DE10103958C1 - Verfahren zur Inspektion von Defekten auf einer Maske - Google Patents
Verfahren zur Inspektion von Defekten auf einer MaskeInfo
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Abstract
Die vollflächige Defektkontrolle von Masken (1) wird durch das Zusammenschalten zweier ansonsten unabhängiger Defektinsektionsanlagen (4, 4') über ein leistungsfähiges Bussystem (6) bzw. Interface ermöglicht. Zwei wenigstens in Teilbereichen identische Masken (1, 1') können dadurch parallel und in Echtzeit inspiziert und verglichen werden. Das Zwischenspeichern großer Datenmengen entfällt. Die laufende Defektinspektion kann flexibel unterbrochen und wieder fortgesetzt werden. Durch diese Realisierung der Mask-to-Mask Inspektion wird der Schwierigkeit vorteilhaft Rechnung getragen, daß Simulationsalgorithmen für die Die-to-Database Onspektion zukünftiger Maskentechnologien, etwa alternierende Phasenmasken, EUV-Masken, Stencilmasken etc. nicht rechtzeitig zur Verfügung stehen. Die Inspektionszeit wird zudem erheblich verringert.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Inspek
tion von Defekten auf einer Maske.
Mit den sich immer weiter verringernden minimaler Struktur
größen und dem damit verbundenen auflösungsbedingten Wechsel
von optischen zu nicht optischen Wellenlängen bei der Belich
tung von Halbleiterprodukten werden im gleichen Maße auch
neue Anforderungen an die minimalen Strukturgrößen und Funk
tionsweisen der zur Strukturierung der Wafer benötigten Mas
ken gestellt. Ausgehend von der konventionellen Technik im
Belichtungsschritt die auf der Maske vorhandene Struktur ver
kleinert oder in gleicher Größe auf den Wafer zu kopieren,
werden gegenwärtig für die optische Belichtung die Beugungs-
bzw. Phaseneigenschaften des Lichts ausgenutzt, welches bei
der Entwicklung sogenannten Halbton-, alternierenden und 3-
Ton-Phasenmasken Anwendung findet.
Während bei der Umsetzung dieser Maßnahmen auf der Maske Zo
nen einer dritten oder weiteren Art von Transparenz struktu
riert werden, um auf dem belichteten Wafer höhere Auflösungen
zu erzielen, werden mit der sogenannten Optical Proximity
Correction (OPC) auf der Maske auch zusätzliche, künstliche
Strukturen aufgebracht, welche lediglich dem Zweck dienen,
inhärente Fehler bei der Belichtung des Wafers auszugleichen
und die abgelichtete Struktur wieder möglichst nah an das Da
tenbild heranzuführen.
In neuerer Zeit werden auch Masken für die nicht-optische
Übertragung von Strukturen auf Wafer entwickelt, darunter
solche, bei denen im extremen Ultraviolettbereich (EUV) die
Strahlungen reflektiert werden oder sogenannte Stencilmasken,
bei denen die Strukturen durch Elektronenstrahlen oder Ionen
strahlen übertragen werden. Bei diesen Masken handelt es sich
heutzutage meist um aus Siliziumwafern hergestellten Membran
masken im Gegensatz zu den bisher verwendeten Quarzplatten
als Grundlage für Masken.
Mit den gesteigerten Anforderungen an die Lithographietechni
ken ergeben sich in besonderem Maße auch für die Defektin
spektion notwendige Schritte, die bewältigt werden müssen.
Zum einen sind Defekte noch kleinerer Größe aufzuspüren, zum
anderen müssen bei dem breiteren Spektrum an Maskentypen zu
nehmend auch die Strukturunterschiede zwischen der auf der
Maske aufgebrachten Struktur und dem auf dem Wafer erzielten
Abbild berücksichtigt werden. Durch die erheblichen Geschwin
digkeitssteigerungen im Bereich der Rechenanlagen in den
letzten Jahren war man mehr und mehr dazu übergegangen, von
der konventionellen sog. Die-to-Die Inspektion, bei welcher
mehrfach vorhandene gleichartige Strukturen auf der Maske
miteinander verglichen werden, zur Die-to-Database Inspekti
on, bei welcher eine Struktur auf der Maske mit einem in der
Datenbank gespeicherten Datenbild verglichen wird, überzuge
hen.
Bei der Die-to-Database Inspektion wird - um einen Vergleich
möglich zu machen - mittels eines Algorithmus das Datenbild
aus der Datenbank heraus in ein die optischen Eigenschaften
der Maskenübertragung simulierendes Bild umgewandelt. Je kom
plexer die zu übertragenden optischen Strukturen, etwa pha
senverschobene Signale oder OPC-Strukturen, desto zeitaufwen
diger wird die Inspektion selbst, so wie auch die Entwicklung
eines unterliegenden Algorithmus schwieriger wird.
Konnten für herkömmliche Chrome-on-Glass-Masken, OPC-
Strukturen sowie Halbton-Phasenmasken befriedigende Lösungen
für die Algorithmen in einer hinreichenden Zeitspanne nach
der Auslieferung neu entwickelter Typen von Defektinspekti
onsanlagen geliefert werden, so tritt für die in Entwicklung
befindlichen alternierenden Phasenmasken, 3-Ton-Phasenmasken,
EUV- und Stencil-Masken das Problem auf, daß die Algorithmen
zur Rekonstruktion eines Masken-Abbildes aus ihrem Datenbild
nicht mehr rechtzeitig erhältlich sein werden. Für die Gene
ration von Masken mit elektronen- bzw. ionenoptischen Eigen
schaften wird voraussichtlich dieser Effekt besonders deut
lich hervortreten.
Einen Ausweg würde der Rückgriff auf die immer noch verwende
te Die-to-Die Inspektion darstellen, welches aber wegen der
häufig singulären Strukturen auf den Masken nicht immer mög
lich sein kann. Der Vorteil wäre hier, daß das Masken-Abbild
nicht simuliert werden müßte. Moderne Defektinspektionsanla
gen sind darauf ausgelegt, kleinste Bereiche auf der Maske
zwischenzuspeichern, um dann zu den Koordinaten des Referenz-
Dies zu wechseln, das entsprechende Gegenstück der Struktur
zu finden, und das aktuelle Bild mit dem zwischengespeicher
ten Abbild zu vergleichen.
Die gleiche Vorgehensweise wäre bei der sogenannten Mask-to-
Mask-Inspektion möglich, bei der von ihrer Struktur her zwei
identische Masken nacheinander inspiziert werden, wobei das
Bild der ersten Maske zwischengespeichert und während der In
spektion der zweiten Maske mit dem Bild dieser Maske vergli
chen wird. Leider entsteht hierbei der erhebliche Nachteil,
daß der Abruf der gespeicherten Daten aus dem Speicher zu
zeitaufwendig ist und daß heute kaum erhältliche Speicher in
der Größenordnung von einigen Terabyte benötigt werden. Zudem
können oftmals notwendige Unterbrechungen der Inspektion
nicht ohne weiteres durchgeführt werden.
In US 6,043,932 wird für die Die-to-Die Inspektion ein In
spektionsgerät vorgestellt, bei welchem durch Aufsplitten des
Laserstrahls und anschließender Justierung der Teilstrahlen
auf die einzelnen Dies eine parallele Aufnahme der Die-
Strukturen mit einem Linear Image Sensor die Abbilder in Re
alzeit verglichen werden können. Allerdings ergeben sich auch
hier die genannten Nachteile, daß das Verfahren auf nicht-
singuläre Maskenstrukturen beschränkt ist und daß die jeweiligen
Teilstrahl-Optiken nur eine kleine Größe aufweisen kön
nen.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine
vollflächige Defektkontrolle auch von Masken mit singulären
Strukturen unabhängig von der verwendeten Maskentechnologie
anzubieten, eine höhere Qualität der Masken zu gewährleisten
und eine beschleunigte Maskeninspektion zu ermöglichen.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Maßnahmen des Pa
tentanspruches 1 gelöst.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Maske in einer er
sten Defektinspektionsanlage dadurch inspiziert, daß diese
mit einer zumindest in einer Teilstruktur identischen Refe
renzmaske in einer zweiten Defektinspektionsanlage verglichen
wird, wobei diese beiden Defektinspektionsanlagen bzw. ihre
Steuerrechner zusammengeschaltet werden. Die Verbindung der
beiden Steuerrechner wird durch ein Bussystem bzw. ein Inter
face bewerkstelligt, welches einen hinreichend hohen Daten
durchsatz pro Zeiteinheit liefert, welcher idealerweise etwa
so groß ist wie jener der Verbindung zwischen Steuerrechner
und Defektinspektionsanlage. Die Bandbreite und Taktfrequenz
des Daten-Bussystems bzw. Interface müssen daher diesem Da
tendurchsatz entsprechen, sind ansonsten aber frei wählbar.
Durch diese Zusammenschaltung können die aufgenommenen Bild
daten, z. B. der Referenzmaske, in Realzeit zu dem die Defek
tinspektionsanlage der zu untersuchenden Maske steuernden
Steuerrechner transferiert werden. Damit stehen die Ver
gleichsdaten für einen zu untersuchenden Ausschnitt auf der
Maske sofort ohne Zwischenspeicherung zur Verfügung, so daß
keine Zeit für das Speichern, Wiederaufsuchen und Wiederladen
der Referenzdaten aufgewendet werden muß. Die Bilddaten, wel
che in Echtzeit, d. h. in der zur Abrasterung der Oberflä
chenstruktur der Maske benötigten Zeit, zur Verfügung stehen,
können dann sofort von einem der beiden Steuerrechner oder
einem weiteren Rechner zur Bildauswertung, d. h. dem Bildver
gleich, ausgewertet werden. Hierzu können die herkömmlichen
Inspektions- bzw. Bildverarbeitungsprogramme genutzt werden.
Auf vorteilhafte Weise wird damit durch das Zusammenschalten
zweier verschiedener Defektinspektionsanlagen mit dem Ver
gleich wenigstens in Teilbereichen identischer Masken eine
erheblich schnellere Inspektion erreicht. Insbesondere durch
den Wegfall der nun nicht mehr notwendigen Zwischenspeiche
rung der Bilddaten, etwa der Referenzmaske, wird Zeit für die
sonst in diesem Fall nicht genutzten Defektinspektionsanlagen
gespart.
Idealerweise wird die vollflächige Defektkontrolle durch eine
Abrasterung kleiner Teilausschnitte durchgeführt, welche an
schließend miteinander verglichen werden. Dadurch werden je
weils kleinere Datenmengen zum Vergleich gebracht. Die Wie
derholung dieser Schritte auf beiden Defektinspektionsanlagen
führt dann zu einer vollflächigen Abrasterung der Maske. Ne
ben dem Vorteil, daß kleinere Datenmengen bequem in den
Hauptspeichern der Steuerrechner untergebracht werden können,
ohne auf Festplatten oder andere Speichermedien zurückgreifen
zu müssen, ergibt sich dadurch die Möglichkeit, die Defektin
spektionsanlagen während des Vergleichs der Teilausschnitte
bereits für die Aufnahme der nächsten Teilausschnitte zu nut
zen. Durch diesen hochparallelen Vorgang wird die Inspektion
zusätzlich beschleunigt.
Ein großer Vorteil ergibt sich dadurch, daß die aufgenommenen
Bilddaten ähnlich wie bei der Die-to-Die Inspektion wieder
direkt verglichen werden können, ohne daß in aufwendiger Si
mulation die Bilddaten aus den Designdaten der Datenbank aus
gelesen und aufgearbeitet werden müssen, um die EIN- und
elektronenoptischen Eigenschaften etc. zukünftiger bzw. ge
genwärtiger Maskentechnologien zu berücksichtigen.
In einer weiteren Ausbildung wird das Zusammenschalten von
mehreren Defektinspektionsanlagen zu einem Cluster betrachtet.
Neben dem Vorteil in der Flexibilität bei der Nutzung
verschiedener Anlagen ergibt sich dabei die Möglichkeit, eine
Referenzmaske gleichzeitig für eine Anzahl mit wenigstens in
Teilbereichen identischen zu untersuchenden Masken bereitzu
stellen und somit die Inspektion ressourcensparend durchzu
führen.
Voraussetzung für die Durchführung der vorliegenden Methode
ist das Vorhandensein einer Referenzmaske. Bei dieser kann es
sich um eine von mehrfach produzierten gleichartigen Masken
oder auch um eine nicht ausgelieferte oder später rückgelie
ferte Maske aus einem früheren Designstand handeln, von wel
chem wenigstens Teilbereiche für den Vergleich verwendet wer
den können. Um den ständig steigenden Anforderungen in Hin
sicht auf Qualität und Herstellungszeit in der Maskenferti
gung gerecht zu werden, werden aber zunehmend auch Parallel
fertigungen von Masken gestartet, von welcher nur die erste
den Spezifikationen genügende Maske ausgeliefert wird. In den
Kontrollen nach vorherigen Prozeßschritten durchgefallene,
gleichartige Masken können aber unter Berücksichtigung der
auf Ihnen vorhandenen Fehler als Referenzmaske verwendet wer
den.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den un
tergeordneten Patentansprüchen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungsbei
spiels näher erläutert. Dabei zeigt:
Fig. 1 eine Auswahl verschiedener Inspektionsmethoden für
Masken, nämlich die Die-to-Die Inspektion (a), die
Die-to-Database Inspektion (b) und erfindungsgemäß
die Mask-to-Mask Inspektion (c).
Fig. 2 schematisch die Zusammenschaltung zweier Defektin
spektionsanlagen, jeweils mit Steuerrechner und ei
nem zwischengeschalteten Interface bzw. Bussystem.
Im folgenden erfindungsgemäßen Beispiel soll die Defektin
spektion für eine alternierende Phasenmaske durchgeführt wer
den. In Fig. 1 sind die dem Stand der Technik gemäßen Metho
den, sowie die erfindungsgemäßen Methoden, welche für die In
spektion grundsätzlich zur Verfügung stehen, dargestellt. In
Fig. 1a wird skizziert, wie zwei Dies 2 auf einer Maske 1
miteinander verglichen werden, gleichbedeutend der Die-to-Die
Inspektion. In Fig. 1b ist die Die-to-Database Inspektion
skizziert, wobei die aufgenommenen Daten des Dies 2 auf der
Maske 1 mit dem die lokalen Phasendifferenzen bei alternie
renden Phasenmasken berücksichtigenden Simulationen der Bild
daten aus der als Referenz dienenden Datenbank 3 zum Ver
gleich herangezogen werden. Da die alternierende Phasenmaske
1 im vorliegenden Beispiel eine singuläre Struktur aufweisen
soll, ist die in Fig. 1a dargestellte Methode des Vergleichs
zweier Dies auf der Maske 1 leider nicht anwendbar. Weil sich
auch das Herstellungsverfahren der alternierenden Phasenmas
ken selbst noch in der Entwicklung befindet, können auch für
die Die-to-Database Defektinspektion nur entweder provisori
sche oder im Prinzip unangemessene, herkömmliche Simulati
onsalgorithmen verwendet werden, welche aus den Designdaten
in der Datenbank 3 durch Berücksichtigung der lokalen Phasen
differenzen und Beugungsmechanismen ein imaginäres Referenz
bild erzeugen. Durch diese Schwierigkeiten wird einerseits
die Qualität der Defektinspektion der alternierenden Phasen
maske negativ beeinflußt, andererseits kann bereits die Simu
lationsdauer jene Dauer der eigentlichen Bildaufnahme bei
weitem übersteigen, so daß die Fertigungsdauer der Maske 1
nachteilhaft verlängert wird.
Liegt nun eine Referenzmaske mit einem wenigstens in einem
Teilbereich identischen Strukturbild vor, so können ähnlich
wie bei der Die-to-Die Inspektion die entsprechenden Teilbe
reiche der zu untersuchenden Maske 1 und der Referenzmaske 1'
miteinander verglichen werden, wie in Fig. 1c gezeigt ist.
Der Unterschied besteht darin, daß hier nicht notwendigerweise
eine Struktur aus über der Maske verteilten Dies vorliegen
muß, sondern die Anwendbarkeit auch auf Masken mit singulä
ren, also nur einmal auf der Maske vorliegenden Strukturen
ausgedehnt werden kann.
Zur Durchführung der Defektinspektion werden zwei vorzugswei
se gleichartige Defektinspektionsanlagen 4, 4', z. B. KLA 353
UV, mit der zu untersuchenden alternierenden Phasenmaske 1
und einer in diesem Beispiel identischen alternierenden Pha
senmaske 1' beladen. Wie in Fig. 2 schematisch dargestellt
ist, werden die beiden Defektinspektionsanlagen 4, 4' jeweils
von einem Steuerrechner 5 bzw. 5' gesteuert. Die beiden Anla
gen werden nun aus dem Einzelbetriebsmodus herausgenommen und
durch ein Interface 6 zwischen den beiden Steuerrechnern 5
und 5' verbunden, so daß die Bilddaten und Steuersignale
übertragen werden können. Das Interface 6 bewerkstelligt ei
nen etwa gleich hohen Datendurchsatz zu den Steuerrechnern 5
bzw. 5', wie diese ihn zu den Defektinspektionsanlagen 4 und
4' bewältigen können. Nach der jeweiligen Justierung der Mas
ken 1 und 1' auf den Defektinspektionsanlagen 4, 4' wird auf
der Defektinspektionsanlage 4 die Abrasterung etwa 1000 ×
1.000.000 Pixel umfassender Streifen gestartet. Gleichzeitig
sendet der Steuerrechner 5 über das Interface 6 ein Signal an
den Steuerrechner 5' zum Anstoß der Abrasterung des entspre
chenden Streifens auf der Maske 1', welcher die gleichen Ko
ordinaten wie der gerade auf der Maske 1 in der Defektinspek
tionsanlage 4 sich in Abrasterung befindliche Streifen be
sitzt.
Die Pixeldaten des Rasterbildes der Maske 1', welche auf der
Defektinspektionsanlage 4' inspiziert wird, werden vom Steu
errechner 5' über das Interface 6 an den Steuerrechner 5 der
ersten Defektinspektionsanlage 4 übermittelt. Auf dem Steuer
rechner 5 befindet sich ein Bildverarbeitungsprogramm, wel
ches die beiden Rasterbilder miteinander vergleicht und die
entsprechenden Defektergebnisse dem betreuenden Operator si
gnalisiert.
Während noch die Bildverarbeitung läuft, wird bereits vom
Steuerrechner 5 die Inspektion des nächsten Rasterteilbe
reichs auf der Maske 1 in der Defektinspektionsanlage 4 ge
startet und, wie oben beschrieben, das entsprechende Signal
an den Steuerrechner 5' zum Start der Inspektion des identi
schen Teilbereiches auf der Maske 1' gesendet.
Für die Bildverarbeitungsaufgabe kann auch ein über das In
terface bzw. das Bussystem 6 angeschlossener weiterer Steuer
rechner zur Entlastung der genannten Steuerrechner verwendet
werden. Besonders vorteilhaft erweist sich, daß beim Auftre
ten von Problemen während der Inspektion der Teilbereiche die
Inspektion sofort unterbrochen werden kann, um Fehler genau
er, detaillierter zu untersuchen oder entsprechende Folgeak
tionen einzuleiten.
Dies wäre im Falle der massiven Datenzwischenspeicherung un
ter Verwendung nur einer Defektinspektionsanlage nicht mög
lich.
1
Maske
1
' Referenzmaske
2
Die
3
Datenbank
4
Defektinspektionsanlage
4
' Defektinspektionsanlage (Referenz)
5
,
5
' Steuerrechner
6
Bussystem; Interface
Claims (9)
1. Verfahren zur Inspektion von Defekten auf einer Maske (1),
umfassend die Schritte:
- a) eine erste Defektinspektionsanlage (4) wird mit der Maske (1) beladen,
- b) eine zweite Defektinspektionsanlage (4') wird mit einer Referenzmaske (1') beladen, welche wenigstens in einem Teilbereich ihrer Oberfläche eine zu der Maske (1) iden tische Strukturierung aufweist,
- c) ein erster Steuerrechner (5) der ersten Defektinspek tionsanlage (4) wird mit einem zweiten Steuerrechner der zweiten Defektinspektionanlage (4') über ein der Kommuni kation zwischen beiden Steuerrechnern (5, 5') dienendes Bussystem (6) verbunden,
- d) ein Ausschnitt aus dem Teilbereich mit identischer Struk turierung der Maske (1) wird mit der ersten Defektinspek tionsanlage (4) aufgenommen und im ersten. Steuerrechner (5) als Bild aufgebaut,
- e) ein Ausschnitt aus dem Teilbereich mit identischer Struk turierung der Referenzmaske (1') wird mit der zweiten Defektinspektionanlage (4') aufgenommen und im zweiten Steuerrechner (5') als Bild aufgebaut,
- f) das Bild eines der beiden Steuerrechner (5, 5') wird über das Bussystem (6) zu dem anderen der beiden Steuerrechner (5, 5') transferiert,
- g) die Bilder werden miteinander verglichen,
- h) in Abhängigkeit von dem Vergleich wird die Maske (1) qua lifiziert.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß nach Schritt (g) die Schritte (d), (e) und (f) zur
Aufnahme weiterer Ausschnitte aus dem Teilbereich mit
identischer Struktur wiederholt werden.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß während der Inspektion der Maske (1) die Inspektion der
Referenzmaske (1') durchgeführt wird.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Vergleich eines ersten Ausschnitts in Schritt (g)
während der Aufnahme eines zweiten Ausschnittes in Schritt
(d) und (e) durchgeführt wird.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die Maske (1) und die Referenzmaske (1') auf Sili
zium-Wafern strukturierte Masken verwendet werden.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die Maske (1) und die Referenzmaske (1') auf
reflektierend beschichteten Quarzplatten oder Silizium-Wafern
strukturierte Masken verwendet werden.
7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß einer der beiden Steuerrechner (5, 5') Steuersignale zur
Kontrolle beider Inspektionsanlagen (4, 4') aussendet.
8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens ein dritter Steuerrechner über ein der
Kommunikation dienendes Bussystem mit dem ersten und zweiten
Steuerrechner (5, 5') verbunden wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens eine dritte Defektinspektionsanlage an
mindestens einen der dritten oder weiteren Steuerrechner
angeschlossen wird und mit einer Maske (1) zur Inspektion
beladen wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10103958A DE10103958C1 (de) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | Verfahren zur Inspektion von Defekten auf einer Maske |
US10/060,450 US6970589B2 (en) | 2001-01-30 | 2002-01-30 | Method for inspecting defects on a mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10103958A DE10103958C1 (de) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | Verfahren zur Inspektion von Defekten auf einer Maske |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10103958C1 true DE10103958C1 (de) | 2002-05-29 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10103958A Expired - Fee Related DE10103958C1 (de) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | Verfahren zur Inspektion von Defekten auf einer Maske |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6970589B2 (de) |
DE (1) | DE10103958C1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102023105762A1 (de) | 2023-03-08 | 2024-03-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Computerprogrammprodukt zur Identifizierung von Fehlern auf fotolithografischen Masken |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10316821A1 (de) * | 2003-04-03 | 2004-10-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Korrektur von Abbildungsfehlern eines optischen Systems sowie eine Verwendung der Vorrichtung |
US9002497B2 (en) * | 2003-07-03 | 2015-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data |
US8045788B2 (en) * | 2003-07-14 | 2011-10-25 | August Technology Corp. | Product setup sharing for multiple inspection systems |
US7200257B2 (en) * | 2005-05-05 | 2007-04-03 | International Business Machines Corporation | Structure and methodology for fabrication and inspection of photomasks |
TW200746259A (en) * | 2006-04-27 | 2007-12-16 | Nikon Corp | Measuring and/or inspecting method, measuring and/or inspecting apparatus, exposure method, device manufacturing method, and device manufacturing apparatus |
US7710572B2 (en) * | 2006-11-30 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
US20100326928A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Mpc Inc. | Filtration System |
KR20130028179A (ko) * | 2011-08-09 | 2013-03-19 | 삼성전자주식회사 | 마스크 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
US8953869B2 (en) * | 2012-06-14 | 2015-02-10 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for inspecting extreme ultra violet reticles |
US11328411B2 (en) | 2020-05-04 | 2022-05-10 | KLA Corp. | Print check repeater defect detection |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0532927A2 (de) * | 1991-08-22 | 1993-03-24 | Kla Instruments Corporation | Gerät zur automatischen Prüfung von Photomaske |
DE19622037A1 (de) * | 1995-06-02 | 1996-12-05 | Sony Corp | Verfahren zur Prüfung von Defekten in auf Photomasken ausgebildeten Strukturen |
DE19734486A1 (de) * | 1996-08-09 | 1998-02-26 | Nec Corp | Photomasken-Prüfgerät und Verfahren zum Prüfen von Photomasken |
DE69127835T2 (de) * | 1990-01-12 | 1998-04-30 | Futec Inc | Verfahren und Einrichtung zum Vergleichen von Mustern |
US6043932A (en) * | 1997-04-07 | 2000-03-28 | Lasertec Corporation | Laser microscope and a pattern inspection apparatus using such laser microscope |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE6912783U (de) | 1969-03-28 | 1969-08-21 | Elektro Spezialbau Gerhard Hue | Kinderauto |
JPH08234413A (ja) * | 1995-02-24 | 1996-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクパターン欠陥検査装置及びフォトマスクパターン欠陥検査方法 |
-
2001
- 2001-01-30 DE DE10103958A patent/DE10103958C1/de not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-30 US US10/060,450 patent/US6970589B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69127835T2 (de) * | 1990-01-12 | 1998-04-30 | Futec Inc | Verfahren und Einrichtung zum Vergleichen von Mustern |
EP0532927A2 (de) * | 1991-08-22 | 1993-03-24 | Kla Instruments Corporation | Gerät zur automatischen Prüfung von Photomaske |
DE19622037A1 (de) * | 1995-06-02 | 1996-12-05 | Sony Corp | Verfahren zur Prüfung von Defekten in auf Photomasken ausgebildeten Strukturen |
DE19734486A1 (de) * | 1996-08-09 | 1998-02-26 | Nec Corp | Photomasken-Prüfgerät und Verfahren zum Prüfen von Photomasken |
US6043932A (en) * | 1997-04-07 | 2000-03-28 | Lasertec Corporation | Laser microscope and a pattern inspection apparatus using such laser microscope |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102023105762A1 (de) | 2023-03-08 | 2024-03-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Computerprogrammprodukt zur Identifizierung von Fehlern auf fotolithografischen Masken |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020103607A1 (en) | 2002-08-01 |
US6970589B2 (en) | 2005-11-29 |
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