JP2006114904A - リソグラフィ装置、デバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスクの複屈折を測定し、複屈折データとしてデータ記憶デバイスに記憶する。複屈折補償要素をリソグラフィ投影装置の光路に配置する。補償要素の適切な調節は、基板レベルの偏光状態に及ぼすマスク複屈折の影響を最適に低下させるものとして決定される。
【選択図】図1
Description
− パターニングデバイスの複屈折特性を特徴付けるデータを受信し、記憶するように配置構成されたデータ記憶デバイスと、
− 放射線が横断する路に配置された1つまたは複数の複屈折要素を備え、放射線ビームの偏光状態を変化させるために前記1つまたは複数の複屈折要素を調節するように配置構成されたマニピューレタと、
− 前記データに応答し、前記放射線の偏光状態に及ぼすパターニングデバイスの影響を基板レベルで補償するために前記調節を制御するように配置構成された制御装置とを有する。
− パターニングデバイスの複屈折特性を特徴付けるデータを受信し、記憶するように配置構成されたデータ記憶デバイスと、
− 放射線が横断する路に配置された1つまたは複数の複屈折要素を備え、放射線ビームの偏光状態を変化させるために前記1つまたは複数の複屈折要素を調節するように配置構成されたマニピュレータと、
− 前記データに応答し、前記放射線の偏光状態に及ぼすパターニングデバイスの影響を基板レベルで補償するために前記調節を制御するように配置構成された制御装置とを有し、
これによって前記放射線ビームの偏光状態に及ぼすパターニングデバイスの影響を基板レベルで補償するために調節することが、目標放射線システムの偏光特性からの偏差および/または目標投影システムの偏光特性からの偏差について放射線ビームの偏光状態に及ぼす追加の影響を基板レベルで補償する調節をすることと組み合わされる。
− パターニングデバイスの複屈折特性を特徴付けるデータを記憶することと、
− 使用時に前記放射線ビームが横断する1つまたは複数の複屈折要素を調節することと、
− 前記放射線ビームの偏光状態に及ぼすパターニングデバイスの影響を基板レベルで補償するために前記調節を制御することとを含む。
− 放射線ビームB(例えば193nmまたは157nmの放射線の波長で作動するエキシマレーザによって生成されるようなUV放射線など)を調整するように構成された照明システム(照明装置)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持し、かつ、特定のパラメータに従って正確にパターニングデバイスの位置決めを行うように構成された第一位置決め装置PMに連結を行った支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジスト塗布したウェハ)Wを支持し、かつ、特定のパラメータに従って正確に基板の位置決めを行うように構成された第二位置決め装置PWに連結を行った基板テーブル(例えばウェハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射線ビームBに与えられたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、1つあるいはそれ以上のダイから成る)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折性投影レンズシステム)PSと、
− パターニングデバイスの複屈折特性を特徴付けるデータを受信し、記憶するように配置構成されたデータ記憶デバイスDSと、
− データ記憶デバイスDSに記憶されたデータに応答する制御装置CNと、
− 放射線ビームBに複屈折要素BEを配置し、複屈折要素BEを調節するマニピュレータMNとを含む。
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは、基本的に静止状態に保たれている。そして、放射線ビームに与えたパターン全体が1回で目標部分Cに投影される(すなわち1回の静止露光)。次に基板テーブルWTがX方向および/あるいはY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静止露光で描像される目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期走査する一方、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの拡大(縮小)および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的露光で目標部分の(非走査方向における)幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の(走査方向における)高さを決定する。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する間に、基板テーブルWTが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルWTを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (17)
- 電磁放射線ビームを使用してパターニングデバイスからのパターンを基板上に投影するように配置構成されたリソグラフィ装置であって、
パターニングデバイスの複屈折特性を特徴付けるデータを受信し、記憶するように配置構成されたデータ記憶デバイスと、
放射線が横断する路に配置された1つまたは複数の複屈折要素を備え、放射線ビームの偏光状態を変化させるために前記1つまたは複数の複屈折要素を調節するように配置構成されたマニピュレータと、
前記データに応答し、前記放射線の偏光状態に及ぼすパターニングデバイスの影響を基板レベルで補償するために前記調節を制御するように配置構成された制御装置とを有するリソグラフィ装置。 - パターニングデバイスの前記複屈折特性が位相遅延である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記調節が、前記1つまたは複数の複屈折要素の位相遅延を変更するか、位相遅延を選択することを含む、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- パターニングデバイスの前記複屈折特性が高速軸線の方向である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記調節が、前記1つまたは複数の複屈折要素の高速軸の方向を変更することを含む、請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 装置が走査ステップ式装置であり、これによってマニピュレータが複数の細長い複屈折要素を調節するように配置構成され、前記複屈折要素が、共通の伸張方向を有し、前記共通の伸張方向に平行に配置され、前記共通の伸張方向に対して直角の方向で相互に対して相互変位し、各複屈折要素がその伸張方向に沿って移動可能であり、各複屈折要素が、伸張軸線に沿って1つまたは複数の複屈折特性の不均一な分布を有する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記不均一な分布が位相遅延の分布である、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- 前記不均一な分布が低速軸線の方向の分布である、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- さらに、パターニングデバイスの複屈折を測定し、パターニングデバイスの複屈折特性を特徴付ける前記データを提供する複屈折測定デバイスを有する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記放射線ビームの偏光状態に及ぼすパターニングデバイスの影響を基板レベルで補償するために調節することが、目標放射線システムの偏光特性からの偏差および目標投影システムの偏光特性からの偏差で構成された偏差グループのうち少なくとも1つの偏差について放射線ビームの偏光状態に及ぼす追加の影響を基板レベルで補償するために調節することと組み合わされる、請求項1または6に記載のリソグラフィ装置。
- さらに、放射線ビームをパターニングデバイスに提供する放射線システムと、放射線システムの光路に配置され、放射線システムの偏光特徴を制御するように配置構成された偏光マニピュレータと、目標放射線システムの偏光特徴からの偏差を測定するように配置構成された偏光測定デバイスとを有する、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- さらに、放射線ビームを調整するように配置構成された照明システムを有し、これによって自身を縦断する個々のs偏光放射線およびp偏光放射線ごとに異なる屈折率を有する部分反射ミラーが、放射線ビームが縦断する光路に配置されて、放射線ビームの一部を偏光測定デバイスに指向する、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
- 偏光マニピュレータが1/2波長プレートおよび1/4波長プレートを有し、それぞれが放射線システムの光軸に平行な軸線の周囲で回転可能である、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
- さらに、パターニングデバイスによって放射線ビームに与えられたパターンを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、目標投影システムの偏光特徴からの偏差を測定するように配置構成された偏光測定デバイスとを有する、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 偏光測定デバイスが基板レベルに提供され、高速および低速軸線を有し、これら軸線に対して直角の軸線の周囲で回転可能である遅延波プレート、および直線偏光分析器構成要素を有する、請求項14に記載のリソグラフィ装置。
- 偏光測定デバイスがさらに、空間分解能検出器、および投影システムの瞳の像を空間分解能検出器に投影するように配置構成されたレンズ対物システムを有する、請求項15に記載のリソグラフィ装置。
- 電磁放射線ビームを使用してパターニングデバイスからのパターンを基板上に投影することを含むデバイス製造方法であって、
パターニングデバイスの複屈折特性を特徴付けるデータを記憶することと、
使用時に前記放射線ビームが縦断する1つまたは複数の複屈折要素を調節することと、
前記放射線ビームの偏光状態に及ぼすパターニングデバイスの影響を基板レベルで補償するために前記調節を制御することとを含む方法。
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