JP2006030212A - 楕円偏光計、測定デバイス及び方法並びにリソグラフィ装置及び方法 - Google Patents

楕円偏光計、測定デバイス及び方法並びにリソグラフィ装置及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006030212A
JP2006030212A JP2005235530A JP2005235530A JP2006030212A JP 2006030212 A JP2006030212 A JP 2006030212A JP 2005235530 A JP2005235530 A JP 2005235530A JP 2005235530 A JP2005235530 A JP 2005235530A JP 2006030212 A JP2006030212 A JP 2006030212A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ellipsometer
components
birefringent portion
component
boundary surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005235530A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4116637B2 (ja
Inventor
Cristian N Presura
− ニコラエ プレスラ クリスティアン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2006030212A publication Critical patent/JP2006030212A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4116637B2 publication Critical patent/JP4116637B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21Polarisation-affecting properties
    • G01N21/211Ellipsometry
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J4/00Measuring polarisation of light
    • G01J4/04Polarimeters using electric detection means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21Polarisation-affecting properties
    • G01N21/23Bi-refringence

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

【課題】楕円偏光計、測定デバイス及び方法並びにリソグラフィ装置及び方法を提供すること。
【解決手段】楕円偏光計は、光学コンポーネントと、検出器とを備えている。光学コンポーネントは、境界表面を介して光連絡した2つの複屈折部分を有している。境界表面に入射した光は、2つの反射成分と2つの透過成分に分割される。検出器は、この4つの成分のうちの少なくとも3つの成分の特性を測定するようになされている。測定した特性に基づいて入射光の偏光状態を決定することができる。
【選択図】図3

Description

本発明は、リソグラフィ装置及び方法に関する。
リソグラフィ装置は、基板の目標部分に所望のパターンを適用するマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路(IC)の製造に使用することができる。その場合、マスクなどのパターン化構造を使用して、ICの個々の層に対応する回路パターンが生成され、このパターンが、放射線感応材料(レジスト)の層を有する基板(例えばシリコン・ウェハ)上の目標部分(例えば1つ又は複数のダイ部分が含まれている)に画像化される。通常、1枚の基板には、順次露光される目標部分に隣接する回路網が含まれている。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体を同時に目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるステッパと、パターンを投影ビームで所与の方向(「走査」方向)に走査し、且つ、基板をこの方向に平行に、或いは非平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるスキャナとがある。
本明細書においては、リソグラフィ装置の、とりわけICの製造における使用が参照されているが、本明細書において説明するリソグラフィ装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることは、当業者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、例えばトラック(通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール)或いは度量衡学ツール若しくは検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、例えば多層ICを生成するために複数回に渡って処理することができるため、本明細書に使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
本明細書に使用されている「放射」及び「ビーム」という用語には、可視レンジ(即ち380〜780nm)外の放射、例えば紫外(UV)放射(例えば波長が365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nmの放射)、極紫外(EUV)放射(例えば波長の範囲が5〜20nmの放射)、及びイオン・ビーム或いは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
本明細書に使用されている「パターン化構造」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板の目標部分にパターンを生成するために使用することができる構造を意味するものとして広義に解釈されたい。また、放射ビームに付与されるパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。通常、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に生成されるデバイス、例えば集積回路内の特定の機能層に対応している。
パターン化構造は、透過型であっても或いは反射型であっても良い。パターン化構造の実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ及びプログラム可能LCDパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいてはよく知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう、個々に傾斜させることができるため、この方法によって反射ビームがパターン化される。
支持構造は、パターン化構造を支持している。つまりパターン化構造の重量を支えている。支持構造は、パターン化構造の配向、リソグラフィ装置の設計及び他の条件、例えばパターン化構造が真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターン化構造を保持している。パターン化構造の支持には、機械式締付け技法、真空締付け技法或いは他の締付け技法、例えば真空条件下における静電締付け技法を使用することができる。支持構造は、例えば必要に応じて固定若しくは移動させることができ、且つ、例えば投影システムに対してパターン化構造を確実に所望の位置に配置することができるフレームであっても、或いはテーブルであっても良い。本明細書における「レチクル」或いは「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン化構造」という用語の同義語と見なすことができる。
本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、例えば使用する露光放射に適した、或いは液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した屈折光学系、反射光学系及びカタディオプトリック光学系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
また、照明システムには、投影放射ビームを導き、整形し、或いは制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント及びカタディオプトリック光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントが包含されており、このようなコンポーネントについても、以下、集合的若しくは個々に「レンズ」と呼ぶ。
リソグラフィ装置は、場合によっては2つ(二重ステージ)以上の基板テーブル(及び/又は複数のマスク・テーブル)を有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは1つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用している間、1つ又は複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。
また、リソグラフィ装置は、基板が比較的屈折率の大きい液体中、例えば水中に浸され、それにより投影システムの最終エレメントと基板の間の空間が充填されるタイプの装置であっても良い。また、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばマスクと投影システムの第1のエレメントの間に液浸液を充填することも可能である。液浸技法は、当分野においては、投影システムの開口数を大きくすることでよく知られている。
表面の複素反射率は、通常、楕円偏光計を使用して決定される。このような表面は、例えばウェハの頂部であり、或いはウェハ上の位置合せマーカ/構造、若しくは人間の組織片であっても良い。測定した複素反射率を解釈することによって、個々の表面の特性に関する情報が得られる。
既存の装置では一次元の測定しかできないが、本発明者は、将来的には二次元の測定の実行が可能であり、例えば位置合せマーカ間の相互距離を決定することができることに注目している。その場合、楕円偏光計をリソグラフィ装置に使用することができる。詳細には、楕円偏光計は、(ウェハの)位置合せに関連して使用される。
現在利用可能な楕円偏光計(スキャタロメータとも呼ばれている)は、一般に低速であり、この低速性が、すべてのアプリケーションにおいて測定に時間がかかる原因になっており、また、スキャタロメータのためのインライン度量衡学アプリケーションに重大な問題をもたらしている。本発明者は、この測定に時間を要する原因が、一般的に、主として楕円偏光計の測定ユニットの技術的な設計に関係していることを認識している。通常、楕円偏光は、回転アナライザ、回転リターダなどの可動部品を備えた測定デバイスを使用して測定され、また、光弾性変調器も広く使用されている。これらの光弾性変調器も、可動部品を備えた測定デバイスと見なすことができる。
http://www.instant−analysis.com/patents/polarization_patent_new.htm(2004年5月2日付けで利用可能)で、例えば楕円偏光計の実施例の1つを呼び出すことができる。この文書には、異なる位置に配置された、6つの光検出器をカバーする4つの偏光子からなる特殊な解析板と、2つの光検出器をカバーする波長板が開示されている。単色光が解析板に入射し、続いて光検出器に当たる。光検出器に入射する光によって生成される電気信号を使用して、適切なコンピュータと協力して、解析板に入射する単色光の偏光状態が測定される。単色光の偏光状態を評価するためには、その単色光の偏光度、方位角及び軸比に関する情報を得ることが望ましいが、上記解析マスク及び必要な検出器の数がこの楕円偏光計を比較的複雑にしている。従来の楕円偏光計には少なくとも4つの検出器が必要である。
本発明の一実施例による楕円偏光計は、境界表面に沿って第2の部分に接続された少なくとも第1の部分を備えた光学コンポーネントを備えている。第1の部分及び第2の部分は、複屈折部分である。第1の部分は、第1の方向に沿って配向された第1の光軸を有しており、第2の部分は、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配向された第2の光軸を有している。光学コンポーネントは、使用中、偏光状態を有する放射ビームを境界表面で受け取るようになされており、境界表面は、楕円偏光計を使用している間、放射ビームを第1の部分へ反射する第1及び第2の成分に分割し、また、同じく楕円偏光計を使用している間、第2の部分へ透過する第3及び第4の成分に分割するようになされている。少なくとも1つの検出器は、偏光状態の計算を可能にするために、この4つの成分のうちの少なくとも3つの成分の特性を測定するようになされている。一アプリケーションでは、このようなデバイスを使用して、入射する光の偏光状態の迅速な測定を可能にしている。
本発明の他の実施例による楕円偏光計は、少なくとも第1の複屈折部分及び第2の複屈折部分を備えた少なくとも1つの光学コンポーネントを備えている。第1の複屈折部分は、第1の方向に沿って配向された第1の光軸を有しており、境界表面に沿って、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配向された第2の光軸を有する第2の複屈折部分に接続されている。また、楕円偏光計は、少なくとも1つの検出器を備えている。少なくとも1つの光学コンポーネントは、偏光状態を有する放射ビームを前記境界表面で受け取るようになされており、また、境界表面は、放射ビームを第1の複屈折部分へ反射する第1及び第2の成分に分割し、また、放射ビームを第2の複屈折部分へ透過する第3及び第4の成分に放射ビームを分割するようになされている。少なくとも1つの検出器は、偏光状態を計算するために、この4つの成分のうちの少なくとも3つの成分の特性を測定するようになされている。
本発明の一実施例では、上で説明した楕円偏光計と、偏光状態を計算するようになされた検出及び評価ユニットとを備えた測定デバイスが提供される。
本発明の一実施例によるデバイス製造方法には、基板を提供するステップと、照明システムを使用して放射ビームを提供するステップと、放射ビームの断面にパターンを付与するためにパターン化構造を使用するステップと、パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射するステップが含まれており、上で説明した楕円偏光計を使用して基板の表面が特性化される。
他の実施例によるデバイス製造方法には、基板の表面の複素反射率を決定するステップと、放射ビームを提供するステップと、放射ビームをパターン化するステップと、パターン化された放射ビームを前記基板の表面の目標部分に投射するステップが含まれており、本明細書において説明する楕円偏光計を使用して表面の複素反射率が決定される。
本発明の他の実施例によるデバイス製造方法には、基板を提供するステップと、照明システムを使用して放射ビームを提供するステップと、放射ビームの断面にパターンを付与するためにパターン化構造を使用するステップと、パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射するステップが含まれており、上で説明した測定デバイスを使用して基板の表面が特性化される。
一実施例による方法には、放射ビームを提供するステップと、放射ビームの断面をあるパターンを使用してパターン化するステップと、パターン化された放射ビームを基板の表面の目標部分に投射するステップと、本明細書において説明する測定デバイスを使用して基板の表面の複素反射率を測定するステップが含まれている。
本発明の一実施例による測定方法には、測定放射ビームを第1の複屈折部分の光軸に沿って第1の複屈折部分と第2の複屈折部分の間の境界表面に導くステップが含まれている。第2の複屈折部分は、第1の複屈折部分の光軸とは異なる方向に沿って配向された光軸を有している。また、この方法には、前記境界表面で第1の複屈折部分へ反射する測定ビームの第1及び第2の成分、及び前記境界表面を第2の複屈折部分へ透過する測定ビームの第3及び第4の成分を含むグループの少なくとも3つの成分の特性をそれぞれ測定するステップが含まれている。
本発明の他の実施例による楕円偏光計は、第1の複屈折部分と、第2の複屈折部分と、少なくとも1つの検出器とを備えている。第1及び第2の複屈折部分は、前記第1の複屈折部分を透過した放射ビームが、第1の成分、第2の成分、第3の成分及び第4の成分に分割され、前記第1及び第2の成分が前記境界表面で前記第1の複屈折部分へ反射し、また、前記第3及び第4の成分が前記境界表面を前記第2の複屈折部分へ透過するよう、前記境界表面を介して光連絡するようになされている。少なくとも1つの検出器は、第1の成分、第2の成分、第3の成分及び第4の成分のうちの少なくとも3つの成分の特性をそれぞれ測定するようになされている。
以下、本発明の実施例について、単なる実施例に過ぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は、対応する部品を表している。
本発明による実施例は、入射する単色光の偏光状態を最小数の検出器のみを使用して、容易に、且つ、高い信頼性で迅速に測定するようになされた改良型設計特性を備えた楕円偏光計(つまり比較的単純な楕円偏光計)を備えている。
図1は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を略図で示したものである。このリソグラフィ装置は、放射(例えばUV放射若しくはEUV放射)ビームPBを提供するようになされた照明システム(イルミネータ)IL、及びパターン化構造(例えばマスク)MAを支持するようになされた、該パターン化構造を投影システム(「レンズ」)つまりアイテムPLに対して正確に配置するようになされた第1の位置決めデバイスPMに接続された第1の支持構造(例えばマスク・テーブル)MTを備えている。また、このリソグラフィ装置は、基板(例えばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するようになされた、該基板を投影システム(「レンズ」)つまりアイテムPLに対して正確に配置するようになされた第2の位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WT、及びパターン化構造MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(例えば1つ又は複数のダイが含まれている)に画像化するようになされた投影システム(例えば屈折投影レンズ)PLを備えている。
図に示すように、このリソグラフィ装置は、透過型(例えば透過型マスクを使用した)タイプの装置である。別法としては、このリソグラフィ装置は、反射型(例えば上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用した)タイプの装置であっても良い。
イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受け取っている。放射源が例えばエキシマ・レーザである場合、放射源及びリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビーム・エキスパンダを備えたビーム引渡しシステムBDを使用して放射源SOからイルミネータILへ引き渡される。それ以外の例えば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィ装置の一構成要素にすることができる。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビーム引渡しシステムBDと共に放射システムと呼ぶことができる。
イルミネータILは、ビームの角強度分布を調整するようになされた調整構造AMを備えることができる。通常、イルミネータのひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部及び/又は内部ラジアル・エクステント(一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている)は調整が可能である。また、イルミネータILは、通常、インテグレータIN及びコンデンサCDなどの他の様々なコンポーネントを備えている。イルミネータは、所望する一様な強度分布をその断面に有する、放射ビームPBと呼ばれている調節済み放射ビームを提供している。
放射ビームPBは、マスク・テーブルMT上に保持されているマスクMAに入射する。マスクMAを透過した放射ビームPBは、放射ビームを基板Wの目標部分Cに集束させるレンズPLを通過する。基板テーブルWTは、第2の位置決めデバイスPW及び位置センサIF(例えば干渉デバイス)を使用して正確に移動させることができ、それにより、例えば異なる目標部分Cを放射ビームPBの光路内に配置することができる。同様に、第1の位置決めデバイスPM及びもう1つの位置センサ(図1には明確に示されていない)を使用して、例えばマスク・ライブラリから機械的に検索した後、若しくは走査中に、マスクMAを放射ビームPBの光路に対して正確に配置することができる。通常、対物テーブルMT及びWTの移動は、位置決めデバイスPM及びPWの一部を形成している長ストローク・モジュール(粗位置決め)及び短ストローク・モジュール(精密位置決め)を使用して実現されているが、ステッパ(スキャナではなく)の場合、マスク・テーブルMTは、短ストローク・アクチュエータのみに接続することができ、或いは固定することも可能である。マスクMA及び基板Wは、マスク位置合せマークM1、M2及び基板位置合せマークP1、P2を使用して位置合せすることができる。
図に示す装置は、以下に示す好ましいモードで使用することができる。
1.ステップ・モードでは、基本的にマスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(つまり単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(つまり単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の高さ)が決定される。
3.その他のモードでは、プログラム可能パターン化構造を保持するためにマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化構造が更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化構造を利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
上で説明した使用モードの組合せ及び/又はその変形形態若しくはまったく異なる使用モードを使用することも可能である。
次に図2を参照して楕円偏光計8の一般動作原理について説明する。このような楕円偏光計8は、例えばリソグラフィ装置(図1参照)内若しくは二重ステージ・スキャン装置の位置合せユニット内のウェハ・ステージの近くに配置することができる。楕円偏光計8は、参照数表示2で示す長方形の略図で示す光学コンポーネント(若しくは複数の光学コンポーネントの組合せ)を備えている。単色光ビーム15がこの光学コンポーネント2に入射する。単色光ビーム15は、調査中の表面から受け取ることも可能である。光学コンポーネント2内では、偏光子及び/又は波長板の様々な組合せを使用して、連続する様々な位置で1組の測定を実行することができるが、このような測値を得るためには、これらのコンポーネントを物理的に移動させる必要があるため、これは、時間を消費する動作である。別法としては、単色光ビーム15を偏光子及び/又は波長板の組合せを同時に通過する複数の成分に分割することも可能であるが、この原理に基づく楕円偏光計が比較的複雑になる。
上記のいずれの方法を使用しても、図2にそれぞれ参照数表示4、10、12及び14で参照されている測定信号を提供することができる(例えば単色光ビーム及び/又はその成分を受け取る1つ又は複数の光検出器から)。測定信号4、10、12及び14は、検出及び評価ユニット30に入力される。検出及び評価ユニット30(例えば多数の光検出器及び/又は適切にプログラムされたコンピュータ若しくはプロセッサを備えることができる)は、測定信号4、10、12及び14を評価し、入射する単色光ビーム15の偏光状態6を提供している。
図3は、本発明の一実施例による楕円偏光計100を示したものである。図2に使用されている参照数表示と類似の参照数表示は、類似の部品を表している。図3に示す楕円偏光計は、プリズム1を備えている。このプリズム1は、図2に示す光学コンポーネント2として使用することができる。プリズム1は、第1の部分3及び第2の部分5を備えている。第1の部分3は、単軸(即ち「光学」若しくは「光」)軸17を有しており、また、第2の部分5は、単軸軸29を有している。
第1の部分3及び第2の部分5は、境界表面即ち境界表面27に沿って互いに接続されている。第1の部分と第2の部分の間の関係を示すために本明細書に使用されている「接続されている」という用語は、必ずしも固定接続を意味するものではないことは理解されよう。本発明は、第1の部分3及び第2の部分5が互いに近接して配置される(例えば第1の部分から第2の部分への光連絡が生じるように)場合にも機能することを理解されたい。単色光ビーム15は、境界表面27で、それぞれ対応する位置19、21、23及び25に配置されている4つの検出器31、33、35及び37に衝突する4つの部分、即ち成分7、9、11及び13に分割される。検出器31、33、35及び37は、検出及び評価ユニット30に接続されている。
楕円偏光計は、次のように機能する。プリズム1は、入射する単色ビーム15が伝搬する方向に第1の部分3の単軸軸17が実質的に沿うように配向されている。このように配向するためには、事前の適切な較正を必要とする場合がある。単色ビーム15には可視光及び/又は電磁スペクトルの可視部分の外側の周波数(可視部分を超える周波数若しくは可視部分未満の周波数)の放射が含まれている場合がある。単色ビーム15は、プリズム1の前部表面即ち「面」16に衝突してプリズム1に入射する。前部表面16及び境界表面27は、互いに所定の角度で配向されている。
実質的に単軸軸17に沿って導かれる単色ビーム15は、第1の部分3を通過する間、実質的に分割されない状態を維持する。境界表面27に単色ビーム15が当たると、単色ビーム15の部分11及び13がプリズム1の第2の部分5へ透過し、単色ビーム15の部分7及び9が第1の部分3へ後方反射する。プリズム1の第1の部分3の単軸軸17の配向は、プリズム1の第2の部分5の単軸軸29の配向とは異なっている。第2の部分5は、第1の部分3に対して、透過ビーム11と単色ビーム15が正確に整列するように配置することができるが、本発明の原理は、この特定の位置合せが存在しない構造にも適用することができる。
部分3及び部分5は複屈折部分であり、これは、当業者には明らかであるように、境界表面27で反射した単色ビーム15が単軸軸17に対して一定の角度で伝搬し、互いに直交する2つの直線偏光状態、つまり、正規即ち「o」部分9と異常即ち「e」部分7に分割されることを意味している。単色ビーム15のうちの境界表面27を透過する部分は、単軸軸29に対して一定の角度で透過し、正規即ち「o」部分11と異常即ち「e」部分13に分割される。「正規」及び「異常」の定義は、当業者に知られている通りである。
続いて、それぞれ対応する位置19、21、23及び25に配置されている4つの検出器31、33、35及び37に部分7、9、11及び13が当たる。これらの検出器31、33、35及び37は、部分7、9、11及び13の強度を測定し、これらの4つの強度を表す出力信号を検出及び評価ユニット30に出力する。この検出及び評価ユニットは、例えば本明細書において記述されている表現式を評価するようになされたプロセッサを備えた評価ユニットとして構築することができる。検出及び評価ユニット30は、強度から、また、o−部分及びe−部分の偏光から、当業者に知られている計算規則に従って、入射する単色ビーム15の偏光を決定する。o−部分9は、単色ビーム15と比較して0°でy偏光され、e−部分7は、単色ビーム15と比較して90度で(x+y)偏光される。また、o−部分11は、単色ビーム15と比較して−45°で(x−y)偏光され、e−部分13は、単色ビーム15と比較して45°で(x+y)偏光される。別法としては、強度の代わりに(且つ/又は強度に追加して)単色ビーム15の部分7、9、11及び13の位相を使用して、単色ビーム15の偏光状態を得ることも可能である。
また、境界表面27は、適切な物質でコーティングすることも可能であり、それにより透過する光パワーと反射する光パワーを等しくすることができる。つまり、検出を容易にするだけの十分なパワーをすべてのビームが有するよう、単色ビーム15の総入力パワーを反射ビーム7、9及び透過ビーム11、13に対して分割することができる(例えば50%−50%になるように)。例えばTBP反射コーティング剤(例えばドイツGoettingen在所のLINOS(株)が市場に出している、最大50%まで反射する広帯域部分反射コーティング剤)を使用することができる。
また、境界表面27の位置における「充填」材として空気(の層)を考慮することも可能である。本発明の一実施例では、第1の部分3と第2の部分5の間に得られる「エア・ギャップ」が、使用波長の半分程度(例えば数百ナノメートル)になることがあり、このような場合、第1の部分3と第2の部分5の間に直接的な機械的接触が存在することは考えられない。
本発明の他の実施例では、空気とコーティング剤を組み合わせることができる。例えば、第1の部分3と第2の部分5の間のギャップの一部に、例えば上で言及したTBP反射コーティング剤などの物質を約5マイクロメートルのエア・ギャップと組み合わせて充填することができる。その場合、例えば機械的接触によって物質/コーティング剤に応力がもたらされ、そのために物質/コーティング剤が変形し、且つ/又はコーティング剤の特性(例えば反射特性)がその影響を受けるため、第1の部分3と第2の部分5の間の機械的な接触を回避することが望ましい。
説明を目的として、検出器31、33、35及び37(図3参照)によって測定される強度から、入射する放射ビーム15の偏光を如何にして計算することができるかを示す例を以下に示す。
プリズム1を参照すると、図3に示すように、軸{x、y、z}が示されている。面16に入射する楕円偏光は、{x、y}平面の2つの成分によって与えられる。
=Esin(ωt)
=Esin(ωt+δ)
原理的には、上記関係は、位相差δ、振幅比Rの2つの直線偏光ビームの和として楕円偏光を見ることができることを示している。
Figure 2006030212
R及びδは、楕円偏光計を使用して測定することができる。
2つの入射振幅は、複素項で次のように表すことができる。
=Ejωt
=Ej(ωt+δ)
上式で、
Figure 2006030212

である。これらのビームは、境界表面27に到達するまで変化することなく「移動」する。境界表面27に到達すると、入射ビーム15の部分7及び9が反射し、部分11及び13が透過する。最初に反射部分7及び9について考察する。
境界表面27をコーティングする場合、コーティングが施された境界表面27の反射は、反射係数rで表すことができる。この反射係数は、コーティングの特性であり、通常、光の偏光の配向及び入射角によって決まる。また、この反射係数は複素数である。
プリズム1の第1の部分3の軸17の特定の配向のため、ビロー・アズON(入射面に直角の偏光)とも呼ばれる入射ビーム15の部分9は正規ビームであり、また、ビロー・アズOM(入射面内の偏光)とも呼ばれる部分7は異常ビームであることが分かる。ON(最初は0即ちy成分)部分及びOM(最初は90即ちx成分)部分に対する境界表面27のコーティングの反射係数は、r及びr90で表される。
したがって、OM部分及びON部分の振幅は、
OM=r90jωt
ON=rj(ωt+δ)
になり、2つの部分7及び9の強度は、
Figure 2006030212

で与えられる。
ここでは(図3参照)、Iは、検出器31によって測定される部分7の強度であり、Iは、検出器33によって測定される部分9の強度である。したがって第1のR値は、
Figure 2006030212

として計算することができる。
上に挙げた例の場合、式(1)が適用されるのは、境界表面27におけるコーティングが施された材料の絶対反射係数のみであることに留意されたい。
δを計算するためには、入射ビーム15の透過部分11、13及び上で引き出された関係から計算することができるRを使用することができる。
プリズム1の第2の部分5の配向は、x+y方向の正規透過ビーム11(ビロー・アズORとも呼ばれる)の偏光が−45°になり、また、−x+y方向の異常ビーム13(ビロー・アズOSとも呼ばれる)の偏光が45°になるように選択することができる。このような場合、光軸29の配向は、光軸29が正規軸(x+y)の偏光に対して直角でなければならないことを考慮して決定することができる。したがって、光軸29の配向は、ベクトル(x−y)及び(z)によって決定される平面内に制限しなければならない。合理的なオプションの1つは、方向(x−y+z)である。
また、コーティング層27は若干の透過係数を有している。この透過係数は、偏光及び入射角にも依存しており、やはり複素数である。この例では、現在重要な数、即ちt+45及びt−45のみが使用されている。ここでt+45は、45°で偏光した入射ビーム15の部分13の透過係数であり、t−45は、−45°で偏光した入射ビーム15の部分11の透過係数である。したがって、それぞれビロー・アズOR及びビロー・アズOSとも呼ばれる透過部分11及び13の振幅は、
OR=t−45−45
OS=t+45+45
で表すことができる。
これは、強度を与えている。
Figure 2006030212
ここでは(図3参照)、Iは、検出器35によって測定される強度であり、Iは、検出器37によって測定される強度である。界面E+45、E−45における入射視野の成分は、既知の入射視野E、Eから計算することができ、また、位相δに対応しているため、ここでは明確に示されていない。これは、図4に示すように、回転行列を使用して実施することができる。
この回転行列は、次のように表される。
Figure 2006030212

上式では、検出器35及び37に対する強度の比率の中で相殺されるため、右辺の行列の前に掛かる係数、
Figure 2006030212

は省略されている。検出器35及び37に対する強度の比率は、
Figure 2006030212

で表される。
したがって、E及びEの初期複素式が置き換えられ、
Figure 2006030212

が得られる。この式は、さらに次のように単純化される。
Figure 2006030212

上式に対する位相差δの値は、直ちに見出される。
Figure 2006030212

ここで、
Figure 2006030212

である。
上の計算では、反射係数及び透過係数に実数が使用されていることに留意されたい。しかしながら、一般的にはこれらの係数はテンソルであっても良く、したがってこれらの係数を行列化することができる。その場合、結果は上の式(1)及び(2)によってではなく、解を求める必要のある方程式の系によって与えられることになる。この例の式(1)及び(2)は、単なる近似式でしかない。
したがって、コーティングの透過係数t及び反射係数rが分かり、また、比率I/I及びI/Iを計算するために4つのすべての検出器31、33、35及び37の強度を測定する場合、Rに対しては式(1)、また、δに対しては式(2)を使用して楕円偏光(R及びδ)の特性を測定することができることが分かる。さらには検出器の1つを省略し、合計3つの検出器を使用して楕円偏光の特性を得ることも可能である。
もう一度図4を参照して、この着想をさらに説明する。X方向、Y方向及びZ方向に沿った偏光(ビーム7、9及び11)に対応する3つの検出器のみが存在していると仮定する。以下の説明では、反射係数若しくは透過係数の値は考慮されていない。X方向に対応する第1の検出器によって測定される強度と、Y方向に対応する第2の検出器によって測定される強度の比率によって楕円のパラメータの1つ、即ち、
Figure 2006030212

が与えられる。式(1)を参照されたい。入射する楕円偏光は、X方向に沿った直線偏光ビームとY方向に沿った直線偏光ビームの2つの直線偏光ビームのコヒーレント結合である。振幅の比率Ex/Eyは、楕円偏光計の中で計算されるパラメータの1つである。
しかしながら、楕円偏光ビームを完全に特性化するためには、さらに、この2つの直線偏光成分ExとEyの間の位相が必要であるが、強度Ix及びIyを測定するだけでは位相差を決定することはできない。これは、強度Ix及びIyが同じ強度を維持することを、2つの直線偏光成分ExとEyの間の位相差を変化させることによって観察すると分かる。しかしながら、異なる方向(X’方向など)に沿って測定される強度は変化する可能性がある。例えばEx=Eyの場合を考察すると、ExとEyの間の位相差が0である場合、X’に沿った直線偏光が得られ(X’がXに対して45度で配向されている場合(図4参照))、したがって、
Figure 2006030212

である。ExとEyの間の位相差が180度である場合、Y’に沿って偏光した光が得られ、したがってEx’=0である。つまりEx’は、ExとEyの間の位相差に従って0から
Figure 2006030212

まで変化する。この変化は、X’方向に沿った強度を測定する第3の検出器を使用して測定することができる。
以上の説明では、測定量として強度が使用されているが、測定量として位相を使用した場合も、同じ楕円率特性を得ることができる。位相を測定するためには、反射ビーム及び透過ビーム7、9、11及び13を混ぜ合わせ、事実上、干渉計を生成することが望ましい。この結果は、例えば、ビーム11の偏光を例えば2分の1波長板を使用して90度回転させた後、単一の検出器にビーム11及び13を供給することによって実現することができる。
ビーム15が入射する前面16と境界表面27の間の角度は、o−部分9とe−部分7の間の角度が最大化されるように設計することができる。その構成の場合、検出器31と33の間の距離を比較的長くすることができる。この所定の角度は、数十度まで大きく変化させることができる。所定の角度と、o−部分とe−部分の間の角度との間には数学関係が存在しているが、角度に対する典型的な間隔は、0°〜30°(方解石製のプリズム1の場合)であり、o−部分とe−部分の間が5°ないし15°で分割される。
第1の部分3及び第2の部分5を互いに重ねて配置すると、入射ビーム15の反射部分9及び7の強度を小さくすることができ、例えば10%未満にすることができる。これは場合によっては有益であり、例えば入射ビーム15が細長い楕円形に偏光される場合に有益である。この場合、プリズム1を調整して、4つの検出器31、33、35及び37の強度をほぼ同じ強度にすることができる。この調整は、例えば使用するコーティング及び/又はプリズム1の角度に対して実施することができる。
入射するビーム15の偏光を計算するためには3つの強度で十分であることは理解されよう。しかしながら、同じく取得可能な第4の強度を、較正若しくは誤差制御(例えば単軸軸17に対する入射ビーム15の不整列の制御)を目的として使用することができる。入射するビーム15の偏光には無関係に測定される4つの強度の間には、ある関係、即ち測定した4つの強度の合計がある定数に等しいという関係が存在している。
本発明の一実施例による楕円偏光計を使用して、例えば検出器の前方に回折格子を使用して広帯域測定を実行することができることは理解されよう。回折格子39は、図3に示すように面16の前方に配置することができる。追加若しくは別法として、個々の検出器31、33、35及び37のうちの1つ若しくは複数の前方に回折格子を配置することも可能である。
プリズム1のサイズは、本発明の一実施例では数センチメートル程度にすることができる。本明細書において説明した一実施例による楕円偏光計は、透過型(図1参照)及び反射型の両方のリソグラフィ装置に使用することができることは理解されよう。
本発明の一実施例によれば、成分の位相及び強度のうちの少なくともいずれか1つが測定される。位相及び強度は、偏光状態を容易に得ることができる特性である。
4つの成分の特性、例えば強度などを測定するように1つ又は複数の検出器を構成することができる。4つの強度を使用して望ましくない傾斜を修正し、且つ/又は適切な位置合せを制御することができる。
本発明の他の実施例では、第1の部分及び第2の部分は、それらの間に存在する少なくとも1つの層を介して接続されている。この層は、必要に応じて透過係数と反射係数がほぼ等しくなるように設計することができる。
本発明のさらに他の実施例では、少なくとも1つの層のうちの少なくとも1つに空気が含まれている。空気の層は、光学コンポーネントの2つの部品の間の機械的な接触量を少なくすることができる。
本発明の他の実施例では、楕円偏光計は、さらに、ビーム及び4つの成分のうちの少なくともいずれか1つを透過させるようになされた少なくとも1つの回折格子を備えている。このような構造を適用することにより、広帯域測定を実行することができる。
以上、特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。また、上で説明した実施例は、さらに、リソグラフィ装置を制御して、本明細書において説明した方法を実行するためのコンピュータ・プログラム(例えば1つ又は複数の命令セット若しくは命令シーケンス)、及び1つ又は複数のこのようなプログラムを機械可読形態で記憶した記憶媒体(例えばディスク、半導体メモリ)を備えている。以上の説明は、本発明の制限を意図したものではない。
本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 楕円偏光計の動作原理を示す図である。 本発明の一実施例による楕円偏光計を示す図である。 本発明の一実施例による回転行列を示すグラフである。
符号の説明
AM ビームの角強度分布を調整するための調整構造
BD ビーム引渡しシステム
C 目標部分
CD コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN インテグレータ
MA パターン化構造(マスク)
MT 第1の支持構造(マスク・テーブル)
M1、M2 マスク位置合せマーク
PB 放射ビーム(投影ビーム)
PL 投影システム(レンズ)
PM 第1の位置決めデバイス
PW 第2の位置決めデバイス
P1、P2 基板位置合せマーク
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
1 プリズム
2 光学コンポーネント
3 プリズムの第1の部分
4、10、12、14 測定信号
5 プリズムの第2の部分
6 入射する単色光ビームの偏光状態
7、9、11、13 単色光ビームの成分(部分)
8、100 楕円偏光計
15 単色光ビーム(単色ビーム、入射する放射ビーム、入射ビーム)
16 プリズムの前部表面
17、29 単軸軸
19、21、23、25 検出器の配置位置
27 境界表面(コーティング層)
30 検出及び評価ユニット
31、33、35、37 検出器
39 回折格子

Claims (33)

  1. 第1の複屈折部分及び第2の複屈折部分を備えた光学コンポーネントであって、前記第1の複屈折部分が、第1の方向に沿って配向された第1の光軸を有し、且つ、境界表面に沿って前記第2の複屈折部分に接続され、前記第2の複屈折部分が、前記第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配向された第2の光軸を有する光学コンポーネントと、
    少なくとも1つの検出器とを備えた楕円偏光計であって、
    前記光学コンポーネントが、偏光状態を有する放射ビームを受け取るようになされ、
    前記境界表面が、前記ビームを前記第1の複屈折部分へ反射する第1及び第2の成分に分割し、且つ、前記第2の複屈折部分へ透過する第3及び第4の成分に分割するようになされ、
    前記少なくとも1つの検出器が、前記4つの成分のうちの少なくとも3つの成分の特性を測定するようになされた楕円偏光計。
  2. 前記楕円偏光計が、測定した前記少なくとも3つの成分の特性に基づいて前記偏光状態を計算するようになされた評価ユニットを備えた、請求項1に記載の楕円偏光計。
  3. 前記評価ユニットがプロセッサを備えた、請求項2に記載の楕円偏光計。
  4. 前記特性が、前記成分の位相及び強度のうちの少なくともいずれか1つである、請求項1に記載の楕円偏光計。
  5. 前記第1の複屈折部分及び前記第2の複屈折部分が、それらの間に存在する少なくとも1つの層を介して接続された、請求項1に記載の楕円偏光計。
  6. 前記少なくとも1つの層が、透過する光パワーと反射する光パワーを等しくするようになされた材料の層を備えた、請求項5に記載の楕円偏光計。
  7. 前記少なくとも1つの層のうちの少なくとも1つが少なくとも1つの空気の層を備えた、請求項5に記載の楕円偏光計。
  8. 前記少なくとも1つの空気の層の厚さが前記放射の波長の約1/2である、請求項7に記載の楕円偏光計。
  9. 前記少なくとも1つの光学コンポーネントがプリズムとして形状化された、請求項1に記載の楕円偏光計。
  10. 前記4つの成分の各々に対して、前記少なくとも1つの検出器が、前記4つの成分の各々の少なくとも1つの特性を測定するようになされ、前記少なくとも1つの特性が、強度及び位相を含むグループのうちの少なくとも1つである、請求項1に記載の楕円偏光計。
  11. 前記ビーム、前記4つの成分のうちの第1の成分、前記4つの成分のうちの第2の成分、前記4つの成分のうちの第3の成分、及び前記4つの成分のうちの第4の成分を含むグループのうちの少なくとも1つを透過させるようになされた少なくとも1つの回折格子をさらに備えた、請求項1に記載の楕円偏光計。
  12. 請求項1に記載の楕円偏光計を備えたリソグラフィ装置。
  13. 請求項1に記載の楕円偏光計と、前記偏光状態を計算するようになされた検出及び評価ユニットとを備えた測定デバイス。
  14. 請求項13に記載の測定デバイスを備えたリソグラフィ装置。
  15. 前記第1の方向が、前記光学コンポーネントが受け取る前記放射ビームの伝搬方向に実質的に平行である、請求項1に記載の楕円偏光計。
  16. 前記放射ビームの主波長が可視レンジの外側の波長である、請求項1に記載の楕円偏光計。
  17. 前記第2の複屈折部分が、前記第3及び前記第4の成分のうちのいずれか一方が、前記光学コンポーネントが受け取る前記放射ビームの伝搬方向に実質的に平行の伝搬方向を有するように前記第1の複屈折部分に対して位置合せされた、請求項1に記載の楕円偏光計。
  18. 測定放射ビームを第1の複屈折部分の光軸に沿って前記第1の複屈折部分と第2の複屈折部分の間の境界表面に導くステップであって、前記第2の複屈折部分が、前記第1の複屈折部分の前記光軸とは異なる方向に沿って配向された光軸を有するステップと、
    前記測定ビームの第1の成分、前記測定ビームの第2の成分、前記測定ビームの第3の成分及び前記測定ビームの第4の成分を含むグループのうちの少なくとも3つの成分の各々の特性を測定するステップとを含む測定方法であって、
    前記第1及び第2の成分が前記境界表面で前記第1の複屈折部分へ反射し、
    前記第3及び第4の成分が前記境界表面を前記第2の複屈折部分へ透過する方法。
  19. 前記方法が、測定した前記少なくとも3つの成分の特性に基づいて前記測定ビームの偏光状態を計算するステップを含む、請求項18に記載の測定方法。
  20. 特性を測定する前記ステップが、前記グループの少なくとも3つの成分の位相及び強度のうちの少なくともいずれか1つを測定するステップを含む、請求項18に記載の測定方法。
  21. 前記境界表面が部分反射コーティングを備えた、請求項18に記載の測定方法。
  22. 前記境界表面が空気の層を備えた、請求項18に記載の測定方法。
  23. 特性を測定する前記ステップが、前記第1、第2、第3及び第4の成分の各々の強度を測定するステップを含む、請求項18に記載の測定方法。
  24. 前記測定ビームの主波長が可視レンジの外側の波長である、請求項18に記載の測定方法。
  25. 前記第3の成分の伝搬方向が前記第1の複屈折部分の前記光軸に実質的に平行である、請求項18に記載の測定方法。
  26. 前記方法が、特性を測定する前記ステップの結果に基づいて基板の表面の複素反射率を決定するステップを含む、請求項18に記載の測定方法。
  27. 前記測定放射ビームを導く前記ステップが、前記基板の表面で反射する前記測定ビームを受け取るステップを含む、請求項26に記載の測定方法。
  28. 前記方法が、
    放射ビームをパターン化するステップと、
    パターン化されたビームを基板の表面の目標部分に投射するステップとを含み、
    前記投射ステップが特性を測定する前記ステップの結果に基づく、請求項18に記載の測定方法。
  29. 前記導くステップが、前記基板の表面で反射する前記測定ビームを受け取るステップを含む、請求項28に記載の測定方法。
  30. 第1の複屈折部分と、
    第2の複屈折部分と、
    少なくとも1つの検出器とを備えた楕円偏光計であって、
    前記第1及び第2の複屈折部分が、前記第1の複屈折部分を透過した放射ビームが、境界表面で前記第1の複屈折部分へ反射する第1の成分及び第2の成分と、前記境界表面を前記第2の複屈折部分へ透過する第3の成分及び第4の成分に分割されるよう、前記境界表面を介して光連絡するようになされ、
    前記少なくとも1つの検出器が、前記第1、第2、第3及び第4の成分のうちの少なくとも3つの成分の各々の特性を測定するようになされた楕円偏光計。
  31. 前記第1の複屈折部分が第1の方向に配向された光軸を有し、
    前記第2の複屈折部分が、前記第1の方向とは異なる第2の方向に配向された光軸を有する、請求項30に記載の楕円偏光計。
  32. 前記境界表面が部分反射コーティングを備えた、請求項30に記載の楕円偏光計。
  33. 前記第1の複屈折部分が、前記第1、第2、第3及び第4の成分のうちの少なくとも2つの成分の間のパワー分布を調整するために、前記第2の複屈折部分に対して移動可能になされた、請求項30に記載の楕円偏光計。
JP2005235530A 2004-07-19 2005-07-19 楕円偏光計、測定デバイス及び方法並びにリソグラフィ装置及び方法 Expired - Fee Related JP4116637B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/893,542 US20060012788A1 (en) 2004-07-19 2004-07-19 Ellipsometer, measurement device and method, and lithographic apparatus and method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006030212A true JP2006030212A (ja) 2006-02-02
JP4116637B2 JP4116637B2 (ja) 2008-07-09

Family

ID=35599069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005235530A Expired - Fee Related JP4116637B2 (ja) 2004-07-19 2005-07-19 楕円偏光計、測定デバイス及び方法並びにリソグラフィ装置及び方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20060012788A1 (ja)
JP (1) JP4116637B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244448A (ja) * 2007-02-21 2008-10-09 Asml Netherlands Bv 検査方法および装置、リソグラフィ装置、ならびにリソグラフィセル
US7733459B2 (en) 2003-08-29 2010-06-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5898031A (en) * 1996-06-06 1999-04-27 Isis Pharmaceuticals, Inc. Oligoribonucleotides for cleaving RNA
CN102062723B (zh) * 2009-11-16 2013-01-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测铝连接线过热缺陷的方法
DE102011082821A1 (de) * 2011-09-16 2012-10-04 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Strahlungsquelle
EP3817096B1 (en) 2018-06-26 2023-10-25 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Separator having fine pattern, wound body, and non-aqueous electrolyte battery
CN112903598B (zh) * 2021-01-21 2021-11-19 复旦大学 一种椭偏测量系统中偏振元件方位角的差分光谱定标方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3511556A (en) * 1967-11-30 1970-05-12 Sylvania Electric Prod Optical polarizing prism
US3914018A (en) * 1971-06-01 1975-10-21 Union Carbide Corp Yttrium orthovanadate optical polarizer
US3902782A (en) * 1974-11-14 1975-09-02 Us Commerce Mercurous chloride prism polarizers
US4158506A (en) * 1977-11-15 1979-06-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Automatic determination of the polarization state of nanosecond laser pulses
JPH03167504A (ja) 1989-11-27 1991-07-19 Toyo Commun Equip Co Ltd 複像子
JPH0827410B2 (ja) 1990-03-31 1996-03-21 株式会社島津製作所 偏光プリズム
JPH04116521A (ja) * 1990-09-06 1992-04-17 Seiko Epson Corp プリズム光学素子及び偏光光学素子
JP3195018B2 (ja) 1992-01-20 2001-08-06 株式会社日立製作所 複素反射率測定方法及び装置
JPH06288835A (ja) 1993-03-30 1994-10-18 Shimadzu Corp エリプソメータ
FR2774766B1 (fr) 1998-02-09 2000-04-28 Centre Nat Rech Scient Polarimetre et procede de mesure correspondant
US6043887A (en) * 1998-11-27 2000-03-28 Allard; Louis B. Polarimeter
GB2352513A (en) * 1999-07-28 2001-01-31 Hohner Automation Ltd Ellipsometer for determininig the polarisation state of monochromatic light
JP3416622B2 (ja) 2000-06-30 2003-06-16 三菱重工業株式会社 表面処理装置及び表面処理方法
CA2354361A1 (en) * 2000-08-01 2002-02-01 Jds Uniphase Inc. Virtual waveplate and optical channel interleaver formed therewith
EP1213578A1 (en) * 2000-12-07 2002-06-12 Semiconductor300 GmbH & Co KG Apparatus and method for detecting an amount of depolarization of a linearly polarized beam
WO2002093237A1 (en) * 2001-05-15 2002-11-21 Optellios, Inc. Polarization analysis unit, calibration method and optimization therefor

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7733459B2 (en) 2003-08-29 2010-06-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8953144B2 (en) 2003-08-29 2015-02-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9025127B2 (en) 2003-08-29 2015-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9581914B2 (en) 2003-08-29 2017-02-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008244448A (ja) * 2007-02-21 2008-10-09 Asml Netherlands Bv 検査方法および装置、リソグラフィ装置、ならびにリソグラフィセル

Also Published As

Publication number Publication date
US20060012789A1 (en) 2006-01-19
US20060012788A1 (en) 2006-01-19
JP4116637B2 (ja) 2008-07-09
US7317528B2 (en) 2008-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101251718B (zh) 检验方法和设备、光刻设备、光刻单元和器件制造方法
JP4979958B2 (ja) リソグラフィ装置、偏光特性を決定する方法
JP4953932B2 (ja) 角度分解分光器リソグラフィの特徴付けの方法および装置
JP4820870B2 (ja) アクティブレチクルツールおよびリソグラフィ装置
KR101930836B1 (ko) 검사 장치, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI360640B (en) A method of measurement, an inspection apparatus a
JP2009200466A (ja) 検査方法及び装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル、並びに、デバイス製造方法
JP2011525713A (ja) オーバレイ測定装置、リソグラフィ装置、及びそのようなオーバレイ測定装置を用いたデバイス製造方法
JP6975324B2 (ja) 構造を測定するメトロロジ装置、リソグラフィシステム、及び方法
JP4116637B2 (ja) 楕円偏光計、測定デバイス及び方法並びにリソグラフィ装置及び方法
TW201011252A (en) A method of measuring overlay error and a device manufacturing method
US7573563B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
KR100968233B1 (ko) 편광 분석기, 편광 센서 및 리소그래피 장치의 편광 특성을결정하는 방법
US20110007316A1 (en) Inspection Method and Apparatus, Lithographic Apparatus, Lithographic Processing Cell and Device Manufacturing Method
KR100823242B1 (ko) 리소그래피 장치, 렌즈 간섭계 및 디바이스 제조 방법
JP6244462B2 (ja) リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置
US10698226B2 (en) Flexible illuminator
JP2020524294A (ja) センサ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
US10401734B2 (en) Lithographic method and apparatus
TW201118366A (en) Scatterometer method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
NL2004688A (en) Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060904

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20070622

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070713

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071015

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080229

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080326

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080417

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4116637

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120425

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S802 Written request for registration of partial abandonment of right

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120425

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130425

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140425

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees