査方法。 - 前記隣り合う角部間の距離が予め定められた所定値以下の場合の前記検出感度を、前記隣り合う角部間の距離が前記所定値よりも大きい場合よりも低く設定することを特徴とする請求項8に記載のパターン欠陥検査方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005008158 | 2005-01-14 | ||
JP2005008158 | 2005-01-14 | ||
PCT/JP2006/300349 WO2006075687A1 (ja) | 2005-01-14 | 2006-01-13 | パターン欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006075687A1 JPWO2006075687A1 (ja) | 2008-06-12 |
JP4644210B2 true JP4644210B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=36677710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006552973A Expired - Fee Related JP4644210B2 (ja) | 2005-01-14 | 2006-01-13 | パターン欠陥検査方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7953269B2 (ja) |
JP (1) | JP4644210B2 (ja) |
WO (1) | WO2006075687A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11995817B2 (en) | 2021-01-05 | 2024-05-28 | Nuflare Technology, Inc. | Defect inspection method |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006075687A1 (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Fujitsu Limited | パターン欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5010207B2 (ja) * | 2006-08-14 | 2012-08-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン検査装置及び半導体検査システム |
JP4958616B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2012-06-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ホットスポット絞り込み装置、ホットスポット絞り込み方法、ホットスポット絞り込みプログラム、ホットスポット検査装置、および、ホットスポット検査方法 |
US20100124154A1 (en) * | 2008-11-19 | 2010-05-20 | Chih-Ching Yu | Signal processing devices and signal processing methods |
JP5198397B2 (ja) * | 2009-09-09 | 2013-05-15 | 株式会社東芝 | フォトマスクの特性検出装置およびフォトマスクの特性検出方法 |
JP5221584B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2013-06-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像処理装置、画像処理方法、画像処理プログラム |
JP6015189B2 (ja) * | 2011-08-16 | 2016-10-26 | 株式会社リコー | 画像検査装置、画像形成装置、画像検査方法及び画像形成システム |
JP5688064B2 (ja) * | 2012-11-02 | 2015-03-25 | 本田技研工業株式会社 | 半導体素子検査装置及び検査方法 |
US8994936B2 (en) * | 2012-11-22 | 2015-03-31 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Pattern matching method, apparatus and line width measuring machine |
JP2015118351A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Ntn株式会社 | パターン加工方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6186639A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Hitachi Ltd | パターン検査装置 |
JPH0560699A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-12 | Toshiba Corp | パターン検査装置 |
JPH05198641A (ja) * | 1992-01-23 | 1993-08-06 | Topcon Corp | パターン検査装置 |
JP2001272217A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | パターン検査システムの検査条件補正方法、半導体製造用マスク、パターン検査システムおよび記録媒体 |
JP2002532760A (ja) * | 1998-12-17 | 2002-10-02 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクルを製造および検査するためのメカニズム |
JP2004045066A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Fujitsu Ltd | 検査装置及び検査方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58147114A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-01 | Nippon Jido Seigyo Kk | パタ−ンの欠陥検査方法 |
US4532650A (en) * | 1983-05-12 | 1985-07-30 | Kla Instruments Corporation | Photomask inspection apparatus and method using corner comparator defect detection algorithm |
US5046109A (en) * | 1986-03-12 | 1991-09-03 | Nikon Corporation | Pattern inspection apparatus |
US5539514A (en) * | 1991-06-26 | 1996-07-23 | Hitachi, Ltd. | Foreign particle inspection apparatus and method with front and back illumination |
US5475766A (en) * | 1991-09-05 | 1995-12-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern inspection apparatus with corner rounding of reference pattern data |
JPH0763691A (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-10 | Toshiba Corp | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
JPH1083453A (ja) * | 1996-05-30 | 1998-03-31 | Daewoo Electron Co Ltd | チップマウンターにおける角形部品のコーナー認識方法 |
US6400838B2 (en) * | 1997-07-29 | 2002-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern inspection equipment, pattern inspection method, and storage medium storing pattern inspection program |
JP2000314710A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
JP3485052B2 (ja) * | 1999-12-16 | 2004-01-13 | 日本電気株式会社 | 参照画像作成方法、パターン検査装置及び参照画像作成プログラムを記録した記録媒体 |
US7352901B2 (en) * | 2000-10-23 | 2008-04-01 | Omron Corporation | Contour inspection method and apparatus |
JP2002244275A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Toshiba Corp | フォトマスクの欠陥検査方法、フォトマスクの欠陥検査装置及び記録媒体 |
JP3788279B2 (ja) * | 2001-07-09 | 2006-06-21 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及び装置 |
JP3706051B2 (ja) * | 2001-08-13 | 2005-10-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | パターン検査装置および方法 |
GB2389178B (en) * | 2001-12-31 | 2004-10-27 | Orbotech Ltd | Method for inspecting patterns |
JP3677254B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2005-07-27 | 株式会社東芝 | 欠陥検査装置 |
JP2003315284A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Mitsubishi Electric Corp | パターン検査装置の感度調整方法 |
JP2004191297A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sony Corp | マスク検査方法および検査装置 |
US7221788B2 (en) * | 2003-07-01 | 2007-05-22 | Infineon Technologies Ag | Method of inspecting a mask or reticle for detecting a defect, and mask or reticle inspection system |
JP2005215400A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクの外観検査方法 |
WO2006075687A1 (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Fujitsu Limited | パターン欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-01-13 WO PCT/JP2006/300349 patent/WO2006075687A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2006-01-13 JP JP2006552973A patent/JP4644210B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-13 US US11/777,630 patent/US7953269B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6186639A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Hitachi Ltd | パターン検査装置 |
JPH0560699A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-12 | Toshiba Corp | パターン検査装置 |
JPH05198641A (ja) * | 1992-01-23 | 1993-08-06 | Topcon Corp | パターン検査装置 |
JP2002532760A (ja) * | 1998-12-17 | 2002-10-02 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクルを製造および検査するためのメカニズム |
JP2001272217A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | パターン検査システムの検査条件補正方法、半導体製造用マスク、パターン検査システムおよび記録媒体 |
JP2004045066A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Fujitsu Ltd | 検査装置及び検査方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11995817B2 (en) | 2021-01-05 | 2024-05-28 | Nuflare Technology, Inc. | Defect inspection method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7953269B2 (en) | 2011-05-31 |
US20070258636A1 (en) | 2007-11-08 |
WO2006075687A1 (ja) | 2006-07-20 |
JPWO2006075687A1 (ja) | 2008-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4644210B2 (ja) | パターン欠陥検査方法 | |
WO2011024362A1 (ja) | 欠陥検査装置およびその方法 | |
JP6307367B2 (ja) | マスク検査装置、マスク評価方法及びマスク評価システム | |
JP6591348B2 (ja) | 検査方法 | |
JP3647416B2 (ja) | パターン検査装置及びその方法 | |
JP2016145887A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
US20100092876A1 (en) | Method for repairing photo mask, system for repairing photo mask and program for repairing photo mask | |
KR20160022377A (ko) | 자유형의 주의 영역들을 사용한 웨이퍼 검사 | |
US20190005650A1 (en) | Pattern edge detection method | |
JP5192795B2 (ja) | 電子ビーム測定装置 | |
JP5514754B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
US9626755B2 (en) | Mask inspection apparatus and mask inspection method | |
JP4860294B2 (ja) | 電子顕微鏡 | |
JP2010060904A (ja) | フォトマスクの検査方法、半導体デバイスの検査方法及びパターン検査装置 | |
JP2010117132A (ja) | ウェハのパターン検査方法及び装置 | |
JPH11231507A (ja) | マスクの検査方法及びマスクの検査装置 | |
JP2008242112A (ja) | マスクパターン評価装置及びフォトマスクの製造方法 | |
US20080013824A1 (en) | Defect inspection method, defect inspection apparatus, and semiconductor device manufacturing method | |
JP2007298856A (ja) | 半導体マスク修正装置及び半導体マスク修正方法 | |
JPH08272078A (ja) | パターンの検査方法及び検査装置 | |
JP2009222525A (ja) | 基板検査方法および基板検査装置 | |
JP4879549B2 (ja) | 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 | |
JP5672919B2 (ja) | マスク検査装置、描画方法、及びウェハ露光方法 | |
JP2007333783A (ja) | 露光用マスクの検査装置、検査方法、製造方法および露光用マスク | |
JP2001330941A (ja) | マスクの検査方法及びマスクの検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100706 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100903 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101109 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101203 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |