JP2002244275A - フォトマスクの欠陥検査方法、フォトマスクの欠陥検査装置及び記録媒体 - Google Patents
フォトマスクの欠陥検査方法、フォトマスクの欠陥検査装置及び記録媒体Info
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- JP2002244275A JP2002244275A JP2001038215A JP2001038215A JP2002244275A JP 2002244275 A JP2002244275 A JP 2002244275A JP 2001038215 A JP2001038215 A JP 2001038215A JP 2001038215 A JP2001038215 A JP 2001038215A JP 2002244275 A JP2002244275 A JP 2002244275A
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 検査感度調整の際にマスク欠陥がデバイスの
動作への影響が大きな領域と小さな領域とに分離して検
査を行うことにより時間的、コスト的に有利な必要十分
な欠陥検査ができる欠陥検査方法を提供する。 【解決手段】 フォトマスク１０上の欠陥がデバイスの
動作に与える影響に応じて、フォトマスク上の検査領域
（例えば、領域Ａ及び領域Ｂ）を２つ以上の領域に分割
し、この分割した各々の検査領域に対して検査感度設定
を行う。フォトマスク１０の各パターンＡ、Ｂに応じて
所望の検査感度で欠陥検査をすることにより必要十分な
欠陥検査が可能になる。また、複数の検査領域を有する
フォトマスクの所定のパターンに対する欠陥検査感度と
欠陥検査位置とを定義した欠陥検査データを用意しこの
データに基づいてフォトマスク検査を行う。
動作への影響が大きな領域と小さな領域とに分離して検
査を行うことにより時間的、コスト的に有利な必要十分
な欠陥検査ができる欠陥検査方法を提供する。 【解決手段】 フォトマスク１０上の欠陥がデバイスの
動作に与える影響に応じて、フォトマスク上の検査領域
（例えば、領域Ａ及び領域Ｂ）を２つ以上の領域に分割
し、この分割した各々の検査領域に対して検査感度設定
を行う。フォトマスク１０の各パターンＡ、Ｂに応じて
所望の検査感度で欠陥検査をすることにより必要十分な
欠陥検査が可能になる。また、複数の検査領域を有する
フォトマスクの所定のパターンに対する欠陥検査感度と
欠陥検査位置とを定義した欠陥検査データを用意しこの
データに基づいてフォトマスク検査を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
ディスプレイを製造するときに使用されるフォトマスク
の欠陥検査方法、欠陥検査装置及びフォトマスクの欠陥
検査プログラムを格納した記録媒体に関するものであ
る。
ディスプレイを製造するときに使用されるフォトマスク
の欠陥検査方法、欠陥検査装置及びフォトマスクの欠陥
検査プログラムを格納した記録媒体に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程におけるパターン
形成工程は、最も使用頻度が高く、製造する半導体素子
の性能に大きな影響を与える重要な工程である。パター
ン形成工程は、半導体基板（ウェーハ）上に導電膜や絶
縁膜などの成膜を形成し、成膜上にフォトレジスト（有
機感光樹脂）を塗布し、このフォトレジストをフォトマ
スクを介して露光し、露光されたフォトレジストを現像
して所定のパターンを形成し、このパターニングされた
フォトレジストをマスクとして上記成膜をエッチングし
て所望形状のＬＳＩパターンを形成する工程からなる。
半導体基板に塗布したフォトレジストにパターンを焼付
け工程をフォトリソグラフィという。この工程は、フォ
トレジスト塗布、露光、現像に分けられる。露光工程に
おいて、フォトマスクは、正確なパターニングを行うた
めに精度の高いものが要求されている。フォトマスク
は、透明な石英などの基板とその上に形成されたクロム
などから形成されたマスクパターンから構成されてい
る。
形成工程は、最も使用頻度が高く、製造する半導体素子
の性能に大きな影響を与える重要な工程である。パター
ン形成工程は、半導体基板（ウェーハ）上に導電膜や絶
縁膜などの成膜を形成し、成膜上にフォトレジスト（有
機感光樹脂）を塗布し、このフォトレジストをフォトマ
スクを介して露光し、露光されたフォトレジストを現像
して所定のパターンを形成し、このパターニングされた
フォトレジストをマスクとして上記成膜をエッチングし
て所望形状のＬＳＩパターンを形成する工程からなる。
半導体基板に塗布したフォトレジストにパターンを焼付
け工程をフォトリソグラフィという。この工程は、フォ
トレジスト塗布、露光、現像に分けられる。露光工程に
おいて、フォトマスクは、正確なパターニングを行うた
めに精度の高いものが要求されている。フォトマスク
は、透明な石英などの基板とその上に形成されたクロム
などから形成されたマスクパターンから構成されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体製造装置
の製造においては、回路を構成する素子や配線などの高
集積化やパターンの微細化が進められている。例えば、
代表的な半導体記憶装置であるＤＲＡＭ(Dynamic Rando
m Access Memory)では、１ＧＤＲＡＭの作製においては
設計ルール０．１３μｍのパターン形成が必要であると
言われている。ここで、設計ルールとは最小寸法と等価
と考えてよい。従来、フォトマスクの検査は、隣接する
同一パターンを比較するｄｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ比較検査
法、フォトマスクのパターンを設計パターンと比較する
ｄｉｅ−ｔｏ−ｄａｔａｂａｓｅ（ＤＢ）比較検査法な
どを用いて検査を行っている。図１１のｄｉｅ−ｔｏ−
ｄｉｅ欠陥検査システムの概略図に示すように、ｄｉｅ
−ｔｏ−ｄｉｅ比較検査は、光源３からの光を利用する
２つの光学系１、２を有し、マスク４上の隣接する同一
パターンそれぞれからのパターンの透過光による拡大像
をＣＣＤなどの画像センサ５上に結像させて電気信号に
変換する。この２つの電気信号を所定のアルゴリズムを
用いて比較論理回路で不一致部分を検出し、そのときの
座標を欠陥座標情報（欠陥位置情報）として記録するこ
とによって行われる。
の製造においては、回路を構成する素子や配線などの高
集積化やパターンの微細化が進められている。例えば、
代表的な半導体記憶装置であるＤＲＡＭ(Dynamic Rando
m Access Memory)では、１ＧＤＲＡＭの作製においては
設計ルール０．１３μｍのパターン形成が必要であると
言われている。ここで、設計ルールとは最小寸法と等価
と考えてよい。従来、フォトマスクの検査は、隣接する
同一パターンを比較するｄｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ比較検査
法、フォトマスクのパターンを設計パターンと比較する
ｄｉｅ−ｔｏ−ｄａｔａｂａｓｅ（ＤＢ）比較検査法な
どを用いて検査を行っている。図１１のｄｉｅ−ｔｏ−
ｄｉｅ欠陥検査システムの概略図に示すように、ｄｉｅ
−ｔｏ−ｄｉｅ比較検査は、光源３からの光を利用する
２つの光学系１、２を有し、マスク４上の隣接する同一
パターンそれぞれからのパターンの透過光による拡大像
をＣＣＤなどの画像センサ５上に結像させて電気信号に
変換する。この２つの電気信号を所定のアルゴリズムを
用いて比較論理回路で不一致部分を検出し、そのときの
座標を欠陥座標情報（欠陥位置情報）として記録するこ
とによって行われる。
【０００４】それに対して、図１２のｄｉｅ−ｔｏ−Ｄ
Ｂ欠陥検査システムの概略図に示すように、ｄｉｅ−ｔ
ｏ−ＤＢ比較検査は、データベース６に蓄積された設計
パターンから比較パターンを発生するパターン発生回路
から得られる設計パターン情報と、光源３からの光を利
用する光学系７から得られる光学像を画像センサ５を電
気信号に変換して得られるパターン情報とを比較し、所
定のアルゴリズムを用いて比較論理回路で不一致部分を
検出し、そのときの座標を欠陥座標情報（欠陥位置情
報）として記録することによって行われる。従来のフォ
トマスク検査は、１つの検査領域に対して１つの検査感
度を決めていた。つまり、１つのフォトマスクには検査
領域が１つのみある。すなわち、フォトマスク上の欠陥
がデバイスの動作に与える影響が大きな領域に対しても
小さな領域に対しても、１回の検査で一律の感度で検査
を行なっていた。例えば、検査感度調整の際に、デバイ
スの動作への影響が小さな領域で擬似欠陥（ノイズ）が
多発し、デバイスの動作への影響が大きな領域で擬似欠
陥（ノイズ）が出ない場合、１回の検査に対して一律の
検査感度で検査を行うことから、デバイスの動作への影
響が小さな領域で擬似欠陥が出ないように検査領域全体
の検査感度を一様に落とす必要があり、結果的にデバイ
スの動作への影響が大きな領域で所望の欠陥を検出でき
ないという問題が生じていた。
Ｂ欠陥検査システムの概略図に示すように、ｄｉｅ−ｔ
ｏ−ＤＢ比較検査は、データベース６に蓄積された設計
パターンから比較パターンを発生するパターン発生回路
から得られる設計パターン情報と、光源３からの光を利
用する光学系７から得られる光学像を画像センサ５を電
気信号に変換して得られるパターン情報とを比較し、所
定のアルゴリズムを用いて比較論理回路で不一致部分を
検出し、そのときの座標を欠陥座標情報（欠陥位置情
報）として記録することによって行われる。従来のフォ
トマスク検査は、１つの検査領域に対して１つの検査感
度を決めていた。つまり、１つのフォトマスクには検査
領域が１つのみある。すなわち、フォトマスク上の欠陥
がデバイスの動作に与える影響が大きな領域に対しても
小さな領域に対しても、１回の検査で一律の感度で検査
を行なっていた。例えば、検査感度調整の際に、デバイ
スの動作への影響が小さな領域で擬似欠陥（ノイズ）が
多発し、デバイスの動作への影響が大きな領域で擬似欠
陥（ノイズ）が出ない場合、１回の検査に対して一律の
検査感度で検査を行うことから、デバイスの動作への影
響が小さな領域で擬似欠陥が出ないように検査領域全体
の検査感度を一様に落とす必要があり、結果的にデバイ
スの動作への影響が大きな領域で所望の欠陥を検出でき
ないという問題が生じていた。
【０００５】擬似欠陥とは、本来無欠陥である箇所にも
関わらず欠陥が発生したように検査で検知されることを
言う。とくに、画素サイズの３倍以下のパターンサイズ
のときに、アライメント誤差による位置エラーの補正を
することがアルゴリズムの関係上困難であり、そのとき
に、擬似欠陥が多発することが知られている。また、従
来のように欠陥検査領域内全ての検査感度を一定にする
と、デバイスの動作への影響が大きな領域でも小さな領
域でも一律に欠陥を検出する。検出された欠陥情報を基
に一つ一つ欠陥のリソグラフィシミュレーション顕微鏡
（例えば、カールツァイス社製 ＭＳＭ１００）などに
よる欠陥の確認を行い、デバイスの動作に影響がある欠
陥とない欠陥に分類し、影響がある欠陥に対しては修正
を行うことによりマスクを出荷していた。このようなや
り方は、工程数を増大させ、時間的にもコスト面からも
不利であるという問題を生じていた。もしくは、検出さ
れた欠陥情報を基に修正できない欠陥があると、該検査
マスクは不良品となり、マスクをリワークする。このた
めに、必要以上に厳しい条件で欠陥検査を行っている領
域が存在し、これが歩留まりの低下を招いていた。
関わらず欠陥が発生したように検査で検知されることを
言う。とくに、画素サイズの３倍以下のパターンサイズ
のときに、アライメント誤差による位置エラーの補正を
することがアルゴリズムの関係上困難であり、そのとき
に、擬似欠陥が多発することが知られている。また、従
来のように欠陥検査領域内全ての検査感度を一定にする
と、デバイスの動作への影響が大きな領域でも小さな領
域でも一律に欠陥を検出する。検出された欠陥情報を基
に一つ一つ欠陥のリソグラフィシミュレーション顕微鏡
（例えば、カールツァイス社製 ＭＳＭ１００）などに
よる欠陥の確認を行い、デバイスの動作に影響がある欠
陥とない欠陥に分類し、影響がある欠陥に対しては修正
を行うことによりマスクを出荷していた。このようなや
り方は、工程数を増大させ、時間的にもコスト面からも
不利であるという問題を生じていた。もしくは、検出さ
れた欠陥情報を基に修正できない欠陥があると、該検査
マスクは不良品となり、マスクをリワークする。このた
めに、必要以上に厳しい条件で欠陥検査を行っている領
域が存在し、これが歩留まりの低下を招いていた。
【０００６】本発明は、このような事情によりなされた
ものであり、検査感度調整の際にマスク欠陥がデバイス
の動作への影響が大きな領域と小さな領域とに分離して
検査を行うことにより、検査領域全体の検査感度を上げ
ることができ、デバイスの動作への影響が小さな領域で
必要以上に微細なサイズの欠陥を検出することなく、修
正すべき欠陥か、もしくは修正する必要のない欠陥かを
判断するステップを省略することができ、且つ時間的、
コスト的に有利である必要十分な欠陥検査ができるフォ
トマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置及びこの欠陥
検査方法がプログラムされた記録媒体を提供する。
ものであり、検査感度調整の際にマスク欠陥がデバイス
の動作への影響が大きな領域と小さな領域とに分離して
検査を行うことにより、検査領域全体の検査感度を上げ
ることができ、デバイスの動作への影響が小さな領域で
必要以上に微細なサイズの欠陥を検出することなく、修
正すべき欠陥か、もしくは修正する必要のない欠陥かを
判断するステップを省略することができ、且つ時間的、
コスト的に有利である必要十分な欠陥検査ができるフォ
トマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置及びこの欠陥
検査方法がプログラムされた記録媒体を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、フォトマスク
上の欠陥がデバイスの動作に与える影響に応じて、フォ
トマスク上の検査領域を２つ以上の領域に分割し、この
分割した各々の検査領域に対して検査感度設定を行うこ
とを特徴としている。フォトマスクの各パターンに応じ
て所望の検査感度で欠陥検査をすることにより必要十分
な欠陥検査が可能になる。また、本発明は、複数の検査
領域を有するフォトマスクの所定のパターンに対する欠
陥検査感度と欠陥検査位置とを定義した欠陥検査データ
を用意し、このデータに基づいてフォトマスク検査を行
うことを特徴としている。また、マスク欠陥がデバイス
の動作への影響が大きな領域と小さな領域とに分離し、
各領域の検査感度を変えることにより、全検査領域の検
査感度を上げることができ、デバイスの動作への影響が
小さな領域で必要以上に微細なサイズの欠陥を検出する
ことなく、修正すべき欠陥か、修正する必要のない欠陥
かを判断するステップを省略することができる。
上の欠陥がデバイスの動作に与える影響に応じて、フォ
トマスク上の検査領域を２つ以上の領域に分割し、この
分割した各々の検査領域に対して検査感度設定を行うこ
とを特徴としている。フォトマスクの各パターンに応じ
て所望の検査感度で欠陥検査をすることにより必要十分
な欠陥検査が可能になる。また、本発明は、複数の検査
領域を有するフォトマスクの所定のパターンに対する欠
陥検査感度と欠陥検査位置とを定義した欠陥検査データ
を用意し、このデータに基づいてフォトマスク検査を行
うことを特徴としている。また、マスク欠陥がデバイス
の動作への影響が大きな領域と小さな領域とに分離し、
各領域の検査感度を変えることにより、全検査領域の検
査感度を上げることができ、デバイスの動作への影響が
小さな領域で必要以上に微細なサイズの欠陥を検出する
ことなく、修正すべき欠陥か、修正する必要のない欠陥
かを判断するステップを省略することができる。
【０００８】即ち、本発明のフォトマスクの欠陥検査方
法は、フォトマスクのパターンデータを２つ以上の検査
領域に分割するステップと、前記分割された検査領域の
それぞれに対応した検査感度の設定を行うステップと、
前記各検査領域毎にそれぞれに対応した前記検査感度を
指定し、この検査感度に基づいて前記検査領域を順次検
査するステップとを備えたことを特徴としている。前記
検査感度の設定を行うステップにおいて、擬似欠陥が出
ない最高感度で設定を行うようにしても良い。また、本
発明のフォトマスクの欠陥検査方法は、フォトマスクの
パターンデータにおけるパターン位置と欠陥検査感度の
関係を定義した欠陥検査データを用意するステップと、
前記欠陥検査データを用いて、前記フォトマスクの所望
のパターンをそのパターン位置に応じた所望の欠陥感度
で検査するステップとを備えたことを特徴としている。
この方法では、フォトマスクのパターン位置に応じて所
望の検査感度で欠陥検査をすることにより必要十分な欠
陥検査が可能になって歩留まりが向上する。
法は、フォトマスクのパターンデータを２つ以上の検査
領域に分割するステップと、前記分割された検査領域の
それぞれに対応した検査感度の設定を行うステップと、
前記各検査領域毎にそれぞれに対応した前記検査感度を
指定し、この検査感度に基づいて前記検査領域を順次検
査するステップとを備えたことを特徴としている。前記
検査感度の設定を行うステップにおいて、擬似欠陥が出
ない最高感度で設定を行うようにしても良い。また、本
発明のフォトマスクの欠陥検査方法は、フォトマスクの
パターンデータにおけるパターン位置と欠陥検査感度の
関係を定義した欠陥検査データを用意するステップと、
前記欠陥検査データを用いて、前記フォトマスクの所望
のパターンをそのパターン位置に応じた所望の欠陥感度
で検査するステップとを備えたことを特徴としている。
この方法では、フォトマスクのパターン位置に応じて所
望の検査感度で欠陥検査をすることにより必要十分な欠
陥検査が可能になって歩留まりが向上する。
【０００９】本発明のフォトマスクの欠陥検査装置は、
フォトマスクのパターンデータを２つ以上の検査領域に
分割する手段と、前記分割された検査領域のそれぞれに
対応した検査感度の設定を行う手段と、前記各検査領域
毎にそれぞれに対応した前記検査感度を指定し、この検
査感度に基づいて前記検査領域を順次検査する手段とを
備えたことを特徴としている。また、本発明のフォトマ
スクの欠陥検査装置は、フォトマスクのパターンデータ
におけるパターン位置と欠陥検査感度の関係を定義した
欠陥検査データを用意する手段と、前記用意した欠陥検
査データから検査するパターン位置の検査感度を設定す
る手段と、検査対象物のパターン画像を認識する手段
と、前記パターンデータから検査に使用する検査用画像
を作成する手段と、前記検査対象物のパターン画像を認
識する手段により認識された画像と前記検査用画像とを
前記設定した検査感度で比較する手段とを備えたことを
特徴としている。
フォトマスクのパターンデータを２つ以上の検査領域に
分割する手段と、前記分割された検査領域のそれぞれに
対応した検査感度の設定を行う手段と、前記各検査領域
毎にそれぞれに対応した前記検査感度を指定し、この検
査感度に基づいて前記検査領域を順次検査する手段とを
備えたことを特徴としている。また、本発明のフォトマ
スクの欠陥検査装置は、フォトマスクのパターンデータ
におけるパターン位置と欠陥検査感度の関係を定義した
欠陥検査データを用意する手段と、前記用意した欠陥検
査データから検査するパターン位置の検査感度を設定す
る手段と、検査対象物のパターン画像を認識する手段
と、前記パターンデータから検査に使用する検査用画像
を作成する手段と、前記検査対象物のパターン画像を認
識する手段により認識された画像と前記検査用画像とを
前記設定した検査感度で比較する手段とを備えたことを
特徴としている。
【００１０】本発明の記録媒体は、フォトマスクのパタ
ーンデータを２つ以上の検査領域に分割する処理と、前
記分割された検査領域のそれぞれに対応した検査感度の
設定を行う処理と、前記各検査領域毎にそれぞれに対応
した前記検査感度を指定し、この検査感度に基づいて前
記検査領域を順次検査する処理とを有するフォトマスク
の欠陥検査プログラムを格納したことを特徴としてい
る。また、本発明の記録媒体は、フォトマスクのパター
ンデータにおけるパターン位置と欠陥検査感度の関係を
定義した欠陥検査データを用意する処理と、前記欠陥検
査データを用いて、前記フォトマスクの所望のパターン
をそのパターン位置に応じた所望の欠陥感度で検査する
処理とを有するフォトマスクの欠陥検査プログラムを格
納したことを特徴としている。
ーンデータを２つ以上の検査領域に分割する処理と、前
記分割された検査領域のそれぞれに対応した検査感度の
設定を行う処理と、前記各検査領域毎にそれぞれに対応
した前記検査感度を指定し、この検査感度に基づいて前
記検査領域を順次検査する処理とを有するフォトマスク
の欠陥検査プログラムを格納したことを特徴としてい
る。また、本発明の記録媒体は、フォトマスクのパター
ンデータにおけるパターン位置と欠陥検査感度の関係を
定義した欠陥検査データを用意する処理と、前記欠陥検
査データを用いて、前記フォトマスクの所望のパターン
をそのパターン位置に応じた所望の欠陥感度で検査する
処理とを有するフォトマスクの欠陥検査プログラムを格
納したことを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。まず、図１乃至図７を参照して第１
の実施例を説明する。図１は、パターンデータを表示し
たフォトマスクの概略平面図、図２は、参照データ作成
プロセスフロー図、図３は、図２のプロセスで作成した
参照データと測定データとを比較する特性図、図４及び
図６は、フォトマスクの製造工程断面図、図５及び図７
は、フォトマスクを作成するプロセスフロー図である。
透明基板上にＣｒ遮光膜パターンが形成されたＣＯＧマ
スクは、図４及び図５にしたがって形成される。マスク
基板となる透明な石英基板１３上にクロム（Ｃｒ）膜１
１及びフォトレジスト１４を順次形成する（図４
（ａ））。フォトレジスト１４を露光し、現像してこれ
をパターニングする（図４（ｂ））。次に、パターニン
グされたフォトレジスト１４をマスクにしてクロム膜１
１をＲＩＥ(Reactive Ion Etching)などの異方性エッチ
ング法を用いてエッチングして、クロム膜１１をパター
ニングする（図４（ｃ））。クロム膜１１の上に残存し
ているフォトレジスト１４を除去してＣＯＧマスクが形
成される。
の形態を説明する。まず、図１乃至図７を参照して第１
の実施例を説明する。図１は、パターンデータを表示し
たフォトマスクの概略平面図、図２は、参照データ作成
プロセスフロー図、図３は、図２のプロセスで作成した
参照データと測定データとを比較する特性図、図４及び
図６は、フォトマスクの製造工程断面図、図５及び図７
は、フォトマスクを作成するプロセスフロー図である。
透明基板上にＣｒ遮光膜パターンが形成されたＣＯＧマ
スクは、図４及び図５にしたがって形成される。マスク
基板となる透明な石英基板１３上にクロム（Ｃｒ）膜１
１及びフォトレジスト１４を順次形成する（図４
（ａ））。フォトレジスト１４を露光し、現像してこれ
をパターニングする（図４（ｂ））。次に、パターニン
グされたフォトレジスト１４をマスクにしてクロム膜１
１をＲＩＥ(Reactive Ion Etching)などの異方性エッチ
ング法を用いてエッチングして、クロム膜１１をパター
ニングする（図４（ｃ））。クロム膜１１の上に残存し
ているフォトレジスト１４を除去してＣＯＧマスクが形
成される。
【００１２】このＣＯＧマスクは、本発明にしたがって
欠陥検査が行われる（図５の）。そして、欠陥検査の
結果に基づいて欠陥修正が行われる（図５の）。欠陥
修正後、ＣＯＧマスクが完成し、このプロセスが終了す
る（図５の）。ハーフトーンパターンを有するハーフ
トーン（ＨＴ）マスクは、図６及び図７にしたがって形
成される。マスク基板となる透明な石英基板２３上にハ
ーフトーン（ＨＴ）膜２２、クロム（Ｃｒ）膜２１及び
フォトレジスト２４を順次形成する（図６（ａ））。フ
ォトレジスト２４を露光し、現像してこれをパターニン
グする（図６（ｂ））。次に、パターニングされたフォ
トレジスト２４をマスクにしてクロム膜２１をＲＩＥな
どの異方性エッチング法を用いてエッチングしてこれを
パターニングする（図６（ｃ））。クロム膜２１をパタ
ーニングしてからフォトレジスト１４を除去する（図６
（ｄ））。次に、パターニングされたクロム膜２１をマ
スクにしてハーフトーン膜２２をＲＩＥなどの異方性エ
ッチング法を用いてエッチングしてこれをパターニング
する（図６（ｅ））。ハーフトーン膜２２の上に残存し
ているクロム膜２１を除去してＨＴマスクが形成され
る。このＨＴマスクは、本発明にしたがって欠陥検査が
行われる（図７の）。そして、欠陥検査の結果に基づ
いて欠陥修正が行われる（図７の）。欠陥修正後、Ｈ
Ｔマスクが完成し、このプロセスが終了する（図７の
）。
欠陥検査が行われる（図５の）。そして、欠陥検査の
結果に基づいて欠陥修正が行われる（図５の）。欠陥
修正後、ＣＯＧマスクが完成し、このプロセスが終了す
る（図５の）。ハーフトーンパターンを有するハーフ
トーン（ＨＴ）マスクは、図６及び図７にしたがって形
成される。マスク基板となる透明な石英基板２３上にハ
ーフトーン（ＨＴ）膜２２、クロム（Ｃｒ）膜２１及び
フォトレジスト２４を順次形成する（図６（ａ））。フ
ォトレジスト２４を露光し、現像してこれをパターニン
グする（図６（ｂ））。次に、パターニングされたフォ
トレジスト２４をマスクにしてクロム膜２１をＲＩＥな
どの異方性エッチング法を用いてエッチングしてこれを
パターニングする（図６（ｃ））。クロム膜２１をパタ
ーニングしてからフォトレジスト１４を除去する（図６
（ｄ））。次に、パターニングされたクロム膜２１をマ
スクにしてハーフトーン膜２２をＲＩＥなどの異方性エ
ッチング法を用いてエッチングしてこれをパターニング
する（図６（ｅ））。ハーフトーン膜２２の上に残存し
ているクロム膜２１を除去してＨＴマスクが形成され
る。このＨＴマスクは、本発明にしたがって欠陥検査が
行われる（図７の）。そして、欠陥検査の結果に基づ
いて欠陥修正が行われる（図７の）。欠陥修正後、Ｈ
Ｔマスクが完成し、このプロセスが終了する（図７の
）。
【００１３】次に、以上のようにして形成されたフォト
マスクについてこの実施例の欠陥検査方法を説明する。
図１は、フォトマスクのパターンデータを示す概略平面
図である。フォトマスク１０の基板上には複数の検査領
域が指定された設計パターンデータが形成されている。
設計パターンデータは、デバイス動作に影響が大きな領
域（領域Ａ）と小さな領域（領域Ｂ）に分類されてい
る。領域Ａはセル（Ｃｅｌｌ）部であり、領域Ｂはコア
（Ｃｏｒｅ）部である。次に、図２に示すように、領域
Ａ及び領域Ｂを有する設計パターンデータをビット展開
回路を介して多値化展開データに変換し、次に、多値化
展開データをプロセス冗長回路を介して丸め成形され、
丸め成形された多値化展開データは参照データ発生回路
により光学特性が補正されて、領域Ａ、領域Ｂ各々の参
照データが作成される。次に、石英（ＳｉＯ2 ：Ｑｚ）
からなる透明基板上にクロム膜からなる遮光膜パターン
が形成された検査用ＣＯＧマスク（図４及び図５参照）
を準備する。次に、ＣＯＧマスク表面に波長（λ＝３６
５ｎｍ）の光を照射し、この光をＣＯＧマスク上を走査
させ、ＣＣＤカメラによって透過光分布測定を行う。
マスクについてこの実施例の欠陥検査方法を説明する。
図１は、フォトマスクのパターンデータを示す概略平面
図である。フォトマスク１０の基板上には複数の検査領
域が指定された設計パターンデータが形成されている。
設計パターンデータは、デバイス動作に影響が大きな領
域（領域Ａ）と小さな領域（領域Ｂ）に分類されてい
る。領域Ａはセル（Ｃｅｌｌ）部であり、領域Ｂはコア
（Ｃｏｒｅ）部である。次に、図２に示すように、領域
Ａ及び領域Ｂを有する設計パターンデータをビット展開
回路を介して多値化展開データに変換し、次に、多値化
展開データをプロセス冗長回路を介して丸め成形され、
丸め成形された多値化展開データは参照データ発生回路
により光学特性が補正されて、領域Ａ、領域Ｂ各々の参
照データが作成される。次に、石英（ＳｉＯ2 ：Ｑｚ）
からなる透明基板上にクロム膜からなる遮光膜パターン
が形成された検査用ＣＯＧマスク（図４及び図５参照）
を準備する。次に、ＣＯＧマスク表面に波長（λ＝３６
５ｎｍ）の光を照射し、この光をＣＯＧマスク上を走査
させ、ＣＣＤカメラによって透過光分布測定を行う。
【００１４】次に、図３に示すように、領域Ａ内で擬似
欠陥（ノイズ）がでないレベル（スレッシュルド２０）
に到達するまで感度調整を行う。次に、図３に示すよう
に、領域Ｂ内で擬似欠陥（ノイズ）がでないレベル（ス
レッシュルド４０）に到達するまで感度調整を行う。次
に、実際のＣＯＧマスクの領域Ａから取得した透過光強
度分布と、図２に示す領域Ａの参照データとを比較論理
回路を用いて比較し、その比較情報を制御計算機により
まとめ、参照データと実際のマスクから得られた測定デ
ータの異なる点を欠陥として認識し、その座標を欠陥座
標として蓄積する。次に、実際のＣＯＧマスクの領域Ｂ
から取得した透過光強度分布と、図２に示す領域Ｂの参
照データとを比較論理回路を用いて比較し、その比較情
報を制御計算機によりまとめ、参照データと実際のマス
クから得られた測定データの異なる点を欠陥として認識
し、その座標を欠陥座標として蓄積する。次に、上記各
領域から得られた欠陥情報を１つの欠陥検査欠陥情報に
まとめる。欠陥座標情報に従い、欠陥検出部に関しては
欠陥修正を行い、その後マスクの出荷を行う。
欠陥（ノイズ）がでないレベル（スレッシュルド２０）
に到達するまで感度調整を行う。次に、図３に示すよう
に、領域Ｂ内で擬似欠陥（ノイズ）がでないレベル（ス
レッシュルド４０）に到達するまで感度調整を行う。次
に、実際のＣＯＧマスクの領域Ａから取得した透過光強
度分布と、図２に示す領域Ａの参照データとを比較論理
回路を用いて比較し、その比較情報を制御計算機により
まとめ、参照データと実際のマスクから得られた測定デ
ータの異なる点を欠陥として認識し、その座標を欠陥座
標として蓄積する。次に、実際のＣＯＧマスクの領域Ｂ
から取得した透過光強度分布と、図２に示す領域Ｂの参
照データとを比較論理回路を用いて比較し、その比較情
報を制御計算機によりまとめ、参照データと実際のマス
クから得られた測定データの異なる点を欠陥として認識
し、その座標を欠陥座標として蓄積する。次に、上記各
領域から得られた欠陥情報を１つの欠陥検査欠陥情報に
まとめる。欠陥座標情報に従い、欠陥検出部に関しては
欠陥修正を行い、その後マスクの出荷を行う。
【００１５】この実施例では、領域Ａ及び領域Ｂの２つ
の領域に分離して検査感度を設定し検査を行ったが、本
発明は、２つの領域のみに限定するものではなく、領域
数には制限はない、また、この実施例では、デバイスの
動作への影響が大きな領域と小さな領域に検査感度設定
領域を分離しているが、光リソグラフィーの観点から転
写に影響を大きく及ぼす領域と影響を及ぼさない領域で
検査感度設定領域を分離するような分離方法も可能であ
る。本実施例は、ＫｒＦ露光用に用いられているＣＯＧ
マスクに限定しているものではなく、ＡｒＦ露光、Ｆ２
露光などを含む透明基板上にハーフトーンパターンを有
するすべてのハーフトーンマスク（図６及び図７参照）
及びレベンソンマスクに対しても適用可能である。この
実施例は、いわゆるｄｉｅ−ｔｏ−ＤＢ方式であるが、
フォトマスク内の同一パターンの透過光強度分布を比較
して、お互いの透過光強度分布の異なる点を欠陥として
認識し、そのマスク上の座標を欠陥情報として蓄積する
いわゆるｄｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ比較法及びｃｅｌｌ−ｔ
ｏ−ｃｅｌｌ比較法によっても本発明の検査は可能であ
る。
の領域に分離して検査感度を設定し検査を行ったが、本
発明は、２つの領域のみに限定するものではなく、領域
数には制限はない、また、この実施例では、デバイスの
動作への影響が大きな領域と小さな領域に検査感度設定
領域を分離しているが、光リソグラフィーの観点から転
写に影響を大きく及ぼす領域と影響を及ぼさない領域で
検査感度設定領域を分離するような分離方法も可能であ
る。本実施例は、ＫｒＦ露光用に用いられているＣＯＧ
マスクに限定しているものではなく、ＡｒＦ露光、Ｆ２
露光などを含む透明基板上にハーフトーンパターンを有
するすべてのハーフトーンマスク（図６及び図７参照）
及びレベンソンマスクに対しても適用可能である。この
実施例は、いわゆるｄｉｅ−ｔｏ−ＤＢ方式であるが、
フォトマスク内の同一パターンの透過光強度分布を比較
して、お互いの透過光強度分布の異なる点を欠陥として
認識し、そのマスク上の座標を欠陥情報として蓄積する
いわゆるｄｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ比較法及びｃｅｌｌ−ｔ
ｏ−ｃｅｌｌ比較法によっても本発明の検査は可能であ
る。
【００１６】次に、図８及び図９を参照して第２の実施
例を説明する。図８は、従来及び本発明の検査領域を示
したフォトマスクの概略平面図、図９は、検査領域に対
する欠陥種及び欠陥位置に基づく欠陥感度を指定する特
性図である。まず、図８に示すように、フォトマスク上
に検査領域を指定した設計パターンデータを検査レベル
が異なる検査領域（Ａ〜Ｄ）毎に分類する。検査レベル
は、領域Ａが最も厳しく、領域Ｄが最も甘い（Ａ＞Ｂ＞
Ｃ＞Ｄ）。従来の方法では検査領域全面に最も厳しい検
査レベルで検査を行う。次に、図２に示すように、領域
Ａ乃至領域Ｄを有する設計パターンデータをビット展開
回路を介して多値化展開データに変換し、次に、多値化
展開データをプロセス冗長回路を介して丸め成形され、
丸め成形された多値化展開データは参照データ発生回路
により光学特性が補正されて、領域Ａ乃至領域Ｄ各々の
参照データが作成される（図２参照）。次に、図９に示
すように各領域（領域Ａ〜領域Ｄ）に対してデバイスか
ら要求される検査感度を指定する。次に、石英（Ｑｚ）
からなる透明基板上に、クロムからなる遮光膜パターン
が形成された検査用ＣＯＧマスクを準備する。
例を説明する。図８は、従来及び本発明の検査領域を示
したフォトマスクの概略平面図、図９は、検査領域に対
する欠陥種及び欠陥位置に基づく欠陥感度を指定する特
性図である。まず、図８に示すように、フォトマスク上
に検査領域を指定した設計パターンデータを検査レベル
が異なる検査領域（Ａ〜Ｄ）毎に分類する。検査レベル
は、領域Ａが最も厳しく、領域Ｄが最も甘い（Ａ＞Ｂ＞
Ｃ＞Ｄ）。従来の方法では検査領域全面に最も厳しい検
査レベルで検査を行う。次に、図２に示すように、領域
Ａ乃至領域Ｄを有する設計パターンデータをビット展開
回路を介して多値化展開データに変換し、次に、多値化
展開データをプロセス冗長回路を介して丸め成形され、
丸め成形された多値化展開データは参照データ発生回路
により光学特性が補正されて、領域Ａ乃至領域Ｄ各々の
参照データが作成される（図２参照）。次に、図９に示
すように各領域（領域Ａ〜領域Ｄ）に対してデバイスか
ら要求される検査感度を指定する。次に、石英（Ｑｚ）
からなる透明基板上に、クロムからなる遮光膜パターン
が形成された検査用ＣＯＧマスクを準備する。
【００１７】次に、ＣＯＧマスク表面に波長（λ＝３６
５ｎｍ）の光を照射させ、この光をＣＯＧマスク上を走
査させ、ＣＣＤカメラによって透過光分布測定を行う。
次に各領域から取得した実際のマスクの透過光強度分布
と、各領域の参照データとを比較論理回路を用いて比較
し、その比較情報を制御計算機によりまとめ、参照デー
タと実際のマスクから得られた測定データの異なる点を
欠点として認識し、その座標を欠陥座標として蓄積す
る。次に、上記各領域から得られた欠陥情報を１つの欠
陥検査欠陥情報にまとめる。欠陥座標情報に従い、欠陥
検出部に関して欠陥修正を行い、その後マスクの出荷を
行う。本実施例は、領域Ａ乃至領域Ｄの４領域に分離し
て検査感度を設定し、この検査感度に基づいて検査を行
ったが、本発明は４つの領域に限定するものではなく、
領域数に制限はない。また、デバイスからの要求にした
がって検査感度設定領域を分離しているが、光リソグラ
フィの観点から転写に影響を大きく及ぼす領域と影響を
及ぼさない領域で検査感度設定領域を分離することもで
きる。また、図９における感度の指定において、欠陥サ
イズを基準としているが、無欠陥部と欠陥部の光強度差
に対して一定の値を定めた基準でも適用可能であるな
ど、本発明は、感度の指定にはとくに限定はない。
５ｎｍ）の光を照射させ、この光をＣＯＧマスク上を走
査させ、ＣＣＤカメラによって透過光分布測定を行う。
次に各領域から取得した実際のマスクの透過光強度分布
と、各領域の参照データとを比較論理回路を用いて比較
し、その比較情報を制御計算機によりまとめ、参照デー
タと実際のマスクから得られた測定データの異なる点を
欠点として認識し、その座標を欠陥座標として蓄積す
る。次に、上記各領域から得られた欠陥情報を１つの欠
陥検査欠陥情報にまとめる。欠陥座標情報に従い、欠陥
検出部に関して欠陥修正を行い、その後マスクの出荷を
行う。本実施例は、領域Ａ乃至領域Ｄの４領域に分離し
て検査感度を設定し、この検査感度に基づいて検査を行
ったが、本発明は４つの領域に限定するものではなく、
領域数に制限はない。また、デバイスからの要求にした
がって検査感度設定領域を分離しているが、光リソグラ
フィの観点から転写に影響を大きく及ぼす領域と影響を
及ぼさない領域で検査感度設定領域を分離することもで
きる。また、図９における感度の指定において、欠陥サ
イズを基準としているが、無欠陥部と欠陥部の光強度差
に対して一定の値を定めた基準でも適用可能であるな
ど、本発明は、感度の指定にはとくに限定はない。
【００１８】本発明は、ＫｒＦ露光用に用いられている
ＣＯＧマスクに限定しているものではなく、ＡｒＦ露
光、Ｆ２露光などを含む透明基板上にハーフトーン（Ｈ
Ｔ）パターンを有するすべてのハーフトーンマスク（図
６及び図７参照）及びレベンソンマスクに対しても適用
可能である。この実施例は、いわゆるｄｉｅ−ｔｏ−Ｄ
Ｂ方式で行っているが、本発明は、フォトマスク上の同
一パターンの透過光強度分布を比較し、お互いの透過光
強度分布の異なる点を欠陥として認識し、そのマスク上
の座標を欠陥情報として蓄積するいわゆるｄｉｅ−ｔｏ
−ｄｉｅ比較法及びｃｅｌｌ−ｔｏ−ｃｅｌｌ比較法に
よっても検査は可能である。
ＣＯＧマスクに限定しているものではなく、ＡｒＦ露
光、Ｆ２露光などを含む透明基板上にハーフトーン（Ｈ
Ｔ）パターンを有するすべてのハーフトーンマスク（図
６及び図７参照）及びレベンソンマスクに対しても適用
可能である。この実施例は、いわゆるｄｉｅ−ｔｏ−Ｄ
Ｂ方式で行っているが、本発明は、フォトマスク上の同
一パターンの透過光強度分布を比較し、お互いの透過光
強度分布の異なる点を欠陥として認識し、そのマスク上
の座標を欠陥情報として蓄積するいわゆるｄｉｅ−ｔｏ
−ｄｉｅ比較法及びｃｅｌｌ−ｔｏ−ｃｅｌｌ比較法に
よっても検査は可能である。
【００１９】次に、図１０を参照して第３の実施例を説
明する。図１０は、フォトマスクの欠陥検査方法を説明
するフロー図である。この実施例では、本発明のフォト
マスク欠陥検査方法がプログラムされたデータを保存す
る記録媒体を用いてコンピュータシステムによりこの欠
陥検査方法を実現させることを特徴とするものである。
まず、設計データ及び検査領域に対応した検査感度を指
定する検査感度データに基づいて検査領域と検査感度を
指定し検査を実行する検査データを作成する処理を行
う。次に、この検査データに基づいて、第１及び第２の
実施例に示す手順により、ＣＯＧマスクやＨＴマスクな
どのフォトマスクの所望のパターンをそのパターン位置
に応じた所望の欠陥感度で検査処理を行う。これらの処
理は、これらの処理情報がプログラムされた記録媒体を
コンピュータに読み取らせ、コンピュータを制御するシ
ステムにより実現させる。本発明に用いる記録媒体は、
例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ等の半導体メモリ、磁気ディス
ク、光ディスク、光磁気ディスク、磁気ドラム、磁気テ
ープなどのプログラムを記録できる媒体ならどの様なも
のでも良い。
明する。図１０は、フォトマスクの欠陥検査方法を説明
するフロー図である。この実施例では、本発明のフォト
マスク欠陥検査方法がプログラムされたデータを保存す
る記録媒体を用いてコンピュータシステムによりこの欠
陥検査方法を実現させることを特徴とするものである。
まず、設計データ及び検査領域に対応した検査感度を指
定する検査感度データに基づいて検査領域と検査感度を
指定し検査を実行する検査データを作成する処理を行
う。次に、この検査データに基づいて、第１及び第２の
実施例に示す手順により、ＣＯＧマスクやＨＴマスクな
どのフォトマスクの所望のパターンをそのパターン位置
に応じた所望の欠陥感度で検査処理を行う。これらの処
理は、これらの処理情報がプログラムされた記録媒体を
コンピュータに読み取らせ、コンピュータを制御するシ
ステムにより実現させる。本発明に用いる記録媒体は、
例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ等の半導体メモリ、磁気ディス
ク、光ディスク、光磁気ディスク、磁気ドラム、磁気テ
ープなどのプログラムを記録できる媒体ならどの様なも
のでも良い。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、検査感
度調整の際に、全検査領域の検査感度を上げることがで
きる。また、デバイスの動作への影響が小さな領域で必
要以上に微細なサイズの欠陥を検出することなく、修正
すべき欠陥か、修正する必要のない欠陥かを判断するス
テップを省略することができ、時間的にもコスト的にも
有利である。さらに、フォトマスクのパターン位置に応
じて所望の検査感度で検査を行うことにより必要十分な
欠陥検査が可能になって歩留まりが向上する。
度調整の際に、全検査領域の検査感度を上げることがで
きる。また、デバイスの動作への影響が小さな領域で必
要以上に微細なサイズの欠陥を検出することなく、修正
すべき欠陥か、修正する必要のない欠陥かを判断するス
テップを省略することができ、時間的にもコスト的にも
有利である。さらに、フォトマスクのパターン位置に応
じて所望の検査感度で検査を行うことにより必要十分な
欠陥検査が可能になって歩留まりが向上する。
【図１】本発明のパターンデータを表示したフォトマス
クの概略平面図。
クの概略平面図。
【図２】本発明に用いる参照データ作成プロセスフロー
図。
図。
【図３】図２のプロセスで作成した参照データと測定デ
ータとを比較する特性図。
ータとを比較する特性図。
【図４】本発明のフォトマスクの製造工程断面図。
【図５】本発明のフォトマスクを作成するプロセスフロ
ー図である。
ー図である。
【図６】本発明のフォトマスクの製造工程断面図。
【図７】本発明のフォトマスクを作成するプロセスフロ
ー図である。
ー図である。
【図８】従来及び本発明の検査領域を示したフォトマス
クの概略平面図。
クの概略平面図。
【図９】本発明の検査領域に対する欠陥種及び欠陥位置
に基づく欠陥感度を指定する特性図。
に基づく欠陥感度を指定する特性図。
【図１０】本発明のフォトマスクの欠陥検査方法を説明
するフロー図。
するフロー図。
【図１１】従来技術のｄｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ欠陥検査装
置を示す概略図。
置を示す概略図。
【図１２】従来技術のｄｉｅ−ｔｏ−ＤＢ欠陥検査装置
を示す概略図。
を示す概略図。
１、２、７・・・光学系、 ３・・・光源、 ４・
・・フォトマスク、５・・・画像センサ、 ６・・・
データベース、１０・・・フォトマスク、 １１、２
１・・・クロム膜、２２・・・ＨＴ膜、 １３、２３
・・・石英基板、１４、２４・・・フォトレジスト。
・・フォトマスク、５・・・画像センサ、 ６・・・
データベース、１０・・・フォトマスク、 １１、２
１・・・クロム膜、２２・・・ＨＴ膜、 １３、２３
・・・石英基板、１４、２４・・・フォトレジスト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 正光 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 Ｆターム(参考） 2G051 AA56 AB02 AC21 EA08 EA11 EA24 EB09 ED01 2H095 BA01 BD04 BD28
Claims (10)
- 【請求項１】 フォトマスクのパターンデータを２つ以
上の検査領域に分割するステップと、 前記分割された検査領域のそれぞれに対応した検査感度
の設定を行うステップと、 前記各検査領域毎にそれぞれに対応した前記検査感度を
指定し、この検査感度に基づいて前記検査領域を順次検
査するステップとを備えたことを特徴とするフォトマス
クの欠陥検査方法。 - 【請求項２】 前記検査感度の設定を行うステップにお
いて、擬似欠陥が出ない最高感度で設定を行うことを特
徴とする請求項１に記載のフォトマスクの欠陥検査方
法。 - 【請求項３】 前記検査領域を分割するステップは、マ
スク欠陥がデバイスの動作へ与える影響の大きさにした
がって分割することを特徴とする請求項１又は請求項２
に記載のフォトマスクの欠陥検査方法。 - 【請求項４】 前記検査感度の設定を行うステップは、
マスク欠陥がデバイスの動作へ与える影響の大きさにし
たがって感度設定を行うことを特徴とする請求項１又は
請求項２に記載のフォトマスクの欠陥検査方法。 - 【請求項５】 前記検査領域を順次検査するステップ
は、フォトマスクの設計パターンデータから前記各検査
領域に対応した参照データを作成するステップと、前記
参照データと実際のフォトマスクの検査領域の測定デー
タとを比較してその検査領域の欠陥座標情報を作成する
ステップと、前記各検査領域の欠陥座標情報を纏めて欠
陥座標データを作成するステップと、前記欠陥座標デー
タに基づいて、前記検査領域毎に修正すべき欠陥を指摘
するステップとを備えたことを特徴とする請求項１に記
載のフォトマスクの欠陥検査方法。 - 【請求項６】 フォトマスクのパターンデータにおける
パターン位置と欠陥検査感度の関係を定義した欠陥検査
データを用意するステップと、 前記欠陥検査データを用いて、前記フォトマスクの所望
のパターンをそのパターン位置に応じた所望の欠陥感度
で検査するステップとを備えたことを特徴とするフォト
マスクの欠陥検査方法。 - 【請求項７】 フォトマスクのパターンデータを２つ以
上の検査領域に分割する手段と、 前記分割された検査領域のそれぞれに対応した検査感度
の設定を行う手段と、 前記各検査領域毎にそれぞれに対応した前記検査感度を
指定し、この検査感度に基づいて前記検査領域を順次検
査する手段とを備えたことを特徴とするフォトマスクの
欠陥検査装置。 - 【請求項８】 フォトマスクのパターンデータにおける
パターン位置と欠陥検査感度の関係を定義した欠陥検査
データを用意する手段と、 前記用意した欠陥検査データから検査するパターン位置
の検査感度を設定する手段と、 検査対象物のパターン画像を認識する手段と、 前記パターンデータから検査に使用する検査用画像を作
成する手段と、 前記検査対象物のパターン画像を認識する手段により認
識された画像と前記検査用画像とを前記設定した検査感
度で比較する手段とを備えたことを特徴とするフォトマ
スクの欠陥検査装置。 - 【請求項９】 フォトマスクのパターンデータを２つ以
上の検査領域に分割する処理と、 前記分割された検査領域のそれぞれに対応した検査感度
の設定を行う処理と、 前記各検査領域毎にそれぞれに対応した前記検査感度を
指定し、この検査感度に基づいて前記検査領域を順次検
査する処理とを有するフォトマスクの欠陥検査プログラ
ムを格納したことを特徴とする記録媒体。 - 【請求項１０】 フォトマスクのパターンデータにおけ
るパターン位置と欠陥検査感度の関係を定義した欠陥検
査データを用意する処理と、 前記欠陥検査データを用いて、前記フォトマスクの所望
のパターンをそのパターン位置に応じた所望の欠陥感度
で検査する処理とを有するフォトマスクの欠陥検査プロ
グラムを格納したことを特徴とする記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001038215A JP2002244275A (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | フォトマスクの欠陥検査方法、フォトマスクの欠陥検査装置及び記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001038215A JP2002244275A (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | フォトマスクの欠陥検査方法、フォトマスクの欠陥検査装置及び記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002244275A true JP2002244275A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18901235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001038215A Pending JP2002244275A (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | フォトマスクの欠陥検査方法、フォトマスクの欠陥検査装置及び記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002244275A (ja) |
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-
2001
- 2001-02-15 JP JP2001038215A patent/JP2002244275A/ja active Pending
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