DE102017203841A1

DE102017203841A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln einer Reparaturform zum Bearbeiten eines Defekts einer photolithographischen Maske

Info

Publication number: DE102017203841A1
Application number: DE102017203841.1A
Authority: DE
Inventors: Jens Oster; Markus Waiblinger
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2017-03-08
Filing date: 2017-03-08
Publication date: 2018-09-13
Also published as: WO2018162281A1; KR102327126B1; TWI731227B; US20190391482A1; CN110418999A; KR20190119656A; TW201842401A; CN110418999B; US11079674B2

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ermitteln einer Reparaturform (195) zum Bearbeiten zumindest eines Defekts (140) einer photolithographischen Maske (100), das die folgenden Schritte aufweist: (a) Bestimmen von zumindest einem Korrekturwert (185) für die Reparaturform (195) des zumindest einen Defekts (140), wobei der Korrekturwert (185) eine Position (175) von zumindest einem Pattern-Element (130) der photolithographischen Maske (100) berücksichtigt, welches den zumindest einen Defekt (140) nicht kontaktiert; und (b) Korrigieren der Reparaturform (195) durch Anwenden des zumindest einen Korrekturwertes (185).

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ermitteln einer Reparaturform zum Bearbeiten eines Defekts einer photolithographischen Maske.
Stand der Technik
Als Folge der wachsenden Integrationsdichte in der Halbleiterindustrie müssen photolithographische Masken zunehmend kleinere Strukturen abbilden. Daher wird die Herstellung von Photomasken immer aufwändiger und damit auch kostspieliger. Die kleiner werdenden Strukturgrößen der Photomasken führen zum Auftreten von neuen, zusätzlichen Fehlern oder Defekten auf den Photomasken. Der wachsende Aufwand bei der Erstellung von Photomasken mit immer kleineren Strukturen und der damit einhergehende Kostendruck erzwingen das Reparieren von Defekten, die bei der Maskenherstellung oder während des Einsatzes der Masken entstehen, um deren teure, komplette Neuherstellung zu vermeiden.
Bevor Defekte auf Photomasken repariert werden können, müssen diese lokalisiert werden. Dies geschieht durch optische Inspektion, wobei vorzugsweise Photonen kurzer Wellenlänge eingesetzt werden. In einem zweiten Schritt werden die lokalisierten Defekte durch Abtasten mit einem Teilchenstrahl (Ionen oder Elektronen) aus einem FIB-Rastermikroskop (Focused Ion Beam) oder einem Rasterelektronenmikroskop (SEM, Scanning Electron Microscope) analysiert. Beim Verwenden eines Elektronenstrahls werden die von den Elektronen von der zu untersuchenden Oberfläche der Photomaske ausgelösten Rückstreu- und Sekundärelektronen verwendet, um ein Bild der Oberfläche der Photomaske zu erzeugen. Beim Einsatz eines fokussierten Ionenstrahls bilden neben den Sekundärelektronen die von den Ionen aus der Substratoberfläche freigesetzten, sekundären Ionen, die im Hinblick auf ihre Masse analysiert werden (SIMS, Secondary Ion Mass Spectroscopy), die Zusammensetzung der bestrahlten Oberfläche ab.
Die US-Patentschrift mit der Nr. US 8 316 698 B2 beschreibt Schwierigkeiten, die beim Analysieren eines Defekts auftreten können, der an ein Pattern-Element der Photomaske grenzt. Die Defektanalyse liefert eine Reparaturform für einen aufgefundenen Defekt. Die Reparaturform definiert die Projektion eines identifizierten Defekts auf die Oberfläche des Substrats einer Photomaske. Dabei wird die Projektion senkrecht zur Oberfläche des Substrats der photolithographischen Maske ausgeführt.
Identifizierte Defekte photolithographischer Masken werden vorzugsweise durch Teilchenstrahl-induzierte Prozesse korrigiert. Defekte, die dadurch entstehen, dass Material an Stellen auf dem Substrat der Maske vorhanden ist, die transparent sein sollten (sogenannte opaque defects), werden typischerweise mit Hilfe eines Teilchenstrahl-induzierten Ätzprozesses korrigiert. Defekte, die Stellen bezeichnen, an deren absorbierendes Pattern-Material fehlt (sogenannte clear defects) werden vorzugsweise mittels eines Teilchenstrahl-induzierten Abscheideprozesses korrigiert. Diese Teilchenstrahl-induzierten Ätz- bzw. Abscheideprozesse sind stark lokalisierte Prozesse. Idealerweise sind diese lokalisierten Bearbeitungsprozesse auf den Durchmesser des Teilchenstrahls auf dem Defekt bzw. der Reparaturform beschränkt. Ein Teilchenstrahl kann jedoch nicht auf einen punktförmigen Durchmesser im mathematischen Sinne fokussiert werden. Zudem sind - aufgrund der Bewegung der Moleküle des Ätz- bzw. des Abscheidegases - die Teilchenstrahl-induzierten Prozesse nicht auf den Fokus des Teilchenstrahls beschränkt.
Eine Reparatur bzw. eine Korrektur der Defekte photolithographischer Masken, die ausschließlich auf der Basis der Reparaturform erfolgt, kann somit neben der gewünschten Defektkorrektur auch zu einer Beschädigung des den Defekt umgebenden Substrats der Photomaske führen. Darüber hinaus kann die Reparatur eines Defekts, der an ein Pattern-Element grenzt, dieses Pattern-Element in Mitleidenschaft ziehen.
Diese Problematik wurde bereits erkannt. So beschreibt die Publikation „ebeam Initiative, 20 April 2015 in Yokohama - Japan“ der Anmelderin (www.ebeam.org/docs/ebeam_initiative_zeiss.pfd), dass ein Elektronenstrahl niedriger Energie geeignet ist, um kleine, isoliert auf dem Substrat einer Photomaske liegende Defekte im Wesentlichen auf der Grundlage der Reparaturform zu reparieren, ohne die Reparaturform zu korrigieren, wobei der Bereich, in dem das Substrat der Maske durch den Elektronenstrahl-induzierten Ätzprozess beschädigt wird, klein ist.
Der Autor L.R. Harriot beschreibt in Kapitel 4: „Ion beam techniques“ des Buches „Beam Processing Technologies“, herausgegeben von N.G. Einspruch, S.S. Cohen und R.N. Singh der Reihe VLSI Electronics Microstructure Science, Vol. 21, Academic Press, das Scannen eines Ionenstrahls über den Defekt zu dessen Beseitigung, wobei der Ionenstrahl einen Strahldurchmesser vom Rand des Defekts entfernt bleibt.
Die US-Patentschrift mit der Nr. US 6 591 154 B2 erläutert ein Verfahren, um bei der Korrektur von Defekten auf Wafern oder Masken einen Abstand vom Rand des Defekts einzuhalten. Dazu zeichnet der Bediener einer Reparaturvorrichtung ein Polygon um den zu korrigierenden Defekt. Über die Linienstärke des Polygons wird der Abstand eines Ionenstrahls oder eines Laserstrahls vom Rand des Defekts eingestellt und damit die Reparaturform (repair shape) des Defekts angepasst oder korrigiert (englisch: biased).
In den zitierten Druckschriften wird ein Korrekturwert oder Anpassungswert (englisch: bias) verwendet, um die gesamte Reparaturform eines Defekts oder zumindest einen Teil der Reparaturform, der an das Substrat der Maske oder ein Pattern-Elements grenzt, an den nachfolgenden Korrekturprozess anzupassen. Aufgrund der kleiner werdenden Strukturen oder Pattern-Elementen von Photomasken reicht dieser Ansatz zum Anpassen der Reparaturform für zukünftige Masken nicht länger aus.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher das Problem zu Grunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ermitteln einer Reparaturform für einen Defekt einer photolithographischen Maske anzugeben, die die oben genannten Nachteile beim Ermitteln der Reparaturform zumindest zum Teil vermeiden.
Zusammenfassung der Erfindung
Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird dieses Problem durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst. In einer Ausführungsform weist das Verfahren zum Ermitteln einer Reparaturform zum Bearbeiten zumindest eines Defekts einer photolithographischen Maske die folgenden Schritte auf: (a) Bestimmen von zumindest einem Korrekturwert für die Reparaturform des zumindest einen Defekts, wobei der Korrekturwert eine Position von zumindest einem Pattern-Element der photolithographischen Maske berücksichtigt, welches den zumindest einen Defekt nicht kontaktiert; und (b) Korrigieren der Reparaturform durch Anwenden des zumindest einen Korrekturwerts.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren berücksichtigt somit nicht nur das bzw. die Pattern-Elemente einer Photomaske, die an einen Defekt angrenzen, sondern auch Pattern-Elemente, die in der Nähe des Defekts lokalisiert sind. Das erfindungsgemäße Verfahren verursacht keinen zusätzlichen apparativen Aufwand, da eine Teilchenstrahlapparatur zur Lokalisierung und zur Bearbeitung des Defekts ohnehin benötigt wird. Der Ausdruck „in der Nähe des Defekts“ bezieht sich auf einen Abstand des Pattern-Elements von dem Defekt, der nur so gering ist, dass das Pattern-Element bei einem Bearbeitungsprozess des Defekts zumindest zu Teilen in der Bearbeitungszone des Defekts liegt und dadurch durch den Bearbeitungsprozess verändert werden kann. Der Ausdruck in der Nähe des Defekts hängt somit von den apparativen Fähigkeiten der betrachteten Defektbearbeitungsapparatur ab.
Nach einem weiteren Ausführungsbeispiel wird das im vorhergehenden Abschnitt angegebene Problem durch ein Verfahren nach Anspruch 2 gelöst. In einer Ausführungsform weist das Verfahren zum Ermitteln einer Reparaturform zum Bearbeiten zumindest eines Defekts einer photolithographischen Maske die folgenden Schritte auf: (a) Bestimmen von zumindest einem Korrekturwert für die Reparaturform des zumindest einen Defekts, wobei der Korrekturwert eine laterale Ausdehnung des zumindest einen Defekts auf einer Oberfläche eines Substrats der photolithographsichen Maske berücksichtigt; und (b) Korrigieren der Reparaturform durch Anwenden des zumindest einen Korrekturwertes.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zieht beim Bestimmen von Korrekturwerten für eine Reparaturform eines Defekts dessen laterale Ausdehnung in Betracht. Dadurch wird dem Aufwand des Defektbearbeitungsprozesses oder des Defektkorrekturprozesses beim Korrigieren der Reparaturform Rechnung getragen. Damit wird die Zeitdauer des Defektbearbeitungsprozesses berücksichtigt, da zumindest während eines Teils dieser Zeitspanne auf die Umgebung des Defekts eingewirkt werden kann. Somit geht ein erfindungsgemäßes Verfahren über eine Korrektur der Reparaturform hinaus, bei der der Rand eines Defekts um einen bestimmten Betrag verkleinert wird, in Abhängigkeit davon, ob der Defekt an ein Pattern-Element grenzt oder auf dem Substrat der Maske endet.
Der Ausdruck „laterale Ausdehnung“ beschreibt in dieser Anmeldung eine Projektion des Defekts auf die Ebene, die die ungestörte Oberfläche des Substrats der photolithographischen Maske bildet. Dabei erfolgt die Projektion im Wesentlichen senkrecht zur Oberfläche des Substrats.
Der Ausdruck „im Wesentlichen“ beschreibt in dieser Anmeldung eine Messgröße innerhalb der Fehlerangabe, wenn Messgeräte gemäß dem Stand der Technik eingesetzt werden.
Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel wird das oben erläuterte Problem durch ein Verfahren nach Anspruch 3 gelöst. In einer Ausführungsform weist das Verfahren zum Ermitteln einer Reparaturform zum Bearbeiten zumindest eines Defekts einer photolithographischen Maske die folgenden Schritte auf: (a) Bestimmen von zumindest einem Korrekturwert für die Reparaturform des zumindest einen Defekts, wobei der Korrekturwert eine Form des zumindest einem Pattern-Elements der photolithographischen Maske berücksichtigt, welches den zumindest einen Defekt kontaktiert; und (b) Korrigieren der Reparaturform durch Anwenden des zumindest einen Korrekturwerts.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zieht eine Grenze eines Defekts mit einem Pattern-Element nicht nur durch einen konstanten Korrekturwert für die Reparaturform in Betracht, sondern berücksichtigt vielmehr die Form der gemeinsamen Grenze des Defekts und des Pattern-Elements. Dies ist von besonderem Vorteil, da bei der Reparatur des Defekts der Teilchenstrahl des Rasterteilchenmikroskops an den Kanten eines Pattern-Elements eine erhöhte Sekundärelektronenemission oder Sekundärionenemission hervorruft, was beispielsweise zu sogenanntem „Riverbedding“ führen kann. Dadurch geht Korrektur der Reparaturform, die mit Hilfe eines erfindungsgemäßen Verfahrens bestimmt wird, weit über den Stand der Technik hinaus.
Der zumindest eine Korrekturwert kann eine laterale Abmessung des zumindest einen Pattern-Elements berücksichtigten.
Die Bearbeitung eines Defekts, der an ein Pattern-Element angrenzt, stellt einen Kompromiss zwischen dem Grad der Korrektur des Defekts entlang der Grenze und dem Ausmaß der Beschädigung des angrenzenden Pattern-Elements dar. Indem die laterale Abmessung des Pattern-Elements entlang der gemeinsamen Grenze betrachtet wird, kann der Kompromiss lokal optimiert werden.
Der Ausdruck „laterale Abmessung des Pattern-Elements“ bedeutet in dieser Anmeldung die Ausdehnung des Pattern-Elements in einer Ebene, die parallel zur Oberfläche des Substrats der photolithographischen Maske ist.
Der zumindest eine Korrekturwert kann zumindest eine Ecke des zumindest einen Pattern-Elements berücksichtigen.
Neben der lateralen Abmessung des an einen Defekt angrenzenden Pattern-Elements kann die Korrektur der Reparaturform ebenfalls die Spezifika in Betracht ziehen, die an einer Ecke des Pattern-Elements auftreten.
Der zumindest eine Korrekturwert kann zu einer Verkleinerung der Reparaturform in der Nähe der zumindest einen Ecke des zumindest einen Pattern-Elements im Vergleich mit einem Korrekturwert in der Nähe eines geradlinigen Bereichs des Pattern-Elements führen, wenn die Ecke in den zumindest einen Defekt hineinragt und / oder der zumindest eine Korrekturwert kann zu einer Vergrößerung der Reparaturform in der Nähe der zumindest einen Ecke des zumindest einen Pattern-Elements im Vergleich mit einem Korrekturwert in der Nähe eines geradlinigen Bereichs des Pattern-Elements führen, wenn der zumindest eine Defekt in die Ecke des zumindest einen Pattern-Elements hineinragt.
Der zumindest eine Korrekturwert kann die laterale Abmessung des zumindest einen Pattern-Elements und die zumindest eine Ecke des zumindest einen Pattern-Elements berücksichtigten.
Das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwertes kann ferner umfassen: Berücksichtigen einer Dicke und/oder einer Materialzusammensetzung des zumindest einen Pattern-Elements.
Die Dicke des Pattern-Elements, das mit dem Defekt eine gemeinsame Grenze aufweist, hat Einfluss auf den Bearbeitungsprozess des Defekts für dessen Beseitigung. Die Materialzusammensetzung des Pattern-Elements beeinflusst das Ausmaß der Beschädigung, das das Pattern-Element während eines Defektkorrekturprozesses erleidet. Die hier beschriebenen Verfahren ermöglichen das Berücksichtigen dieser Aspekte bei der Korrektur der Reparaturform zum Finden eines bestmöglichen Kompromisses zwischen Defektkorrektur und Ändern des Pattern-Elements entlang der gemeinsamen Grenze.
Das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwertes kann ferner umfassen: Berücksichtigen der Dicke und/oder einer Materialzusammensetzung des zumindest einen Defektes.
Die Dicke und die Materialzusammensetzung haben entscheidenden Einfluss auf den Aufwand, der zum Beseitigen des Defekts notwendig ist. Indem diese Parameter in die Korrekturwerte der Reparaturform einfließen, wird der Reparaturprozess des Defekts optimiert und gleichzeitig die Beeinträchtigung der Photomaske minimiert.
Das Bearbeiten des zumindest einen Defektes kann umfassen: Ausführen eines Teilchenstrahl-induzierten Ätzprozesses und/oder eines Teilchenstrahl-induzierten Abscheideprozesses auf der korrigierten Reparaturform des zumindest einen Defekts.
Defekte in Form überschüssigen Materials, beispielsweise überschüssigen Absorber-Materials eines Pattern-Elements (sogenannte opaque defects), werden normalerwiese mittels eines Teilchenstrahl-induzierten Ätzprozesses bearbeitet. Ein Teilchenstrahl-induzierter Ätzprozess kann beispielsweise mit einem Elektronenstrahl und einem oder mehreren Ätzgasen, die lokal am Ort des Auftreffens des Elektronenstrahls bereitgestellt werden, korrigiert werden. Ein Ätzgas kann zum Beispiel Xenondifluorid (XeF2), ein Halogen und/oder ein Halogen enthaltendes Gas umfassen.
Defekte in Form fehlenden Materials, zum Beispiel fehlenden Absorber-Materials eines Pattern-Elements (ein sogenannter clear defect), werden typischerweise mit einem Teilchenstrahl-induzierten Abscheideprozesses korrigiert. Ein Teilchenstrahlinduzierter Abscheideprozess kann beispielsweise mit einem Elektronenstrahl und einem oder mehreren Depositionsgasen, die lokal am Ort des Auftreffens des Elektronenstrahls bereitgestellt werden, korrigiert werden. Chromhexacarbonyl (Cr(CO)₆) ist ein Beispiel eines Depositionsgases.
Das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwerts kann das Approximieren des zumindest einen Korrekturwerts auf einer empirischen Basis umfassen. Dazu werden die zu analysierenden Defekte vorzugsweise verschiedenen Klassen von Defekten zugeordnet, die verschiedene Parameter aufweisen. Auf der Basis einer fortschreitenden Anzahl von Defektbearbeitungen können die Klassen der Defekte sowie deren Parametersatze aktualisiert werden.
Das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwerts kann das Analysieren einer Testmaske umfassen.
Das Anwenden des zumindest einen Korrekturwerts kann umfassen: Verringern einer Fläche der Reparaturform durch Korrigieren zumindest eines Teils eines Randes der Reparaturform.
Damit wird lokal die äußere Kontur der Reparaturform an den Defekt selber und die Umgebung des Defekts angepasst. Dabei wird nicht nur die an den Defekt angrenzende Umgebung berücksichtigt, sondern die Umgebung des Defekts, die im Wechselwirkungsbereich des Bearbeitungsprozesses liegt, betrachtet.
Das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwerts kann das Kombinieren des zumindest einen Korrekturwerts gemäß der zweiten und dritten der oben beschriebenen Ausführungsformen umfassen.
Das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwertes kann das Kombinieren des zumindest einen Korrekturwerts gemäß der ersten und der zweiten Ausführungsform umfassen.
Das Kombinieren des zumindest einen Korrekturwertes von zwei Ausführungsformen kann ein lineares Kombinieren umfassen.
Das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwerts kann umfassen: Mitteln zumindest eines Teils des Randes des zumindest eines Defekts, welcher das zumindest eine Pattern-Element nicht kontaktiert; und Bestimmen einer Senkrechten zur Tangente zum gemittelten Rand des zumindest einen Defekts zum Ermitteln des Abstandes des gemittelten Randes von dem zumindest einen Pattern-Element, welches den zumindest einen Defekt nicht kontaktiert und der lateralen Ausdehnung des zumindest einen Defekts auf der Oberfläche des Substrats.
Das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwerts kann umfassen: Bilden einer Senkrechten im Bereich des zumindest einen Pattern-Elements, welches den zumindest einen Defekt kontaktiert zum Bestimmen der lateralen Ausdehnung des zumindest einen Defekts und der lateralen Ausdehnung des zumindest einen Pattern-Elements, welches den zumindest einen Defekt kontaktiert.
Ein Computerprogram kann Anweisungen enthalten, die, wenn sie von einem Computersystem ausgeführt werden, das Computersystem veranlassen, die Verfahrensschritte der oben ausgeführten Aspekte auszuführen.
In einem Ausführungsbeispiel weist eine Vorrichtung zum Ermitteln einer Reparaturform zum Bearbeiten zumindest eines Defekts einer photolithographischen Maske auf: (a) eine Messeinheit, die ausgebildet ist, die Reparaturform zu ermitteln; (b) eine Recheneinheit, die ausgebildet ist zum Bestimmen von zumindest einem Korrekturwert für die Reparaturform des zumindest einen Defekts, wobei: (i) der zumindest eine Korrekturwert eine Position von zumindest einem Pattern-Element der photolithographischen Maske berücksichtigt, welches den zumindest einen Defekt nicht kontaktiert; (ii) der zumindest eine Korrekturwert eine laterale Ausdehnung des zumindest einen Defekts auf einer Oberfläche eines Substrats der photolithographischen Maske berücksichtigt; und/oder (iii) der zumindest eine Korrekturwert eine Form des zumindest einen Pattern-Elements der photolithographischen Maske berücksichtigt, welches den zumindest einen Defekt kontaktiert; und wobei (c) die Recheneinheit ferner ausgebildet ist, die Reparaturform durch Anwenden des zumindest einen Korrekturwerts zu korrigieren.
Die Vorrichtung kann ausgebildet sein, die Verfahrensschritte der oben beschriebenen Aspekte auszuführen.
Figurenliste
In der folgenden detaillierten Beschreibung werden derzeit bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben, wobei

1 im rechten Teilbild die Korrektur einer Reparaturform eines Defekts einer photolithographischen Maske nach dem Stand der Technik darstellt, und im linken Teilbild schematisch das Korrigieren einer Reparaturform nach zwei der in dieser Anmeldung beschriebenen Verfahren zeigt;
2 schematisch Korrekturwerte einer Reparaturform für einen an ein Pattern-Element angrenzenden Defekt präsentiert, wobei die lateralen Abmessungen des Defekts und des Pattern-Elements senkrecht zur Grenzlinie des Defekts und des Pattern-Elements variieren;
3 schematisch Korrekturwerte für eine Reparaturform angeben, wobei ein Pattern-Element zwei Ecken in dem Bereich aufweist, in dem der Defekt das Pattern-Element kontaktiert;
4 eine schematische Darstellung einer Teststruktur zum Bestimmen von Korrekturwerten einer Reparaturform für einen Testdefekt wiedergibt, der an einem Pattern-Element anliegt, eine stufenförmige laterale Abmessung aufweist und dessen Abstand zu einem Pattern-Element variiert;
5 die Teststruktur der 4 nach dem Entfernen des Testdefekts präsentiert; und
6 ein Flussdiagramm der Verfahren zum Ermitteln einer Reparaturform zum Bearbeiten eines Defekts einer photolithographischen Maske präsentiert.

Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele
Im Folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Verfahren und der erfindungsgemäßen Vorrichtung genauer erläutert. Die erfindungsgemäßen Verfahren sind jedoch nicht auf die nachfolgend erläuterten beispielhaften Anwendungen beschränkt. Die hier beschriebenen Verfahren können vielmehr zum Bestimmen einer Reparaturform für Defekte eingesetzt werden, die in allen Arten von Photomasken auftreten können. Zudem sind die in dieser Anmeldung beschriebenen Verfahren nicht auf das Korrigieren von Defekten von Photomasken geschränkt. Vielmehr können diese Verfahren und die entsprechende Vorrichtung beispielsweise auch zum Bestimmen einer Reparaturform für Defekte von integrierten Schaltkreisen eingesetzt werden.
Die 1 zeigt im rechten Teilbild, d.h. rechts des vertikalen Strichs 142, das Korrigieren einer Reparaturform nach dem Stand der Technik. Die Maske 100 umfasst ein Substrat 110 und die Pattern-Elemente 120 und 130. In dem Beispiel der 1 ist die Photomaske 100 eine transmissive Maske. Das Substrat 110 der Maske 100 umfasst häufig Quarz. Die Pattern-Elemente 120 und 130 absorbieren optische Strahlung im aktinischen Wellenlängenbereich der photolithographischen Maske im Wesentlichen vollständig. Die Pattern-Elemente 120 und 130 umfassen Chrom oder opake Absorber auf MoSiON-Basis (Molybdänsiliziumoxinitrid) als absorbierendes Material. Die nachfolgend beschriebenen Verfahren zum Bestimmen von Korrekturwerten für eine Reparaturform können für alle Arten von Photomasken 100 eingesetzt werden, einschließlich von Masken für den extrem ultravioletten (EUV) Wellenlängenbereich und sogenannter NIL-Masken, d.h. Masken für die Nano-Imprint-Technik (in der 1 nicht dargestellt).
An dem Pattern-Element 120 anliegend weist die Maske 100 einen Defekt 140 auf. Der Defekt 140 kann beispielsweise überschüssiges Absorber-Material (opaque defect) umfassen. Falls dies zutrifft könnte der Defekt 140 im Wesentlichen die gleiche Höhe aufweisen, wie die Pattern-Elemente 120, 130. Der opake Defekt 140 kann jedoch eine beliebige Höhe aufweisen. Es ist auch möglich, dass der Defekt ein anderes Material oder eine andere Materialzusammensetzung aufweist als die Pattern-Elemente 120, 130. Ferner ist es möglich, dass der Defekt 140 ein Defekt fehlenden Absorber-Materials ist (clear defect; in der 1 nicht gezeigt). Zudem kann der Defekt 140 einen Defekt überschüssigen oder fehlenden Substratmaterials umfassen (in der 1 ebenfalls nicht dargestellt).
Der Defekt 140 wird vorzugsweise mit einem Inspektions-Tool detektiert und mit einem Rasterteilchenmikroskop, häufig ein Rasterelektronenmikroskop, analysiert. Die defekte Stelle wird dann mit einer defektfreien Stelle der Photomaske 100 verglichen, die dieselbe Pattern-Struktur wie die defektbehaftete Stelle aufweist. Alternativ kann die defekte Stelle mit Designdaten des defekten Maskenausschnitts verglichen werden. Durch Subtraktion des defektfreien Maskenausschnitts von dem Ausschnitt, der den Defekt aufweist, wird die Reparaturform 145 des Defekts 140 erhalten. Die Reparaturform 145 ist somit die Projektion des Defekts 140 auf die Ebene der Oberfläche des Substrats 110 der Maske 100. In dieser Darstellung enthält ein Bild der Reparaturform nur den Defekt selber ohne die Pattern-Elemente 120 und 130 des entsprechenden Maskenausschnitts. Aus Illustrationsgründen sind in der beispielhaften Darstellung der 1 sowie in den nachfolgenden Figuren die Pattern-Elemente 120 und 130 jedoch wiedergegeben. Zum Bestimmen der Reparaturform 145 des Defekts 140 kann eine Recheneinheit eines Rasterteilchenmikroskops eingesetzt werden.
Wie im einleitenden Teil der Beschreibung ausgeführt, führt eine Bearbeitung des Defekts 140 auf der Basis der Reparaturform 145 zu einer weitgehenden Korrektur des Defekts 140. Aufgrund der lateralen Ausdehnung der Bearbeitungszone schädigt die Defektbearbeitung jedoch sowohl das Substrat 110 der Maske 100 als auch das an den Defekt 140 angrenzende Pattern-Element 120. Darüber hinaus kann das Bearbeiten des Defekts 140 das Pattern-Element 130, das mit dem Defekt 140 keine gemeinsame Grenze aufweist, aber zumindest teilweise in der Nähe des Defekts 140 lokalisiert ist, das Pattern-Element 130 verändern.
Im Stand der Technik wird die Reparaturform 145 des Defekts 140 deshalb korrigiert. Dies geschieht zum einen, indem die Reparaturform 145 des Defekts 140 entlang der Grenze des Defekts 140 zum umgebenden Substrat 110 um einen festen Abstand 157 korrigiert wird, so dass die korrigierte Reparaturform entlang des Substrats 110 die neue Grenze 155 aufweist. Diese Korrektur der Reparaturform 145 wird auch Kanten-Bias genannt.
Entlang des gemeinsamen Randes von Defekt 140 und Pattern-Element 120 wird die Reparaturform 145 ebenfalls um einen festen Betrag 162 korrigiert, so dass die korrigierte Reparaturform entlang des Pattern-Elements 120 den neuen Rand 160 aufweist. Diese Korrektur der Reparaturform 145 wird auch als Volumen-Bias bezeichnet. Der Volumen-Bias und der Kanten-Bias können die gleichen Abstände 157 und 162 aufweisen. Typischerweise sind die Abstände 157 und 162 jedoch verschiedene Korrekturwerte für die Reparaturform 145. Die Reparaturform 145 des Defekts 140 weist somit zwei Korrekturwerte auf, mit deren Hilfe die gesamte äußere Kontur der Reparaturform 145 des Defekts 140 korrigiert wird.
Das linke Teilbild der 1 zeigt den Maskenausschnitt der Maske 100 und des Defekts 140 achsengespiegelt an der vertikalen Linie 142. An diesem Teilbild wird nun ein Teil der in dieser Anmeldung beschriebenen Verfahren zum Bestimmen von Korrekturwerten für die Reparaturform 145 des Defekts 140 erläutert. Im ersten Schritt wird an vorgegebenen Punkten 165 der Reparaturform 145 bzw. des Defekts 140, der an das Substrat 110 grenzt, die Tangente des Randes 162 bestimmt. Falls der Defekt 140 anders als in der 1 dargestellt, keinen glatten Rand 162 aufweist, wird vor dem Ermitteln der Tangente, über einen vorgegebenen Abschnitt des Randes 162 gemittelt.
Sodann wird die Senkrechte 170 an die Tangente gezeichnet und deren Schnittpunkte mit den Pattern-Elementen 120 und 130 bestimmt. Der Abstand a_i 175 des Punktes 165 des Randes 162 wird bei der Ermittlung der Korrekturwerte für die Reparaturform 145 berücksichtigt, obwohl das Pattern-Element 130 keinen direkten Kontakt mit der Reparaturform 145 des Defekts 140 aufweist. Dabei ist die Größe des lokalen Korrekturwertes C_i 185 abhängig von dem Abstand a_i 175 des Pattern-Elements 130 vom Rand 162 der Reparaturform 145 in dem Punkt 165: $C_{i} = f_{1} (a_{i})$
Die Funktion f₁ kann die Abstände a_i zum Pattern-Element 130 in nichtlinearer Weise in Betracht ziehen. In erster Näherung ist f₁ jedoch eine lineare Funktion der Abstände a_i. Zusätzlich können die Korrekturwerte C_i einen konstanten Korrekturbeitrag enthalten, der in der Gleichung (1) jedoch unterdrückt ist. Für die Genauigkeit der Korrekturwerte 185 ist günstig, wenn neben den Abständen a_i zu dem Pattern-Element 130, auch die Abstände b_i 180 der Punkte 165 des Randes 162 der Reparaturform 145 zu dem Pattern-Element 120 berücksichtigt werden, das mit dem Defekt 140 in Kontakt steht. Dies ist insbesondere an den Stellen der Reparaturform 145 von Bedeutung, an denen die laterale Abmessung 180 des Defekts 140 und damit der Reparaturform 145 gering ist. Die Gleichung (1) wird dadurch erweitert zu: $C_{i} = f_{1} (a_{i}) + f_{2} (b_{i})$
Anders als im Stand der Technik beschreibt die Gleichung (2) lokale, ortsabhängige Korrekturwerte 185 des Defekts 140. Die Korrekturwerte 185 der Gleichung (2) können zu einer durchgehenden Kurve 190 ergänzt werden. In dem in der 1 dargestellten Beispiel werden die Korrekturwerte 185 und/oder die geschlossene Kurve 190 verwendet, um eine korrigierte Reparaturform 195 zu erzeugen.
Es ist auch möglich, für den Defekt 140 Korrekturwerte zu bestimmen, die nur die laterale Ausdehnung des Defekts 140 in Betracht ziehen, d.h. auf der Basis von f₂(b_i) und den Einfluss des Defektbearbeitungsprozesses auf das Pattern-Element 130 zu ignorieren.
Die 2 stellt, wie die 1, einen Ausschnitt aus einer Photomaske 100 dar. Anhand dieses Beispiels soll das Bestimmen eines Teils einer Reparaturform für den Defekt 240 entlang der gemeinsamen Grenze des Pattern-Elements 220 und des Defekts 240 diskutiert werden. Die 2 zeigt das linke Teilbild der 1 mit zwei Unterschieden. Zum einen weist der Defekt 240 am linken Rand eine andere Form auf als der Defekt 140 der 1. Zum anderen weist das Pattern-Element 220 eine andere Form auf als das Pattern-Element 120 der 1.
Zum Bestimmen der Korrekturwerte für die Reparaturform wird an verschiedenen Punkten 265 des Randes 250 eine Senkrechte 270 auf dem Rand 250 des Pattern-Elements 220 ermittelt. Die Abstände d_i 275 beschreiben die Entfernung des Randes 262 des Defekts 240 von den Punkten 265 des gemeinsamen Randes 262 des Defekts 240 und des Pattern-Elements 220. Die Abstände e_i 280 bezeichnen die Entfernung des Randes 230 des rückseitigen Endes des Pattern-Elements 220 von den Punkten 265 des gemeinsamen Randes 250 des Defekts 240 und des Pattern-Elements 220. Auf der Basis dieser Definitionen können Korrekturwerte K_i 285 eingeführt werden, die die lokalen lateralen Ausdehnungen sowohl des Defekts 240 als auch des Pattern-Elements 220 in Betracht ziehen: $K_{i} = f_{3} (d_{i}) + f_{4} (e_{i})$
Die Korrekturen K_i 285 entlang des gemeinsamen Randes 250 des Defekts 240 mit dem Pattern-Element 220 an den Punkten 265 können wiederum zu einer durchgehenden Linie 290 ergänzt werden. Die Korrekturen K_i 285 bzw. 290 entlang der Linie des Kontaktes des Defekts 240 mit dem Pattern-Element 220 ist Teil der Reparaturform 295 für den Defekt 240. Wie bereits bei der Diskussion der Gleichung (1) ausgeführt, können die Funktionen f₃ und f₄ die Abstände d_i des Defekts 240 und die lateralen Abmessungen e_i des Pattern-Elements 220 in nichtlinearer Weise in Betracht ziehen. In erster Näherung ist es jedoch häufig ausreichend f₃ und f₄ als eine lineare Funktion der lateralen Abmessungen d_i und e_i zu berücksichtigen.
Solange die Abmessungen d_i 275 und e_i 280 sehr viel größer als der Durchmesser der Bearbeitungszone des Defektbearbeitungsprozesses sind, reicht ein einziger Korrekturwert aus, um die Reparaturform des Defekts 240 in diesem Bereich der gemeinsamen Grenzlinie zu korrigieren. Diese Situation ist am rechten Rand der 2 dargestellt. In diesem Grenzfall geht die hier diskutierte Korrektur der Reparaturform 295 in die bisher für den Volumen-Bias benutzte Korrektur über.
Im mittleren Bildbereich der 2 grenzt der Defekt 240 nur an einen schmalen Steg 255 des Pattern-Elements 220. Die Korrekturwerte K_i 285 werden in diesem Bereich deutlich vergrößert, um zu vermeiden, dass beim Bearbeiten des Defekts 240 das Pattern-Element 220 in dem Bereich des schmalen Steges 255 irreparabel beschädigt wird. Dies bedeutet, die kleinen Abstände e_i und somit die Funktion f₄ bestimmen im Bereich des schmalen Steges 255 des Pattern-Elements 220 die Korrekturwerte K_i 285 und somit das Korrigieren der Reparaturform 295.
Im Bereich am linken Bildrand der 2 ist zum einen die laterale Abmessung e_i 280 des Pattern-Elements 220 deutlich geringer als im rechten Teil der 2. Zum anderen variieren in diesem Bereich die lateralen Abmessungen d_i 275 des Defekts 240 stark. Deshalb hängen in diesem Teil der gemeinsamen Grenze des Pattern-Elements 220 und des Defekts 240 die Korrekturwerte K_i 285 sowohl von der Funktion f₃ und f₄ der Gleichung (3) ab.
Auf der Basis der Korrekturwerte 195 der 1 entlang des Substrats 110 der photolithographischen Maske 100 (d.h. des oben genannten Kanten-Bias) sowie der Korrekturwerte 295 der 2 entlang des Bereichs in dem der Defekt 240 das Pattern-Element 220 kontaktiert (d.h. des oben genannten Volumen-Bias), kann eine korrigierte Reparaturform für einen Defekt ermittelt werden, die die lateralen Abmessungen des Defekts 140, 240, des Pattern-Elements 120, 220 an den der Defekt 140, 240 grenzt und den Abstand des Pattern-Elements 130, das nicht mit dem Defekt 140 in Kontakt steht, berücksichtigen.
Die 3 veranschaulicht beispielhaft die Korrektur einer Reparaturform eines Pattern-Elements, das den Defekt kontaktiert in einem Bereich, in dem das Pattern-Element eine Ecke aufweist. Die 3 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt des linkten Teilbildes der 1 im Bereich der Ecken des Pattern-Elements 120 sowie den Defekt 140, der an das Pattern-Element 120 angrenzt. Ferner illustriert die 3 eine Korrektur nach dem Stand der Technik. Die Kurve 160 folgt der gemeinsamen Grenzlinie 330 des Pattern-Elements 120 und des Defekts 140 in einem festen Abstand 162. Die Eckpunkte P₁ und P₂ des Pattern-Elements 120 werden von der Kurve 160 in die Eckpunkte P₁‘ und P₂‘ abgebildet.
Die Kurve 385 der 3 zeigt den Verlauf der Korrekturwerte 385 für die Reparaturform 395, wenn die Probleme einer Defektbearbeitung im Bereich der beiden Eckpunkte P₁ und P₂ beim Bestimmen von Korrekturwerten für die Reparaturform berücksichtigt werden. Bei dem in der 3 dargestellten Beispiel wird eine Ellipsenfunktion zum Bestimmen von Korrekturwerten im Bereich der beiden Eckpunkte P₁ und P₂ verwendet. Als Parameter dient der Winkel α_n der Eckpunkte P_n . Die Winkel α_n der Eckpunkte P_n werden im Bereich des Defekts 140 gemessen, d.h. außerhalb des Pattern-Elements 120. Wie der 3 zu entnehmen ist, erzeugen Winkel 1° ≤ α_n ≤ 179° reduzierende Teile einer Ellipse verglichen mit dem Korrekturwert des Standes der Technik. Winkel des Bereichs 181° ≤ α_n ≤ 359° generieren hingegen addierende Teile einer Ellipse verglichen mit dem Korrekturwert nach dem Stand der Technik. Die Parameter des reduzierenden Ellipsenteils und des addierenden Ellipsenteils sind für α = 270° und α₂ = 90° in einer ersten Näherung gleich. Die die Ellipsenteile charakterisierenden Parameter werden experimentell bestimmt.
Die Gleichung (3), die einen Volumen-Bias, d.h. die Korrektur einer Reparaturform 295 eines Defekts 140, der an ein Pattern-Element 120 grenzt, beschreibt, wird durch die Eckenkorrektur erweitert: $K_{i}' = K_{i} + f_{5} (α_{n})$
wobei K_i die Korrekturwerte der Gleichung (3) bezeichnet.
Eine genaue Bestimmung des Verlaufs der Reparaturform 395 des Defekts 140 entlang der gemeinsamen Grenzlinie 330 oder der Kante 330 des Pattern-Elements 120 ist für die Reparatur des Defekts 140 sehr wichtig. Der zur Reparatur eines Defekts 140 verwendete Teilchenstrahl kann im Bereich der Kante 330 eine erhöhte Emissionsrate von Sekundärelektronen bzw. Sekundarelektronen aufweisen, die, wenn sie auf das Substrats 110 der photolithographischen Maske auftreffen, zu sogenanntem „Riverbedding“ führen können.
Mit den Korrekturwerten C_i 190 und K_i 290 bzw. K_i‘ kann die Reparaturform 195, 295 des Defekts bestmöglich 140, 240 korrigiert werden, ohne das Substrat 110 oder die Pattern-Elemente 120, 140, 220 signifikant zu beschädigen.
Das Diagramm 400 der 4 präsentiert schematisch eine Teststruktur 410 zum Bestimmen der Korrekturwerte C_i der Gleichung (2) und K_i der Gleichung (3). Die Teststruktur 410 umfasst die beiden Pattern-Elemente 420 und 430 sowie einen Testdefekt 440, aus absorbierendem Material, der mit der in der 4 angegebenen spezifischen Form auf dem Substrat 110 der Teststruktur 410 abgeschieden wird. Der Testdefekt 440 grenzt an das Pattern-Element 430 und weist laterale Abmessung 475 auf, die stufenförmig von links nach rechts ansteigt bis der Testdefekt 440 in der letzten Stufe am rechten Rand der 4 das Pattern-Element 420 kontaktiert. Der Testdefekt 440 erzeugt die Reparaturform 445. Der Testdefekt 440 wird mit Hilfe eines Teilchenstrahl-induzierten Ätzprozesses vom Substrat 110 der Teststruktur 410 entfernt. Dabei beruht der Bearbeitungsprozess des Testdefekts 440 auf der nicht korrigierten Reparaturform 445.
Das Diagramm 500 der 5 zeigt die Teststruktur 410 der 4 nach dem Ätzen des Testdefekts 440 auf der Basis der nicht korrigierten Reparaturform 445. Dabei werden ausschließlich die Auswirkungen des Teilchenstrahl-induzierten Ätzprozesses auf die Pattern-Elemente 420 und 430 der Teststruktur 410 betrachtet. Nachteilige Effekte des Bearbeitungsprozesses des Testdefektes 440 auf das Substrat 110 der Teststruktur bleiben außer Betracht. Der Ätzprozess der nicht korrigierten Reparaturform 445 reicht aufgrund der nicht punktförmigen Bearbeitungszone über die Reparaturform hinaus. Für die Pattern-Elemente 520 und 530 bedeutet dies, dass in dem Bereich, in der Testdefekt 440 den Pattern-Elementen 520 und 530 nahekommt oder der Testdefekt 440 einen Teil der Pattern-Elemente 520 und 530 berührt in dem Teilchenstrahl-induzierten Ätzprozess verglichen mit dem Rand 550 der ursprünglichen Pattern-Elemente 420 und 430 ebenfalls entfernt wird. Aus den entfernten Teilen 540 und 545 oder den Abweichungen 540 und 545 bezüglich der ursprünglichen Pattern-Elemente 420 und 430 können die Korrekturwerte C_i der Gleichung (2) bestimmt werden.
Die Pattern-Elemente 520 und 530 der 5 veranschaulichen durch die Abweichungen 540 und 545 gegenüber den ursprünglichen Pattern-Elementen 420 und 430 die Abhängigkeit des Bearbeitungsprozesses von den lateralen Abmessungen des Testdefekts 440. Auf der Basis der durch den Bearbeitungsprozess induzierten Abweichungen 540 und 545 der Pattern-Elemente 520 und 530 können die Korrekturwerte K_i der Gleichung (3) ermittelt werden.
Das Flussdiagramm 600 der 6 präsentiert ein Verfahren zum Ermitteln einer Reparaturform zum Bearbeiten eines Defekts einer photolithographischen Maske. Das Verfahren beginnt bei Schritt 610. Im zweiten Schritt 620 wird zumindest einem Korrekturwert für die Reparaturform zumindest eines Defekts bestimmt, wobei:

(i) Der Korrekturwert eine Position von zumindest einem Pattern-Element der photolithographischen Maske berücksichtigt, welches den zumindest einen Defekt nicht kontaktiert;
(ii) Der Korrekturwert eine laterale Ausdehnung des zumindest einen Defekts auf der Oberfläche eines Substrats der photolithographischen Maske berücksichtigt; und/oder
(iii) Der Korrekturwert eine Form des zumindest einen Pattern-Elements der photolithographischen Maske berücksichtigt, welches den zumindest einen Defekt kontaktiert.

Im nächsten Schritt 630 wird die Reparaturform durch Anwenden des zumindest einen Korrekturwertes korrigiert. Das Verfahren endet schließlich bei Schritt 640.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

US 8316698 B2 [0004]
US 6591154 B2 [0009]

Claims

Verfahren zum Ermitteln einer Reparaturform (195) zum Bearbeiten zumindest eines Defekts (140) einer photolithographischen Maske (100), wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: a. Bestimmen von zumindest einem Korrekturwert (185) für die Reparaturform (195) des zumindest einen Defekts (140), wobei der Korrekturwert (185) eine Position (175) von zumindest einem Pattern-Element (130) der photolithographischen Maske (100) berücksichtigt, welches den zumindest einen Defekt (140) nicht kontaktiert; und b. Korrigieren der Reparaturform (195) durch Anwenden des zumindest einen Korrekturwertes (185).
Verfahren zum Ermitteln einer Reparaturform (195) zum Bearbeiten zumindest eines Defekts (140) einer photolithographischen Maske (100), wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: a. Bestimmen von zumindest einem Korrekturwert (185) für die Reparaturform (195) des zumindest einen Defekts (140), wobei der Korrekturwert (185) eine laterale Ausdehnung (180) des zumindest einen Defektes (140) auf einer Oberfläche eines Substrats (110) der photolithographsichen Maske (100) berücksichtigt; und b. Korrigieren der Reparaturform (195) durch Anwenden des zumindest einen Korrekturwertes (185).
Verfahren zum Ermitteln einer Reparaturform (295) zum Bearbeiten zumindest eines Defekts (240) einer photolithographischen Maske (100), wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: a. Bestimmen von zumindest einem Korrekturwert (285, 385) für die Reparaturform (295, 395) des zumindest einen Defekts (240), wobei der Korrekturwert (285, 395) eine Form des zumindest einen Pattern-Elements (220) der photolithographischen Maske (100) berücksichtigt, welches den zumindest einen Defekt (140, 240) kontaktiert; und b. Korrigieren der Reparaturform (295) durch Anwenden des zumindest einen Korrekturwertes (285).
Verfahren nach Anspruch 3, wobei der zumindest eine Korrekturwert (285) eine laterale Abmessung (280) des zumindest einen Pattern-Elements (220) berücksichtigt.
Verfahren nach Anspruche 3 oder 4, wobei der zumindest eine Korrekturwert (385) zumindest eine Ecke (340, 350) des zumindest einen Pattern-Elements (220) berücksichtigt.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei der zumindest eine Korrekturwert (385) zu einer Verkleinerung der Reparaturform (395) in der Nähe der zumindest einen Ecke (350) des zumindest einen Pattern-Elements (120) im Vergleich mit einem Korrekturwert in der Nähe eines geradlinigen Bereichs des Pattern-Elements (120) führt, wenn die Ecke (350) in den zumindest einen Defekt (140) hineinragt und / oder wobei der zumindest eine Korrekturwert (385) zu einer Vergrößerung der Reparaturform (395) in der Nähe der zumindest einen Ecke (340) des zumindest einen Pattern-Elements (120) im Vergleich mit einem Korrekturwert in der Nähe eines geradlinigen Bereichs des Pattern-Elements (120) führt, wenn der zumindest eine Defekt (140) in die Ecke (340) des zumindest einen Pattern-Elements (120) hineinragt.
Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, wobei der zumindest eine Korrekturwert (285, 385) die laterale Abmessung (280) des zumindest einen Pattern-Elements (220) und die zumindest eine Ecke (340, 350) des zumindest einen Pattern-Elements (120, 220) berücksichtigt.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwertes (185, 285, 385) ferner umfasst: Berücksichtigen einer Dicke und/oder einer Materialzusammensetzung des zumindest einen Pattern-Elements (120, 130, 220).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwertes (185, 285, 385) ferner umfasst: Berücksichtigen der Dicke und/oder einer Materialzusammensetzung des zumindest einen Defektes (140, 240).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bearbeiten des zumindest einen Defektes (140, 240) umfasst: Ausführen eines Teilchenstrahl-induzierten Ätzprozesses und/oder eines Teilchenstrahl-induzierten Abscheideprozesses auf der korrigierten Reparaturform (195, 295, 395) des zumindest einen Defekts (140, 240).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwertes (185, 285, 385) das Analysieren einer Testmaske (410, 610) umfasst.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Anwenden des zumindest einen Korrekturwerts (185, 285, 385) umfasst: Verringern einer Fläche der Reparaturform (195, 295, 395) durch Korrigieren zumindest eines Teils eines Randes der Reparaturform (195, 295, 395).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwerts (185, 285, 385) das Kombinieren des zumindest einen Korrekturwerts (185, 285, 395) der Ansprüche 2 und 3 umfasst.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwerts (185, 285, 385) das Kombinieren des zumindest einen Korrekturwertes (185) der Ansprüche 1 und 2 umfasst.
Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, wobei das Kombinieren des zumindest einen Korrekturwertes (185, 285, 385) von zwei Ansprüchen ein lineares Kombinieren umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwerts (185, 285, 385) umfasst: Mitteln zumindest eines Teils des Randes (162) des zumindest eines Defekts (140), welcher das zumindest eine Pattern-Element (130) nicht kontaktiert; und Bestimmen einer Senkrechten zur Tangente zum gemittelten Rand des zumindest einen Defekts (140) zum Ermitteln des Abstandes (175) des gemittelten Randes von dem zumindest einen Pattern-Element (130), welches den zumindest einen Defekt nicht kontaktiert und der lateralen Ausdehnung (180) des zumindest einen Defekts (140) auf der Oberfläche des Substrats (110).
Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, wobei das Bestimmen des zumindest einen Korrekturwertes (185, 285, 385) umfasst: Bilden einer Senkrechten im Bereich des zumindest einen Pattern-Elements (120, 220), welches den zumindest einen Defekt (140, 240) kontaktiert zum Bestimmen der lateralen Ausdehnung (180, 270) des zumindest einen Defekts (140, 240) und der lateralen Ausdehnung des zumindest einen Pattern-Elements (120, 220), welches den zumindest einen Defekt (140, 220) kontaktiert.
Computerprogram, das Anweisungen enthält, die, wenn sie von einem Computersystem ausgeführt werden, das Computersystem veranlassen, die Verfahrensschritte der Ansprüche 1 bis 17 auszuführen.
Vorrichtung zum Ermitteln einer Reparaturform (195, 295, 395) zum Bearbeiten zumindest eines Defekts (140, 240) einer photolithographischen Maske (100), die Vorrichtung aufweisend: a. eine Messeinheit, die ausgebildet ist, die Reparaturform (145) zu ermitteln; b. eine Recheneinheit, die ausgebildet ist zum Bestimmen von zumindest einem Korrekturwert (185, 285, 385) für die Reparaturform (195, 295, 395) des zumindest einen Defekts (140, 240), wobei: (i) der Korrekturwert (185) eine Position von zumindest einen Pattern-Elements (130) der photolithographischen Maske (100) berücksichtigt, welches den zumindest einen Defekt (140) nicht kontaktiert; (ii) der Korrekturwert (185) eine laterale Ausdehnung (180) des zumindest einen Defekts (140) auf einer Oberfläche eines Substrats (110) der photolithographischen Maske (100) berücksichtigt; und/oder (iii) der Korrekturwert (285, 395) eine Form des zumindest einen Pattern-Elements (120, 220) der photolithographischen Maske (100) berücksichtigt, welches den zumindest einen Defekt (140, 220) kontaktiert; und wobei c. die Recheneinheit ferner ausgebildet ist, die Reparaturform (195, 295, 395) durch Anwenden des zumindest einen Korrekturwerts (185, 285, 385) zu korrigieren.
Vorrichtung nach Anspruch 19, die ausgebildet ist, die Verfahrensschritte der Ansprüche 1 bis 17 auszuführen.