JP4675745B2 - フォトマスク用基板の選別方法、フォトマスク作製方法及び半導体装置製造方法 - Google Patents
フォトマスク用基板の選別方法、フォトマスク作製方法及び半導体装置製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4675745B2 JP4675745B2 JP2005309883A JP2005309883A JP4675745B2 JP 4675745 B2 JP4675745 B2 JP 4675745B2 JP 2005309883 A JP2005309883 A JP 2005309883A JP 2005309883 A JP2005309883 A JP 2005309883A JP 4675745 B2 JP4675745 B2 JP 4675745B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- substrate
- birefringence
- pattern
- photomask substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
本願発明の更に他の態様によれば、(イ)特定の転写パターン層に関し、フォトマスク用基板上に配置が予定されるチップ領域を、フォトマスク用基板の複屈折により形状が変動する素子パターンが配置される管理パターン領域とパターン領域以外の領域に分割し、フォトマスク用基板上の管理パターン領域が配置される領域の複屈折の大きさの規格値を設定し、複数のフォトマスク用基板候補のそれぞれの複屈折の大きさを検査し、複数のフォトマスク用基板候補から、複屈折の大きさが規格値を満足するフォトマスク用基板を特定の転写パターン層のフォトマスク用基板として選別するステップと、(ロ)特定の転写パターン層のフォトマスク用基板の選別を複数の転写パターン層について繰り返し、それぞれの転写パターン層毎に選別された複数のフォトマスク用基板上に、対応する転写パターン層毎にチップ領域に含まれる複数の素子パターンを形成して複数枚のフォトマスクを作製するステップと、(ハ)複数枚のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程を他の加工工程と組み合わせて、半導体基板の表面及び半導体基板の表面に形成された薄膜の少なくとも一方を加工するステップとを含む半導体装置製造方法が提供される。
本発明の実施の形態の第1の変形例に係るマスク基板の選別方法は、マスク基板領域の複屈折の大きさMRを検査が、第1の検査と、第1の検査が行われたマスク基板を、チップ領域が形成される基板面の中心を通過する法線方向を回転軸として回転させ、複数の管理パターンの配列を入れ替えた後に行う第2の検査とを含むことを特徴とする。つまり、第1の検査で管理パターン領域101〜104が形成されるマスク基板領域の複屈折の大きさMRが規格値STを満足しない場合、マスク基板候補を90度、180度、或いは270度回転させた状態で第2の検査を行う。
本発明の実施の形態の第2の変形例に係るフォトマスク作製方法を図14に示す。図14に示したフローチャートは、マスク基板を製造するマスク基板製造者とフォトマスクを作製するフォトマスク作製者が異なり、マスク基板製造者がマスク基板の選別を実施する場合のフォトマスク作製方法の例を示す。以下、図14に示すフォトマスク作製方法を説明する。
本発明の実施の形態の第3の変形例に係るフォトマスク作製方法を図15に示す。図15に示したフローチャートは、フォトマスク購入予定者が、複数種類のフォトマスクを作製する場合のフォトマスク作製方法の例を示す。図15に示したフォトマスク作製方法は、マスク基板製造者とフォトマスク作製者が同一である場合、及びフォトマスク作製者がマスク基板の検査を実施する場合にも適用可能である。
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
3…ウェハ
6…露光装置
20…マスク基板
30…チップ
40…マスク基板
100…チップ領域
101〜104…管理パターン領域
111、112…素子パターン
200…マスクパターン領域
201〜204…管理マスク領域
211、212…マスクパターン
401〜404…管理マスク領域
405…不良基板領域
Claims (5)
- 特定の転写パターン層に関し、フォトマスク用基板上に配置が予定されるチップ領域を、前記フォトマスク用基板の複屈折により形状が変動する素子パターンが配置される管理パターン領域と、前記パターン領域以外の領域に分割するステップと、
前記フォトマスク用基板上の前記管理パターン領域が配置される領域の複屈折の大きさの規格値を設定するステップと、
複数のフォトマスク用基板候補のそれぞれの前記複屈折の大きさを検査するステップと、
前記複数のフォトマスク用基板候補から、前記複屈折の大きさが前記規格値を満足するフォトマスク用基板を前記特定の転写パターン層のフォトマスク用基板として選別するステップ
とを含むことを特徴とするフォトマスク用基板の選別方法。 - 前記管理パターン領域が複数設定され、前記複数の管理パターン領域に含まれる前記素子パターンの形状に基づき、前記検査の精度が前記複数の管理パターン領域毎に設定されることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク用基板の選別方法。
- 前記検査が、
第1の検査と、
前記第1の検査が行われた前記フォトマスク用基板候補を、前記チップ領域が配置される基板面の中心を通過する法線方向を回転軸として回転させ、前記複数の管理パターンの配列を入れ替えた後に行う第2の検査
とを含むことを特徴とする請求項2に記載のフォトマスク用基板の選別方法。 - 特定の転写パターン層に関し、フォトマスク用基板上に配置が予定されるチップ領域を、前記フォトマスク用基板の複屈折により形状が変動する素子パターンが配置される管理パターン領域と、前記パターン領域以外の領域に分割するステップと、
前記フォトマスク用基板上の前記管理パターン領域が配置される領域の複屈折の大きさの規格値を設定するステップと、
複数のフォトマスク用基板候補のそれぞれの前記複屈折の大きさを検査するステップと、
前記複数のフォトマスク用基板候補から、前記複屈折の大きさが前記規格値を満足するフォトマスク用基板を前記特定の転写パターン層のフォトマスク用基板として選別するステップと、
前記選別されたフォトマスク用基板上に、前記チップ領域に含まれる前記複数の素子パターンを形成して前記特定の転写パターン層のフォトマスクを作製するステップ
とを含むことを特徴とするフォトマスク作製方法。 - 特定の転写パターン層に関し、フォトマスク用基板上に配置が予定されるチップ領域を、前記フォトマスク用基板の複屈折により形状が変動する素子パターンが配置される管理パターン領域と前記パターン領域以外の領域に分割し、前記フォトマスク用基板上の前記管理パターン領域が配置される領域の複屈折の大きさの規格値を設定し、複数のフォトマスク用基板候補のそれぞれの前記複屈折の大きさを検査し、前記複数のフォトマスク用基板候補から、前記複屈折の大きさが前記規格値を満足するフォトマスク用基板を前記特定の転写パターン層のフォトマスク用基板として選別するステップと、
前記特定の転写パターン層のフォトマスク用基板の選別を複数の転写パターン層について繰り返し、それぞれの転写パターン層毎に選別された複数のフォトマスク用基板上に、対応する転写パターン層毎に前記チップ領域に含まれる前記複数の素子パターンを形成して複数枚のフォトマスクを作製するステップと、
前記複数枚のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程を他の加工工程と組み合わせて、半導体基板の表面及び前記半導体基板の表面に形成された薄膜の少なくとも一方を加工するステップ
とを含むことを特徴とする半導体装置製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005309883A JP4675745B2 (ja) | 2005-10-25 | 2005-10-25 | フォトマスク用基板の選別方法、フォトマスク作製方法及び半導体装置製造方法 |
US11/585,130 US7740994B2 (en) | 2005-10-25 | 2006-10-24 | Method for selecting photomask substrate, method for manufacturing photomask, and method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005309883A JP4675745B2 (ja) | 2005-10-25 | 2005-10-25 | フォトマスク用基板の選別方法、フォトマスク作製方法及び半導体装置製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007121413A JP2007121413A (ja) | 2007-05-17 |
JP4675745B2 true JP4675745B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=37985771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005309883A Expired - Fee Related JP4675745B2 (ja) | 2005-10-25 | 2005-10-25 | フォトマスク用基板の選別方法、フォトマスク作製方法及び半導体装置製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7740994B2 (ja) |
JP (1) | JP4675745B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008070730A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Sony Corp | マスクブランクス選定方法、複屈折性指標の算出方法、リソグラフィ方法、マスクブランクス選定装置、複屈折性指標算出装置およびそのプログラム |
JP4752695B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | マスクパターン補正方法,マスクパターン補正装置およびそのプログラム |
US20100002115A1 (en) * | 2008-07-03 | 2010-01-07 | Xinqiao Liu | Method for Fabricating Large Photo-Diode Arrays |
JP5881417B2 (ja) * | 2011-12-29 | 2016-03-09 | Hoya株式会社 | マスクブランク用合成石英ガラス基板の複屈折仕様決定方法、マスクブランク用合成石英ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法 |
JP6084507B2 (ja) * | 2012-04-16 | 2017-02-22 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000330263A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスク用合成石英ガラス基板及びその製造方法 |
JP3246615B2 (ja) * | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JP2002055437A (ja) * | 2000-06-02 | 2002-02-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 基板選択装置 |
JP2002244275A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Toshiba Corp | フォトマスクの欠陥検査方法、フォトマスクの欠陥検査装置及び記録媒体 |
JP2002278046A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 基板選択装置および描画用基板の供給方法 |
US6483937B1 (en) * | 1999-06-17 | 2002-11-19 | International Business Machines Corporation | Process for inspecting an object |
JP2003515192A (ja) * | 1999-11-15 | 2003-04-22 | コーニング インコーポレイテッド | フォトリソグラフィ方法、フォトリソグラフィマスクブランク及び作成方法 |
JP2004047737A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Toshiba Corp | 検査方法及びフォトマスク |
JP2004356330A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Sony Corp | マスクの製造方法、マスクブランクスの管理方法、マスクブランクスの管理プログラム、マスクブランクスの管理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006114904A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6783898B2 (en) * | 1999-02-12 | 2004-08-31 | Corning Incorporated | Projection lithography photomask blanks, preforms and method of making |
-
2005
- 2005-10-25 JP JP2005309883A patent/JP4675745B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-10-24 US US11/585,130 patent/US7740994B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3246615B2 (ja) * | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JP2000330263A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスク用合成石英ガラス基板及びその製造方法 |
US6483937B1 (en) * | 1999-06-17 | 2002-11-19 | International Business Machines Corporation | Process for inspecting an object |
JP2003515192A (ja) * | 1999-11-15 | 2003-04-22 | コーニング インコーポレイテッド | フォトリソグラフィ方法、フォトリソグラフィマスクブランク及び作成方法 |
JP2002055437A (ja) * | 2000-06-02 | 2002-02-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 基板選択装置 |
JP2002244275A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Toshiba Corp | フォトマスクの欠陥検査方法、フォトマスクの欠陥検査装置及び記録媒体 |
JP2002278046A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 基板選択装置および描画用基板の供給方法 |
JP2004047737A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Toshiba Corp | 検査方法及びフォトマスク |
JP2004356330A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Sony Corp | マスクの製造方法、マスクブランクスの管理方法、マスクブランクスの管理プログラム、マスクブランクスの管理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006114904A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007121413A (ja) | 2007-05-17 |
US7740994B2 (en) | 2010-06-22 |
US20070092811A1 (en) | 2007-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105874387B (zh) | 用于设计量测目标的方法和设备 | |
US7241541B2 (en) | Method of the adjustable matching map system in lithography | |
US7512928B2 (en) | Sub-resolution assist feature to improve symmetry for contact hole lithography | |
US7368208B1 (en) | Measuring phase errors on phase shift masks | |
US7759136B2 (en) | Critical dimension (CD) control by spectrum metrology | |
JP4675745B2 (ja) | フォトマスク用基板の選別方法、フォトマスク作製方法及び半導体装置製造方法 | |
US20100321705A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US7008731B2 (en) | Method of manufacturing a photomask and method of manufacturing a semiconductor device using the photomask | |
CN111324004A (zh) | 掩模及套刻误差测量方法 | |
US7563547B2 (en) | Photomask and method of manufacturing the same | |
US5439767A (en) | Phase shift mask and its inspection method | |
US8679708B2 (en) | Polarization monitoring reticle design for high numerical aperture lithography systems | |
US20050188342A1 (en) | Method of determining the overlay accuracy of multiple patterns formed on a semiconductor wafer | |
JP2007298954A (ja) | テストパターンとテストパターンの転移特性の評価方法 | |
US6741334B2 (en) | Exposure method, exposure system and recording medium | |
JP2006005003A (ja) | 露光計測方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法 | |
KR20090044584A (ko) | 반도체 소자의 형성 방법 | |
JP2001267206A (ja) | 位置合せ方法、露光装置、及び、半導体デバイス生産方法 | |
US6913858B2 (en) | Photomask for measuring lens aberration, method of manufacturing the same, and method of measuring lens aberration | |
TW201001089A (en) | Method of evaluating optical performance of optical system | |
JP2006054213A (ja) | プロセス管理方法、モニターマーク形成方法及びプロセス管理用のマスク | |
JPH09293764A (ja) | 半導体素子の工程欠陥検査方法 | |
US20230275032A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
KR100831675B1 (ko) | 베스트 포커스를 설정하기 위한 포토 마스크 및 이를이용한 베스트 포커스 설정방법 | |
JP2004288694A (ja) | 半導体装置の製造方法およびそのシステム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080806 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110104 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110126 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140204 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140204 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |