JP2002055437A - 基板選択装置 - Google Patents
基板選択装置Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 201
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 197
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 88
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 10
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 abstract 10
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
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- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
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- G—PHYSICS
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトマスク作製の際、パタン描画に供用さ
れる、感光剤層を塗布形成したフォトマスク形成用の感
光剤層塗布基板群の中から、目的とする製品を作製する
ための基板を、特に製品品質の面からうまく選択できる
基板選択装置を提供する。 【解決手段】 感光剤層を塗布形成したフォトマスク形
成用の感光剤層塗布基板群の中から、目的とする製品に
使用する基板を選択する基板選択装置であって、感光剤
層塗布基板の、欠陥に対応して欠陥検査結果をデータベ
ースに登録する１つ以上の欠陥登録部と、感光剤層の感
度を感光剤層塗布のロット毎に、チェックした感光剤層
ロットチェック結果を、データベースに登録する感光剤
層ロットチェック結果登録部と、データベースに登録さ
れた欠陥検査結果、感光剤層ロットチェック結果に基づ
いて、基板群の中から、目的とする製品作製に使用する
基板を選択する基板選択部とを備えていることを特徴と
するものである。
れる、感光剤層を塗布形成したフォトマスク形成用の感
光剤層塗布基板群の中から、目的とする製品を作製する
ための基板を、特に製品品質の面からうまく選択できる
基板選択装置を提供する。 【解決手段】 感光剤層を塗布形成したフォトマスク形
成用の感光剤層塗布基板群の中から、目的とする製品に
使用する基板を選択する基板選択装置であって、感光剤
層塗布基板の、欠陥に対応して欠陥検査結果をデータベ
ースに登録する１つ以上の欠陥登録部と、感光剤層の感
度を感光剤層塗布のロット毎に、チェックした感光剤層
ロットチェック結果を、データベースに登録する感光剤
層ロットチェック結果登録部と、データベースに登録さ
れた欠陥検査結果、感光剤層ロットチェック結果に基づ
いて、基板群の中から、目的とする製品作製に使用する
基板を選択する基板選択部とを備えていることを特徴と
するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
作製に用いられるフォトマスク用の基板の選択装置に関
し、特に、フォトマスク形成用の感光材塗布基板群の中
から、目的とする製品に使用する基板を選択する基板選
択装置に関する。
作製に用いられるフォトマスク用の基板の選択装置に関
し、特に、フォトマスク形成用の感光材塗布基板群の中
から、目的とする製品に使用する基板を選択する基板選
択装置に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、電子機器の高性能化、軽薄短小の傾
向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳＩには、ます
ます高集積化、高機能化が求められるようになってきて
おり、半導体集積回路の作製に用いられるフォトマスク
においては、更なる高精度、高品質のパタン形成が求め
られるようになってきた。従来、フォトマスク製造は、
一般には、以下のように行われていた。図８に基いて簡
単に説明する。先ず、石英などの透明基板８１０の上
に、クロムなどの金属薄膜からなる遮光膜あるいはシフ
ター層８２０をスパッタ法などにより成膜した基板（ブ
ランクスとも言う）を用意する。（図８（ａ）） そして、ブランクスの遮光膜あるいはシフター層８２０
上に、感光材層（感光性樹脂膜、感光性レジストあるい
は単にレジストとも言う）８３０を塗布した後、加熱乾
燥処理し膜に残留している溶剤の除去や金属薄膜との密
着性向上を図る。（図８（ｂ）） 次に、感光材層が塗布された感光材層塗布基板の感光材
層８３０に、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｂｅａｍの略
で電子線のこと）、レーザー光、Ｘ線などの電離放射線
８４０を選択的に照射し、所望のパタン形状に感光す
る。（図８（ｃ）） 一般にはパタン（絵柄）形成用のパタンデータにしたが
い、電離放射線８４０を所定の装置で選択的に照射する
ため、これをこれを、パタン描画ないし単に描画とも言
う。次に、感光材層８３０を現像してレジストパタン８
３５を形成した（図８（ｄ））後、レジストパタン８３
５の開口８３６から露出した金属薄膜からなる遮光層８
２０をエツチングして、遮光層パタン８２５を形成す
る。（図８（ｅ）） 最後に、レジストパタン８３５を除去して、遮光層パタ
ン８２５をその一面に配設したフオトマスクが得られ
る。（図８（ｆ）） そして、この後、検査、必要に応じて修正が行われ、所
望のフォトマスクを得ていた。
向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳＩには、ます
ます高集積化、高機能化が求められるようになってきて
おり、半導体集積回路の作製に用いられるフォトマスク
においては、更なる高精度、高品質のパタン形成が求め
られるようになってきた。従来、フォトマスク製造は、
一般には、以下のように行われていた。図８に基いて簡
単に説明する。先ず、石英などの透明基板８１０の上
に、クロムなどの金属薄膜からなる遮光膜あるいはシフ
ター層８２０をスパッタ法などにより成膜した基板（ブ
ランクスとも言う）を用意する。（図８（ａ）） そして、ブランクスの遮光膜あるいはシフター層８２０
上に、感光材層（感光性樹脂膜、感光性レジストあるい
は単にレジストとも言う）８３０を塗布した後、加熱乾
燥処理し膜に残留している溶剤の除去や金属薄膜との密
着性向上を図る。（図８（ｂ）） 次に、感光材層が塗布された感光材層塗布基板の感光材
層８３０に、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｂｅａｍの略
で電子線のこと）、レーザー光、Ｘ線などの電離放射線
８４０を選択的に照射し、所望のパタン形状に感光す
る。（図８（ｃ）） 一般にはパタン（絵柄）形成用のパタンデータにしたが
い、電離放射線８４０を所定の装置で選択的に照射する
ため、これをこれを、パタン描画ないし単に描画とも言
う。次に、感光材層８３０を現像してレジストパタン８
３５を形成した（図８（ｄ））後、レジストパタン８３
５の開口８３６から露出した金属薄膜からなる遮光層８
２０をエツチングして、遮光層パタン８２５を形成す
る。（図８（ｅ）） 最後に、レジストパタン８３５を除去して、遮光層パタ
ン８２５をその一面に配設したフオトマスクが得られ
る。（図８（ｆ）） そして、この後、検査、必要に応じて修正が行われ、所
望のフォトマスクを得ていた。
【０００３】上記フォトマスク製造において作製される
フォトマスクの品質は、パタン描画用に供用される感光
材層塗布基板の品質に大きく影響を受けることは言うま
でもないが、従来、パタン描画用に供用される感光材層
塗布基板は、その種類も多く、管理がたいへんで、その
作製過程における検査にて、一定の基準のもとに良品、
不良品の判別が行われ、良品のみが用いられていたのが
実際である。しかし、目的とする製品の品質仕様も多種
あり、検査にて良品になった感光材層塗布基板にも品質
面や感光材層の感度に種々あるため、必ずしも、目的と
する製品の品質仕様に見合った基板を選択していたとは
言えず、使用する基板の選択１つで、検査、修正に及ぼ
す影響は大きかった。
フォトマスクの品質は、パタン描画用に供用される感光
材層塗布基板の品質に大きく影響を受けることは言うま
でもないが、従来、パタン描画用に供用される感光材層
塗布基板は、その種類も多く、管理がたいへんで、その
作製過程における検査にて、一定の基準のもとに良品、
不良品の判別が行われ、良品のみが用いられていたのが
実際である。しかし、目的とする製品の品質仕様も多種
あり、検査にて良品になった感光材層塗布基板にも品質
面や感光材層の感度に種々あるため、必ずしも、目的と
する製品の品質仕様に見合った基板を選択していたとは
言えず、使用する基板の選択１つで、検査、修正に及ぼ
す影響は大きかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ＬＳｌ
チップなどの半導体製品の回路が、年々、高密度化、微
細化している中、この作製に用いられるフォトマスクに
おいては、更なる高精度、高品質のパタン形成が求めら
れるようになってきた。本発明は、これに対応するもの
で、フォトマスク作製の際、パタン描画に供用される、
感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層
塗布基板群の中から、目的とする製品を作製するための
基板を、特に製品品質の面からうまく選択できる基板選
択装置を提供しようとするものである。
チップなどの半導体製品の回路が、年々、高密度化、微
細化している中、この作製に用いられるフォトマスクに
おいては、更なる高精度、高品質のパタン形成が求めら
れるようになってきた。本発明は、これに対応するもの
で、フォトマスク作製の際、パタン描画に供用される、
感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層
塗布基板群の中から、目的とする製品を作製するための
基板を、特に製品品質の面からうまく選択できる基板選
択装置を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の基板選択装置
は、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光
材層塗布基板群の中から、目的とする製品に使用する基
板を選択する基板選択装置であって、感光材層塗布基板
の、欠陥に対応して欠陥検査結果をデータベースに登録
する１つ以上の欠陥登録部と、感光材層の感度を感光材
層塗布のロット毎に、チェックした感光材層ロットチェ
ック結果を、データベースに登録する感光材層ロットチ
ェック結果登録部と、データベースに登録された欠陥検
査結果、感光材層ロットチェック結果に基づいて、基板
群の中から、目的とする製品作製に使用する基板を選択
する基板選択部とを備えていることを特徴とするもので
ある。そして、上記において、感光材層塗布基板の、欠
陥検査結果をデータベースに登録する欠陥登録部とし
て、感光材層塗布基板の感光材層塗布前のブランクスの
ピンホール欠陥検査結果をデータベースに登録するピン
ホール欠陥登録部と、感光材層塗布後の基板の、異物欠
陥検査結果をデータベースに登録する異物欠陥登録部と
を備えていることを特徴とするものである。そしてま
た、上記において、基板選択の基準となる基板の品質基
準をデータベースに登録する選択基準登録部を備えてお
り、基板選択部は、必要に応じ、データベースに登録さ
れた欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情
報、基板選択の基準となる基板の品質基準とから、目的
とする製品作製に使用する基板を選択するものであるこ
とを特徴とするものである。また、上記において、作製
するフォトマスクに使用される基板の候補となる候補基
板に対し、データベースに登録された各基板の欠陥検査
結果情報、感光材層ロットチェック結果情報に基づい
て、基板毎に作製するフォトマスクのパタンエリア（描
画エリアとも言う）と対応させ、フォトマスク上のパタ
ンエリア（描画エリア）内にある欠陥を抽出するパタン
エリア内欠陥抽出部を備えていることを特徴とするもの
である。
は、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光
材層塗布基板群の中から、目的とする製品に使用する基
板を選択する基板選択装置であって、感光材層塗布基板
の、欠陥に対応して欠陥検査結果をデータベースに登録
する１つ以上の欠陥登録部と、感光材層の感度を感光材
層塗布のロット毎に、チェックした感光材層ロットチェ
ック結果を、データベースに登録する感光材層ロットチ
ェック結果登録部と、データベースに登録された欠陥検
査結果、感光材層ロットチェック結果に基づいて、基板
群の中から、目的とする製品作製に使用する基板を選択
する基板選択部とを備えていることを特徴とするもので
ある。そして、上記において、感光材層塗布基板の、欠
陥検査結果をデータベースに登録する欠陥登録部とし
て、感光材層塗布基板の感光材層塗布前のブランクスの
ピンホール欠陥検査結果をデータベースに登録するピン
ホール欠陥登録部と、感光材層塗布後の基板の、異物欠
陥検査結果をデータベースに登録する異物欠陥登録部と
を備えていることを特徴とするものである。そしてま
た、上記において、基板選択の基準となる基板の品質基
準をデータベースに登録する選択基準登録部を備えてお
り、基板選択部は、必要に応じ、データベースに登録さ
れた欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェック結果情
報、基板選択の基準となる基板の品質基準とから、目的
とする製品作製に使用する基板を選択するものであるこ
とを特徴とするものである。また、上記において、作製
するフォトマスクに使用される基板の候補となる候補基
板に対し、データベースに登録された各基板の欠陥検査
結果情報、感光材層ロットチェック結果情報に基づい
て、基板毎に作製するフォトマスクのパタンエリア（描
画エリアとも言う）と対応させ、フォトマスク上のパタ
ンエリア（描画エリア）内にある欠陥を抽出するパタン
エリア内欠陥抽出部を備えていることを特徴とするもの
である。
【０００６】また、上記において、作製するフォトマス
クに使用される基板の候補となる候補基板に対し、デー
タベースに登録された各基板の欠陥検査結果情報、感光
材層ロットチェック結果情報に基づいて、基板毎に作製
するフォトマスクの絵柄と対応させ、フォトマスク上
で、絵柄周辺部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が
発生する確率を計算する、あるいは絵柄内部に欠陥が発
生しない確率あるいは欠陥が発生する確率を計算する欠
陥確率計算部を備えており、基板選択部は、必要に応
じ、欠陥確率計算部により得られた基板毎の、絵柄周辺
部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率
から、あるいは、絵柄部全体にわたり、欠陥が発生しな
い確率あるいは欠陥が発生する確率から、目的とする製
品作製に使用する基板を選択するものであることを特徴
とするものである。そして、上記において、欠陥確率計
算部は、基板の対象となる全ての欠陥に対し、それぞ
れ、作製されるフォトマスク上での、欠陥位置に対応す
る、誤差を考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域を求
め、求められた欠陥領域内の絵柄の周辺部に欠陥が発生
しない確率である非発生確率を求め、更に、求められた
全ての欠陥の非発生確率を、全て乗じた積を求め、これ
を、基板のフォトマスク上で絵柄周辺部に欠陥が発生し
ない確率Ｐ０とするものであることを特徴とするもので
ある。あるいは、上記において、欠陥確率計算部は、基
板の対象となる全ての欠陥に対し、それぞれ、作製され
るフォトマスク上での、欠陥位置に対応する、誤差を考
慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域を求め、求められ
た欠陥領域内の絵柄の内部に欠陥が発生しない確率であ
る非発生確率を求め、更に、求められた全ての欠陥の非
発生確率を、全て乗じた積を求め、これを、基板のフォ
トマスク上で絵柄全体にわたり欠陥が発生しない確率Ｐ
０１とするものであることを特徴とするものである。
尚、ここで言う確率とは、近似的な計算により算出され
た実質的に意味のある（近似的な）確率を含むものであ
る。また、フォトマスク上の絵柄（パタンとも言う）
は、図８に示すフォトマスク製造工程のように、感光材
層が塗布された感光材層塗布基板の感光材層８３０に、
ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｂｅａｍの略で電子線のこ
と）、レーザー光、Ｘ線などの電離放射線８４０を選択
的に照射し、所望のパタン形状に感光して、その潜像を
形成するもので、一般にはパタン（絵柄）形成用のパタ
ンデータにしたがい、電離放射線８４０を所定の装置で
選択的に照射するため、これをパタン描画ないし単に描
画とも言い、フォトマスク上の絵柄領域であるパタンエ
リアを描画エリアとも言う。
クに使用される基板の候補となる候補基板に対し、デー
タベースに登録された各基板の欠陥検査結果情報、感光
材層ロットチェック結果情報に基づいて、基板毎に作製
するフォトマスクの絵柄と対応させ、フォトマスク上
で、絵柄周辺部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が
発生する確率を計算する、あるいは絵柄内部に欠陥が発
生しない確率あるいは欠陥が発生する確率を計算する欠
陥確率計算部を備えており、基板選択部は、必要に応
じ、欠陥確率計算部により得られた基板毎の、絵柄周辺
部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率
から、あるいは、絵柄部全体にわたり、欠陥が発生しな
い確率あるいは欠陥が発生する確率から、目的とする製
品作製に使用する基板を選択するものであることを特徴
とするものである。そして、上記において、欠陥確率計
算部は、基板の対象となる全ての欠陥に対し、それぞ
れ、作製されるフォトマスク上での、欠陥位置に対応す
る、誤差を考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域を求
め、求められた欠陥領域内の絵柄の周辺部に欠陥が発生
しない確率である非発生確率を求め、更に、求められた
全ての欠陥の非発生確率を、全て乗じた積を求め、これ
を、基板のフォトマスク上で絵柄周辺部に欠陥が発生し
ない確率Ｐ０とするものであることを特徴とするもので
ある。あるいは、上記において、欠陥確率計算部は、基
板の対象となる全ての欠陥に対し、それぞれ、作製され
るフォトマスク上での、欠陥位置に対応する、誤差を考
慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域を求め、求められ
た欠陥領域内の絵柄の内部に欠陥が発生しない確率であ
る非発生確率を求め、更に、求められた全ての欠陥の非
発生確率を、全て乗じた積を求め、これを、基板のフォ
トマスク上で絵柄全体にわたり欠陥が発生しない確率Ｐ
０１とするものであることを特徴とするものである。
尚、ここで言う確率とは、近似的な計算により算出され
た実質的に意味のある（近似的な）確率を含むものであ
る。また、フォトマスク上の絵柄（パタンとも言う）
は、図８に示すフォトマスク製造工程のように、感光材
層が塗布された感光材層塗布基板の感光材層８３０に、
ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｂｅａｍの略で電子線のこ
と）、レーザー光、Ｘ線などの電離放射線８４０を選択
的に照射し、所望のパタン形状に感光して、その潜像を
形成するもので、一般にはパタン（絵柄）形成用のパタ
ンデータにしたがい、電離放射線８４０を所定の装置で
選択的に照射するため、これをパタン描画ないし単に描
画とも言い、フォトマスク上の絵柄領域であるパタンエ
リアを描画エリアとも言う。
【０００７】
【作用】本発明の基板選択装置は、このような構成にす
ることにより、フォトマスク作製の際、パタン描画に供
用される、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用
の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品を作製
するための基板を、特に製品品質の面からうまく選択で
きる基板選択装置の提供を可能としている。具体的に
は、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光
材層塗布基板群の中から、目的とする製品に使用する基
板を選択する基板選択装置であって、感光材層塗布基板
の、欠陥に対応して欠陥検査結果をデータベースに登録
する１つ以上の欠陥登録部と、感光材層の感度を感光材
層塗布のロット毎に、チェックした感光材層ロットチェ
ック結果を、データベースに登録する感光材層ロットチ
ェック結果登録部と、データベースに登録された欠陥検
査結果、感光材層ロットチェック結果に基づいて、基板
群の中から、目的とする製品作製に使用する基板を選択
する基板選択部とを備えていることにより、これを達成
している。
ることにより、フォトマスク作製の際、パタン描画に供
用される、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用
の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品を作製
するための基板を、特に製品品質の面からうまく選択で
きる基板選択装置の提供を可能としている。具体的に
は、感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光
材層塗布基板群の中から、目的とする製品に使用する基
板を選択する基板選択装置であって、感光材層塗布基板
の、欠陥に対応して欠陥検査結果をデータベースに登録
する１つ以上の欠陥登録部と、感光材層の感度を感光材
層塗布のロット毎に、チェックした感光材層ロットチェ
ック結果を、データベースに登録する感光材層ロットチ
ェック結果登録部と、データベースに登録された欠陥検
査結果、感光材層ロットチェック結果に基づいて、基板
群の中から、目的とする製品作製に使用する基板を選択
する基板選択部とを備えていることにより、これを達成
している。
【０００８】基板選択の基準となる基板の品質基準（ラ
ンクとも言う）をデータベースに登録する選択基準登録
部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、データベ
ースに登録された欠陥検査結果、感光材層ロットチェッ
ク結果、基板選択の基準となる基板の品質基準とから、
目的とする製品作製に使用する基板を選択することがで
きる。
ンクとも言う）をデータベースに登録する選択基準登録
部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、データベ
ースに登録された欠陥検査結果、感光材層ロットチェッ
ク結果、基板選択の基準となる基板の品質基準とから、
目的とする製品作製に使用する基板を選択することがで
きる。
【０００９】また、作製するフォトマスクに使用される
基板の候補となる候補基板に対し、データベースに登録
された各基板の欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェ
ック結果情報に基づいて、基板毎に作製するフォトマス
クの絵柄と対応させ、フォトマスク上で、欠陥が発生し
ない確率あるいは欠陥が発生する確率を計算する欠陥確
率計算部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、欠
陥確率計算部により得られた基板毎の、欠陥が発生しな
い確率あるいは欠陥が発生する確率から、目的とする製
品作製に使用する基板を選択することができる。
基板の候補となる候補基板に対し、データベースに登録
された各基板の欠陥検査結果情報、感光材層ロットチェ
ック結果情報に基づいて、基板毎に作製するフォトマス
クの絵柄と対応させ、フォトマスク上で、欠陥が発生し
ない確率あるいは欠陥が発生する確率を計算する欠陥確
率計算部を備えており、基板選択部は、必要に応じ、欠
陥確率計算部により得られた基板毎の、欠陥が発生しな
い確率あるいは欠陥が発生する確率から、目的とする製
品作製に使用する基板を選択することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の基板選択装置の実施の形
態例を図に基づいて説明する。図１は本発明の基板選択
装置の実施の形態の１例の概略構成図で、図２は欠陥検
査結果データの１例を示した図で、図３は感光材層ロッ
トチェック結果データの１例を示した図で、図４は基板
の品質基準の１例を示した図で、図５は、基板選択の入
力方法の１例を示した図で、図６は基板選択部による基
板選択手順の１例を示したフロー図で、図７は欠陥確率
計算部の動作の１例を説明するための図である。尚、図
１中、点線内は装置と基板選択処理（Ｓ１５０）を示し
たものである。また、図１中、Ｓ１１０〜Ｓ１７０、図
６中、Ｓ５１０〜Ｓ５４０は処理ステップである。図
１、図６、図７中、１１０はピンホール欠陥検査登録
部、１２０は異物欠陥検査結果登録部、１３０は感光材
層ロットチエック結果登録部、１４０は選択基準登録
部、１５０は基板選択部、１５１はパタンエリア内欠陥
抽出部、１５２は欠陥確率計算部、１６０はデータベー
ス、１７１は描画パタン、１７２は配置情報、１８１は
ピンホール欠陥検査結果データ、１８２は異物欠陥検査
結果データ、１８３は感光材層感度ロットチェックデー
タ、１８４はフォトマスク仕様、１９０は選択支持入
力、５１１は在庫基板、５１２は使用条件、５２１はピ
ンホール欠陥検査結果データ、５２２は異物欠陥検査結
果データ、５２３は対象基板、５２４はパタンエリア、
５３１は対象基板、５３２は品質基準（基板ランク）、
５４１は対象基板、 ６０１は基板エリア、６０５はパタ
ンエリア（描画エリア）、６１１、６１２、６１３は欠
陥、６２１、６２２、６２３は欠陥領域、６３１、６３
２、６３３はパタンデータエリア、６５１、６５２は絵
柄（パタンとも言う）である。
態例を図に基づいて説明する。図１は本発明の基板選択
装置の実施の形態の１例の概略構成図で、図２は欠陥検
査結果データの１例を示した図で、図３は感光材層ロッ
トチェック結果データの１例を示した図で、図４は基板
の品質基準の１例を示した図で、図５は、基板選択の入
力方法の１例を示した図で、図６は基板選択部による基
板選択手順の１例を示したフロー図で、図７は欠陥確率
計算部の動作の１例を説明するための図である。尚、図
１中、点線内は装置と基板選択処理（Ｓ１５０）を示し
たものである。また、図１中、Ｓ１１０〜Ｓ１７０、図
６中、Ｓ５１０〜Ｓ５４０は処理ステップである。図
１、図６、図７中、１１０はピンホール欠陥検査登録
部、１２０は異物欠陥検査結果登録部、１３０は感光材
層ロットチエック結果登録部、１４０は選択基準登録
部、１５０は基板選択部、１５１はパタンエリア内欠陥
抽出部、１５２は欠陥確率計算部、１６０はデータベー
ス、１７１は描画パタン、１７２は配置情報、１８１は
ピンホール欠陥検査結果データ、１８２は異物欠陥検査
結果データ、１８３は感光材層感度ロットチェックデー
タ、１８４はフォトマスク仕様、１９０は選択支持入
力、５１１は在庫基板、５１２は使用条件、５２１はピ
ンホール欠陥検査結果データ、５２２は異物欠陥検査結
果データ、５２３は対象基板、５２４はパタンエリア、
５３１は対象基板、５３２は品質基準（基板ランク）、
５４１は対象基板、 ６０１は基板エリア、６０５はパタ
ンエリア（描画エリア）、６１１、６１２、６１３は欠
陥、６２１、６２２、６２３は欠陥領域、６３１、６３
２、６３３はパタンデータエリア、６５１、６５２は絵
柄（パタンとも言う）である。
【００１１】本発明の基板選択装置の実施の形態例は、
感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層
塗布基板群の中から、目的とする製品に、品質的に見合
った基板を選択する基板選択装置で、選択された基板は
パタン描画に供与される。そして、図１に示すように、
本例の基板選択装置は、感光材層塗布基板の感光材層塗
布前のブランクスのピンホール欠陥検査結果（ピンホー
ル欠陥検査結果データ１８１）をデータベース１６０に
登録するピンホール欠陥登録部１１０と、感光材層塗布
基板の異物欠陥検査結果（異物欠陥検査結果データ１８
２）をデータベースに１６０登録する異物欠陥登録部１
２０と、感光材層の感度を感光材層塗布のロット毎に、
チェックした感光材層ロットチェック結果（感光材層感
度ロットチェックデータ１８３）を、データベース１６
０に登録する感光材層ロットチェック結果登録部１３０
と、基板選択の基準となる品質基準（フォトマスク仕様
１８４）をデータベース１６０に登録する選択基準選択
部１４０と、データベース１６０に登録された欠陥検査
結果（ピンホール欠陥検査結果データ１８１、異物欠陥
検査結果データ１８２）、感光材層ロットチェック結
果、基板選択の基準となる品質基準とから、品質的に適
当な目的とする製品を作製するための基板を選択する基
板選択部１５０とを備えている。
感光材層を塗布形成したフォトマスク形成用の感光材層
塗布基板群の中から、目的とする製品に、品質的に見合
った基板を選択する基板選択装置で、選択された基板は
パタン描画に供与される。そして、図１に示すように、
本例の基板選択装置は、感光材層塗布基板の感光材層塗
布前のブランクスのピンホール欠陥検査結果（ピンホー
ル欠陥検査結果データ１８１）をデータベース１６０に
登録するピンホール欠陥登録部１１０と、感光材層塗布
基板の異物欠陥検査結果（異物欠陥検査結果データ１８
２）をデータベースに１６０登録する異物欠陥登録部１
２０と、感光材層の感度を感光材層塗布のロット毎に、
チェックした感光材層ロットチェック結果（感光材層感
度ロットチェックデータ１８３）を、データベース１６
０に登録する感光材層ロットチェック結果登録部１３０
と、基板選択の基準となる品質基準（フォトマスク仕様
１８４）をデータベース１６０に登録する選択基準選択
部１４０と、データベース１６０に登録された欠陥検査
結果（ピンホール欠陥検査結果データ１８１、異物欠陥
検査結果データ１８２）、感光材層ロットチェック結
果、基板選択の基準となる品質基準とから、品質的に適
当な目的とする製品を作製するための基板を選択する基
板選択部１５０とを備えている。
【００１２】はじめに、基板の描画使用までの基板処理
工程と、本例の基板選択装置の各部との関係を、図１に
基づいて簡単に説明しておく。先ず、石英などの透明基
板の上に、クロムなどの金属薄膜からなる遮光膜あるい
はシフター層をスパッタ法などにより成膜したブランク
スに対し、所定のピンホール検査機を用い、ピンホール
欠陥検査を行い（Ｓ１１０）、この結果をピンホール欠
陥検査結果データ１８１として保管し、ピンホール欠陥
検査結果登録部１１０を介して、データベース１６０に
保管する。次いで、ブランクスは洗浄を経て、感光材層
の形成が、感光材の塗布により行なわれるが、感光材層
の形成後、所定の検査装置により、異物欠陥の検査を行
い（Ｓ１２０）、この結果を異物欠陥検査結果データ１
８２として保管し、更に、異物欠陥検査結果登録部１２
０を介して、データベース１６０に保管する。更に、感
光材層のロット毎に、テストピース（テスト用基板）を
用いて、感度チエックを行い（Ｓ１３０）、この結果を
感光材層感度ロットチェックデータ１８３として保管
し、更に、感光材層感度ロットチェック結果登録部１３
０を介して、データベース１６０に保管する。一方、こ
のようにして、各欠陥検査、感度チェックがなされた感
光材層塗布基板を所定の保管庫（図示していない）に多
数保管されることとなる。次いで、保管されている感光
材層塗布基板群から目的の基板を選択する基板選択（Ｓ
１５０）を、本例の装置により行い、描画用の基板（Ｓ
１６０）を選択し、描画機にてパタン描画が行われる。
（Ｓ１７０）
工程と、本例の基板選択装置の各部との関係を、図１に
基づいて簡単に説明しておく。先ず、石英などの透明基
板の上に、クロムなどの金属薄膜からなる遮光膜あるい
はシフター層をスパッタ法などにより成膜したブランク
スに対し、所定のピンホール検査機を用い、ピンホール
欠陥検査を行い（Ｓ１１０）、この結果をピンホール欠
陥検査結果データ１８１として保管し、ピンホール欠陥
検査結果登録部１１０を介して、データベース１６０に
保管する。次いで、ブランクスは洗浄を経て、感光材層
の形成が、感光材の塗布により行なわれるが、感光材層
の形成後、所定の検査装置により、異物欠陥の検査を行
い（Ｓ１２０）、この結果を異物欠陥検査結果データ１
８２として保管し、更に、異物欠陥検査結果登録部１２
０を介して、データベース１６０に保管する。更に、感
光材層のロット毎に、テストピース（テスト用基板）を
用いて、感度チエックを行い（Ｓ１３０）、この結果を
感光材層感度ロットチェックデータ１８３として保管
し、更に、感光材層感度ロットチェック結果登録部１３
０を介して、データベース１６０に保管する。一方、こ
のようにして、各欠陥検査、感度チェックがなされた感
光材層塗布基板を所定の保管庫（図示していない）に多
数保管されることとなる。次いで、保管されている感光
材層塗布基板群から目的の基板を選択する基板選択（Ｓ
１５０）を、本例の装置により行い、描画用の基板（Ｓ
１６０）を選択し、描画機にてパタン描画が行われる。
（Ｓ１７０）
【００１３】次に、各欠陥検査結果データ１８１、１８
２、感光材層感度ロットチェックデータ１８３、フォト
マスク仕様１８４の内容を説明し、基板選択部１５０に
よる、基板選択を説明する。ピンホール欠陥検査結果デ
ータ１８１あるいは異物欠陥検査結果データ１８２等の
欠陥検査データとしては、各基板毎に、欠陥検査により
検出された欠陥のサイズとその位置（Ｘ，Ｙ座標表示）
を把握したもので、例えば、図２に示すように表わされ
る。感光材層感度ロットチェックデータ１８３として
は、各基板毎に、感光材層の塗布ロット（ここでは、塗
布日によりロットが異なるとする）毎に、テストピース
等によりその感度を調べ、対応する描画機毎にこれに合
った露光量（照射量）を決め、各基板毎に、基板サイ
ズ、遮光膜種類、感光材層種類、塗布日、描画機、露光
量を対応させておくもので、例えば、図３に示すよう
に、表される。尚、図３中、＋ａは、＋ａだけ露光量を
多くして、感光材層のロット間の感度のバラツキの補正
を行っているものである。基板選択の基準となる品質基
準（フォトマスク仕様１８４）は、設計ルール、パタン
エリア（Ｘ、Ｙサイズ）、ピンホール欠陥検査結果ラン
ク、異物欠陥検査結果ランク等を対応させたもので、例
えば、図４に示すように表される。尚、図４はラスター
型のＥＢ機（電子線描画機）による描画に供せられる基
板の品質基準の例で、表の１段目は０. ２５μｍアドレ
スユニット描画で、パタンエリアが１００００μｍ、１
００００μｍ範囲で、ピンホール欠陥検査結果ランクが
Ａ、異物欠陥検査結果ランクがＢであることを意味して
いる。
２、感光材層感度ロットチェックデータ１８３、フォト
マスク仕様１８４の内容を説明し、基板選択部１５０に
よる、基板選択を説明する。ピンホール欠陥検査結果デ
ータ１８１あるいは異物欠陥検査結果データ１８２等の
欠陥検査データとしては、各基板毎に、欠陥検査により
検出された欠陥のサイズとその位置（Ｘ，Ｙ座標表示）
を把握したもので、例えば、図２に示すように表わされ
る。感光材層感度ロットチェックデータ１８３として
は、各基板毎に、感光材層の塗布ロット（ここでは、塗
布日によりロットが異なるとする）毎に、テストピース
等によりその感度を調べ、対応する描画機毎にこれに合
った露光量（照射量）を決め、各基板毎に、基板サイ
ズ、遮光膜種類、感光材層種類、塗布日、描画機、露光
量を対応させておくもので、例えば、図３に示すよう
に、表される。尚、図３中、＋ａは、＋ａだけ露光量を
多くして、感光材層のロット間の感度のバラツキの補正
を行っているものである。基板選択の基準となる品質基
準（フォトマスク仕様１８４）は、設計ルール、パタン
エリア（Ｘ、Ｙサイズ）、ピンホール欠陥検査結果ラン
ク、異物欠陥検査結果ランク等を対応させたもので、例
えば、図４に示すように表される。尚、図４はラスター
型のＥＢ機（電子線描画機）による描画に供せられる基
板の品質基準の例で、表の１段目は０. ２５μｍアドレ
スユニット描画で、パタンエリアが１００００μｍ、１
００００μｍ範囲で、ピンホール欠陥検査結果ランクが
Ａ、異物欠陥検査結果ランクがＢであることを意味して
いる。
【００１４】基板選択部１５０による、目的とする製品
に見合った基板を選択する際の入力（選択支持入力１９
０に相当）は、例えば、図５に示すように表示する（コ
ンピュータ端末の表示部の）入力画面において、描画
機、基板サイズ、遮光膜種類、感光材層種類等の基板条
件、および、設計ルール、ピンホール欠陥検査結果ラン
ク、異物欠陥検査結果ランク等の品質条件を、それぞれ
選択して行なう。
に見合った基板を選択する際の入力（選択支持入力１９
０に相当）は、例えば、図５に示すように表示する（コ
ンピュータ端末の表示部の）入力画面において、描画
機、基板サイズ、遮光膜種類、感光材層種類等の基板条
件、および、設計ルール、ピンホール欠陥検査結果ラン
ク、異物欠陥検査結果ランク等の品質条件を、それぞれ
選択して行なう。
【００１５】基板選択部１５０による、目的とする製品
に品質的に見合った基板を選択する第１の例のフロー
（アルゴリズム）の例を図６に基づいて説明する。第１
の例は、データベースに登録された欠陥検査結果情報、
感光材層ロットチェック結果情報、基板選択の基準とな
る基板の品質基準とから、基板を選択するもので、基板
選択部１５０では、パタンエリア内欠陥抽出部１５１に
て、対象基板について、データベースに登録された欠陥
検査結果情報に基づき、それぞれ、作製するフォトマス
クのパタンエリア（これを、描画エリアとも言う）に対
応する領域内の欠陥数を抽出し、抽出された欠陥の数に
より、各対象基板をランク付けして、基板の品質基準に
見合った所望の基板を使用するものである。先ず、在庫
基板５１１の中から、選択支持入力１９０により指定さ
れた、指定の描画機、基板サイズ、遮光膜種類、感光材
層種類等の使用条件５１２に対応する対象基板５２３を
選択する、対象基板選択を行なう。（Ｓ５１０） 次いで、この対象基板５２３の中から、ピンホール欠陥
検査結果データ５２１、異物欠陥検査結果データ５２２
を参照にして、パタンエリアが所定のもの（対象基板５
３１）を選び、それぞれについて、９０°回転をおこな
い、パタンエリア内の欠陥数を把握しておく。（Ｓ５２
０） ９０°回転することにより、所定のパタンエリア内にお
いても、その中に占める欠陥の数が異なることがある。
対象基板５３１の中から、品質基準（基板ランク）５３
２と照らし、所望の基板ランクのものを選び、優先順位
を付けたランク分けを行ない（Ｓ５３０）、ランク分け
され、更に、優先順位が付けられた対象基板５４１を得
る。（Ｓ５４０）
に品質的に見合った基板を選択する第１の例のフロー
（アルゴリズム）の例を図６に基づいて説明する。第１
の例は、データベースに登録された欠陥検査結果情報、
感光材層ロットチェック結果情報、基板選択の基準とな
る基板の品質基準とから、基板を選択するもので、基板
選択部１５０では、パタンエリア内欠陥抽出部１５１に
て、対象基板について、データベースに登録された欠陥
検査結果情報に基づき、それぞれ、作製するフォトマス
クのパタンエリア（これを、描画エリアとも言う）に対
応する領域内の欠陥数を抽出し、抽出された欠陥の数に
より、各対象基板をランク付けして、基板の品質基準に
見合った所望の基板を使用するものである。先ず、在庫
基板５１１の中から、選択支持入力１９０により指定さ
れた、指定の描画機、基板サイズ、遮光膜種類、感光材
層種類等の使用条件５１２に対応する対象基板５２３を
選択する、対象基板選択を行なう。（Ｓ５１０） 次いで、この対象基板５２３の中から、ピンホール欠陥
検査結果データ５２１、異物欠陥検査結果データ５２２
を参照にして、パタンエリアが所定のもの（対象基板５
３１）を選び、それぞれについて、９０°回転をおこな
い、パタンエリア内の欠陥数を把握しておく。（Ｓ５２
０） ９０°回転することにより、所定のパタンエリア内にお
いても、その中に占める欠陥の数が異なることがある。
対象基板５３１の中から、品質基準（基板ランク）５３
２と照らし、所望の基板ランクのものを選び、優先順位
を付けたランク分けを行ない（Ｓ５３０）、ランク分け
され、更に、優先順位が付けられた対象基板５４１を得
る。（Ｓ５４０）
【００１６】このようにして、目的とする製品の対象基
板５４１が、ランク分けされ、更に優先順位が付けて挙
げられるが、この対象基板５４１の中より、目的とする
製品の品質仕様に見合った、所望の基板を選択し、描画
機に供する。
板５４１が、ランク分けされ、更に優先順位が付けて挙
げられるが、この対象基板５４１の中より、目的とする
製品の品質仕様に見合った、所望の基板を選択し、描画
機に供する。
【００１７】基板選択部１５０による、目的とする製品
に品質的に見合った基板を選択する第２の例を説明す
る。第２の例は、データベースに登録された欠陥検査結
果情報、感光材層ロットチェック結果情報から、基板を
選択するもので、基板選択部１５０では、欠陥確率計算
部１５２にて、対象基板について、データベースに登録
された欠陥検査結果情報に基づき、それぞれ、フォトマ
スク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０を求めるもので、こ
の確率Ｐ０より、対象基板の中でランク付けを行い、所
望の基板ランクのものを選びフォトマスク作製用の基板
とするものである。Ｐ０を求める際、対象基板に対し、
対象基板とパタンエリアを相対的に９０度ずつ回転させ
て同様の計算を行い、それぞれの相対的な角度における
Ｐ０を求め、それぞれの相対的な角度におけるＰ０を含
め、対象基板の中でランク付けを行い、所望のランクの
ものを選ぶ。この場合、第１の例に比べ、対象基板をさ
らに有効的に使用することができる。
に品質的に見合った基板を選択する第２の例を説明す
る。第２の例は、データベースに登録された欠陥検査結
果情報、感光材層ロットチェック結果情報から、基板を
選択するもので、基板選択部１５０では、欠陥確率計算
部１５２にて、対象基板について、データベースに登録
された欠陥検査結果情報に基づき、それぞれ、フォトマ
スク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０を求めるもので、こ
の確率Ｐ０より、対象基板の中でランク付けを行い、所
望の基板ランクのものを選びフォトマスク作製用の基板
とするものである。Ｐ０を求める際、対象基板に対し、
対象基板とパタンエリアを相対的に９０度ずつ回転させ
て同様の計算を行い、それぞれの相対的な角度における
Ｐ０を求め、それぞれの相対的な角度におけるＰ０を含
め、対象基板の中でランク付けを行い、所望のランクの
ものを選ぶ。この場合、第１の例に比べ、対象基板をさ
らに有効的に使用することができる。
【００１８】以下、対象基板とパタンエリアとがある所
定の相対位置関係にある場合の、フォトマスク上で欠陥
が発生しない確率Ｐ０の求め方の１例を図７に基づいて
説明する。説明を分かり易くするため、具体的な例とし
て、基板エリア６０１の描画エリア（パタンエリア）６
０５内に、欠陥が 3個（欠陥６１１、６１２、６１３）
あり、パタンデータエリア６３１、６３２、６３３が３
つある場合の、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率
Ｐ０の求め方を説明する。先ず、欠陥６１１、６１２、
６１３について、それぞれ、パタンデータエリア内の絵
柄（パタンとも言う）の周辺部に跨る確率を計算し、こ
れより、パタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言
う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ１，Ｐ２、Ｐ３をそれ
ぞれ計算し、Ｐ０＝Ｐ１×Ｐ２×Ｐ３としてフォトマス
ク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０を求める。尚、対象基
板と、パタンエリア、パタンデータエリア、パタンデー
タエリア内の絵柄（パタンとも言う）との位置関係は、
描画パタン１７１、配置情報１７２とから決定する。欠
陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言
う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ１は、作製されるフォ
トマスク上での、欠陥６１１の位置に対応する、誤差を
考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域６２１を求め、
求められた欠陥領域６２１内の絵柄の周辺部に欠陥が発
生しない確率である非発生確率を求める。図７（ａ）の
場合の、誤差を考慮した、欠陥６１１がこの中に入る欠
陥より大サイズの、欠陥領域６２１（サイズＬ×Ｌ）内
の絵柄が、図７（ｂ）に拡大して示すように、絵柄６５
１、６５２で、欠陥領域６２１は一辺の長さをＬとする
矩形領域である。この場合、欠陥をサイズｄφの円形の
ものとし、絵柄６５１、６５２の周辺長さの総和をＳ１
とすると、欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄
（パタンとも言う）の周辺部に跨る確率は、近似的に
（Ｓ１×ｄ）／（Ｌ×Ｌ）として計算される。よって、
欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも
言う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ１を、近似的に、Ｐ
１＝１−［（Ｓ１×ｄ）／（Ｌ×Ｌ）］として求めるこ
とができる。同様にして、欠陥６１２、６１３がパタン
データエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨
がらない確率Ｐ２、Ｐ３をそれぞれ求める。求められ
た、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３より、フォトマスク上で欠陥が発
生しない確率Ｐ０が求められる。パタンデータエリア
（６３１、６３２、６３３に相当）が３つ以上ある場合
についても、基本的には同様に計算できる。
定の相対位置関係にある場合の、フォトマスク上で欠陥
が発生しない確率Ｐ０の求め方の１例を図７に基づいて
説明する。説明を分かり易くするため、具体的な例とし
て、基板エリア６０１の描画エリア（パタンエリア）６
０５内に、欠陥が 3個（欠陥６１１、６１２、６１３）
あり、パタンデータエリア６３１、６３２、６３３が３
つある場合の、フォトマスク上で欠陥が発生しない確率
Ｐ０の求め方を説明する。先ず、欠陥６１１、６１２、
６１３について、それぞれ、パタンデータエリア内の絵
柄（パタンとも言う）の周辺部に跨る確率を計算し、こ
れより、パタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言
う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ１，Ｐ２、Ｐ３をそれ
ぞれ計算し、Ｐ０＝Ｐ１×Ｐ２×Ｐ３としてフォトマス
ク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０を求める。尚、対象基
板と、パタンエリア、パタンデータエリア、パタンデー
タエリア内の絵柄（パタンとも言う）との位置関係は、
描画パタン１７１、配置情報１７２とから決定する。欠
陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも言
う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ１は、作製されるフォ
トマスク上での、欠陥６１１の位置に対応する、誤差を
考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域６２１を求め、
求められた欠陥領域６２１内の絵柄の周辺部に欠陥が発
生しない確率である非発生確率を求める。図７（ａ）の
場合の、誤差を考慮した、欠陥６１１がこの中に入る欠
陥より大サイズの、欠陥領域６２１（サイズＬ×Ｌ）内
の絵柄が、図７（ｂ）に拡大して示すように、絵柄６５
１、６５２で、欠陥領域６２１は一辺の長さをＬとする
矩形領域である。この場合、欠陥をサイズｄφの円形の
ものとし、絵柄６５１、６５２の周辺長さの総和をＳ１
とすると、欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄
（パタンとも言う）の周辺部に跨る確率は、近似的に
（Ｓ１×ｄ）／（Ｌ×Ｌ）として計算される。よって、
欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵柄（パタンとも
言う）の周辺部に跨がらない確率Ｐ１を、近似的に、Ｐ
１＝１−［（Ｓ１×ｄ）／（Ｌ×Ｌ）］として求めるこ
とができる。同様にして、欠陥６１２、６１３がパタン
データエリア内の絵柄（パタンとも言う）の周辺部に跨
がらない確率Ｐ２、Ｐ３をそれぞれ求める。求められ
た、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３より、フォトマスク上で欠陥が発
生しない確率Ｐ０が求められる。パタンデータエリア
（６３１、６３２、６３３に相当）が３つ以上ある場合
についても、基本的には同様に計算できる。
【００１９】尚、第２の例における、上記のＰ０計算方
法は、欠陥６１１、６１２、６１３が絵柄の内部に含ま
れる場合には、後で欠陥修正が比較的容易に行なうこと
ができるため、これを、実作業上、後の修正作業を前提
として、欠陥発生としない計算方法である。
法は、欠陥６１１、６１２、６１３が絵柄の内部に含ま
れる場合には、後で欠陥修正が比較的容易に行なうこと
ができるため、これを、実作業上、後の修正作業を前提
として、欠陥発生としない計算方法である。
【００２０】勿論、欠陥６１１、６１２、６１３が絵柄
の内部に含まれる場合も、欠陥発生するものとして、欠
陥発生確率を計算することもできる。この場合は、例え
ば、図７（ｂ）のような欠陥領域６２１において、サイ
ズｄφの円形の欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵
柄（パタンとも言う）に跨る確率は、Ｓｄ／（Ｌ×Ｌ）
として計算される。但し、Ｓｄは絵柄６５１、６５２
を、それぞれ外側にｄ／２だけ太らせた場合の面積の和
である。これより、欠陥６１１がパタンデータエリア内
の絵柄（パタンとも言う）に跨がらない確率Ｐ１１は、
Ｐ１１＝１−［Ｓｄ／（Ｌ×Ｌ）］として求められる。
同様に、欠陥６１２、６１３がパタンデータエリア内の
絵柄（パタンとも言う）に跨がらない確率Ｐ１２、Ｐ１
３を求めることができ、求められた、Ｐ１１，Ｐ２１，
Ｐ３１より、絵柄の内部にある場合も含め、フォトマス
ク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０１を求めることができ
る。
の内部に含まれる場合も、欠陥発生するものとして、欠
陥発生確率を計算することもできる。この場合は、例え
ば、図７（ｂ）のような欠陥領域６２１において、サイ
ズｄφの円形の欠陥６１１がパタンデータエリア内の絵
柄（パタンとも言う）に跨る確率は、Ｓｄ／（Ｌ×Ｌ）
として計算される。但し、Ｓｄは絵柄６５１、６５２
を、それぞれ外側にｄ／２だけ太らせた場合の面積の和
である。これより、欠陥６１１がパタンデータエリア内
の絵柄（パタンとも言う）に跨がらない確率Ｐ１１は、
Ｐ１１＝１−［Ｓｄ／（Ｌ×Ｌ）］として求められる。
同様に、欠陥６１２、６１３がパタンデータエリア内の
絵柄（パタンとも言う）に跨がらない確率Ｐ１２、Ｐ１
３を求めることができ、求められた、Ｐ１１，Ｐ２１，
Ｐ３１より、絵柄の内部にある場合も含め、フォトマス
ク上で欠陥が発生しない確率Ｐ０１を求めることができ
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、上記のように、フォトマスク
作製の際、パタン描画に供用される、感光材層を塗布形
成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中か
ら、目的とする製品を作製するための基板を、特に製品
品質の面からうまく選択できる基板選択装置の提供を可
能とした。これにより、従来に比べ、フォトマスク製造
のトータル的な生産性を向上させ、フォトマスクの更な
る高精度化、高品質化にも対応できるものとした。
作製の際、パタン描画に供用される、感光材層を塗布形
成したフォトマスク形成用の感光材層塗布基板群の中か
ら、目的とする製品を作製するための基板を、特に製品
品質の面からうまく選択できる基板選択装置の提供を可
能とした。これにより、従来に比べ、フォトマスク製造
のトータル的な生産性を向上させ、フォトマスクの更な
る高精度化、高品質化にも対応できるものとした。
【図１】本発明の基板選択装置の実施の形態の１例の概
略構成図
略構成図
【図２】欠陥検査結果データの１例を示した図
【図３】感光材層ロットチェック結果データの１例を示
した図
した図
【図４】品質基準の１例を示した図
【図５】基板選択の入力方法の１例を示した図
【図６】基板選択部による基板選択手順の１例を示した
フロー図
フロー図
【図７】欠陥確率計算部の動作の１例を説明するための
図
図
【図８】フォトマスクの製造方法を説明するための図
１１０ ピンホール欠陥検査登録部 １２０ 異物欠陥検査結果登録部 １３０ 感光材層ロットチエック結
果登録部 １４０ 選択基準登録部 １５０ 基板選択部 １５１ パタンエリア内欠陥抽出部 １５２ 欠陥確率計算部 １６０ データベース １７１ 描画パタン １７２ 配置情報 １８１ ピンホール欠陥検査結果デ
ータ １８２ 異物欠陥検査結果データ １８３ 感光材層感度ロットチェッ
クデータ １８４ フォトマスク仕様 １９０ 選択支持入力 ５１１ 在庫基板 ５１２ 使用条件 ５２１ ピンホール欠陥検査結果デ
ータ ５２２ 異物欠陥検査結果データ ５２３ 対象基板 ５２４ パタンエリア ５３１ 対象基板 ５３２ 品質基準（基板ランク） ５４１ 対象基板 ６１１、６１２、６１３ 欠陥 ６２１、６２２、６２３ 欠陥領域 ６３１、６３２、６３３ パタンデータエリア ６５１、６５２ 絵柄（パタンとも言う） ８１０ 透明基板 ８２０ 遮光膜あるいはシフター層 ８２５ 遮光層パタン ８３０ 感光材層（感光性樹脂膜、
感光性レジストあるいは単にレジストとも言う） ８３５ レジストパタン ８４０ 電離放射線
果登録部 １４０ 選択基準登録部 １５０ 基板選択部 １５１ パタンエリア内欠陥抽出部 １５２ 欠陥確率計算部 １６０ データベース １７１ 描画パタン １７２ 配置情報 １８１ ピンホール欠陥検査結果デ
ータ １８２ 異物欠陥検査結果データ １８３ 感光材層感度ロットチェッ
クデータ １８４ フォトマスク仕様 １９０ 選択支持入力 ５１１ 在庫基板 ５１２ 使用条件 ５２１ ピンホール欠陥検査結果デ
ータ ５２２ 異物欠陥検査結果データ ５２３ 対象基板 ５２４ パタンエリア ５３１ 対象基板 ５３２ 品質基準（基板ランク） ５４１ 対象基板 ６１１、６１２、６１３ 欠陥 ６２１、６２２、６２３ 欠陥領域 ６３１、６３２、６３３ パタンデータエリア ６５１、６５２ 絵柄（パタンとも言う） ８１０ 透明基板 ８２０ 遮光膜あるいはシフター層 ８２５ 遮光層パタン ８３０ 感光材層（感光性樹脂膜、
感光性レジストあるいは単にレジストとも言う） ８３５ レジストパタン ８４０ 電離放射線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奈良 秀之 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 清野 創 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BD29
Claims (7)
- 【請求項１】 感光材層を塗布形成したフォトマスク形
成用の感光材層塗布基板群の中から、目的とする製品に
使用する基板を選択する基板選択装置であって、感光材
層塗布基板の、欠陥に対応して欠陥検査結果をデータベ
ースに登録する１つ以上の欠陥登録部と、感光材層の感
度を感光材層塗布のロット毎に、チェックした感光材層
ロットチェック結果を、データベースに登録する感光材
層ロットチェック結果登録部と、データベースに登録さ
れた欠陥検査結果、感光材層ロットチェック結果に基づ
いて、基板群の中から、目的とする製品作製に使用する
基板を選択する基板選択部とを備えていることを特徴と
する基板選択装置。 - 【請求項２】 請求項１において、感光材層塗布基板
の、欠陥検査結果をデータベースに登録する欠陥登録部
として、感光材層塗布基板の感光材層塗布前のブランク
スのピンホール欠陥検査結果をデータベースに登録する
ピンホール欠陥登録部と、感光材層塗布後の基板の、異
物欠陥検査結果をデータベースに登録する異物欠陥登録
部とを備えていることを特徴とする基板選択装置。 - 【請求項３】 請求項１ないし２において、基板選択の
基準となる基板の品質基準をデータベースに登録する選
択基準登録部を備えており、基板選択部は、必要に応
じ、データベースに登録された欠陥検査結果情報、感光
材層ロットチェック結果情報、基板選択の基準となる基
板の品質基準とから、目的とする製品作製に使用する基
板を選択するものであることを特徴とする基板選択装
置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３において、作製するフ
ォトマスクに使用される基板の候補となる候補基板に対
し、データベースに登録された各基板の欠陥検査結果情
報、感光材層ロットチェック結果情報に基づいて、基板
毎に作製するフォトマスクのパタンエリア（描画エリア
とも言う）と対応させ、フォトマスク上のパタンエリア
（描画エリア）内にある欠陥を抽出するパタンエリア内
欠陥抽出部を備えていることを特徴とする基板選択装
置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４において、作製するフ
ォトマスクに使用される基板の候補となる候補基板に対
し、データベースに登録された各基板の欠陥検査結果情
報、感光材層ロットチェック結果情報に基づいて、基板
毎に作製するフォトマスクの絵柄と対応させ、フォトマ
スク上で、絵柄周辺部に欠陥が発生しない確率あるいは
欠陥が発生する確率を計算する、あるいは絵柄内部に欠
陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する確率を計算
する欠陥確率計算部を備えており、基板選択部は、必要
に応じ、欠陥確率計算部により得られた基板毎の、絵柄
周辺部に欠陥が発生しない確率あるいは欠陥が発生する
確率から、あるいは、絵柄部全体にわたり、欠陥が発生
しない確率あるいは欠陥が発生する確率から、目的とす
る製品作製に使用する基板を選択するものであることを
特徴とする基板選択装置。 - 【請求項６】 請求項５において、欠陥確率計算部は、
基板の対象となる全ての欠陥に対し、それぞれ、作製さ
れるフォトマスク上での、欠陥位置に対応する、誤差を
考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域を求め、求めら
れた欠陥領域内の絵柄の周辺部に欠陥が発生しない確率
である非発生確率を求め、更に、求められた全ての欠陥
の非発生確率を、全て乗じた積を求め、これを、基板の
フォトマスク上で絵柄周辺部に欠陥が発生しない確率Ｐ
０とするものであることを特徴とする基板選択装置。 - 【請求項７】 請求項５において、欠陥確率計算部は、
基板の対象となる全ての欠陥に対し、それぞれ、作製さ
れるフォトマスク上での、欠陥位置に対応する、誤差を
考慮した欠陥より大サイズの、欠陥領域を求め、求めら
れた欠陥領域内の絵柄の内部に欠陥が発生しない確率で
ある非発生確率を求め、更に、求められた全ての欠陥の
非発生確率を、全て乗じた積を求め、これを、基板のフ
ォトマスク上で絵柄全体にわたり欠陥が発生しない確率
Ｐ０１とするものであることを特徴とする基板選択装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000232215A JP4170569B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-07-31 | 基板選択装置 |
| US10/049,051 US6801824B2 (en) | 2000-06-02 | 2001-05-28 | Substrate selector |
| PCT/JP2001/004427 WO2001095029A1 (fr) | 2000-06-02 | 2001-05-28 | Selecteur de substrat |
| EP01934361.5A EP1211558B8 (en) | 2000-06-02 | 2001-05-28 | Substrate selector |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000166248 | 2000-06-02 | ||
| JP2000-166248 | 2000-06-02 | ||
| JP2000232215A JP4170569B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-07-31 | 基板選択装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002055437A true JP2002055437A (ja) | 2002-02-20 |
| JP4170569B2 JP4170569B2 (ja) | 2008-10-22 |
Family
ID=26593234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000232215A Expired - Lifetime JP4170569B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-07-31 | 基板選択装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6801824B2 (ja) |
| EP (1) | EP1211558B8 (ja) |
| JP (1) | JP4170569B2 (ja) |
| WO (1) | WO2001095029A1 (ja) |
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| JP2009181147A (ja) * | 2009-05-21 | 2009-08-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 描画用基板の供給方法および基板選択装置 |
| JP2010122711A (ja) * | 2010-03-08 | 2010-06-03 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
| JPWO2016153052A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2018-01-18 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの製造方法および検査装置 |
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| KR100911595B1 (ko) | 2004-03-09 | 2009-08-07 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 정보 취득방법 및 시스템, 마스크 블랭크 정보 제공방법, 전사 마스크 제작지원 및 제조방법, 그리고 마스크 블랭크 제조방법 및 제공방법 |
| US20150205855A1 (en) * | 2012-08-03 | 2015-07-23 | Nec Corporation | Product management method, product management device, product management system, and program |
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| US5563702A (en) * | 1991-08-22 | 1996-10-08 | Kla Instruments Corporation | Automated photomask inspection apparatus and method |
| JPH07201946A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置等の製造方法及びその装置並びに検査方法及びその装置 |
| JP3986571B2 (ja) * | 1994-12-09 | 2007-10-03 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 歩留り予測装置とその方法 |
| US5991699A (en) * | 1995-05-04 | 1999-11-23 | Kla Instruments Corporation | Detecting groups of defects in semiconductor feature space |
| US5649169A (en) * | 1995-06-20 | 1997-07-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for declustering semiconductor defect data |
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| US5786231A (en) * | 1995-12-05 | 1998-07-28 | Sandia Corporation | Screening method for selecting semiconductor substrates having defects below a predetermined level in an oxide layer |
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-
2000
- 2000-07-31 JP JP2000232215A patent/JP4170569B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-05-28 US US10/049,051 patent/US6801824B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-28 WO PCT/JP2001/004427 patent/WO2001095029A1/ja active Application Filing
- 2001-05-28 EP EP01934361.5A patent/EP1211558B8/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| US6801824B2 (en) | 2004-10-05 |
| EP1211558B8 (en) | 2015-08-05 |
| WO2001095029A1 (fr) | 2001-12-13 |
| EP1211558A1 (en) | 2002-06-05 |
| EP1211558A4 (en) | 2008-03-26 |
| EP1211558B1 (en) | 2015-07-01 |
| US20020173870A1 (en) | 2002-11-21 |
| JP4170569B2 (ja) | 2008-10-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060629 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080311 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080509 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080807 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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