JP2003121983A - 付加図形付きフォトマスクの欠陥検査方法 - Google Patents
付加図形付きフォトマスクの欠陥検査方法Info
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 検査効率の良い付加図形付きフォトマスクの
欠陥検査方法を提供する。 【解決手段】 （ａ）付加図形付きフォトマスク作製用
のフォトマスクパタンデータを用いて、所定の検出感度
で、作製された付加図形付きのフォトマスクを検査し
て、欠陥部を検出し、各欠陥の位置座標を得る欠陥検査
ステップと、（ｂ）検出された各欠陥が付加図形存在領
域にあるか否かを弁別するための弁別用データを、フォ
トマスクイメージとして配置して用意する弁別用データ
準備ステップと、（ｃ）弁別用データ準備ステップにて
用意された弁別用データと、欠陥検査ステップにて検出
された各欠陥の位置座標とを、個々付き合せ、各欠陥が
付加図形存在領域にあるか否かを弁別する欠陥存在領域
弁別ステップと、（ｄ）弁別された欠陥を、それぞれの
スペックにて判定する判定ステップとを、備えている。
欠陥検査方法を提供する。 【解決手段】 （ａ）付加図形付きフォトマスク作製用
のフォトマスクパタンデータを用いて、所定の検出感度
で、作製された付加図形付きのフォトマスクを検査し
て、欠陥部を検出し、各欠陥の位置座標を得る欠陥検査
ステップと、（ｂ）検出された各欠陥が付加図形存在領
域にあるか否かを弁別するための弁別用データを、フォ
トマスクイメージとして配置して用意する弁別用データ
準備ステップと、（ｃ）弁別用データ準備ステップにて
用意された弁別用データと、欠陥検査ステップにて検出
された各欠陥の位置座標とを、個々付き合せ、各欠陥が
付加図形存在領域にあるか否かを弁別する欠陥存在領域
弁別ステップと、（ｄ）弁別された欠陥を、それぞれの
スペックにて判定する判定ステップとを、備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造におい
てウエーハの処理層を平坦化するための、付加図形付き
のフォトマスクの欠陥検査方法に関する。
てウエーハの処理層を平坦化するための、付加図形付き
のフォトマスクの欠陥検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、軽薄短小の
傾向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳＩには、ま
すます高集積化、高機能化が求められるようになってき
ている中、半導体製造においては、品質面からウエーハ
の処理層をより平坦に形成することが、求められるよう
になってきた。半導体製造における、ウエーハの処理
層、絶縁層を平坦化する技術の１つとして、ＵＳＰ５、
５９７、６６８号には、半導体製造に用いられるフォト
マスクとして、回路部以外の回路部構成に寄与しない付
加パタン（以下、付加図形とも言う）を配したものが挙
げられている。一般に、ウエーハ上に、ポリシリコン
層、絶縁層、配線層、絶縁層と繰り返し堆積することに
より、最終的なウエーハ製造工程が完了するが、ポリシ
リコン、配線層は、設計データ上のパタンの存在する部
分にのみ層が堆積するため、パタンの有無により、加工
ウエーハ表面に凹凸が発生する。絶縁層、配線層を順に
堆積していくため、パタンの無い部分と存在する部分の
凹凸差は次第に大きくなる。ウエーハ上のパタン形状の
微細化に伴い、この凹凸差の許容範囲が狭くなってい
る。
傾向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳＩには、ま
すます高集積化、高機能化が求められるようになってき
ている中、半導体製造においては、品質面からウエーハ
の処理層をより平坦に形成することが、求められるよう
になってきた。半導体製造における、ウエーハの処理
層、絶縁層を平坦化する技術の１つとして、ＵＳＰ５、
５９７、６６８号には、半導体製造に用いられるフォト
マスクとして、回路部以外の回路部構成に寄与しない付
加パタン（以下、付加図形とも言う）を配したものが挙
げられている。一般に、ウエーハ上に、ポリシリコン
層、絶縁層、配線層、絶縁層と繰り返し堆積することに
より、最終的なウエーハ製造工程が完了するが、ポリシ
リコン、配線層は、設計データ上のパタンの存在する部
分にのみ層が堆積するため、パタンの有無により、加工
ウエーハ表面に凹凸が発生する。絶縁層、配線層を順に
堆積していくため、パタンの無い部分と存在する部分の
凹凸差は次第に大きくなる。ウエーハ上のパタン形状の
微細化に伴い、この凹凸差の許容範囲が狭くなってい
る。
【０００３】ここで、付加パタンの有意性について、図
２に基づいて簡単に説明しておく。例えば、図２（ａ）
（イ）に示すような、パタン密度が密なパタン部２１０
のパタン（図形パタンないし図形とも言う）２１１と、
パタン密度が粗なパタン部のパタン２１２とを有する処
理層（配線層）の場合、その上に堆積させる堆積層（絶
縁層）の厚さは、図２（ａ）（ロ）のように、パタン粗
密に対応して大きく変化するのに対し、図２（ｂ）
（イ）に示すように、付加パタン２３１を加えて、パタ
ン密度を均一化した処理層の場合、その上に堆積させる
堆積層（絶縁層）の厚さは、図２（ｂ）（ロ）のように
均一になる。２３０は付加パタン部である。尚、図２
（ａ）（ロ）、図２（ｂ）（ロ）は、半導体製造におけ
るウエーハプロセス工程の概念を断面図で示し、図２
（ａ）（イ）、図２（ｂ）（イ）は、それぞれ、図２
（ａ）（ロ）のＥ１側、図２（ｂ）（ロ）のＥ２側から
見た図で、図２（ｂ）（ロ）は、図２（ｂ）（イ）のＥ
３−Ｅ４における断面図である。一般に、このような堆
積層を直接、あるいは、さらにその上に堆積された処理
層（堆積層でもある）をパタンニングする場合、転写す
る際のウエーハ表面の堆積層の平坦性が良い方が、フォ
トマスクからウエーハへの転写精度は良いことが知られ
ており、結局、パタン密度を均一化して処理層を形成す
ることにより、フォトマスクからウエーハへの転写精度
を上げることができる。
２に基づいて簡単に説明しておく。例えば、図２（ａ）
（イ）に示すような、パタン密度が密なパタン部２１０
のパタン（図形パタンないし図形とも言う）２１１と、
パタン密度が粗なパタン部のパタン２１２とを有する処
理層（配線層）の場合、その上に堆積させる堆積層（絶
縁層）の厚さは、図２（ａ）（ロ）のように、パタン粗
密に対応して大きく変化するのに対し、図２（ｂ）
（イ）に示すように、付加パタン２３１を加えて、パタ
ン密度を均一化した処理層の場合、その上に堆積させる
堆積層（絶縁層）の厚さは、図２（ｂ）（ロ）のように
均一になる。２３０は付加パタン部である。尚、図２
（ａ）（ロ）、図２（ｂ）（ロ）は、半導体製造におけ
るウエーハプロセス工程の概念を断面図で示し、図２
（ａ）（イ）、図２（ｂ）（イ）は、それぞれ、図２
（ａ）（ロ）のＥ１側、図２（ｂ）（ロ）のＥ２側から
見た図で、図２（ｂ）（ロ）は、図２（ｂ）（イ）のＥ
３−Ｅ４における断面図である。一般に、このような堆
積層を直接、あるいは、さらにその上に堆積された処理
層（堆積層でもある）をパタンニングする場合、転写す
る際のウエーハ表面の堆積層の平坦性が良い方が、フォ
トマスクからウエーハへの転写精度は良いことが知られ
ており、結局、パタン密度を均一化して処理層を形成す
ることにより、フォトマスクからウエーハへの転写精度
を上げることができる。
【０００４】上述した、ウエーハの処理層に付加パタン
を発生させるための、付加図形付きフォトマスク作製用
のフォトマスクデータは、従来、図３に示す作成方法で
行われていた。Ｓ３１０〜Ｓ３５０は処理ステップであ
る。以下、図３に示す付加図形付きフォトマスク作製用
のフォトマスクデータの作成方法を、図４に示す例を参
照にして説明する。図４（ａ）〜図４（ｆ）は、ここで
は、このような表示状態のパタンデータを意味する。図
３の付加図形領域を作成するステップＳ３１０では、最
初に付加パタンを配置する領域を求める。図４（ａ）の
中でｄｐは、設計データＤＰ中の図形（回路パタンない
し図形パタンとも言う）を示している。図形ｄｐと付加
図形（付加パタンとも言う）とが接触しないように、図
形と付加図形の最小間隔をｄｉｓｔとする。図形ｄｐを
サイジング図形処理によりオーバーサイズした図形ＮＡ
を作成した（図示していない）後、設計データ全体の領
域から図形ＮＡを論理ＮＯＴ図形処理により差し引くこ
とで、付加図形を配置する付加図形領域ａｄを有する領
域データＡＤを作成する。（図４（ｂ））続いて、図３
の全体領域に付加図形を発生するステップＳ３２０で
は、領域ａｄ全体にわたり配列形状に付加図形ｄｔを配
列した付加図形用データ（単に付加図形データとも言
う）ＤＴを作成する。（図４（ｃ））通常、長方形が２
次元配列されたものである。次に、論理ＡＮＤ図形処理
により領域データＡＤと付加図形用データＤＴとの論理
積をとり、付加図形領域ａｄ中にのみ付加図形を含むパ
タンデータを求める。（図４（ｄ）、Ｓ３３０））論理
ＡＮＤ図形処理により求められたパタンデータには、欠
け付加図形（微小付加図形とも言う）ｄｄが発生する。
次に、図３の欠け付加図形を削除するステップＳ３４０
では、フォトマスク製造、ウェーハ製造において、微小
図形が問題となりうるため、サイジング図形処理によ
り、順にアンダサイズとオーバーサイズを実施すること
で、パタンデータから欠け付加図形ｄｄを取り除いたパ
タンデータを得る。（図４（ｅ））。次に、論理ＯＲ図
形演算処理により、図４（ｅ）に示すパタンデータと、
元の設計データＤＰから最終的な付加図形付きパタンデ
ータＦＰＯを得る。（図４（ｆ）、Ｓ３５０）設計デー
タの図形ｄｐと図４（ｅ）に示すパタンデータの付加図
形ｄｔとを合わせ込む。付加図形付きパタンデータＦＰ
Ｏが、フォトマスク作製用のデータである。
を発生させるための、付加図形付きフォトマスク作製用
のフォトマスクデータは、従来、図３に示す作成方法で
行われていた。Ｓ３１０〜Ｓ３５０は処理ステップであ
る。以下、図３に示す付加図形付きフォトマスク作製用
のフォトマスクデータの作成方法を、図４に示す例を参
照にして説明する。図４（ａ）〜図４（ｆ）は、ここで
は、このような表示状態のパタンデータを意味する。図
３の付加図形領域を作成するステップＳ３１０では、最
初に付加パタンを配置する領域を求める。図４（ａ）の
中でｄｐは、設計データＤＰ中の図形（回路パタンない
し図形パタンとも言う）を示している。図形ｄｐと付加
図形（付加パタンとも言う）とが接触しないように、図
形と付加図形の最小間隔をｄｉｓｔとする。図形ｄｐを
サイジング図形処理によりオーバーサイズした図形ＮＡ
を作成した（図示していない）後、設計データ全体の領
域から図形ＮＡを論理ＮＯＴ図形処理により差し引くこ
とで、付加図形を配置する付加図形領域ａｄを有する領
域データＡＤを作成する。（図４（ｂ））続いて、図３
の全体領域に付加図形を発生するステップＳ３２０で
は、領域ａｄ全体にわたり配列形状に付加図形ｄｔを配
列した付加図形用データ（単に付加図形データとも言
う）ＤＴを作成する。（図４（ｃ））通常、長方形が２
次元配列されたものである。次に、論理ＡＮＤ図形処理
により領域データＡＤと付加図形用データＤＴとの論理
積をとり、付加図形領域ａｄ中にのみ付加図形を含むパ
タンデータを求める。（図４（ｄ）、Ｓ３３０））論理
ＡＮＤ図形処理により求められたパタンデータには、欠
け付加図形（微小付加図形とも言う）ｄｄが発生する。
次に、図３の欠け付加図形を削除するステップＳ３４０
では、フォトマスク製造、ウェーハ製造において、微小
図形が問題となりうるため、サイジング図形処理によ
り、順にアンダサイズとオーバーサイズを実施すること
で、パタンデータから欠け付加図形ｄｄを取り除いたパ
タンデータを得る。（図４（ｅ））。次に、論理ＯＲ図
形演算処理により、図４（ｅ）に示すパタンデータと、
元の設計データＤＰから最終的な付加図形付きパタンデ
ータＦＰＯを得る。（図４（ｆ）、Ｓ３５０）設計デー
タの図形ｄｐと図４（ｅ）に示すパタンデータの付加図
形ｄｔとを合わせ込む。付加図形付きパタンデータＦＰ
Ｏが、フォトマスク作製用のデータである。
【０００５】尚、図５（ａ）に示すように、データ領域
Ｄａ内に四角形の図形（パタン）Ａ、図形（パタン）Ｂ
が表される場合、これに対応する、図形Ａと図形Ｂの論
理積（ＡＮＤ）、図形Ａと図形Ｂの論理和（ＯＲ）、図
形Ｂの反転（ＩｎｖｅｒｓｅあるいはＮＯＴ（Ｂ）とも
言う）は、それぞれ、図５（ｂ）、図５（ｃ）、図５
（ｄ）の黒部として表される。実際の処理内容について
は、既に広く知られており、ここでは省略する。
Ｄａ内に四角形の図形（パタン）Ａ、図形（パタン）Ｂ
が表される場合、これに対応する、図形Ａと図形Ｂの論
理積（ＡＮＤ）、図形Ａと図形Ｂの論理和（ＯＲ）、図
形Ｂの反転（ＩｎｖｅｒｓｅあるいはＮＯＴ（Ｂ）とも
言う）は、それぞれ、図５（ｂ）、図５（ｃ）、図５
（ｄ）の黒部として表される。実際の処理内容について
は、既に広く知られており、ここでは省略する。
【０００６】そして、このようにして作製された付加図
形付きパタンデータＦＰＯを用いて作製されたフォトマ
スクの欠陥検査では、欠陥検査装置により、付加図形付
きパタンデータとの比較により検出された不一致箇所を
欠陥としていた。そして、付加図形付きパタンデータを
用いて作製されたフォトマスクの検査は、設計データの
パタンの高密度化、微細化に伴ない、設計データのパタ
ンに対応し、一段と厳しい欠陥検出の感度を設定して、
行われるようになってきた。尚、欠陥検出は、装置側で
決められた所定の欠陥検出感度で行われ、通常は、検出
された欠陥のサイズでもって、欠陥検出感度を定義して
いる。このような、付加図形付きパタンデータを用いて
作製された、付加図形付きフォトマスクの検査方法にお
いては、欠陥があっても回路上問題とならない、平坦化
を目的として付加された付加パタン領域についても、必
要以上に厳しい欠陥検出レベルで検査が行われ、その領
域で欠陥と検出され箇所についても、確認を行なう必要
があり、検査効率の面で問題となっていた。更に、検査
後、レーザ、イオンビーム等による残部欠陥除去、集束
イオンビームアシストＣＶＤによる欠損欠陥修正等を行
なうことがあるが、欠陥部を完全に修正することは難し
く、再度の欠陥検査装置による検査において、欠陥とし
て検出されることがあり、この場合も、付加された付加
パタン領域について、必要以上に厳しい欠陥検出レベル
で検査が行われていた。
形付きパタンデータＦＰＯを用いて作製されたフォトマ
スクの欠陥検査では、欠陥検査装置により、付加図形付
きパタンデータとの比較により検出された不一致箇所を
欠陥としていた。そして、付加図形付きパタンデータを
用いて作製されたフォトマスクの検査は、設計データの
パタンの高密度化、微細化に伴ない、設計データのパタ
ンに対応し、一段と厳しい欠陥検出の感度を設定して、
行われるようになってきた。尚、欠陥検出は、装置側で
決められた所定の欠陥検出感度で行われ、通常は、検出
された欠陥のサイズでもって、欠陥検出感度を定義して
いる。このような、付加図形付きパタンデータを用いて
作製された、付加図形付きフォトマスクの検査方法にお
いては、欠陥があっても回路上問題とならない、平坦化
を目的として付加された付加パタン領域についても、必
要以上に厳しい欠陥検出レベルで検査が行われ、その領
域で欠陥と検出され箇所についても、確認を行なう必要
があり、検査効率の面で問題となっていた。更に、検査
後、レーザ、イオンビーム等による残部欠陥除去、集束
イオンビームアシストＣＶＤによる欠損欠陥修正等を行
なうことがあるが、欠陥部を完全に修正することは難し
く、再度の欠陥検査装置による検査において、欠陥とし
て検出されることがあり、この場合も、付加された付加
パタン領域について、必要以上に厳しい欠陥検出レベル
で検査が行われていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来、付
加図形付きフォトマスクの欠陥検査方法においては、欠
陥があっても回路上問題とならない、平坦化を目的とし
て付加された付加図形についても、必要以上に厳しい欠
陥検出レベルで検査が行われ、その領域で欠陥と検出さ
れた箇所についても、確認を行なう必要があり、検査効
率の面で問題となっていた。本発明は、これに対応し、
検査効率の良い付加図形付きフォトマスクの欠陥検査方
法を提供しようとするものである。
加図形付きフォトマスクの欠陥検査方法においては、欠
陥があっても回路上問題とならない、平坦化を目的とし
て付加された付加図形についても、必要以上に厳しい欠
陥検出レベルで検査が行われ、その領域で欠陥と検出さ
れた箇所についても、確認を行なう必要があり、検査効
率の面で問題となっていた。本発明は、これに対応し、
検査効率の良い付加図形付きフォトマスクの欠陥検査方
法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の付加図形付きフ
ォトマスクの欠陥検査方法は、図形密度を均一化するた
めの付加図形を複数設けた付加図形付きのフォトマスク
の欠陥検査方法であって、（ａ）付加図形付きフォトマ
スク作製用のフォトマスクパタンデータを用いて、所定
の検出感度で、作製された付加図形付きのフォトマスク
を検査して、欠陥部を検出し、各欠陥の位置座標を得る
欠陥検査ステップと、（ｂ）検出された各欠陥が付加図
形存在領域にあるか否かを弁別するための弁別用データ
を、フォトマスクイメージとして配置して用意する弁別
用データ準備ステップと、（ｃ）弁別用データ準備ステ
ップにて用意された弁別用データと、欠陥検査ステップ
にて検出された各欠陥の位置座標とを、個々付き合せ、
各欠陥が付加図形存在領域にあるか否かを弁別する欠陥
存在領域弁別ステップと、（ｄ）弁別された欠陥を、そ
れぞれのスペックにて判定する判定ステップとを、備え
ていることを特徴とするものである。そして、上記にお
ける弁別用データ準備ステップは、付加図形存在領域を
弁別用領域として規定する付加図形領域データあるいは
付加図形存在禁止領域を弁別用領域として規定する付加
図形禁止領域データを、弁別用データとして、フォトマ
スクイメージとして配置して用意するものであることを
特徴とするものである。あるいは、上記における弁別用
データ準備ステップは、フォトマスクイメージで付加図
形のみを配設した付加図形データを、弁別用データとし
て、用意するものであることを特徴とするものである。
「データをフォトマスクイメージとして配置して用意す
る」とは、フォトマスクに形成される絵柄の状態として
用意することを意味する。
ォトマスクの欠陥検査方法は、図形密度を均一化するた
めの付加図形を複数設けた付加図形付きのフォトマスク
の欠陥検査方法であって、（ａ）付加図形付きフォトマ
スク作製用のフォトマスクパタンデータを用いて、所定
の検出感度で、作製された付加図形付きのフォトマスク
を検査して、欠陥部を検出し、各欠陥の位置座標を得る
欠陥検査ステップと、（ｂ）検出された各欠陥が付加図
形存在領域にあるか否かを弁別するための弁別用データ
を、フォトマスクイメージとして配置して用意する弁別
用データ準備ステップと、（ｃ）弁別用データ準備ステ
ップにて用意された弁別用データと、欠陥検査ステップ
にて検出された各欠陥の位置座標とを、個々付き合せ、
各欠陥が付加図形存在領域にあるか否かを弁別する欠陥
存在領域弁別ステップと、（ｄ）弁別された欠陥を、そ
れぞれのスペックにて判定する判定ステップとを、備え
ていることを特徴とするものである。そして、上記にお
ける弁別用データ準備ステップは、付加図形存在領域を
弁別用領域として規定する付加図形領域データあるいは
付加図形存在禁止領域を弁別用領域として規定する付加
図形禁止領域データを、弁別用データとして、フォトマ
スクイメージとして配置して用意するものであることを
特徴とするものである。あるいは、上記における弁別用
データ準備ステップは、フォトマスクイメージで付加図
形のみを配設した付加図形データを、弁別用データとし
て、用意するものであることを特徴とするものである。
「データをフォトマスクイメージとして配置して用意す
る」とは、フォトマスクに形成される絵柄の状態として
用意することを意味する。
【０００９】
【作用】本発明の付加図形付きフォトマスクパタンの欠
陥検査方法は、このような構成にすることにより、検査
効率の良い付加図形付きフォトマスクの検査方法の提供
を可能としている。具体的には、（ａ）付加図形付きフ
ォトマスク作製用のフォトマスクパタンデータを用い
て、所定の検出感度で、作製された付加図形付きのフォ
トマスクを検査して、欠陥部を検出し、各欠陥の位置座
標を得る欠陥検査ステップと、（ｂ）検出された各欠陥
が付加図形存在領域にあるか否かを弁別するための弁別
用データを、フォトマスクイメージとして配置して用意
する弁別用データ準備ステップと、（ｃ）弁別用データ
準備ステップにて用意された弁別用データと、欠陥検査
ステップにて検出された各欠陥の位置座標とを、個々付
き合せ、各欠陥が付加図形存在領域にあるか否かを弁別
する欠陥存在領域弁別ステップと、（ｄ）弁別された欠
陥を、それぞれのスペックにて判定する判定ステップと
を、備えていることにより、これを達成している。
陥検査方法は、このような構成にすることにより、検査
効率の良い付加図形付きフォトマスクの検査方法の提供
を可能としている。具体的には、（ａ）付加図形付きフ
ォトマスク作製用のフォトマスクパタンデータを用い
て、所定の検出感度で、作製された付加図形付きのフォ
トマスクを検査して、欠陥部を検出し、各欠陥の位置座
標を得る欠陥検査ステップと、（ｂ）検出された各欠陥
が付加図形存在領域にあるか否かを弁別するための弁別
用データを、フォトマスクイメージとして配置して用意
する弁別用データ準備ステップと、（ｃ）弁別用データ
準備ステップにて用意された弁別用データと、欠陥検査
ステップにて検出された各欠陥の位置座標とを、個々付
き合せ、各欠陥が付加図形存在領域にあるか否かを弁別
する欠陥存在領域弁別ステップと、（ｄ）弁別された欠
陥を、それぞれのスペックにて判定する判定ステップと
を、備えていることにより、これを達成している。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例を
挙げて説明する。図１は本発明の付加図形付きフォトマ
スクパタンの欠陥検査方法の実施の形態の１例の処理を
示したフロー図である。図１中、１１０は付加図形付き
フォトマスクパターンデータ、１２０は全領域データ、
１３０は付加図形領域データ（弁別用データとも言
う）、１３５は付加図形データ（弁別用データとも言
う）、１４０は付加図形付きのフォトマスク、１４０Ａ
はレジスト塗布基板、１５０は欠陥箇所、１５１は設計
パターン欠陥、１５２は付加図形欠陥である。尚、図１
中、Ｓ１１〜Ｓ１８は処理ステップを示す。
挙げて説明する。図１は本発明の付加図形付きフォトマ
スクパタンの欠陥検査方法の実施の形態の１例の処理を
示したフロー図である。図１中、１１０は付加図形付き
フォトマスクパターンデータ、１２０は全領域データ、
１３０は付加図形領域データ（弁別用データとも言
う）、１３５は付加図形データ（弁別用データとも言
う）、１４０は付加図形付きのフォトマスク、１４０Ａ
はレジスト塗布基板、１５０は欠陥箇所、１５１は設計
パターン欠陥、１５２は付加図形欠陥である。尚、図１
中、Ｓ１１〜Ｓ１８は処理ステップを示す。
【００１１】はじめに、本発明の付加図形付きフォトマ
スクパタンの欠陥検査方法の実施の形態の１例を、図１
に基づいて説明する。本例は、付加図形付きフォトマス
ク作製用パターンデータ１１０を用いて電子線露光描画
され（Ｓ１１）、現像プロセス処理、エッチングプロセ
ス処理等（Ｓ１２）を経て、作製された付加図形付きフ
ォトマスク１４０に対して、欠陥検出を行なう検査方法
で、設計データに基づき形成された図形（設計パターン
あるいは設計図形とも言う）の欠陥部と付加図形の欠陥
部とでは、それぞれ別のスペックで、判定する検査方法
である。先ず、付加図形付きフォトマスク作製用のフォ
トマスクパタンデータ１１０を用いて、所定の検出感度
で、作製された付加図形付きのフォトマスク１４０を、
データとの比較により検査する検査装置（例えば、ＫＬ
Ａ社製検査装置）で検査して、欠陥部を検出し、各欠陥
の位置座標を得る欠陥検査を行なう。（Ｓ１３）これに
より、設計データに基づき形成された図形（設計パター
ンとも言う）の欠陥位置とともに付加図形の欠陥位置が
抽出されるが、それぞれの欠陥部が、設計データに基づ
き形成された図形の欠陥なのか、付加図形の欠陥なのか
は、判別がつかない。尚、検査の際、付加図形付きフォ
トマスク作製用のフォトマスクパタンデータ１１０は、
検査装置にて、フォトマスクイメージに変換された状態
で、フォトマスクと比較検査される。フォトマスクイメ
ージの状態は、図４（ｆ）のＦＰＯに相当する。
スクパタンの欠陥検査方法の実施の形態の１例を、図１
に基づいて説明する。本例は、付加図形付きフォトマス
ク作製用パターンデータ１１０を用いて電子線露光描画
され（Ｓ１１）、現像プロセス処理、エッチングプロセ
ス処理等（Ｓ１２）を経て、作製された付加図形付きフ
ォトマスク１４０に対して、欠陥検出を行なう検査方法
で、設計データに基づき形成された図形（設計パターン
あるいは設計図形とも言う）の欠陥部と付加図形の欠陥
部とでは、それぞれ別のスペックで、判定する検査方法
である。先ず、付加図形付きフォトマスク作製用のフォ
トマスクパタンデータ１１０を用いて、所定の検出感度
で、作製された付加図形付きのフォトマスク１４０を、
データとの比較により検査する検査装置（例えば、ＫＬ
Ａ社製検査装置）で検査して、欠陥部を検出し、各欠陥
の位置座標を得る欠陥検査を行なう。（Ｓ１３）これに
より、設計データに基づき形成された図形（設計パター
ンとも言う）の欠陥位置とともに付加図形の欠陥位置が
抽出されるが、それぞれの欠陥部が、設計データに基づ
き形成された図形の欠陥なのか、付加図形の欠陥なのか
は、判別がつかない。尚、検査の際、付加図形付きフォ
トマスク作製用のフォトマスクパタンデータ１１０は、
検査装置にて、フォトマスクイメージに変換された状態
で、フォトマスクと比較検査される。フォトマスクイメ
ージの状態は、図４（ｆ）のＦＰＯに相当する。
【００１２】次いで、検出された各欠陥が付加図形存在
領域にあるか否かを弁別するための弁別用データとし
て、付加図形領域データを、フォトマスクイメージとし
て配置して用意する。付加図形領域データは、フォトマ
スクイメージでその全領域を表す全領域データから、付
加図形付きフォトマスク作製用のフォトマスクパタンデ
ータ１１０の図形を、マスクイメージとして所定サイズ
だけオーバーサイズしたパタンデータを、論理ＮＯＴ図
形処理により差し引いた領域データである。弁別用領域
データ（弁別用データ）１３０は、図４（ｂ）の領域デ
ータＡＤに相当する。
領域にあるか否かを弁別するための弁別用データとし
て、付加図形領域データを、フォトマスクイメージとし
て配置して用意する。付加図形領域データは、フォトマ
スクイメージでその全領域を表す全領域データから、付
加図形付きフォトマスク作製用のフォトマスクパタンデ
ータ１１０の図形を、マスクイメージとして所定サイズ
だけオーバーサイズしたパタンデータを、論理ＮＯＴ図
形処理により差し引いた領域データである。弁別用領域
データ（弁別用データ）１３０は、図４（ｂ）の領域デ
ータＡＤに相当する。
【００１３】次いで、用意された付加図形領域データ
（弁別用データ）１３０と、欠陥検査ステップにて検出
された各欠陥の位置座標とを、個々付き合せ、欠陥が付
加図形領域内に存在するか否かを弁別する。（Ｓ１４）
処理は、欠陥の位置座標データに基づき、各欠陥の位置
座標に対応した位置に所定サイズの図形を設けた、フォ
トマスクイメージのデータを作成し、このデータと、フ
ォトマスクイメージの付加図形領域データとを論理ＡＮ
Ｄ図形処理するものである。
（弁別用データ）１３０と、欠陥検査ステップにて検出
された各欠陥の位置座標とを、個々付き合せ、欠陥が付
加図形領域内に存在するか否かを弁別する。（Ｓ１４）
処理は、欠陥の位置座標データに基づき、各欠陥の位置
座標に対応した位置に所定サイズの図形を設けた、フォ
トマスクイメージのデータを作成し、このデータと、フ
ォトマスクイメージの付加図形領域データとを論理ＡＮ
Ｄ図形処理するものである。
【００１４】そして、更に、弁別された欠陥を、それぞ
れのスペックにて判定する。この判定は、欠陥部を拡大
した状態でスケール等を用いて判定する。設計データに
より形成された図形については、厳しい所定のスペック
１で判定を行ない（Ｓ１５）、付加図形については、設
計データにより形成された図形の場合よりも緩いスペッ
クで判定を行ない（Ｓ１６）、両判定を合せて総合判定
とし、修正を更に行なうか、このまま良品とするか、こ
のまま不良品とするかを決める。（Ｓ１７）設計データ
により形成された図形は、設計データの設計ルールに応
じて、例えば０. ２μｍあるいは０. １５μｍ等のサイ
ズで判定し、付加図形については、小さい欠陥であれば
問題ないとする。
れのスペックにて判定する。この判定は、欠陥部を拡大
した状態でスケール等を用いて判定する。設計データに
より形成された図形については、厳しい所定のスペック
１で判定を行ない（Ｓ１５）、付加図形については、設
計データにより形成された図形の場合よりも緩いスペッ
クで判定を行ない（Ｓ１６）、両判定を合せて総合判定
とし、修正を更に行なうか、このまま良品とするか、こ
のまま不良品とするかを決める。（Ｓ１７）設計データ
により形成された図形は、設計データの設計ルールに応
じて、例えば０. ２μｍあるいは０. １５μｍ等のサイ
ズで判定し、付加図形については、小さい欠陥であれば
問題ないとする。
【００１５】尚、修正を行なう場合については、修正
（Ｓ１８）した後、再度、前述のＳ１３〜Ｓ１７を繰り
返す。そして、このように、検査、修正を繰り返し、欠
陥部を修正できるものは修正してフォトマスクとしての
良品を得る。
（Ｓ１８）した後、再度、前述のＳ１３〜Ｓ１７を繰り
返す。そして、このように、検査、修正を繰り返し、欠
陥部を修正できるものは修正してフォトマスクとしての
良品を得る。
【００１６】本例の変形例としては、本例において、検
出された各欠陥が付加図形存在領域にあるか否かを弁別
するための弁別用データとして、付加図形領域データに
代え、フォトマスクイメージで付加図形禁止領域を弁別
領域として規定した付加図形禁止領域データを用意し、
この付加図形禁止領域データを用い、欠陥検査ステップ
にて検出された各欠陥の位置座標とを、個々付き合せ、
欠陥が付加図形禁止領域内に存在するか否かを弁別する
方法が挙げられる。この処理も、論理ＡＮＤ図形処理に
より行なう。
出された各欠陥が付加図形存在領域にあるか否かを弁別
するための弁別用データとして、付加図形領域データに
代え、フォトマスクイメージで付加図形禁止領域を弁別
領域として規定した付加図形禁止領域データを用意し、
この付加図形禁止領域データを用い、欠陥検査ステップ
にて検出された各欠陥の位置座標とを、個々付き合せ、
欠陥が付加図形禁止領域内に存在するか否かを弁別する
方法が挙げられる。この処理も、論理ＡＮＤ図形処理に
より行なう。
【００１７】本例の別の変形例としては、本例におい
て、検出された各欠陥が付加図形存在領域にあるか否か
を弁別するための弁別用データとして、付加図形領域デ
ータに代え、フォトマスクイメージで付加図形のみを配
設した付加図形データ（図１の１３５）を用意し、この
付加図形データ１３５（図４の（ｅ）に示すパタンデー
タに相当）を用い、欠陥検査ステップにて検出された各
欠陥の位置座標とを、個々付き合せ、欠陥が弁別領域内
に存在するか否かを弁別する（図１のＳ１４）方法が挙
げられる。この処理は、欠陥部の位置から所定の方向に
所定距離だけ離れた位置に付加図形データの図形がある
か否かにより行なう。
て、検出された各欠陥が付加図形存在領域にあるか否か
を弁別するための弁別用データとして、付加図形領域デ
ータに代え、フォトマスクイメージで付加図形のみを配
設した付加図形データ（図１の１３５）を用意し、この
付加図形データ１３５（図４の（ｅ）に示すパタンデー
タに相当）を用い、欠陥検査ステップにて検出された各
欠陥の位置座標とを、個々付き合せ、欠陥が弁別領域内
に存在するか否かを弁別する（図１のＳ１４）方法が挙
げられる。この処理は、欠陥部の位置から所定の方向に
所定距離だけ離れた位置に付加図形データの図形がある
か否かにより行なう。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、上記のように、検査効率の良
い付加図形付きフォトマスクの検査方法の提供を可能に
した。詳しくは、設計データにより形成された図形と、
付加図形とを、それぞれ、別スペックで判定できる付加
図形付きフォトマスクの検査方法を提供し、これによ
り、検査効率を上げることを可能とした。
い付加図形付きフォトマスクの検査方法の提供を可能に
した。詳しくは、設計データにより形成された図形と、
付加図形とを、それぞれ、別スペックで判定できる付加
図形付きフォトマスクの検査方法を提供し、これによ
り、検査効率を上げることを可能とした。
【図１】本発明の付加図形付きフォトマスクパタンの検
査方法の実施の形態の１例の処理を示したフロー図であ
る。
査方法の実施の形態の１例の処理を示したフロー図であ
る。
【図２】ウエーハの処理面状態を示した図である。
【図３】従来の付加図形付きフォトマスク作製用のデー
タの作成方法のフロー図である。
タの作成方法のフロー図である。
【図４】従来の付加図形付きフォトマスク作製用のデー
タの作成方法の各処理における状態を示した図である。
タの作成方法の各処理における状態を示した図である。
【図５】パタンデータの図形演算処理を説明するための
図である。
図である。
１１０ 付加図形付きフォトマスクパターンデー
タ １２０ 全領域データ １３０ 付加図形領域データ（弁別データとも言
う） １３５ 付加図形データ（弁別データとも言う） １４０ 付加図形付きのフォトマスク １４０Ａ レジスト塗布基板 １５０ 欠陥箇所 １５１ 設計パターン欠陥 １５２ 付加図形欠陥 ＤＰ 設計データ ＤＴ 付加図形用データ（単に付加図形データ
とも言う） ＦＰＯ 付加図形付きパタンデータ ＡＤ 領域データ ａｄ 付加図形領域 ｄｄ 欠け付加図形（微小付加図形とも言う） ｄｐ 図形（回路パタンないし図形パタンとも
言う） ｄｔ 付加図形（付加パタンとも言う） ｄｉｓｔ 最小間隔
タ １２０ 全領域データ １３０ 付加図形領域データ（弁別データとも言
う） １３５ 付加図形データ（弁別データとも言う） １４０ 付加図形付きのフォトマスク １４０Ａ レジスト塗布基板 １５０ 欠陥箇所 １５１ 設計パターン欠陥 １５２ 付加図形欠陥 ＤＰ 設計データ ＤＴ 付加図形用データ（単に付加図形データ
とも言う） ＦＰＯ 付加図形付きパタンデータ ＡＤ 領域データ ａｄ 付加図形領域 ｄｄ 欠け付加図形（微小付加図形とも言う） ｄｐ 図形（回路パタンないし図形パタンとも
言う） ｄｔ 付加図形（付加パタンとも言う） ｄｉｓｔ 最小間隔
フロントページの続き
(72)発明者 奈良 秀之
東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号
大日本印刷株式会社内
(72)発明者 町谷 雄二
東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号
大日本印刷株式会社内
(72)発明者 富田 達也
東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号
大日本印刷株式会社内
Ｆターム(参考） 2F065 AA01 AA20 AA49 AA56 BB02
CC18 DD06 FF04 FF61 QQ06
QQ25 QQ31 RR05 TT08 UU05
2G051 AA56 AB02 AC21 EB09
2H095 BD04
Claims (3)
- 【請求項１】 図形密度を均一化するための付加図形を
複数設けた付加図形付きのフォトマスクの欠陥検査方法
であって、（ａ）付加図形付きフォトマスク作製用のフ
ォトマスクパタンデータを用いて、所定の検出感度で、
作製された付加図形付きのフォトマスクを検査して、欠
陥部を検出し、各欠陥の位置座標を得る欠陥検査ステッ
プと、（ｂ）検出された各欠陥が付加図形存在領域にあ
るか否かを弁別するための弁別用データを、フォトマス
クイメージとして配置して用意する弁別用データ準備ス
テップと、（ｃ）弁別用データ準備ステップにて用意さ
れた弁別用データと、欠陥検査ステップにて検出された
各欠陥の位置座標とを、個々付き合せ、各欠陥が付加図
形存在領域にあるか否かを弁別する欠陥存在領域弁別ス
テップと、（ｄ）弁別された欠陥を、それぞれのスペッ
クにて判定する判定ステップとを、備えていることを特
徴とする付加図形付きフォトマスクの欠陥検査方法。 - 【請求項２】 請求項１における弁別用データ準備ステ
ップは、付加図形存在領域を弁別用領域として規定する
付加図形領域データあるいは付加図形存在禁止領域を弁
別用領域として規定する付加図形禁止領域データを、弁
別用データとして、フォトマスクイメージとして配置し
て用意するものであることを特徴とする付加図形付きフ
ォトマスクの欠陥検査方法。 - 【請求項３】 請求項１における弁別用データ準備ステ
ップは、フォトマスクイメージで付加図形のみを配設し
た付加図形データを、弁別用データとして、用意するも
のであることを特徴とする付加図形付きフォトマスクの
欠陥検査方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001318502A JP2003121983A (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 付加図形付きフォトマスクの欠陥検査方法 |
| TW091123585A TW539916B (en) | 2001-10-16 | 2002-10-14 | Photomask inspecting method |
| US10/270,246 US6846597B2 (en) | 2001-10-16 | 2002-10-15 | Photomask inspecting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001318502A JP2003121983A (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 付加図形付きフォトマスクの欠陥検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003121983A true JP2003121983A (ja) | 2003-04-23 |
Family
ID=19136195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001318502A Pending JP2003121983A (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 付加図形付きフォトマスクの欠陥検査方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6846597B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003121983A (ja) |
| TW (1) | TW539916B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7114144B2 (en) | 2002-11-26 | 2006-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mask pattern inspecting method, inspection apparatus, inspecting data used therein and inspecting data generating method |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7014955B2 (en) * | 2001-08-28 | 2006-03-21 | Synopsys, Inc. | System and method for indentifying dummy features on a mask layer |
| JP3993545B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2007-10-17 | 株式会社東芝 | パターンの作製方法、半導体装置の製造方法、パターンの作製システム、セルライブラリ、フォトマスクの製造方法 |
| JP2006039059A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Toshiba Corp | フォトマスクデータの作成方法およびフォトマスクの製造方法 |
| US8219940B2 (en) * | 2005-07-06 | 2012-07-10 | Semiconductor Insights Inc. | Method and apparatus for removing dummy features from a data structure |
| JP4993934B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-08-08 | Ｈｏｙａ株式会社 | パターン欠陥検査方法、フォトマスクの製造方法、及び表示デバイス用基板の製造方法 |
| US20080002874A1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Peter Fiekowsky | Distinguishing reference image errors in optical inspections |
| US8038897B2 (en) * | 2007-02-06 | 2011-10-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for wafer inspection |
| US8335369B2 (en) * | 2007-02-28 | 2012-12-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask defect analysis |
| DE112009001219B4 (de) * | 2008-05-22 | 2018-05-30 | Toppan Printing Co., Ltd. | Überprüfungsverfahren von Regeln von nicht-zu-untersuchenden Bereichen (DNIR), Computerprogramm und Vorrichtung für eine derartige Überprüfung |
| JP2009294027A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Toshiba Corp | パターン検査装置及び方法 |
| JP2010060904A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | フォトマスクの検査方法、半導体デバイスの検査方法及びパターン検査装置 |
| FR3053126B1 (fr) * | 2016-06-27 | 2019-07-26 | Saint-Gobain Glass France | Procede et dispositif de localisation de l'origine d'un defaut affectant un empilement de couches minces deposees sur un substrat |
| US20220283496A1 (en) * | 2021-03-03 | 2022-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Photomask and method for inspecting photomask |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849440A (en) * | 1996-07-02 | 1998-12-15 | Motorola, Inc. | Process for producing and inspecting a lithographic reticle and fabricating semiconductor devices using same |
| JP2002162729A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Toshiba Corp | パターン検査方法、パターン検査装置およびマスクの製造方法 |
-
2001
- 2001-10-16 JP JP2001318502A patent/JP2003121983A/ja active Pending
-
2002
- 2002-10-14 TW TW091123585A patent/TW539916B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-15 US US10/270,246 patent/US6846597B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7114144B2 (en) | 2002-11-26 | 2006-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mask pattern inspecting method, inspection apparatus, inspecting data used therein and inspecting data generating method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030073010A1 (en) | 2003-04-17 |
| US6846597B2 (en) | 2005-01-25 |
| TW539916B (en) | 2003-07-01 |
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