JP2001330941A - マスクの検査方法及びマスクの検査装置 - Google Patents
マスクの検査方法及びマスクの検査装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 近接効果補正したマスクパターン検査におい
て、修正した微細パターン以外のパターン部分の検査感
度を落とさずに検査可能なマスクの検査方法を提供す
る。 【解決手段】 近接効果補正により得られたマスクパタ
ーン設計データ１００と、マスクパターン設計データに
より作成されたマスクのパターンデータ２００とを比較
して当該マスクパターンを検査するに際し、マスクパタ
ーン設計データ１００とマスクのパターンデータ２００
との差分値を演算するに際し、当該パターンデータ２０
０に対して、予め定められた所定の幅だけ拡大した第１
の検査領域Ｂ１とマスクのパターンデータ２００の全検
査領域から当該第１の検査領域を除いた第２の検査領域
Ｂ２とを設定し第１の検査領域Ｂ１と第２の検査領域Ｂ
２で互いに異なる検査感度を適用して検査するマスクの
検査方法。
て、修正した微細パターン以外のパターン部分の検査感
度を落とさずに検査可能なマスクの検査方法を提供す
る。 【解決手段】 近接効果補正により得られたマスクパタ
ーン設計データ１００と、マスクパターン設計データに
より作成されたマスクのパターンデータ２００とを比較
して当該マスクパターンを検査するに際し、マスクパタ
ーン設計データ１００とマスクのパターンデータ２００
との差分値を演算するに際し、当該パターンデータ２０
０に対して、予め定められた所定の幅だけ拡大した第１
の検査領域Ｂ１とマスクのパターンデータ２００の全検
査領域から当該第１の検査領域を除いた第２の検査領域
Ｂ２とを設定し第１の検査領域Ｂ１と第２の検査領域Ｂ
２で互いに異なる検査感度を適用して検査するマスクの
検査方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明はマスクの検査方法
及びマスクの検査装置に関するものであり、特に詳しく
は、近接効果補正方法により作成されたマスクに於ける
マスクパターンに付いて正確な検査を行う事が出来るマ
スクの検査方法及びその装置に関するものである。
及びマスクの検査装置に関するものであり、特に詳しく
は、近接効果補正方法により作成されたマスクに於ける
マスクパターンに付いて正確な検査を行う事が出来るマ
スクの検査方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】 従来から、近接効果補正方法を使用し
て微細なパターンを有するマスクを製造する方法が採用
されており、又係る方法によって作成されたマスクのパ
ターンを検査する方法も多くの方法が提案されてきてい
る。 処で、半導体装置製造プロセスの露光工程ではパ
ターン寸法が微細になるにつれてパターン間の近接効果
によりパターン寸法の誤差が増大しており、この対策と
してマスクパターンの角部分を微細パターンで修正した
近接効果補正マスクの使用が検討されている。このよう
な近接効果補正マスクは、修正した部分に微細な凹凸が
出来る。マスク製造プロセスの解像度限界ために、修正
した部分の出来上がりパターンの形状と設計パターンの
形状との差が大きくなる。 その為、出来上がりのマス
クに於けるパターン形状と設計パターン形状の差を検査
するマスクパターン検査においては、近接効果補正をし
た部分での差が大きいために、正常部分が欠陥として検
出されやすくなるため、近接効果補正が施されていない
マスクに比べて検査感度を落とす必要があった。
て微細なパターンを有するマスクを製造する方法が採用
されており、又係る方法によって作成されたマスクのパ
ターンを検査する方法も多くの方法が提案されてきてい
る。 処で、半導体装置製造プロセスの露光工程ではパ
ターン寸法が微細になるにつれてパターン間の近接効果
によりパターン寸法の誤差が増大しており、この対策と
してマスクパターンの角部分を微細パターンで修正した
近接効果補正マスクの使用が検討されている。このよう
な近接効果補正マスクは、修正した部分に微細な凹凸が
出来る。マスク製造プロセスの解像度限界ために、修正
した部分の出来上がりパターンの形状と設計パターンの
形状との差が大きくなる。 その為、出来上がりのマス
クに於けるパターン形状と設計パターン形状の差を検査
するマスクパターン検査においては、近接効果補正をし
た部分での差が大きいために、正常部分が欠陥として検
出されやすくなるため、近接効果補正が施されていない
マスクに比べて検査感度を落とす必要があった。
【０００３】またマスク上に同一パターンが複数存在す
るようなマスクで、二つの同一パターン部分の画像を比
較することにより検査を行う場合では、微細パターンで
修正した部分の出来上がりは両パターンで同じ様な形状
となるが、微細な凹凸パターンでは製造ばらつきが大き
くなるため、両パターン間で出来上がりパターンの形状
差が大きくなり易く、検査感度を落とす必要があった。
るようなマスクで、二つの同一パターン部分の画像を比
較することにより検査を行う場合では、微細パターンで
修正した部分の出来上がりは両パターンで同じ様な形状
となるが、微細な凹凸パターンでは製造ばらつきが大き
くなるため、両パターン間で出来上がりパターンの形状
差が大きくなり易く、検査感度を落とす必要があった。
【０００４】一方、特開平８−１６０５９８号公報に
は、マスクパターンの検査方法が開示されているが、当
該公報のマスクパターン検査方法に於いては、予め光近
接効果補正前のマスクパターン設計データより異常補正
検出用検査データを作成しておき、当該マスクのマスク
パターンと当該検査データとを照合して異常補正部分を
検出する事を示しているに過ぎず、マスクのマスクパタ
ーンの特定の部分とそれ以外の部分に於ける検査感度を
変化させる技術に関しては全く開示がない。又特開昭６
０−１１７６２２号公報には、露光条件及びパターンの
大きさに応じて各パターンの中心線上でのエネルギー強
度が所定のしきい値となる時点のパターン幅と描画パタ
ーン幅との差を求め、当該差分値を拡大したパターンデ
ータの間隔から検査をする方法が示されているに過ぎ
ず、検査感度を調整する方法に関しては開示がない。
は、マスクパターンの検査方法が開示されているが、当
該公報のマスクパターン検査方法に於いては、予め光近
接効果補正前のマスクパターン設計データより異常補正
検出用検査データを作成しておき、当該マスクのマスク
パターンと当該検査データとを照合して異常補正部分を
検出する事を示しているに過ぎず、マスクのマスクパタ
ーンの特定の部分とそれ以外の部分に於ける検査感度を
変化させる技術に関しては全く開示がない。又特開昭６
０−１１７６２２号公報には、露光条件及びパターンの
大きさに応じて各パターンの中心線上でのエネルギー強
度が所定のしきい値となる時点のパターン幅と描画パタ
ーン幅との差を求め、当該差分値を拡大したパターンデ
ータの間隔から検査をする方法が示されているに過ぎ
ず、検査感度を調整する方法に関しては開示がない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】 本発明の目的は、上
記した従来技術の欠点を改良し、近接効果補正したマス
クのパターン検査において、修正したパターン部分とそ
れ以外のパターン部分を別々に検査することで、修正し
た微細パターン以外のパターン部分の検査感度を落とさ
ずに検査可能とする事が可能なマスクの検査方法及びそ
の装置を提供するものである。
記した従来技術の欠点を改良し、近接効果補正したマス
クのパターン検査において、修正したパターン部分とそ
れ以外のパターン部分を別々に検査することで、修正し
た微細パターン以外のパターン部分の検査感度を落とさ
ずに検査可能とする事が可能なマスクの検査方法及びそ
の装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】 本発明は上記した目的
を達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用
するものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、近接効果補正により得られたマスクパターン設計デ
ータと、当該マスクパターン設計データにより作成され
たマスクのパターンデータとを比較して当該マスクパタ
ーンを検査する方法に於て、当該マスクパターン設計デ
ータと当該マスクのパターンデータとの差分値を演算す
るに際し、当該パターンデータに対して、近接効果補正
により修正した部分を予め定められた所定の幅だけ拡大
した第１の検査領域と当該マスクのパターンデータの全
検査領域から当該第１の検査領域を除いた第２の検査領
域とを設定し、当該第１の検査領域と第２の検査領域で
互いに異なる検査感度を適用して検査するマスクの検査
方法であり、又第２の態様としては、当該近接効果補正
したマスクパターン設計データは、近接効果補正を行う
前の所望のパターンを有するマスクパターン部分のパタ
ーンデータと、近接効果補正により当該マスクパターン
部分の一部に加算されるか、当該マスクパターン部分の
一部から減算された１乃至複数個の微細パターンのパタ
ーンデータとで構成されているマスクの検査方法であ
る。
を達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用
するものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、近接効果補正により得られたマスクパターン設計デ
ータと、当該マスクパターン設計データにより作成され
たマスクのパターンデータとを比較して当該マスクパタ
ーンを検査する方法に於て、当該マスクパターン設計デ
ータと当該マスクのパターンデータとの差分値を演算す
るに際し、当該パターンデータに対して、近接効果補正
により修正した部分を予め定められた所定の幅だけ拡大
した第１の検査領域と当該マスクのパターンデータの全
検査領域から当該第１の検査領域を除いた第２の検査領
域とを設定し、当該第１の検査領域と第２の検査領域で
互いに異なる検査感度を適用して検査するマスクの検査
方法であり、又第２の態様としては、当該近接効果補正
したマスクパターン設計データは、近接効果補正を行う
前の所望のパターンを有するマスクパターン部分のパタ
ーンデータと、近接効果補正により当該マスクパターン
部分の一部に加算されるか、当該マスクパターン部分の
一部から減算された１乃至複数個の微細パターンのパタ
ーンデータとで構成されているマスクの検査方法であ
る。
【０００７】又、本発明に係る第３の態様としては、近
接効果補正を行う前の複数個の所望のパターンを有する
マスクパターン部分のパターンデータを記憶する第１の
記憶手段、近接効果補正により当該マスクパターン部分
の一部に加算されるか、当該マスクパターン部分の一部
から減算されるべき微細パターンのパターンデータを複
数個記憶する第２の記憶手段、当該マスクパターン部分
のパターンデータと微細パターンのパターンデータとを
それぞれ当該第１及び第２の記憶手段から選択して結合
するマスクパターン設計データを形成するマスクパター
ン設計データ作成手段、当該マスクパターン設計データ
作成手段により形成された被検査マスクを光学的に読み
取る被検査マスクパターンデータ検出手段、被検査マス
クパターンデータ検出手段から出力された当該被検査マ
スクに於けるマスクパターンの顕微鏡像を二値化したパ
ターンデータを作成する二値化パターンデータ形成手
段、当該二値化した被検査マスクのマスクパターンデー
タに於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所
望のパターンを有するマスクパターン部分に加算される
か、当該マスクパターン部分から減算された微細パター
ン部分に相当する二値化パターンデータ部を包含する領
域に第１の検査領域を設けると共に、当該被検査マスク
のパターンデータに於ける、当該第１の検査領域を除く
領域を第２の検査領域を設ける検査領域設定手段、当該
第１の検査領域に於ける検査感度を、当該第２の検査領
域の検査感度より低い感度に設定する感度調整手段、当
該マスクパターン設計データと当該被検査マスクのパタ
ーンデータとの差分値を求める演算手段、当該差分値を
それぞの検査領域に於て個別に設定された感度に従って
正常か異常かを判断する判定手段、とから構成されてい
るマスクの検査装置である。
接効果補正を行う前の複数個の所望のパターンを有する
マスクパターン部分のパターンデータを記憶する第１の
記憶手段、近接効果補正により当該マスクパターン部分
の一部に加算されるか、当該マスクパターン部分の一部
から減算されるべき微細パターンのパターンデータを複
数個記憶する第２の記憶手段、当該マスクパターン部分
のパターンデータと微細パターンのパターンデータとを
それぞれ当該第１及び第２の記憶手段から選択して結合
するマスクパターン設計データを形成するマスクパター
ン設計データ作成手段、当該マスクパターン設計データ
作成手段により形成された被検査マスクを光学的に読み
取る被検査マスクパターンデータ検出手段、被検査マス
クパターンデータ検出手段から出力された当該被検査マ
スクに於けるマスクパターンの顕微鏡像を二値化したパ
ターンデータを作成する二値化パターンデータ形成手
段、当該二値化した被検査マスクのマスクパターンデー
タに於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所
望のパターンを有するマスクパターン部分に加算される
か、当該マスクパターン部分から減算された微細パター
ン部分に相当する二値化パターンデータ部を包含する領
域に第１の検査領域を設けると共に、当該被検査マスク
のパターンデータに於ける、当該第１の検査領域を除く
領域を第２の検査領域を設ける検査領域設定手段、当該
第１の検査領域に於ける検査感度を、当該第２の検査領
域の検査感度より低い感度に設定する感度調整手段、当
該マスクパターン設計データと当該被検査マスクのパタ
ーンデータとの差分値を求める演算手段、当該差分値を
それぞの検査領域に於て個別に設定された感度に従って
正常か異常かを判断する判定手段、とから構成されてい
るマスクの検査装置である。
【０００８】
【発明の実施の形態】 即ち、本発明に係る当該マスク
の検査方法に於いては、上記した様な技術構成を採用す
るものであって、微細パターンで修正した部分では低感
度で、それ以外のパターン部分は高感度で検査するた
め、修正した正常パターン部分が欠陥となることなく、
修正した部分以外のパターン部分での検査感度を高くし
たまま検査可能となる。
の検査方法に於いては、上記した様な技術構成を採用す
るものであって、微細パターンで修正した部分では低感
度で、それ以外のパターン部分は高感度で検査するた
め、修正した正常パターン部分が欠陥となることなく、
修正した部分以外のパターン部分での検査感度を高くし
たまま検査可能となる。
【０００９】
【実施例】 以下に、本発明に係るマスクの検査方法及
びマスクの検査装置の一具体例の構成を図面を参照しな
がら詳細に説明する。 即ち、図１は、本発明に係るマ
スクの検査装置の一具体例の構成を示すブロックダイア
グラムであり、図２は、本発明に係るマスクの検査方法
の一具体例の操作手順を説明するフローチャートであ
る。
びマスクの検査装置の一具体例の構成を図面を参照しな
がら詳細に説明する。 即ち、図１は、本発明に係るマ
スクの検査装置の一具体例の構成を示すブロックダイア
グラムであり、図２は、本発明に係るマスクの検査方法
の一具体例の操作手順を説明するフローチャートであ
る。
【００１０】本発明に係るマスクの検査方法は、上記し
た様に、図３に示す様な、近接効果補正により得られた
マスクパターン設計データ１００と、図４に示す様な該
マスクパターン設計データにより作成されたマスクのパ
ターンデータ２００とを比較して当該マスクパターンを
検査する方法に於て、当該マスクパターン設計データ１
００と当該マスクのパターンデータ２００との差分値を
演算するに際し、当該パターンデータ２００に対して、
近接効果補正により修正した部分を予め定められた所定
の幅だけ拡大した第１の検査領域Ｂ１と当該マスクのパ
ターンデータ２００の全検査領域から当該第１の検査領
域を除いた第２の検査領域Ｂ２とを設定し、当該第１の
検査領域Ｂ１と第２の検査領域Ｂ２で互いに異なる検査
感度を適用して検査するマスクの検査方法である。
た様に、図３に示す様な、近接効果補正により得られた
マスクパターン設計データ１００と、図４に示す様な該
マスクパターン設計データにより作成されたマスクのパ
ターンデータ２００とを比較して当該マスクパターンを
検査する方法に於て、当該マスクパターン設計データ１
００と当該マスクのパターンデータ２００との差分値を
演算するに際し、当該パターンデータ２００に対して、
近接効果補正により修正した部分を予め定められた所定
の幅だけ拡大した第１の検査領域Ｂ１と当該マスクのパ
ターンデータ２００の全検査領域から当該第１の検査領
域を除いた第２の検査領域Ｂ２とを設定し、当該第１の
検査領域Ｂ１と第２の検査領域Ｂ２で互いに異なる検査
感度を適用して検査するマスクの検査方法である。
【００１１】本発明に於いては、当該近接効果補正した
マスクパターン設計データ１００は、図３に示す様に、
近接効果補正を行う前の所望のパターンＡ１を有するマ
スクパターン部分のパターンデータと、近接効果補正に
より当該マスクパターン部分Ａ１の一部に加算される
か、当該マスクパターン部分Ａ１の一部から減算された
１乃至複数個の微細パターンＡ２或いはＡ３のパターン
データとで構成されている事が望ましい。
マスクパターン設計データ１００は、図３に示す様に、
近接効果補正を行う前の所望のパターンＡ１を有するマ
スクパターン部分のパターンデータと、近接効果補正に
より当該マスクパターン部分Ａ１の一部に加算される
か、当該マスクパターン部分Ａ１の一部から減算された
１乃至複数個の微細パターンＡ２或いはＡ３のパターン
データとで構成されている事が望ましい。
【００１２】更に、本発明に於いては、図４に示される
当該被検査マスクのパターンデータ２００は、当該近接
効果補正により得られたマスクパターン設計データ１０
０に基づいて形成されたマスクに於けるパターンの顕微
鏡像を二値化したデータで構成されている事が望まし
い。本発明に於て、当該被検査マスクのパターンデータ
２００に於ける、当該マスクパターン設計データ１００
に於ける所望のパターンを有するマスクパターン部分に
加算されるか、当該マスクパターン部分から減算される
微細パターン部分Ａ２或いはＡ３に相当する当該二値化
パターンデータ部の周辺領域３００に、当該二値化パタ
ーンデータ部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると
共に、当該被検査マスクのパターンデータ２００に於け
る、当該第１の検査領域Ｂ１を除く領域を第２の検査領
域Ｂ２とするものである。
当該被検査マスクのパターンデータ２００は、当該近接
効果補正により得られたマスクパターン設計データ１０
０に基づいて形成されたマスクに於けるパターンの顕微
鏡像を二値化したデータで構成されている事が望まし
い。本発明に於て、当該被検査マスクのパターンデータ
２００に於ける、当該マスクパターン設計データ１００
に於ける所望のパターンを有するマスクパターン部分に
加算されるか、当該マスクパターン部分から減算される
微細パターン部分Ａ２或いはＡ３に相当する当該二値化
パターンデータ部の周辺領域３００に、当該二値化パタ
ーンデータ部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると
共に、当該被検査マスクのパターンデータ２００に於け
る、当該第１の検査領域Ｂ１を除く領域を第２の検査領
域Ｂ２とするものである。
【００１３】又、本発明に於いては、当該第１の検査領
域Ｂ１は、当該マスクパターン設計データに於ける所望
のパターンを有するマスクパターン部分に加算される
か、当該マスクパターン部分から減算されるパターン部
分Ａ２或いはＡ３を予め定められた所定の割合で、好ま
しくは全方向に均一に拡大する事が望ましい。次に、本
発明に於いては、当該第１の検査領域Ｂ１に於ける検査
感度を、当該第２の検査領域Ｂ２の検査感度より低い感
度に設定する事が望ましい。
域Ｂ１は、当該マスクパターン設計データに於ける所望
のパターンを有するマスクパターン部分に加算される
か、当該マスクパターン部分から減算されるパターン部
分Ａ２或いはＡ３を予め定められた所定の割合で、好ま
しくは全方向に均一に拡大する事が望ましい。次に、本
発明に於いては、当該第１の検査領域Ｂ１に於ける検査
感度を、当該第２の検査領域Ｂ２の検査感度より低い感
度に設定する事が望ましい。
【００１４】つまり、本発明に係るマスクの検査方法に
於いては、微細マクスによって補正された部分は、基の
パターン部分Ａ１に比べて設計形状との差が大きくなっ
ているので、通常の検査方法に於ける通常の検査感度を
使用していると、係る部分は全て不良パターンと認識さ
れてしまい、正常で有っても欠陥部分と判断されてしま
う事が多い。一方、当該微細マクスによって補正された
部分に検査感度を合わせると今度は、基のパターン部分
Ａ１に於てたまたま欠陥部分が存在している場合でも見
逃してしまう危険が大きくなる。
於いては、微細マクスによって補正された部分は、基の
パターン部分Ａ１に比べて設計形状との差が大きくなっ
ているので、通常の検査方法に於ける通常の検査感度を
使用していると、係る部分は全て不良パターンと認識さ
れてしまい、正常で有っても欠陥部分と判断されてしま
う事が多い。一方、当該微細マクスによって補正された
部分に検査感度を合わせると今度は、基のパターン部分
Ａ１に於てたまたま欠陥部分が存在している場合でも見
逃してしまう危険が大きくなる。
【００１５】従って、本発明に於ける基本的な技術思想
としては、単一のマスクパターンに於いても、場所によ
って検査条件を変更する様にし、予め定められた所望の
マスクパターン部分Ａ１と近接効果補正によって加算若
しくは演算されたマスクパターン部分Ａ２若しくはＡ３
とを別々の検査領域に区分し、それぞれの検査領域に於
て異なる検査感度を設定する様にしたものである。
としては、単一のマスクパターンに於いても、場所によ
って検査条件を変更する様にし、予め定められた所望の
マスクパターン部分Ａ１と近接効果補正によって加算若
しくは演算されたマスクパターン部分Ａ２若しくはＡ３
とを別々の検査領域に区分し、それぞれの検査領域に於
て異なる検査感度を設定する様にしたものである。
【００１６】より具体的には、予め定められた所望のマ
スクパターン部分Ａ１を検査する検査領域Ｂ２では、検
査感度を高くし、近接効果補正によって加算若しくは演
算されたマスクパターン部分Ａ２若しくはＡ３を検査す
る検査領域Ｂ１では検査感度を低くする様にして正確な
検査判定操作を実行する様にしたものである。例えば、
当該感度は、所定の画素寸法を持つ画素の画素数によっ
て調整する事が可能である。
スクパターン部分Ａ１を検査する検査領域Ｂ２では、検
査感度を高くし、近接効果補正によって加算若しくは演
算されたマスクパターン部分Ａ２若しくはＡ３を検査す
る検査領域Ｂ１では検査感度を低くする様にして正確な
検査判定操作を実行する様にしたものである。例えば、
当該感度は、所定の画素寸法を持つ画素の画素数によっ
て調整する事が可能である。
【００１７】次に、本発明に係る当該マスクの検査方法
のより詳細な具体例を以下に説明する。 図３は近接効
果補正して得られたマスクパターンデータ１００であ
る。本特許の検査方法では、近接効果補正前のマスクパ
ターンデータＡ１に対して近接効果補正で加算したマス
クパターンデータＡ２とで構成された近接効果補正後マ
スクパターンデータであるマスクパターン設計データＡ
４を使用してマスクを作成し、当該マスクから得られた
図４に示す様なマスクパターンデータを検査に用いる。
のより詳細な具体例を以下に説明する。 図３は近接効
果補正して得られたマスクパターンデータ１００であ
る。本特許の検査方法では、近接効果補正前のマスクパ
ターンデータＡ１に対して近接効果補正で加算したマス
クパターンデータＡ２とで構成された近接効果補正後マ
スクパターンデータであるマスクパターン設計データＡ
４を使用してマスクを作成し、当該マスクから得られた
図４に示す様なマスクパターンデータを検査に用いる。
【００１８】具体的には、複数個のマスクパターンを記
憶する第１の記憶手段から所望のパターンデータＡ１を
読み出し、又複数個の微細パターンデータを記憶してい
る第２の記憶手段から必要な微細パターンを読み出し
て、それらのパターンを図３に示す様に加算若しくは減
算してマスクパターン設計データＡ４を作成する。 本
具体例に於いては、近接効果補正前マスクパターンデー
タＡ１は例えば最小寸法１．２５μm で作られてお
り、近接効果補正により生ずる微細凹凸の最小幅は、
０．２５μm である。
憶する第１の記憶手段から所望のパターンデータＡ１を
読み出し、又複数個の微細パターンデータを記憶してい
る第２の記憶手段から必要な微細パターンを読み出し
て、それらのパターンを図３に示す様に加算若しくは減
算してマスクパターン設計データＡ４を作成する。 本
具体例に於いては、近接効果補正前マスクパターンデー
タＡ１は例えば最小寸法１．２５μm で作られてお
り、近接効果補正により生ずる微細凹凸の最小幅は、
０．２５μm である。
【００１９】当該マスクパターン設計データ１００を使
用して、所望のマスクを形成した後、当該形成された被
検査マスクに於けるマスクパターンの顕微鏡像を二値化
したパターンデータ２００を作成する。その後、当該二
値化した被検査マスクのマスクパターンデータ２００に
於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望の
パターンを有するマスクパターン部分Ａ１に加算される
か、当該マスクパターン部分Ａ１から減算された微細パ
ターン部分Ａ２、Ａ３に相当する当該二値化パターンデ
ータ部の周辺領域３００に、当該二値化パターンデータ
部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共に、当該
被検査マスクのパターンデータ２００に於ける、当該第
１の検査領域Ｂ１を除く領域を第２の検査領域Ｂ２と設
定する。
用して、所望のマスクを形成した後、当該形成された被
検査マスクに於けるマスクパターンの顕微鏡像を二値化
したパターンデータ２００を作成する。その後、当該二
値化した被検査マスクのマスクパターンデータ２００に
於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望の
パターンを有するマスクパターン部分Ａ１に加算される
か、当該マスクパターン部分Ａ１から減算された微細パ
ターン部分Ａ２、Ａ３に相当する当該二値化パターンデ
ータ部の周辺領域３００に、当該二値化パターンデータ
部を包含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共に、当該
被検査マスクのパターンデータ２００に於ける、当該第
１の検査領域Ｂ１を除く領域を第２の検査領域Ｂ２と設
定する。
【００２０】本具体例に於いては、画像処理装置により
パターンデータＡ２を例えば０．５μｍ だけ拡大した
パターンを発生し、適宜の記憶手段に再格納する。これ
を検査領域Ｂ１として使用する。又所望のマスク検査領
域全体から検査領域Ｂ１を除いた領域を検査領域Ｂ２と
する。 図４は所定の被検査用マスク上にある図１のマ
スクの検査装置２０に於けるマスク２のパターンによる
顕微鏡３によって得られた像顕微鏡像をＣＣＤカメラ４
で撮影し、得られた明暗画像を画像処理装置５により閾
値を用いて二値化処理した画像である。
パターンデータＡ２を例えば０．５μｍ だけ拡大した
パターンを発生し、適宜の記憶手段に再格納する。これ
を検査領域Ｂ１として使用する。又所望のマスク検査領
域全体から検査領域Ｂ１を除いた領域を検査領域Ｂ２と
する。 図４は所定の被検査用マスク上にある図１のマ
スクの検査装置２０に於けるマスク２のパターンによる
顕微鏡３によって得られた像顕微鏡像をＣＣＤカメラ４
で撮影し、得られた明暗画像を画像処理装置５により閾
値を用いて二値化処理した画像である。
【００２１】当該画像処理装置５により図４のマスク画
像データとマスクパターンデータＡ４の差を中央演算手
段６に於て演算する。本発明に於いては、パターン欠陥
かどうかを判定する欠陥サイズ（画素数）の基準、つま
り感度を、当該第１と第２の検査領域のそれぞれに対し
て予め定められた値に設定しておき、これ以上の差があ
る部分をパターン欠陥とする。
像データとマスクパターンデータＡ４の差を中央演算手
段６に於て演算する。本発明に於いては、パターン欠陥
かどうかを判定する欠陥サイズ（画素数）の基準、つま
り感度を、当該第１と第２の検査領域のそれぞれに対し
て予め定められた値に設定しておき、これ以上の差があ
る部分をパターン欠陥とする。
【００２２】欠陥判定基準の欠陥サイズは最小欠陥検出
サイズ（検査感度）になるが、検査領域Ｂ１は検査領域
Ｂ２よりも低感度に設定する。例えば画素寸法０．２５
μｍで検査領域Ｂ２は６画素数、検査領域Ｂ１は１２画
素数とする。パターン検査においては、検査領域Ｂ１の
画像の検査中は検査領域Ｂ１の検査感度で欠陥検査し、
検査領域Ｂ２の検査中は検査領域Ｂ２の検査感度で欠陥
検査する。
サイズ（検査感度）になるが、検査領域Ｂ１は検査領域
Ｂ２よりも低感度に設定する。例えば画素寸法０．２５
μｍで検査領域Ｂ２は６画素数、検査領域Ｂ１は１２画
素数とする。パターン検査においては、検査領域Ｂ１の
画像の検査中は検査領域Ｂ１の検査感度で欠陥検査し、
検査領域Ｂ２の検査中は検査領域Ｂ２の検査感度で欠陥
検査する。
【００２３】上記した本発明に係るマスクの検査方法の
一具体例の方法に於ける操作手順を図２のフローチャー
トで説明するならば、近接効果補正を行う前の所望のパ
ターンを有するマスクパターン部分のパターンデータ
と、近接効果補正により当該マスクパターン部分の一部
に加算されるか、当該マスクパターン部分の一部から減
算された１乃至複数個の微細パターンのパターンデータ
とそれぞれ選択して、それ等を互いに結合し近接効果補
正したマスクパターン設計データを作成する工程（ステ
ップ（１））、当該マスクパターン設計データを使用し
て、マスクを形成する工程（ステップ（２））、当該形
成された被検査マスクに於けるマスクパターンの顕微鏡
像を二値化したパターンデータを作成する工程（ステッ
プ（３））、当該二値化した被検査マスクのマスクパタ
ーンデータに於ける、当該マスクパターン設計データに
於ける所望のパターンを有するマスクパターン部分に加
算されるか、当該マスクパターン部分から減算された微
細パターン部分に相当する当該二値化パターンデータ部
を包含する領域に、第１の検査領域を設ける工程（ステ
ップ（４））、当該被検査マスクのパターンデータに於
ける、当該第１の検査領域を除く領域を第２の検査領域
とする工程（ステップ（５））、当該第１の検査領域に
於ける検査感度を、当該第２の検査領域の検査感度より
低い感度に設定する工程（ステップ（６））、当該マス
クパターン設計データと当該被検査マスクのパターンデ
ータとの差分値を求める工程（ステップ（７））、当該
差分値をそれぞの検査領域に於て個別に設定された感度
に従って正常か異常かを判断する工程（ステップ
（８））とから構成されているものである。
一具体例の方法に於ける操作手順を図２のフローチャー
トで説明するならば、近接効果補正を行う前の所望のパ
ターンを有するマスクパターン部分のパターンデータ
と、近接効果補正により当該マスクパターン部分の一部
に加算されるか、当該マスクパターン部分の一部から減
算された１乃至複数個の微細パターンのパターンデータ
とそれぞれ選択して、それ等を互いに結合し近接効果補
正したマスクパターン設計データを作成する工程（ステ
ップ（１））、当該マスクパターン設計データを使用し
て、マスクを形成する工程（ステップ（２））、当該形
成された被検査マスクに於けるマスクパターンの顕微鏡
像を二値化したパターンデータを作成する工程（ステッ
プ（３））、当該二値化した被検査マスクのマスクパタ
ーンデータに於ける、当該マスクパターン設計データに
於ける所望のパターンを有するマスクパターン部分に加
算されるか、当該マスクパターン部分から減算された微
細パターン部分に相当する当該二値化パターンデータ部
を包含する領域に、第１の検査領域を設ける工程（ステ
ップ（４））、当該被検査マスクのパターンデータに於
ける、当該第１の検査領域を除く領域を第２の検査領域
とする工程（ステップ（５））、当該第１の検査領域に
於ける検査感度を、当該第２の検査領域の検査感度より
低い感度に設定する工程（ステップ（６））、当該マス
クパターン設計データと当該被検査マスクのパターンデ
ータとの差分値を求める工程（ステップ（７））、当該
差分値をそれぞの検査領域に於て個別に設定された感度
に従って正常か異常かを判断する工程（ステップ
（８））とから構成されているものである。
【００２４】上記本発明に係るマスクの検査方法に於い
ては、当該差分値を画素数で表すと共に、当該第１の検
査領域に於ける感度を予め定められた第１の画素数を第
１のしきい値として設定すると共に、当該第２の検査領
域に於ける感度を当該第１の画素数よりも多い数の画素
数を第２のしきい値とする事も望ましい。 本発明に係
るマスクの検査方法の別の具体例としては、図３（Ｂ）
に示す様なマスクパターン設計データ１００を使用する
ものであり、前記実施例では、近接効果補正パターンは
１種類のみであったが、例えば近接効果補正前のマスク
パターンデータＡ１に対して近接効果補正で加算したマ
スクパターンデータＡ２と、減算したマスクパターンデ
ータＡ３というように２種類又は２種以上あっても良
い。この場合は、画像処理装置によりパターンデータＡ
２とパターンデータＡ３を加算した後に、パターンを例
えば０．５μｍ だけ拡大したパターンを検査領域Ｂ１
として使用する。この場合パターン処理にかかる時間が
増えるが、マスクパターンデータのハンドリングが便利
になる。
ては、当該差分値を画素数で表すと共に、当該第１の検
査領域に於ける感度を予め定められた第１の画素数を第
１のしきい値として設定すると共に、当該第２の検査領
域に於ける感度を当該第１の画素数よりも多い数の画素
数を第２のしきい値とする事も望ましい。 本発明に係
るマスクの検査方法の別の具体例としては、図３（Ｂ）
に示す様なマスクパターン設計データ１００を使用する
ものであり、前記実施例では、近接効果補正パターンは
１種類のみであったが、例えば近接効果補正前のマスク
パターンデータＡ１に対して近接効果補正で加算したマ
スクパターンデータＡ２と、減算したマスクパターンデ
ータＡ３というように２種類又は２種以上あっても良
い。この場合は、画像処理装置によりパターンデータＡ
２とパターンデータＡ３を加算した後に、パターンを例
えば０．５μｍ だけ拡大したパターンを検査領域Ｂ１
として使用する。この場合パターン処理にかかる時間が
増えるが、マスクパターンデータのハンドリングが便利
になる。
【００２５】またマスク上に同一パターンが複数存在す
るようなマスクで、二つの同一パターン部分の画像を比
較することにより検査を行う場合においても、前記実施
例と同様にして微細パターンで修正した部分は低感度
で、それ以外のパターン部分は高感度で検査するように
設定して検査する。 次に、本発明に係るマスクの検査
装置の具体例を図１を参照しながら、より詳細に説明す
る。
るようなマスクで、二つの同一パターン部分の画像を比
較することにより検査を行う場合においても、前記実施
例と同様にして微細パターンで修正した部分は低感度
で、それ以外のパターン部分は高感度で検査するように
設定して検査する。 次に、本発明に係るマスクの検査
装置の具体例を図１を参照しながら、より詳細に説明す
る。
【００２６】図１に於て、本発明に係るマスクの検査装
置２０は、近接効果補正を行う前の複数個の所望のパタ
ーンを有するマスクパターン部分のパターンデータを記
憶する第１の記憶手段８、近接効果補正により当該マス
クパターン部分の一部に加算されるか、当該マスクパタ
ーン部分の一部から減算されるべき微細パターンのパタ
ーンデータを複数個記憶する第２の記憶手段９、当該マ
スクパターン部分のパターンデータＡ１と微細パターン
のパターンデータＡ２、Ａ３とをそれぞれ当該第１及び
第２の記憶手段８、９から選択して結合するしてマスク
パターン設計データを形成するマスクパターン設計デー
タ作成手段１０、適宜のステージ制御手段７によって移
動可能に構成されたマスクステージ１に搭載された、当
該マスクパターン設計データにより形成された被検査マ
スク２を、顕微鏡３、ＣＣＤカメラ４等から構成された
光学的に読み取る被検査マスクパターンデータ検出手段
１１、当該被検査マスクパターンデータ検出手段１１か
ら得られた画像データを処理する画像処理手段５は、例
えば、被検査マスクパターンデータ検出手段１１から出
力された当該被検査マスクに於けるマスクパターンの顕
微鏡像を二値化したパターンデータ２００を作成する二
値化パターンデータ形成手段１２、当該二値化した被検
査マスクのマスクパターンデータ２００に於ける、当該
マスクパターン設計データ１００に於ける所望のパター
ンを有するマスクパターン部分Ａ１に加算されるか、当
該マスクパターン部分Ａ１から減算された微細パターン
部分Ａ２、Ａ３に相当する当該二値化パターンデータ部
の周辺領域３００に、当該二値化パターンデータ部を包
含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共に、当該被検査
マスクのパターンデータに於ける、当該第１の検査領域
Ｂ１を除く領域に第２の検査領域Ｂ２を設ける検査領域
設定手段１３、当該第１の検査領域Ｂ１に於ける検査感
度を、当該第２の検査領域Ｂ２の検査感度より低い感度
に設定する感度調整手段１４、当該マスクパターン設計
データと当該被検査マスクのパターンデータとの差分値
を求める演算手段１５、当該差分値をそれぞの検査領域
に於て個別に設定された感度に従って正常か異常かを判
断する判定手段１６、及び上記した各手段を総合的に制
御する中央制御手段６とから構成されているものであ
る。
置２０は、近接効果補正を行う前の複数個の所望のパタ
ーンを有するマスクパターン部分のパターンデータを記
憶する第１の記憶手段８、近接効果補正により当該マス
クパターン部分の一部に加算されるか、当該マスクパタ
ーン部分の一部から減算されるべき微細パターンのパタ
ーンデータを複数個記憶する第２の記憶手段９、当該マ
スクパターン部分のパターンデータＡ１と微細パターン
のパターンデータＡ２、Ａ３とをそれぞれ当該第１及び
第２の記憶手段８、９から選択して結合するしてマスク
パターン設計データを形成するマスクパターン設計デー
タ作成手段１０、適宜のステージ制御手段７によって移
動可能に構成されたマスクステージ１に搭載された、当
該マスクパターン設計データにより形成された被検査マ
スク２を、顕微鏡３、ＣＣＤカメラ４等から構成された
光学的に読み取る被検査マスクパターンデータ検出手段
１１、当該被検査マスクパターンデータ検出手段１１か
ら得られた画像データを処理する画像処理手段５は、例
えば、被検査マスクパターンデータ検出手段１１から出
力された当該被検査マスクに於けるマスクパターンの顕
微鏡像を二値化したパターンデータ２００を作成する二
値化パターンデータ形成手段１２、当該二値化した被検
査マスクのマスクパターンデータ２００に於ける、当該
マスクパターン設計データ１００に於ける所望のパター
ンを有するマスクパターン部分Ａ１に加算されるか、当
該マスクパターン部分Ａ１から減算された微細パターン
部分Ａ２、Ａ３に相当する当該二値化パターンデータ部
の周辺領域３００に、当該二値化パターンデータ部を包
含する第１の検査領域Ｂ１を設けると共に、当該被検査
マスクのパターンデータに於ける、当該第１の検査領域
Ｂ１を除く領域に第２の検査領域Ｂ２を設ける検査領域
設定手段１３、当該第１の検査領域Ｂ１に於ける検査感
度を、当該第２の検査領域Ｂ２の検査感度より低い感度
に設定する感度調整手段１４、当該マスクパターン設計
データと当該被検査マスクのパターンデータとの差分値
を求める演算手段１５、当該差分値をそれぞの検査領域
に於て個別に設定された感度に従って正常か異常かを判
断する判定手段１６、及び上記した各手段を総合的に制
御する中央制御手段６とから構成されているものであ
る。
【００２７】
【発明の効果】 本発明に係る当該マスクの検査方法及
びマスクの検査装置は、上記した様な技術構成を採用し
ているので、微細パターンで修正した部分では低感度
で、それ以外のパターン部分は高感度で検査するため、
修正した正常パターン部分が欠陥となることなく、修正
した部分以外のパターン部分での検査感度を高くしたま
ま検査可能となる。
びマスクの検査装置は、上記した様な技術構成を採用し
ているので、微細パターンで修正した部分では低感度
で、それ以外のパターン部分は高感度で検査するため、
修正した正常パターン部分が欠陥となることなく、修正
した部分以外のパターン部分での検査感度を高くしたま
ま検査可能となる。
【図１】 図１は、本発明に係るマスクの検査装置の一
具体例の構成を示すブロックダイアグラムである。
具体例の構成を示すブロックダイアグラムである。
【図２】 図２は、本発明のマスクの検査方法の一具体
例に於ける操作手順を示すフローチャートである。
例に於ける操作手順を示すフローチャートである。
【図３】 図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、本発明に於け
るマスクの検査方法に於て使用されるマスクパターン設
計データの例を示す図である。
るマスクの検査方法に於て使用されるマスクパターン設
計データの例を示す図である。
【図４】 図４は、本発明のマスクの検査方法の一具体
例に於ける被検査マスクの二値化データを示す図であ
る。
例に於ける被検査マスクの二値化データを示す図であ
る。
１…マスクの検査装置 ２…被検査マスク ３…顕微鏡 ４…ＣＣＤカメラ ５…画像処理手段 ６…中央制御手段 ７…ステージ制御手段 ８…第１の記憶手段 ９…第２の記憶手段 １０…マスクパターン設計データ作成手段 １１…被検査マスクパターンデータ検出手段 １２…二値化パターンデータ形成手段 １３…検査領域設定手段 １４…感度調整手段 １５…演算手段 １６…判定手段 ２０…マスク検査装置 １００…マスクパターン設計データ ２００…パターンデータ ３００…二値化パターンデータ部の周辺領域
Claims (11)
- 【請求項１】 近接効果補正により得られたマスクパタ
ーン設計データと、当該マスクパターン設計データによ
り作成されたマスクのパターンデータとを比較して当該
マスクパターンを検査する方法に於て、当該マスクパタ
ーン設計データと当該マスクのパターンデータとの差分
値を演算するに際し、当該パターンデータに対して、近
接効果補正により修正した部分を予め定められた所定の
幅だけ拡大した第１の検査領域と当該マスクのパターン
データの全検査領域から当該第１の検査領域を除いた第
２の検査領域とを設定し、当該第１の検査領域と第２の
検査領域で互いに異なる検査感度を適用して検査する事
を特徴とするマスクの検査方法。 - 【請求項２】 当該近接効果補正したマスクパターン設
計データは、近接効果補正を行う前の所望のパターンを
有するマスクパターン部分のパターンデータと、近接効
果補正により当該マスクパターン部分の一部に加算され
るか、当該マスクパターン部分の一部から減算された１
乃至複数個の微細パターンのパターンデータとで構成さ
れている事を特徴とする請求項１記載のマスクの検査方
法。 - 【請求項３】 当該被検査マスクのパターンデータは、
当該近接効果補正により得られたマスクパターン設計デ
ータに基づいて形成されたマスクに於けるパターンの顕
微鏡像を二値化したデータで構成されている事を特徴と
する請求項１又は２に記載のマスクの検査方法。 - 【請求項４】 当該被検査マスクのパターンデータに於
ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望のパ
ターンを有するマスクパターン部分に加算されるか、当
該マスクパターン部分から減算される微細パターン部分
に相当する当該二値化パターンデータ部を包含する領域
に、当該二値化パターンデータ部を包含する第１の検査
領域を設ける事を特徴とする請求項１乃至３の何れかに
記載のマスクの検査方法。 - 【請求項５】 当該第１の検査領域は、当該マスクパタ
ーン設計データに於ける所望のパターンを有するマスク
パターン部分に加算されるか、当該マスクパターン部分
から減算される微細パターン領域を予め定められた所定
の割合で拡大する事を特徴とする請求項４記載のマスク
の検査方法。 - 【請求項６】 当該被検査マスクのパターンデータに於
ける、当該第１の検査領域を除く領域を第２の検査領域
とする事を特徴とする請求項４又は５に記載のマスクの
検査方法。 - 【請求項７】 当該第１の検査領域に於ける検査感度
を、当該第２の検査領域の検査感度より低い感度に設定
する事を特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載のマ
スクの検査方法。 - 【請求項８】 当該感度は、所定の画素寸法を持つ画素
の画素数によって調整する事を特徴とする請求項７記載
のマスクの検査方法。 - 【請求項９】 近接効果補正を行う前の所望のパターン
を有するマスクパターン部分のパターンデータと、近接
効果補正により当該マスクパターン部分の一部に加算さ
れるか、当該マスクパターン部分の一部から減算された
１乃至複数個の微細パターンのパターンデータとそれぞ
れ選択して、それ等を互いに結合し近接効果補正したマ
スクパターン設計データを作成する工程、当該マスクパ
ターン設計データを使用して、マスクを形成する工程、
当該形成された被検査マスクに於けるマスクパターンの
顕微鏡像を二値化したパターンデータを作成する工程、
当該二値化した被検査マスクのマスクパターンデータに
於ける、当該マスクパターン設計データに於ける所望の
パターンを有するマスクパターン部分に加算されるか、
当該マスクパターン部分から減算された微細パターン部
分に相当する当該二値化パターンデータ部の周辺領域
に、当該二値化パターンデータ部を包含する第１の検査
領域を設ける工程、当該被検査マスクのパターンデータ
に於ける、当該第１の検査領域を除く領域を第２の検査
領域とする工程、当該第１の検査領域に於ける検査感度
を、当該第２の検査領域の検査感度より低い感度に設定
する工程、当該マスクパターン設計データと当該被検査
マスクのパターンデータとの差分値を求める工程、当該
差分値をそれぞの検査領域に於て個別に設定された感度
に従って正常か異常かを判断する工程、とから構成され
ている事を特徴とするマスクの検査方法。 - 【請求項１０】 当該差分値を画素数で表すと共に、当
該第１の検査領域に於ける感度を予め定められた第１の
画素数を第１のしきい値として設定すると共に、当該第
２の検査領域に於ける感度を当該第１の画素数よりも多
い数の画素数を第２のしきい値とする事を特徴とする請
求項９記載のマスクの検査方法。 - 【請求項１１】 近接効果補正を行う前の複数個の所望
のパターンを有するマスクパターン部分のパターンデー
タを記憶する第１の記憶手段、近接効果補正により当該
マスクパターン部分の一部に加算されるか、当該マスク
パターン部分の一部から減算されるべき微細パターンの
パターンデータを複数個記憶する第２の記憶手段、当該
マスクパターン部分のパターンデータと微細パターンの
パターンデータとをそれぞれ当該第１及び第２の記憶手
段から選択して結合するマスクパターン設計データを形
成するマスクパターン設計データ作成手段、当該マスク
パターン設計データ作成手段により形成された被検査マ
スクを光学的に読み取る被検査マスクパターンデータ検
出手段、被検査マスクパターンデータ検出手段から出力
された当該被検査マスクに於けるマスクパターンの顕微
鏡像を二値化したパターンデータを作成する二値化パタ
ーンデータ形成手段、当該二値化した被検査マスクのマ
スクパターンデータに於ける、当該マスクパターン設計
データに於ける所望のパターンを有するマスクパターン
部分に加算されるか、当該マスクパターン部分から減算
された微細パターン部分に相当する当該二値化パターン
データ部を包含する領域に、第１の検査領域を設けると
共に、当該被検査マスクのパターンデータに於ける、当
該第１の検査領域を除く領域を第２の検査領域を設ける
検査領域設定手段、当該第１の検査領域に於ける検査感
度を、当該第２の検査領域の検査感度より低い感度に設
定する感度調整手段、当該マスクパターン設計データと
当該被検査マスクのパターンデータとの差分値を求める
演算手段、当該差分値をそれぞの検査領域に於て個別に
設定された感度に従って正常か異常かを判断する判定手
段、とから構成されているマスクの検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001092245A JP2001330941A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | マスクの検査方法及びマスクの検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001092245A JP2001330941A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | マスクの検査方法及びマスクの検査装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3736498A Division JPH11231507A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | マスクの検査方法及びマスクの検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001330941A true JP2001330941A (ja) | 2001-11-30 |
Family
ID=18946744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001092245A Pending JP2001330941A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | マスクの検査方法及びマスクの検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001330941A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006039059A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Toshiba Corp | フォトマスクデータの作成方法およびフォトマスクの製造方法 |
| JP2016504566A (ja) * | 2012-11-12 | 2016-02-12 | ソイテックＳｏｉｔｅｃ | 多層半導体構造の層の厚さばらつきを測定するための方法 |
-
2001
- 2001-03-28 JP JP2001092245A patent/JP2001330941A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006039059A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Toshiba Corp | フォトマスクデータの作成方法およびフォトマスクの製造方法 |
| US7735055B2 (en) | 2004-07-23 | 2010-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of creating photo mask data, method of photo mask manufacturing, and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2016504566A (ja) * | 2012-11-12 | 2016-02-12 | ソイテックＳｏｉｔｅｃ | 多層半導体構造の層の厚さばらつきを測定するための方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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