JP3297780B2

JP3297780B2 - 露光装置へのレチクル装着方法

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Publication number: JP3297780B2
Application number: JP17754494A
Authority: JP
Inventors: 洋一塘
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-07-06
Filing date: 1994-07-06
Publication date: 2002-07-02
Anticipated expiration: 2017-07-02
Also published as: JPH0822950A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、露光装置へのレチクル
装着方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造におけるパターン転写
工程、所謂リソグラフィ工程で使用されるフォトマスク
は、フォトマスク上のパターン形状をウエハ上に形成さ
れたレジスト材料に転写するために用いられる。半導体
装置等におけるパターン加工の寸法は年々微細化してい
る。そして、遮光領域と光透過領域とから構成された従
来型のフォトマスクでは、フォトリソグラフィ工程で使
用する露光装置の露光光の波長程度の解像度を得ること
ができず、半導体装置等の製造において要求される解像
度を得ることが困難になりつつある。そこで、近年、こ
のような従来型のフォトマスクに替わって、光の位相を
異ならせる位相シフト領域を具備した、所謂位相シフト
マスク、あるいはハーフトーン方式位相シフトマスクが
用いられるようになってきている。位相シフトマスクや
ハーフトーン方式位相シフトマスクを用いることによっ
て、従来型のフォトマスクでは形成不可能な微細パター
ンの形成が可能とされている。

【０００３】従来の位相シフトマスクは、光透過領域、
光を遮光する遮光領域、及び光透過領域を通過する光の
位相と異なる位相の光を透過させる光透過物質から成る
位相シフト領域から構成されている。典型的な従来のエ
ッジ強調型位相シフトマスクの模式的な一部切断図を図
３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す。図中、１６０は
基板、１６２は光透過領域、１６６は遮光領域、１６８
は位相シフト領域、１７２は光透過物質層、１７４は遮
光層である。光透過物質層１７２を設けることによっ
て、光透過領域１６２を通過した光の位相と、位相シフ
ト領域１６８を通過した光の位相を、例えば１８０度相
違させることができる。遮光領域１６６の光強度透過率
はほぼ０％である。

【０００４】従来の位相シフトマスクにおいては、位相
シフト領域の形状あるいは位置を精確に制御しないと微
細なパターンの形成ができない。また、パターン形状に
よっては、位相シフト領域が、本来光の干渉を受けては
ならない他の光透過領域にまで光の干渉を生じさせる場
合がある。このような場合には、位相シフト領域を形成
することができない。

【０００５】このような従来の位相シフトマスクの問題
点を解決するための位相シフトマスクの一種に、半遮光
領域と光透過領域とから構成され、半遮光領域を通過し
た光の位相と光透過領域を通過した光の位相とが異なる
ハーフトーン方式位相シフトマスクがある。ハーフトー
ン方式位相シフトマスクにおいては、光透過領域を除く
全面に半遮光領域が形成されている。ハーフトーン方式
位相シフトマスクは、上述の従来の位相シフトマスクの
問題点を解決できる。しかも、位相シフトマスクにおい
て要求される光透過物質層の形成及び遮光領域の形成と
いった２回の形成工程の代わりに、半遮光領域の形成と
いう１回の形成工程で済むために、ハーフトーン方式位
相シフトマスクの作製は容易であり、しかも、マスク作
製時に欠陥が生成される度合も低いという利点を有す
る。

【０００６】ハーフトーン方式位相シフトマスクの模式
的な一部切断図を図４の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。図
中、参照番号６０は基板、６２は光透過領域、６４は半
遮光領域である。半遮光領域６４は、半遮光層７０及び
位相シフト層７２から構成されている。位相シフト層７
２は、光透過領域６２を通過した光の位相と半遮光領域
６４を通過した光の位相を異ならせるための光透過物質
から成る。あるいは又、図４の（Ｃ）に示したハーフト
ーン方式位相シフトマスクは、所謂基板掘り込み型であ
る。基板６０に凹部６２Ａを形成することによって、光
透過領域６２を通過した光の位相と半遮光領域６４を通
過した光の位相を異ならせることができる。

【０００７】ハーフトーン方式位相シフトマスクにおい
ては、半遮光領域６４の振幅透過率は、０より大きく且
つレジスト材料を解像させない程度、例えば２０〜４５
％程度である。尚、光強度透過率で表現すると、４〜２
０％程度である。通常、半遮光領域６４の光強度透過率
は、マスク全面において、一様な値に設定されている。
そして、ハーフトーン方式位相シフトマスクに設けられ
たパターン形状をウエハ上に形成されたレジスト材料に
転写するために、所定の光強度透過率及び位相を有する
半遮光領域６４を通過した光と、位相が１８０度半遮光
領域とは異なる光透過領域６２を通過した光の干渉を利
用する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このようにハーフトー
ン方式位相シフトマスクは多数の利点を有するマスクで
あるが、解決しなければならない問題点もある。ハーフ
トーン方式位相シフトマスクの半遮光領域の光強度透過
率は、光透過領域と遮光領域から構成されている従来型
のフォトマスクや、図３に示した位相シフトマスクにお
ける遮光領域の光強度透過率よりも高い。

【０００９】通常、露光装置にレチクル（マスク）を装
着する場合、先ずレチクルアライメントを行う。このレ
チクルアライメントは、レチクルを露光装置の所定の位
置に装着する操作である。即ち、図５の（Ａ）に模式的
に示すように、露光装置に備えられたレチクルアライメ
ントマーク検出系によって、レチクルに設けられたレチ
クルアライメントマークの位置を検出し、その結果を基
にレチクルを移動させて、レチクルを露光装置の所定の
位置に装着する。従来型のフォトマスクや位相シフトマ
スクにおいては、レチクルアライメントマーク検出系に
対してレチクルを移動させることによって、図５の
（Ｂ）に示すように、レチクルアライメントマークの位
置検出結果である光強度パターン（光透過率パターン）
を得ることができる。通常、光透過率閾値Ｔ_thを予め決
定しておき、かかる光透過率閾値Ｔ_thと一致する光強度
が得られる２つのレチクル座標の中点を求める。そし
て、かかるレチクルの中点の座標が所定の座標と一致す
るようにレチクルを移動させる。これによって、レチク
ルを露光装置の所定の位置に装着することができる。通
常、この光透過率閾値は固定値（例えば、最大光強度透
過Ｔ_maxの３０％）である。

【００１０】ハーフトーン方式位相シフトマスクにおい
ては、レチクルアライメントマークも半遮光領域６４と
同等の光強度透過率を有する。従って、露光装置にハー
フトーン方式位相シフトマスクを装着する場合、最初に
行うレチクルアライメントの際に、図６の（Ａ）に示す
ようなレチクルアライメントマークの光強度パターン
（光透過率パターン）しか得ることができない。このよ
うな光強度パターンにあっては、ノイズの影響を受けた
場合、光透過率閾値Ｔ_thと一致する光強度が得られる２
つのレチクル座標の中点を正確に求めることが困難とな
る。その結果、レチクルを露光装置の所定の位置に正確
に装着することができなくなるといった問題が生じる。

【００１１】ハーフトーン方式位相シフトマスクにおけ
る半遮光領域の光強度透過率は、ハーフトーン方式位相
シフトマスクの設計仕様に応じて変化する。それ故、場
合によっては、図６の（Ｂ）に示すようなレチクルアラ
イメントマークの光強度パターン（光透過率パターン）
しか得ることができない。このような場合には、光透過
率閾値Ｔ_thと一致する光強度が得られる２つのレチクル
座標を求めることができず、レチクルを露光装置の所定
の位置に装着することができない。

【００１２】更には、従来型のフォトマスク、位相シフ
トマスクあるいはハーフトーン方式位相シフトマスクを
用いる場合において、レチクルアライメントマーク検出
系の光源の経時変化によって、レチクルアライメントマ
ークの光強度パターン（光透過率パターン）の最大光透
過率Ｔ_maxに変化が生じる場合もある。このような場合
には、光透過率閾値Ｔ_thの値を換える必要があるが、現
状の露光装置においてはこのような対処はなされていな
い。

【００１３】従って、本発明の目的は、ハーフトーン方
式位相シフトマスクを含む各種レチクルを、遮光領域や
半遮光領域の光強度透過率に依存することなく、露光装
置の所定の位置に正確に且つ容易に装着することを可能
にする、露光装置へのレチクル装着方法を提供すること
にある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の第１の態様に係る露光装置へのレチクル装
着方法は、レチクルアライメントマーク検出系及び光透
過率測定系を備えた露光装置の所定の位置に、光透過領
域と遮光領域から成る光透過率測定領域及びレチクルア
ライメントマークを備えたレチクルを装着する方法であ
って、レチクルを露光装置に仮に装着した後、光透過率
測定系によって光透過率測定領域の光透過領域及び遮光
領域のそれぞれの光透過率を測定し、これらの測定され
た光透過率に基づき光透過率閾値を求め、この光透過率
閾値に基づきレチクルアライメントマーク検出系によっ
てレチクルアライメントマークの位置を検出して、レチ
クルを露光装置の所定の位置に装着することを特徴とす
る。

【００１５】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る露光装置へのレチクル装着方法は、レチク
ルアライメントマーク検出系及び光透過率測定系を備え
た露光装置の所定の位置に、遮光領域から成る光透過率
測定領域及びレチクルアライメントマークを備えたレチ
クルを装着する方法であって、レチクルを露光装置に仮
に装着した後、光透過率測定系によって光透過率測定領
域の遮光領域の光透過率を測定し、この測定された光透
過率に基づき光透過率閾値を求め、この光透過率閾値に
基づきレチクルアライメントマーク検出系によってレチ
クルアライメントマークの位置を検出して、レチクルを
露光装置の所定の位置に装着することを特徴とする。

【００１６】本発明の第１及び第２の態様に係る露光装
置へのレチクル装着方法においては、レチクルアライメ
ントマーク検出系が光透過率測定系を兼ねていてもよ
い。場合によっては、光透過率測定領域とレチクルアラ
イメントマークを兼ねてもよい。

【００１７】光透過率測定領域を構成する遮光領域は、
レチクルの構造及び仕様に依存し、遮光領域とすること
も、あるいは又、半遮光領域とすることもできる。即
ち、光透過率測定領域を構成する遮光領域の光強度透過
率は０〜２０％程度である。

【００１８】上記の目的を達成するための本発明の第３
の態様に係る露光装置へのレチクル装着方法は、レチク
ルアライメントマーク検出系及びバーコード検出系を備
えた露光装置の所定の位置に、レチクルアライメントマ
ーク及びバーコードを備えたレチクルを装着する方法で
あって、レチクルを露光装置に仮に装着した後、バーコ
ード検出系によってバーコードを読み取り、その結果に
基づき光透過率閾値を求め、この光透過率閾値に基づき
レチクルアライメントマーク検出系によってレチクルア
ライメントマークの位置を検出して、レチクルを露光装
置の所定の位置に装着することを特徴とする。

【００１９】ウエハ上に形成されたレジスト材料に対し
て露光光により転写パターン形状等を形成するとき、縮
小投影に使用されるものをレチクル、一対一投影に使用
されるものをマスクと称したり、あるいは原盤に相当す
るものをレチクル、それを複製したものをマスクと称し
たりすることがあるが、本明細書においては、このよう
な種々の意味におけるレチクルやマスクを総称してレチ
クルと呼ぶ。

【００２０】

【作用】本発明の第１の態様に係る露光装置へのレチク
ル装着方法においては、光透過率測定領域の光透過領域
及び遮光領域のそれぞれの光透過率の測定結果から光透
過率閾値を求める。また、本発明の第２の態様に係る露
光装置へのレチクル装着方法においては、光透過率測定
領域の遮光領域の光透過率の測定結果から光透過率閾値
を求める。更に、発明の第３の態様に係る露光装置への
レチクル装着方法においては、バーコードの読み取り結
果に基づき光透過率閾値を求める。従って、レチクルが
変わっても、またハーフトーン方式位相シフトマスクを
使用する場合においても、常に最適な光透過率閾値に基
づきレチクルアライメントマークの位置を検出すること
ができ、正確に且つ容易にレチクルを露光装置の所定の
位置に装着することが可能になる。

【００２１】

【実施例】以下、図面を参照して、実施例に基づき本発
明を説明する。

【００２２】（実施例１）実施例１の露光装置へのレチ
クル装着方法は、本発明の第１の態様に関する。即ち、
レチクルアライメントマーク検出系及び光透過率測定系
を備えた露光装置の所定の位置に、光透過領域と遮光領
域から成る光透過率測定領域及びレチクルアライメント
マークを備えたレチクルを装着する方法に関する。レチ
クルの模式的な平面図を図１の（Ａ）に示す。図中、参
照番号１０はレチクル、２０は光透過率測定領域、３０
はレチクルアライメントマークである。光透過率測定領
域２０は、光透過領域２１と遮光領域２２から成る。参
照番号４０は、ウエハ上に形成されたレジスト材料に対
して露光光により形成すべきパターンが形成された領域
である。尚、参照番号５０は、バーコードが形成された
領域である。

【００２３】例えば異物検出工程を経たレチクルを、搬
送装置を用いて露光装置に搬入する。そして、レチクル
を露光装置のレチクル載置ステージに仮に装着する。そ
の後、光透過率測定系によって光透過率測定領域２０の
光透過領域２１及び遮光領域２２のそれぞれにおける光
透過率を測定する。光透過率測定系は、図１の（Ｂ）に
模式的に図示するように、光源と受光素子から成る。光
透過率測定系をレチクルアライメントマーク検出系と兼
用することができるし、独立して設けてもよい。光透過
率測定系の光源は、例えばＨｅ−Ｎｅレーザから構成す
る。

【００２４】光透過領域２１及び遮光領域２２を通過し
た光は受光素子で受光され、受光素子から光強度に依存
した信号が出力される。光透過領域２１を通過した光に
よる受光素子からの信号をＳ_Hとする。一方、遮光領域
２２を通過した光による受光素子からの信号強度をＳ_L
とする。尚、これらの信号は、光源の下で光透過率測定
領域２０を移動させる（即ち、レチクル載置ステージを
移動させる）ことによって得ることができる。

【００２５】受光素子から出力された信号Ｓ_H及びＳ
_Lは、演算装置に送られる。そして、演算装置におい
て、これらの測定された信号強度（光透過率に相当す
る）から光強度透過率Ｔ_H及びＴ_Lを求め、その結果に基
づき光透過率閾値Ｔ_thを求める。透過領域２１及び遮光
領域２２の光強度透過率Ｔ_H及びＴ_Lにばらつきがある場
合、光透過領域２１の光強度透過率の最大値をＴ_Hと
し、遮光領域２２の光強度透過率の最小値をＴ_Lとす
る。尚、光透過領域２１の光強度透過率の平均値をＴ_H
とし、遮光領域２２の光強度透過率の平均値をＴ_Lとす
ることもできる。Ｔ_th＝ｋ（Ｔ_H−Ｔ_L）＋Ｔ_L ここで、ｋは予め設定された任意の定数であり、例えば
０．３である。このようにして求められた光透過率測定
領域２０における光強度パターン（光透過率パターン）
を、図２に模式的に示す。

【００２６】次に、この光透過率閾値に基づきレチクル
アライメントマーク検出系によってレチクルアライメン
トマーク３０の位置を検出する。レチクルアライメント
マーク検出系も、例えばＨｅ−Ｎｅレーザから成る光源
と受光素子から成る。レチクルアライメントマーク３０
は、例えば平面形状が十字形のマークであり、光透過率
測定領域２０の遮光領域２２と同様の断面構造を有す
る。レチクルアライメントマーク３０の位置検出は、レ
チクルアライメントマーク検出系に対してレチクル載置
ステージを移動させることによって行うことができる。
こうして得られたレチクルアライメントマークの位置検
出結果である光強度パターン（光透過率パターン）に基
づき、図５の（Ｂ）を参照して説明したと同様に、先に
求めた光透過率閾値Ｔ_thと一致する光強度が得られる２
つのレチクル座標の中点を求める。そして、このレチク
ルの中点の座標が所定の座標と一致するようにレチクル
載置ステージを移動させる。これによって、レチクルを
露光装置の所定の位置に装着することができる。

【００２７】実施例１の露光装置へのレチクル装着方法
においては、レチクルアライメント操作で、光透過率閾
値Ｔ_th｛＝ｋ（Ｔ_H−Ｔ_L）＋Ｔ_L｝を求める。従って、
レチクルの種類や、場合によっては半遮光領域の光強度
透過率の仕様が変わり、Ｔ_Lの値が変化したときでも、
常に適切な光透過率閾値Ｔ_thに基づきレチクルアライメ
ントマーク３０の位置検出を行うことができる。また、
光透過率測定系をレチクルアライメントマーク検出系と
兼用すれば、光源の経時変化によってＴ_Hの値が変化し
たときでも、常に適切な光透過率閾値Ｔ_thに基づきレチ
クルアライメントマーク３０の位置検出を行うことがで
きる。

【００２８】（実施例２）実施例２の露光装置へのレチ
クル装着方法は、本発明の第２の態様に関する。実施例
１と異なり、光透過率測定領域は遮光領域のみから成
る。即ち、実施例２の露光装置へのレチクル装着方法
は、レチクルアライメントマーク検出系及び光透過率測
定系を備えた露光装置の所定の位置に、遮光領域から成
る光透過率測定領域及びレチクルアライメントマークを
備えたレチクルを装着する方法に関する。実施例２にお
けるレチクルは、光透過領域２１を備えていない点を除
き、実質的には実施例１にて説明したレチクルと同様の
構造を有する。

【００２９】実施例１においては、光透過率閾値Ｔ_thと
して、Ｔ_th＝ｋ（Ｔ_H−Ｔ_L）＋Ｔ_L を求めた。これに対して、実施例２の露光装置へのレチ
クル装着方法においては、Ｔ_Hを、１あるいは、試験に
よって求めた１以下の値Ｔ₀を用い、Ｔ_th＝ｋ（１−Ｔ_L）＋Ｔ_L 又は、Ｔ_th＝ｋ（Ｔ₀−Ｔ_L）＋Ｔ_L から光透過率閾値Ｔ_thを求める。遮光領域２２の光強度
透過率Ｔ_Lにばらつきがある場合、遮光領域２２の光強
度透過率の最小値をＴ_Lとする。尚、遮光領域２２の光
強度透過率の平均値をＴ_Lとすることもできる。

【００３０】この点を除き、実施例２の露光装置へのレ
チクル装着方法は、実施例１と同様とすることができる
ので、詳細な説明は省略する。実施例２の露光装置への
レチクル装着方法においても、各レチクルのレチクルア
ライメント操作で、光透過率閾値Ｔ_thを求める。従っ
て、レチクルの種類や、場合によっては半遮光領域の光
強度透過率の仕様が変わり、Ｔ_Lの値が変化したときで
も、常に適切な光透過率閾値に基づきレチクルアライメ
ントマーク３０の位置検出を行うことができる。

【００３１】（実施例３）実施例３の露光装置へのレチ
クル装着方法は、本発明の第３の態様に関する。実施例
３は、レチクルアライメントマーク検出系及びバーコー
ド検出系を備えた露光装置の所定の位置に、レチクルア
ライメントマーク及びバーコードを備えたレチクルを装
着する方法に関する。

【００３２】通常、レチクルの外周部にはバーコードが
設けられている。このバーコードをバーコード検出系に
よって読み取り、データベースと照合する。そして、デ
ータベースに蓄積されたかかるレチクルの露光条件等が
露光装置に指示され、それに従って露光が行われる。デ
ータベースは、例えば、露光光の照射量やフォーカスに
関するデータから成る露光条件データファイル、露光時
のショット選択法やアライメントマークの選択法、アラ
イメントマークの位置座標等のデータから成るアライメ
ントデータファイル、１ショット毎のピッチやショット
レイアウトが規定されたショットマップデータファイ
ル、レチクルに関する各種情報を含むレチクルライブラ
リファイルから構成されている。

【００３３】例えば、レチクルライブラリファイル中
に、各レチクルの最適光透過率閾値Ｔ_thをデータとして
記憶させておく。そして、レチクルを露光装置に仮に装
着した後、バーコード検出系によってバーコードを読み
取る。そして、読み取り結果に基づき、バーコートに対
応したレチクルライブラリファイル中の当該レチクルの
最適光透過率閾値（Ｔ_th）を検索する。そして、得られ
た光透過率閾値Ｔ_thに基づき、実施例１と同様の方法で
レチクルアライメントマーク検出系によってレチクルア
ライメントマークの位置を検出して、レチクルを露光装
置の所定の位置に装着する。

【００３４】バーコード検出系は、通常光の光源やレー
ザ光源、及び受光素子から構成すればよい。

【００３５】実施例３の露光装置へのレチクル装着方法
においては、予め各種のレチクルに対して最適な光透過
率閾値Ｔ_thをデータベース内に記憶しておくので、レチ
クルの種類や、場合によっては半遮光領域の光強度透過
率の仕様が変ったときでも、常に適切な光透過率閾値に
基づきレチクルアライメントマーク３０の位置検出を行
うことができる。

【００３６】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。実施例にて説明した数値やレチクルの構造や光
透過率測定領域の配置等は例示であり、適宜変更するこ
とができる。光透過率閾値（Ｔ_th）を求める式も適宜変
形することができる。本発明は、例えば従来型のフォト
マスクや位相シフトマスクあるいはハーフトーン方式位
相シフトマスク等の各種レチクルを露光装置へ装着する
場合に適用することができる。

【００３７】

【発明の効果】本発明においては、レチクルが変わって
も、またハーフトーン方式位相シフトマスクを使用する
場合においても、常に最適な光透過率閾値に基づきレチ
クルアライメントマークの位置を検出することができ、
正確に且つ容易にレチクルを露光装置の所定の位置に装
着することが可能になる。また、本発明の態様によって
は、アライメントマーク検出系の光源が経時変化して
も、確実にアライメントマークの位置を正確に検出する
ことができる。これにより、より微細なパターンをウエ
ハ上のレジストに形成することができ、しかも、パター
ンの重ね合わせ精度の向上を図ることができ、高集積度
の半導体装置をフォトリソグラフィ技術によって作製す
ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】レチクルの模式的な平面図及び光透過率測定系
の模式図である。

【図２】実施例１の光透過率測定領域における光強度パ
ターンを示す模式図である。

【図３】典型的な従来のエッジ強調型位相シフトマスク
の模式的な一部切断図である。

【図４】ハーフトーン方式位相シフトマスクの模式的な
一部切断図である。

【図５】従来型あるいは位相シフトマスクのレチクルア
ライメント操作を説明するための図、及び得られたレチ
クルアライメントマークの光強度パターンを模式的に表
わす図である。

【図６】ハーフトーン方式位相シフトマスクのレチクル
アライメント操作時において得られたレチクルアライメ
ントマークの光強度パターンを模式的に表わす図であ
る。

【符号の説明】

１０レチクル２０光透過率測定領域２１光透過領域２２遮光領域３０レチクルアライメントマーク５０バーコードが形成された領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＧ０３Ｆ 9/00 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５Ｆ５１４Ｃ (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/00 - 1/16

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】レチクルアライメントマーク検出系及び光
透過率測定系を備えた露光装置の所定の位置に、光透過
領域と遮光領域から成る光透過率測定領域及びレチクル
アライメントマークを備えたレチクルを装着する方法で
あって、レチクルを露光装置に仮に装着した後、光透過率測定系
によって光透過率測定領域の光透過領域及び遮光領域の
それぞれの光透過率を測定し、これらの測定された光透
過率に基づき光透過率閾値を求め、この光透過率閾値に
基づきレチクルアライメントマーク検出系によってレチ
クルアライメントマークの位置を検出して、レチクルを
露光装置の所定の位置に装着することを特徴とする露光
装置へのレチクル装着方法。
【請求項２】レチクルアライメントマーク検出系及び光
透過率測定系を備えた露光装置の所定の位置に、遮光領
域から成る光透過率測定領域及びレチクルアライメント
マークを備えたレチクルを装着する方法であって、レチクルを露光装置に仮に装着した後、光透過率測定系
によって光透過率測定領域の遮光領域の光透過率を測定
し、この測定された光透過率に基づき光透過率閾値を求
め、この光透過率閾値に基づきレチクルアライメントマ
ーク検出系によってレチクルアライメントマークの位置
を検出して、レチクルを露光装置の所定の位置に装着す
ることを特徴とする露光装置へのレチクル装着方法。
【請求項３】レチクルアライメントマーク検出系及びバ
ーコード検出系を備えた露光装置の所定の位置に、レチ
クルアライメントマーク及びバーコードを備えたレチク
ルを装着する方法であって、レチクルを露光装置に仮に装着した後、バーコード検出
系によってバーコードを読み取り、その結果に基づき光
透過率閾値を求め、この光透過率閾値に基づきレチクル
アライメントマーク検出系によってレチクルアライメン
トマークの位置を検出して、レチクルを露光装置の所定
の位置に装着することを特徴とする露光装置へのレチク
ル装着方法。