DE102006004230B4

DE102006004230B4 - Verfahren zur Herstellung einer Maske für die lithografische Projektion eines Musters auf ein Substrat

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Publication number: DE102006004230B4
Application number: DE102006004230A
Authority: DE
Inventors: Mario Hennig; Rainer Dr. Pforr; Gerd Unger
Original assignee: Qimonda AG
Current assignee: Qimonda AG
Priority date: 2006-01-30
Filing date: 2006-01-30
Publication date: 2008-11-06
Anticipated expiration: 2026-01-31
Also published as: US7644389B2; US20070196744A1; DE102006004230A1

Abstract

Verfahren zur Herstellung einer Produktionsmaske (600) für die lithografische Projektion eines Musters (210) auf einen Produktwafer (700), umfassend:
a) Bereitstellen des Musters (210) in elektronisch gespeichertem Format;
b) Zerlegen des im elektronischen Format gespeicherten Musters in eine Anzahl von Teilmustern (214–220);
c) Herstellen je einer Zwischenmaske (230–236) für jedes der Teilmuster (214–220) in einem Maskenschreibgerät (240), umfassend:
ca) Bilden von das jeweilige Teilmuster (214–220) repräsentierenden Strukturelementen auf einer Vorderseite (32) der entsprechenden Zwischenmaske (230–236);
cb) anschließendes sukzessives Projizieren der Zwischenmasken (230–236) zur Zusammensetzung eines gemeinsamen Musters auf eine Testmaske (200) in einem ersten Projektionsapparat (250);
cc) Bestimmen einer Verteilung von Linienbreiten LB(x, y) der gebildeten Strukturelemente des gemeinsamen Musters auf der Testmaske (200) und jeweils Vergleichen mit vorgegebenen, nominalen Linienbreiten zur Bestimmung einer Verteilung von Abweichungen ΔLB(x, y) der Linienbreiten;
cd) Vorgeben einer Funktion (550), welche die Linienbreite in Abhängigkeit von der in...

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Maske für die lithografische Projektion eines Musters auf ein Substrat.
Integrierte Schaltungen werden üblicherweise mit Hilfe von lithografischen Prozesstechniken hergestellt. Dazu wird für eine Anzahl auf einem Substrat herzustellender Ebenen der Schaltung jeweils eine Maske hergestellt, mit welcher das Muster der Ebene in eine photoempfindliche Schicht (Resist) auf dem Substrat projiziert wird. Dazu wird beispielsweise ein im Verhältnis 4:1 oder 5:1 die Strukturelemente des Musters verkleinernder Projektionsapparat eingesetzt.
Die belichteten Strukturen im Resist werden anschließend entwickelt, so dass nachfolgend in einem Ätzschritt die entwickelten Strukturen in eine unterliegende Schicht übertragen werden können, in welcher zum Beispiel elektronische Bauelemente wie Transistoren oder Dioden, Dotiergebiete, Kondensatoren, Leiterbahnen, oder deren gegenseitige Isolationen, etc. anhand von Gräben in dieser Schicht zu bilden sind.
Die Miniaturisierung in der Halbleitertechnik ist in den vergangenen 20 Jahren kontinuierlich fortgeschritten. Physikalische Grenzen werden der Miniaturisierung durch das begrenzte Auflösungsvermögen insbesondere der verwendeten Projektionsapparate gesetzt, wobei auch hier kontinuierlich Fortschritte erzielt werden.
Für die Qualität ist aber nicht nur die auf dem Substrat minimal erzielbare Breite von Strukturelementen entscheidend, auch die Gleichmäßigkeit (engl.: uniformity) von im Layout vorgegebenen Elementen etwa gleicher Größe nach einer Abbildung auf dem Substrat ist zu berücksichtigen. Durch den zweistufigen Prozess – zunächst Bildung der Strukturelemente auf der Maske und anschließend auf dem Substrat (z. B. ein Halbleiterwafer) – können sich die Effekte der Ungleichmäßigkeit auf nachteilhafte Weise verstärken.
Das trifft besonders dann zu, wenn mit Linienbreiten, d. h. Breiten der gebildeten Strukturelemente, im Bereich nahe der Auflösungsgrenze des Projektionsapparates für die Abbildung von der Maske auf z. B. einen Wafer gearbeitet wird. Bei Linienbreiten auf der Maske nahe der Auflösungsgrenze des optischen Systems wird eine Funktion nichtlinear, welche die jeweils bei der Abbildung auf dem Wafer resultierenden Linienbreiten mit den Ausgangslinienbreiten auf der Maske in Beziehung setzt. Lokale Schwankungen auf der Maske können somit zu erheblichen Linienbreitenvariationen auf dem Substrat führen. Man spricht hier vom sogenannten Mask Error Enhancement Factor (MEEF).
Anders herum wirken sich in diesem Bereich schon von vornherein auf der Maske unabsichtlich gebildete Variationen von Linienbreiten verschiedener Strukturelemente in besonders erheblichem Maße auf entsprechend auf dem Substrat resultierende Verteilungen der Linienbreiten (LB) aus. Es wird daher ein sehr hoher Grad an Gleichmäßigkeit der Linienbreiten (LB) auf der zur Verfügung gestellten Maske benötigt.
Derzeit verfügbare Techniken zur Herstellung von Strukturmustern auf Masken beruhen auf Elektronenstrahlschreibern. Diese reichen aber für die zukünftigen Anforderungen an Linienbreitengleichmäßigkeit nicht mehr aus, bei denen nach Projektion auf dem Substrat (Halbleiterwafer) Linienbreiten von 50 nm und weniger zu erzielen sind.
Ähnlich wie bei der beschriebenen Strukturübertragung von der Maske in einen Resist, der auf dem Substrat angeordnet ist, wird auch das Muster auf der Maske lithografisch hergestellt. Jedoch wird dabei das Muster mit einem hochaufgelösten Strahl, etwa einem Elektronenstrahl, gezeichnet. Masken mit geringeren Anforderungen an die Auflösung können auch mit einem Laserstrahl im ultravioletten Wellenlängenbereich (bei 248 nm oder 365 nm) gezeichnet werden.
Die im Resist auf der Maske gezeichneten Muster werden in Ätzprozessen, meist durch Trockenätzen, in die unterliegende Absorberschicht übertragen. Neben Effekten, die durch Entwicklungsprozesse bedingt sein können, kommen besonders auch Ätzprozesse zur Übertragung der Resiststruktur in den Absorber auf der Maske als Verursacher von Schwankungen der Linienbreite in Betracht. Das gilt insbesondere an den Rändern und in den Ecken des Maskensubstrats, die systematisch abweichenden Bedingungen im Ätzprozess unterliegen.
Dies gilt für die Herstellung fotolithografischer Masken, tritt aber besonders bei der Herstellung von EUV-Masken (EUV: extrem ultravioletter Wellenlängenbereich im Bereich von etwa 10 bis 15 nm, verwendet bei der Projektion des Musters auf den Wafer) auf nachteilhafte Weise hervor. Auch bei der Herstellung von Templates für die Nano-Imprint-Technik schränken diese Variationen der Linienbreite die Nutzbarkeit dieser Technik erheblich ein.
Ein Ansatz zur Umgehung dieser Nachteile könnte darin bestehen, eine über das Gebiet der Maske angepasste Vorverzerrung der Strukturelemente vorzunehmen. Diese Vorverzerrung wäre im Layout, d. h. dem noch in elektronischen Format vorliegenden Muster zu berechnen. Mit dem vorverzerrten Layout würde dann das Muster auf der Maske gezeichnet. Die Vorverzerrungen kompensieren die systematischen Variationen der Linienbreite über dieses Gebiet hinweg. Die gegenwärtig verfügbaren hardware- und softwaretechnischen Lösungen erlauben diesen Weg aber nur sehr eingeschränkt. Jedenfalls müsste eine erneute Anpassung der Layoutdaten nach Herstellung einer ersten Referenzmaske und somit ein Neuschreiben am Patterngenerator erfolgen, welches wiederum erhöhte Kosten zur Folge hätte, denn schon die erste Referenzmaske müsste den strengen Spezifikationen genügen.
Aus der US 6,710,847 B1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Produktionsmaske für die lithografische Projektion eines Musters auf einen Produktwafer bekannt, bei dem das Muster in eine Anzahl von Teilmustern zerlegt wird. Für jedes der Teilmuster wird dann eine Zwischenmaske hergestellt, auf der Strukturelemente vorgesehen sind, die das jeweilige Teilmuster repräsentieren. Anschließend erfolgt eine sukzessive Projektion der Zwischenmasken auf die Produktionsmaske zur Zusammensetzung des gemeinsamen Musters aus den zerlegten Teilmustern auf der Produktionsmaske in einem Projektionsapparat.
In der DE 10346561 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske gezeigt, bei dem Strukturelemente einer Fotomaske auf einen Wafer abgebildet werden, und Linienbreitenvariation der abgebildeten Strukturelemente auf dem Wafer vermessen werden. Die gemessenen Linienbreitenvariationen werden mit vorgegebenen Linienbreitenvariationen verglichen. Es wird ei ne erforderliche Energiedosis für jeweilige Abschnitte der Fotomaske bestimmt, um die Linienbreitenvariation zu verringern.
WO 2005/008333 A2 beschriebt ein Verfahren zur Kompensation von Variationen von Linienbreitenvariationen auf einem Wafer. Das Verfahren umfasst die Bestimmung von Linienbreitenvariationen über ein Bildfeld der Fotomaske auf dem Wafer, das Vorsehen von Schattierungselementen innerhalb des Substrats der Fotomaske, wobei die Schattierungselemente das die Fotomaske passierende Licht abschwächt, um die Linienbreitenvariationen auf dem Wafer zu verringern.
Es ist daher eine Aufgabe, ein Verfahren zum Herstellen einer Maske für die lithografische Projektion anzugeben, dass die Bildung einer erhöhten Gleichmäßigkeit der Linienbreiten auf der Maske ermöglicht. Es ist darüber hinaus eine Aufgabe, die Linienbreitengleichmäßigkeit auf dem Substrat zu erhöhen, das mit dem Muster einer Maske belichtet wird.
Diese und andere Aufgaben werden gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den abhängigen Ansprüchen zu entnehmen.
Die Begriffe Zwischenmaske, Testmaske, Produktionsmaske bezeichnen Photomasken. Die unterschiedlichen Begriffe dienen der vereinfachten Unterscheidung der vorliegend verwendeten Masken voneinander bei Ausführung des beanspruchten Verfahrens. Das gleiche gilt für die Begriffe Testwafer und Produktwafer, welche Halbleiterwafer bezeichnen. Gleichwohl sol len auch andere Typen von Substraten wie etwa LCD (liquid crystal displays) durch die erfindungsgemäß hergestellte Produktionsmaske herstellbar sein.
Zur weiteren Verbesserung der Gleichmäßigkeit von Linienbreiten wird ein mehrstufiger Herstellungsprozess vorgeschlagen. Zunächst wird das auf der Maske zu bildende Muster als Layout zur Verfügung gestellt. Das Layout ist hier als ein in elektronischem Format gespeichertes Muster definiert, das die Positionen von Strukturelementen einer herzustellenden Ebene einer integrierten Schaltung gegenüber einem Referenzkoordinatensystem wiedergibt. Darin können auch Hilfsstrukturen, sogenannte SRAF-Strukturen (sub-resolution assist features) oder Vorhalte (OPC bias, optical proximity correction) eingerichtet sein. Die Hilfsstrukturen werden im Fall der Projektion von einer Maske auf das Substrat nicht direkt abgebildet, können jedoch die Abbildung weiterer Strukturelemente beeinflussen.
Das Layout kann sich auch auf Phasenmasken beziehen, so dass darin angegeben ist, welche Strukturelemente phasenschiebend sind und welche nicht, oder welche Strukturelemente (Flächen geometrischer Figuren im Layout) als opak, semitransparent oder voll transparent auszuführen sind.
Das Layout wird in Teilmuster zerlegt. Eine Ausgestaltung sieht vor, die Zerlegung derart vorzunehmen, dass in dem Muster enthaltene Chips nicht aufgetrennt werden. Die Teilmuster umfassen nach der Zerlegung also vorzugsweise Layoutanteile vollständiger Chips. Bei einer Auftrennung von Chips würden möglicherweise Probleme bei der Justage im Rahmen der im folgenden noch zu beschreibenden Projektion in ein gemeinsames Muster entstehen. Die Teilmuster können natürlich auch mehrere Chips umfassen.
Die Zerlegung des Layouts erfolgt mit Hilfe gängiger Software. Hierzu sind eine Reihe von Softwaretools am Markt erhältlich, mit denen Operationen wie die Zusammenlegung, Trennung, Überarbeitung (z. B. Einrechnung von Vorhalten) durchgeführt werden können.
Es ist alternativ auch möglich, die Teilmuster von vornherein getrennt zu erstellen, jedoch ist es zweckmäßig, zum Zweck der späteren Qualitätskontrollen wie Defektinspektion, Lagegenauigkeitsmessung, etc. ein elektronisch gespeichertes Gesamtmuster zur Verfügung zu haben, das als Referenz für die entsprechenden Messungen dient.
Ein nächster Schritt sieht vor, die Teilmuster in z. B. einem gegenüber der finalen Maskenstruktur um einen Faktor X vergrößerten Maßstab jeweils auf Zwischenmasken, die zusammen einen Maskensatz ergeben, zu zeichnen. Das Gesamtmuster ist damit auf mehrere solcher Zwischenmasken verteilt.
Die Herstellung erfolgt jeweils in einem herkömmlichen Maskenschreibgerät. Die Zwischenmasken werden anschließend im Maßstab 1/X auf einen mit einem Resist beschichteten Maskenrohling übertragen und dabei so zusammengesetzt, das nach Abschluss aller üblichen Prozesse der Maskenherstellung eine Testmaske mit dem gewünschten Gesamtmuster für die Abbildung auf dem Wafer entsteht. Die Abbildung von der Zwischenmaske auf diese gemeinsame Testmaske kann in einem Maskenstepper oder -scanner durchgeführt werden.
Ähnlich Projektionsapparaten für die Abbildung einer Struktur von einer Maske auf einen Wafer weisen auch solche Geräte eine Lichtquelle, eine Illuminationsoptik und ein Objektivlinsensystem sowie Beleuchtungs- und Ausgangspupillen und einen Strahlengang mit Masken- und Bildebenen auf, wobei hier keine Einschränkung auf Wellenlängenbereiche für die Projektion auf die Maske erfolgen soll.
Ein erster Hauptaspekt der Erfindung sieht vor, eine Linienbreitenverteilung auf der Testmaske zu bestimmen. Die Belichtung eines Wafers erfolgt erst durch eine noch herzustellende finale Produktionsmaske.
Die auf der Testmaske gebildeten Strukturelemente werden über die Maskenoberfläche hinweg auf ihre Linienbreiten hin vermessen. Es wird weiter die Abweichung der gemessenen Linienbreiten von einem jeweiligen Zielwert berechnet. Der Zielwert ergibt sich als Vorgabe für das jeweilige Strukturelement aus dem elektronisch gespeicherten Muster, d. h. dem Layout.
Es wird eine Funktion vorgegeben. Die Funktion beschreibt eine Abhängigkeit der auf der Testmaske gebildete Linienbreite von der bei der Projektion von den Zwischenmasken eingesetzten Strahlungsdosis. Anhand dieser Funktion kann für jedes abzubildende Strukturelement bzw. jede Position auf der Test- bzw. den Zwischenmasken ein Korrekturwert für die lokale Strahlungsdosis berechnet werden. Die Berechnung wird so ausgeführt, dass die Korrektur der lokalen Dosis nach Anwendung auf das betreffende Strukturelement auf der Maske bei der Projektion zu einer gewünschten Linienbreite (Ziel-Linienbreite) auf der Testmaske führt.
Es kann eine Differenzmatrix berechnet werden, die den Unterschied zwischen den gewünschten Ziel-Linienbreiten und der tatsächlich vorliegenden Linienbreitenverteilung ausweist. Mit dem im folgenden benutzten Begriff „Matrix" wird eine Darstellung der Verteilung über das aktive Gebiet der Masken bzw. über das Layout bezeichnet. Für Punkte eines gedachten Gitters werden die entsprechenden Werte der Verteilung als Einträge in der Matrix angegeben.
Aus einer solchen Differenzmatrix kann nun unter Verwendung der Funktion der Linienbreite in Abhängigkeit von der Strahlungsdosis eine Dosis-Korrektur- bzw. eine Transmissionsmatrix berechnet werden. Die Transmissionsmatrix gibt für entsprechende Punkte im Layout oder auf der Testmaske die Werte für die Transmission an, mit welchen eine Korrektur der Intensität des auf die Testmaske eingestrahlten Lichts während der Projektion durchgeführt wird. Die Dosiskorrektur wird also über eine lokale Anpassung der Intensität bzw. der Transmission auf der Testmaske – oder in einer nahen Umgebung des Ortes der Strukturelemente auf der Testmaske im Projektionsapparat – bewirkt.
Entsprechend dem in Teilmuster zerlegten Layout werden anhand der Transmissionsmatrix, welche die lokalen Werte der Transmission angibt, für jede der Zwischenmasken des anfänglich hergestellten Satzes Transmissionsverteilungen bestimmt.
Für die Anpassung der Transmission gemäß den Einträgen der berechneten Transmissionsmatrix können Ausführungsbeispielen zu Folge optische Elemente ähnlich Quarz-Pelliclen zu den Zwischenmasken hinzugefügt werden, oder es wird gemäß weiteren Beispielen das Glassubstrat dieser Zwischenmasken rückseitig bearbeitet, so dass sich im Glasträger der Maske selbst die entsprechende Absorption ergibt. Diese Beispiele werden nachfolgend genauer ausgeführt.
Die Wirkung besteht darin, dass durch Strukturierung die Maskensubstrate oder die ihr zugeordneten optischen Bauelemente lokal in ihren Transmissionseigenschaften angepasst werden. Die absorbierenden Strukturelemente befinden sich dabei im objektseitigen Defokus. Sie sind dazu nämlich von den Strukturelementen des Musters auf der Maskenvorderseite (der Zwischenmasken) ausreichend beabstandet. Es findet somit durch diese Beabstandung gewissermaßen eine Ausschmierung der Anpassung der Transmission in der Fokusebene der Zwischenmaske statt. Aufgrund dessen müssen nicht aufwendig verschiedene Transmissionswerte – etwa durch verschieden dicke Absorptionsschichten – realisiert werden. Der Grad der Transmission kann vielmehr durch die Dichte diskreter absorbierender Elemente auf dem optischen Bauelement oder im Glasträger auf der Maskenrückseite eingestellt werden.
Die Verwendung solcher transmissionskontrollierter optischer Bauelemente erlaubt eine flexible Anpassung der durch die Projektion der Zwischenmasken verursachten Strukturgeometrien auf der für die eigentliche Produktion von Wafern hergestellten Maske – im folgenden auch (finale) Produktionsmaske genannt. Die Produktionsmaske wird wie schon bei der Herstellung der Testmaske mittels der Zwischenmasken in dem Projektionsapparat hergestellt, bei dem es sich um einen Maskenstepper oder -scanner handeln kann.
Die Produktionsmaske ist im Unterschied zur Testmaske transmissionskontrolliert. Ein Vorteil entsteht bei dem Einsatz optischer Bauelemente für die Anpassung der Transmission dadurch, dass die Zwischenmasken selbst später wieder verwendet werden können. Lediglich die optischen Bauelemente sind jeweils erneut herzustellen. Als letzter Schritt wird mittels der hergestellten Produktionsmaske ein Produktwafer belichtet.
Wird der Prozess zur Herstellung der integrierten Schaltung geändert und ändert sich infolgedessen die Linienbreitenverteilung auf der Testmaske, so braucht lediglich diese Verteilung bestimmt und in Abhängigkeit davon ein neues optisches Bauelement erzeugt zu werden. Die alte Produktionsmaske ist dabei natürlich durch eine neue Produktionsmaske zu ersetzen, die nach dem beschriebenen Verfahren aus den erneut angepassten Zwischenmasken hergestellt wird.
Einem zweiten Hauptaspekt der Erfindung zu Folge kann das Muster in dem Projektionsapparat auch weiter von der Testmaske auf einen Testwafer übertragen werden, um dort bezüglich der Bestimmung einer Linienbreitenverteilung von Strukturelementen vermessen werden.
Die auf dem Testwafer gebildeten Strukturelemente werden über das Bildfeld hinweg auf ihre Linienbreiten hin vermessen. Es wird weiter die Abweichung der gemessenen Linienbreiten von einem jeweiligen Zielwert berechnet. Der Zielwert ergibt sich wie oben ausgeführt als Vorgabe für das jeweilige Strukturelement aus dem elektronisch gespeicherten Muster, d. h. dem Layout. Aus der Abweichung jeweils zwischen gemessenen und vorgegebenen Linienbreiten auf dem Testwafer kann analog zum ersten Aspekt eine Differenzmatrix bestimmt werden.
Des weiteren wird eine Korrekturfunktion vorgegeben, welche die Auswirkungen des eingangs beschriebenen Mask Error Enhancement Factors (MEEF) bei der Abbildung von der Testmaske auf den Testwafer im Waferstepper oder -scanner berücksichtigt. Der MEEF beschreibt die Abhängigkeit der auf dem Testwafer resultierenden Linienbreite als Funktion der Linienbreite auf der Testmaske. Die Korrekturfunktion wird auf die Einträge in der Differenzmatrix angewendet. Die weiteren Schritte von der Bestimmung der Transmissionsmatrix bis hin zum Projizieren des Musters von der Produktionsmaske auf einen Produktwafer werden analog zum ersten Aspekt durchgeführt.
Es wird also beim ersten Aspekt die Transmission auf Basis der Linienbreitenabweichungen auf der Testmaske kontrolliert, beim zweiten Aspekt dagegen auf Basis der entsprechenden Verteilung von Strukturelementen auf dem Testwafer.
Im Rahmen der Erfindung ist es auch vorgesehen, bei der Übertragung der Zwischenmasken auftretende gering ausgeprägte Proximity-Effekte zu korrigieren.
Die Erfindung soll nun anhand von Ausführungsbeispielen mit Hilfe von Zeichnungen näher erläutert werden. Darin zeigen:
1: eine typische Verteilung von Linienbreiten auf einer Maske nach Durchführung eines Ätzprozesses;
2, 3, 6, 7, 8: Schritte eines Verfahrens zur Herstellung einer Maske gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
4, 5: alternative Schritte gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel, welche die in 3 dargestellten Schritte ersetzen (Abfolge: 2, 4–8);
9–14: Beispiele für den Einsatz optischer Elemente, welche den Zwischenmasken zugeordnet sind, um deren Transmissionseigenschaften zu beinflussen;
15: ein Beispiel für die Bildung von schattierenden Elementen SE im Quarzsubstrat auf der Rückseite einer Zwischenmaske zur Anpassung der Transmission.
1 zeigt eine schematische Darstellung der Verteilung 120 von Linienbreiten auf einer Maske 110. Die Konturlinien 102 geben Punkte gleicher Linienbreite (sog. Iso-CD-Linien, CD: critical dimension) für eine beispielhafte, speziell ausgesuchte Strukturgeometrie an. Es ist deutlich eine Mitte-Rand-Variation zu erkennen. Die Verteilung stellt eine typische Signatur nach Durchführung eines Trockenätzprozesses auf der Maske 110 dar, mit welchem ein Muster vom belichteten Resist in eine unterliegende Schicht übertragen wird.
Die gezeigte Linienbreitenverteilung führt zu vergleichbaren oder aufgrund des MEEF sogar verstärkten Linienbreitenvariationen im Bildfeld eines Scanners auf einem Wafer, wenn dieser mit dem Muster der Maske 110 belichtet wird. Am Rand, insbesondere aber in den Ecken des Bildfeldes treten deutlich kleinere Linienbreiten auf als in dessen Mitte. Ursache hierfür sind vor allem Ungleichmäßigkeiten des Ätzprozesses in Bezug auf die Absorberschicht über die Maske hinweg, die durch lokale Variationen des Ätzplasmas hervorgerufen werden können.
2 zeigt in einem ersten Ausführungsbeispiel einen ersten Teil eines erfindungsgemäßen Verfahrens bis zur Herstellung der Referenz-Projektionsmaske 200. Es wird ein Ausgangslayout 210 einer Anordnung von Chips 212 zur Herstellung von DRAN-Speicherbausteinen (DRAM: dynamic random access memory) in einer Rechenanlage 222 (Computer) als elektronisch gespeicherte Datei (oder Zusammenstellung mehrerer Dateien) beispielsweise im GDS-II-Format bereitgestellt.
Das Layout umfasst 2 × 4 Chips 212. Anhand geeigneter Software, die auf der Rechenanlage 222 ausgeführt wird, wird das Layout 210 in 4 Teillayouts bzw. Teilmuster 214–220 aufgetrennt. Jedes Teilmuster umfasst zwei der Chips 212 von DRAM-Bausteinen. Es ist anzumerken, dass dieses Ausführungsbeispiel hier vereinfacht wiedergegeben ist. So ist es üblicherweise vorgesehen, auch Barcodes oder Produktidentifikationen sowie Justage- und Messstrukturen in Bereichen außerhalb der Chips (Kerf) einzurichten.
Wird als Zielgröße eines Strukturelements in den Chips beispielsweise eine Dimension von 40 nm angestrebt, so wird die Herstellung einer Testmaske 200 mit einem Strukturelement der Dimension 160 nm bewerkstelligt. Der Abbildungsmaßstab Maske – Wafer beträgt in diesem Beispiel 4:1. Für die Abbildung von den Zwischenmasken 230–236 auf die Test- bzw. Produktionsmasken 200, 600 ist ein Maßstab von 2:1 vorgesehen. Das betreffende Strukturelement wird auf einer im Prozessfluss vorgesehenen Zwischenmaske 230–236 folglich mit einer vergrößerten Dimension von 0,32 μm gefertigt.
Die Fertigung der vier Zwischenmasken 230–236 erfolgt in einem Maskenschreiber 240 (engl. Pattern Generator, abgekürzt: PG). Dabei können erhebliche Kosten und im übrigen auch Produktionszeit eingespart werden, weil dazu nicht notwendig High-End Geräte eingesetzt werden müssen.
Die vier Zwischenmasken 230–236 werden einem Maskenstepper oder -scanner 250 zugeführt. In dem Maskenstepper oder -scanner 250 werden die Masken sukzessive in entsprechende Belichtungsfelder 252 nebeneinander auf einem mit photoempfindlichem Resist beschichteten Maskenrohling projiziert. Der belichtete Maskenrohling wird durch weitere Prozessierung (Entwickeln, Ätzen, Resiststrip) zur Testmaske 200 ausgebildet.
3 zeigt weitere Verfahrensschritte gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung, bei dem Transmissionskorrekturen auf Basis der Testmaske 200 selbst berechnet werden. Ein Metrologie-Messgerät 352, etwa ein SEM (scanning electron microscope), ein beliebiges optisches Mikroskop, oder auch ein AFM (atomic force microscope), das zur Untersuchung von Masken ausgelegt ist, wird zur lokalen Messung von Linienbreiten (LB) einer Vielzahl von Strukturelementen an Positionen (x, y) auf der Testmaske 200 eingesetzt. Aus der so bestimmten Verteilung 402 von Linienbreiten LB(x, y) auf der Testmaske 200 wird durch Vergleich mit vorgegebenen Zielwerten für die Breite der Strukturelemente eine Matrix 450, d. h. ΔLB(x, y), berechnet.
Die 4–6 zeigen alternativ zum Vorgehen nach 3 eine Verfeinerung gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung. Hier werden die späteren Transmissionskorrekturen für die Zwischenmasken auf Grundlage der Messresultate eines Testwafers 300, der mit Hilfe der Testmaske 200 belichtet wird, bestimmt.
4 zeigt den Schritt der Projektion des Musters von der Testmaske 200 in Belichtungsfelder 302 auf dem Testwafer 300. Die Projektion wird in einem Projektionsapparat 310, etwa einem Wafer-Stepper oder -Scanner, durchgeführt.
5 zeigt den weiteren Ablauf der Messung. Der Wafer 300 wird einem Metrologie-Messgerät 350 zugeführt, in dem an einer Vielzahl von Positionen (x', y') auf dem Wafer 300 Linienbreiten LB' gemessen werden. Die Positionen (x', y') beziehen sich auf eines der Belichtungsfelder 302 und sind dadurch auf Koordinaten im Bezugssystem der Maske übertragbar.
An dem Metrologiegerät 350 ist ein weiterer Computer 352 angeschlossen, mit welchem aus den Messergebnissen eine Linienbreitenverteilung 400 bzw. LB'(x', y') über das abgebildete Gebiet der Maske bestimmt wird. Es wird anschließend die Differenz zu einer mittleren Linienbreite LB bestimmt, oder zu einer anderweitig vorgegebenen Linienbreite LB, die für die betrachteten Strukturelemente aus dem Layout bestimmt werden kann (Ziel- oder Targetlinienbreite). Das Ergebnis ist eine Differenzmatrix ΔLB'(x', y'), welche die Linienbreitenschwankung 410 über das Bildfeld auf dem Testwafer 300 beschreibt.
6 zeigt die Umrechnung der für den Testwafer 300 berechneten Schwankung 410 in eine Linienbreitenkorrekturmatrix 450, die auf Ebene der Masken gilt. Dazu wird eine Funktion 500 vorgegeben, die die bei der Projektion resultierende Linienbreite auf dem Wafer in Abhängigkeit von der Linienbreite auf der Maske berücksichtigt, d. h. Einflüsse des MEEF-Wertes der betreffenden Struktur bei der Abbildung im Waferscanner oder -stepper kompensiert. Es wird mittels dieser Funktion die Linienbreitenkorrekturmatrix 450, d. h., ΔLB(x, y) berechnet.
7 zeigt den weiteren Ablauf des Verfahrens gemäß beiden Aspekten. Die Matrix 450 wird zunächst in Teile (n) zerlegt, den einzelnen Zwischenmasken 230–236 bzw. den darin gebil deten Teilmustern zugeordnet sind. Die Koordinaten (n, x, y) geben die Position in den (n) Teilmustern 214–220 an.
7 zeigt weiter die Herstellung optischer Elemente 530–536, mit denen die Korrekturen der Linienbreiten bei der späteren Projektion erzielt werden. Unter Vorgabe und Benutzung einer Funktion 550 für die Variation der Linienbreiten LB in Abhängigkeit von der Dosis für die Abbildung der Strukturen von der Zwischenmaske 230–236 auf die Testmaske 200 werden Transmissionskorrektur-Matrizen T(n, x, y) ermittelt. Die Funktion ist charakteristisch für den Strukturierungsprozess, d. h. insbesondere für das Projektionssystem (im Maskenscanner bzw. Maskenstepper) und für den Resistprozess.
Man erhält die lokal erforderliche Linienbreitenkorrektur durch eine lokale Anpassung der Transmission. In diesem Ausführungsbeispiel wird die Anpassung über Quarz-Pellicleähnliche optische Elemente erzielt, die in einem Maskenschreiber 242, etwa einem Laserschreiber, strukturiert werden können. Der Herstellungsprozess ist ähnlich der einer Chrom- oder MoSi-beschichteten Maske. Beispiele optischer Elemente sind in den 9–14 gezeigt. Es wird auf die noch unveröffentlichte internationale Anmeldung PCT/EP2005/006560 des gleichen Anmelders Bezug genommen, in der einzelne Ausgestaltungen optischer Elemente, mit denen die Transmission einer ihr zugeordneten Maske lokal beeinflusst und kontrolliert werden kann, genauestens beschrieben ist und deren Merkmalskombinationen von diesem Dokument eingeschlossen sein sollen.
9 zeigt einen beispielhaften Aufbau für eine Belichtungsanordnung in einem Projektionsapparat 5 unter Einsatz zusätzlicher optischer Elemente 30. Der Projektionsapparat 5 ist in diesem Beispiel ein Maskenstepper oder Maskenscanner. Eine Lichtquelle 26 emittiert Licht mit einer Wellenlänge von zum Beispiel 193 nm (Excimer laser). Eine Illuminationsoptik 26 umfasst einige Linsen 28, so dass eine im Strahlengang befindliche Maske 10, bei der es sich hier um eine der Zwischenmasken 230–236 handelt, mit einem kohärenten Strahlenbündel durchleuchtet wird. Auf der Zwischenmaske 10 ist ein Muster 12 ausgebildet. Es entspricht einem der Teilmuster 214–220. Die Licht abschwächenden oder absorbierenden Strukturelemente des Musters 12 können als Chrom- oder MoSi-Stege, Quarzstege oder -gräben oder beliebig anders in oder auf einem Quarzsubstrat der Maske ausgeführt sein.
Das durch die Strukturelemente strukturierte Strahlenbündel passiert ein Objektivlinsensystem 16, so dass es auf die Oberfläche 24 einer in der Bildebene angeordneten Maske 22 fokussiert wird. Das Muster wird dabei im Verhältnis 2:1 verkleinert. Die Maske 22 kann der Testmaske 200 wie auch der finalen Produktionsmaske 600 entsprechen. Auf der Oberfläche ist eine lichtempfindliche Resistschicht angeordnet, die entwickelbar ist, so dass das durch Projektion übertragene Muster in eine unterliegende Schicht transferiert werden kann, beispielsweise in einem Trockenätzprozess.
10 zeigt das Paar aus Maske 10 und optischem Element 30 in vergrößerter Darstellung. Bei dem optischen Element kann es sich um die in 7 und 8 gezeigten Elemente 530–536 handeln, die mittels der Transmissionsmatrizen hergestellt wurden. Das optische Element 30 besitzt eine Vorderseite 32 und eine Rückseite 34. Die Vorderseite 32 des optischen Elementes ist (der Rückseite) der Maske 10 zugewandt. Eine Halterung 90 beispielsweise aus Metall fixiert das optische Element 30, indem es mit diesem verklebt ist.
Das optische Element 30 kann vorderseitig auch mit der Maske 10 verbunden sein, indem die Halterung 90 auch an der Maske 10 zum Beispiel durch Verklebung fixiert ist. Ein gasdichter Abschluss wie bei einem rückseitigen Pellicle auf der Maske 10 wird dadurch realisiert.
Licht abschattende oder abschwächende Elemente 60 aus z. B. Chrom oder MoSi (Molybdän-Silizid) sind auf der Vorderseite 32 des optischen Elements 30 gebildet. Die Dichte der Elemente 60 entspricht einer Korrekturfunktion, mit welcher die Intensität des Lichteinfalls auf der Maske 10 lokal beeinflusst werden soll.
Die Elemente 60 können alternativ auch als Phasengitter implementiert sein, d. h. als im transparenten Substrat des optischen Elements 30 geätzte Vertiefungen. Die lokale Gitterkonstante des Phasengitters bestimmt dabei aufgrund von Beugung, ob an dieser Position Lichtbeiträge geliefert werden können, oder ob das Licht bei zu starker Beugung beispielsweise aus dem Strahlgang des Linsensystems herausfällt.
Eine weitere Alternative sieht vor, mittels eines gepulsten Lasers die Struktur des Quarzsubstrates des optischen Elements 30 lokal zu stören, um Licht streuende Elemente 60 zu bilden.
Wie in 11 gezeigt ist, können neben auf der Vorderseite 32 aufgebrachten Elementen 60 auch weitere Elemente 60' auf der Rückseite 34 des optischen Elements 30 gebildet sein.
12 zeigt, dass darüber hinaus vorder- und/oder rückseitig auf dem optischen Element 30 Antireflexschichten 66, 68 vorgegeben sein können, um unerwünschte Lichtreflexionen zu verhindern.
In 10 ist für diese Beispiele verdeutlicht wie die diskret Licht absorbierenden oder wenigstens abschwächenden Elemente 60 eine kontinuierliche Verteilung der Transmission bewirken. Die Fokusebene am Ort der Maske ist durch eine Linie X gekennzeichnet, d. h. die Elemente 60 liegen im Defokus und führen zu einer beabsichtigt unscharfen Abschwächung der lokalen Intensität, d. h. der lokalen Transmission des Paares aus Maske 12 und optischem Element 30. Der Abstand der Elemente 60 von der idealen Fokusebene der Maske kann beispielsweise 1 bis 8 mm betragen.
13 zeigt ein Beispiel, in dem durch Justagemarken 62 auf dem optischen Element 30 sichergestellt wird, dass das optische Element korrekt relativ zur Maske 12 orientiert ist (keine Verdrehungen um 90, 180 oder 270 Grad), sondern dass auch die lokale Positionierung von Elementen 60 zu den Strukturelementen des Musters 12 eine hohe Genauigkeit aufweist.
In 14 ist eine alternative Ausführungsform gezeigt, gemäß welcher das optische Element 30 nicht unmittelbar bei der Maske 12 angeordnet ist. Jedoch nimmt es eine Position ein, die unmittelbar benachbart zu einer weiteren Fokusebene liegt, die zur Maskenfokusebene konjugiert ist. Der Abstand von dieser weiteren Ebene kann z. B. auch wiederum 1 bis 8 mm betragen.
Alternativ kann, wie 15 zeigt, auch jede der Zwischenmasken im Glassubstrat rückseitig mit einem Laser zur Bildung von schattierenden Elementen SE behandelt werden. Die in 8 gezeigten separat ausgeführten optischen Elemente sind dann nicht unbedingt erforderlich. Die Vorderseite ist durch Strukturelemente 112 gekennzeichnet, die beispielsweise aus Chrom gebildet sind und das Muster bzw. die Teilmuster 214–220 zusammensetzen. Die Transmissionsmatrix T(n, x, y) wird in diesen Fällen durch einen Laserstepper mit Femto-Laser geschrieben. Die Pfeile in 15 deuten an, dass sich die Ebene der schattierenden Elemente SE im Defokus befindet. Die Dichte der Elemente SE ist ein Maß für die zu erzielende Transmission in der Ebene der Strukturelemente 112.
Zurückkehrend zu dem beispielhaften Verfahrensablauf zeigt 8 eine Zuordnung der optischen Elemente 530, 532, 534, 536 jeweils zu einer der entsprechenden Zwischenmasken 230, 232, 234, 236. In Belichtungsschritten werden die resultierenden vier Paare 630–636 aus Maske und zugeordnetem optischen Element auf eine finale Produktionsmaske 600 projiziert. Der angeordnete und belichtete Resist wird gemäß herkömmlicher Prozessierung entwickelt. In einem Trockenätzprozess wird die gebildete Resistmaske in eine unterliegende transparente oder semitransparente Schicht bzw. im Falle von alternierenden oder chromlosen Phasenmasken ggf. auch in das transparente Quarzsubstrat der Maske übertragen.
Anhand der finalen Produktionsmaske können nun in Volumenproduktion Produktwafer 700 mit erhöhter Gleichmäßigkeit der Linienbreiten und somit verbesserter Qualität hergestellt werden.
Es ist aber auch möglich, einen ersten der Produktwafer ähnlich einem Testwafer zu vermessen und bei noch nicht zufriedenstellender Gleichmäßigkeit der Verteilung von Linienbreiten, die Schritte des Verfahrens, so wie sie ab der in 5 dargestellten Situation beschrieben sind, zu wiederholen. Die dadurch beschriebene Schleife kann beliebig oft wiederholt werden – solange bis ein vorbestimmter Wert für die Gleichmäßigkeit, z. B. ein 3-Sigma-Wert von weniger als 2 nm bei Ziellinienbreiten von 50 nm, erreicht wird.
Diese zusätzliche Schleife ist besonders dann vorteilhaft, wenn im ersten Durchlauf des erfindungsgemäßen Verfahrens die Schwankung der Linienbreiten lediglich auf Grundlage der Testmaske und nicht auf Basis des Testwafers erfolgte.

10: Maske, Zwischenmaske
12: Muster auf Maske mit Strukturelementen
14: Lichtquelle
16: Objektivlinsensystem
20: Resist auf Produktionsmaske
22: Substrat der Produktionsmaske
24: Oberfläche des Substrats
26: Illuminationsoptik
28: Linsen
30: optisches Element
32: Vorderseite
34: Rückseite
60: Strukturelemente
62: Justagemarke
66, 68: Antireflexschicht
90: Halterung für optisches Element
SE: schattierendes Element, Störstelle im Quarzsubstrat
102: Konturlinien
110: Maske
120: Verteilung von Linienbreiten nach dem Ätzen
200: Testmaske
210: Muster in elektronischem Format, Layout
212: Chips
214, 216, 218, 220: zerlegte Teilmuster
222: Computer
230, 232, 234, 236, 238: Zwischenmasken
240: Maskenschreiber
250: Maskenstepper oder -scanner
252: Teilbereiche
300: Wafer
302: Belichtungsfeld
310: Waferstepper oder -scanner
350: Metrologie-Messgerät (für Wafer)
352: Metrologie-Messgerät (für Maske)
354: Computer
400: Linienbreitenverteilung (Wafer)
402: Linienbreitenverteilung (Maske)
410: Abweichungen der Linienbreiten von Nominal- oder Zielwert (bezogen auf Wafer)
450: Abweichungen der Linienbreiten von Nominal- oder Zielwert (bezogen auf Maske)
500: Funktion (MEEF)
530, 532, 534, 536: optische Elemente
550: Funktion (Linienbreite vs. Strahlungsdosis im Maskenstepper oder -scanner)
600: Produktionsmaske
630, 632, 634, 636: einander zugeordnete Paare aus optischem Element und Zwischenmaske
700: Produktwafer

Claims

Verfahren zur Herstellung einer Produktionsmaske (600) für die lithografische Projektion eines Musters (210) auf einen Produktwafer (700), umfassend: a) Bereitstellen des Musters (210) in elektronisch gespeichertem Format; b) Zerlegen des im elektronischen Format gespeicherten Musters in eine Anzahl von Teilmustern (214–220); c) Herstellen je einer Zwischenmaske (230–236) für jedes der Teilmuster (214–220) in einem Maskenschreibgerät (240), umfassend: ca) Bilden von das jeweilige Teilmuster (214–220) repräsentierenden Strukturelementen auf einer Vorderseite (32) der entsprechenden Zwischenmaske (230–236); cb) anschließendes sukzessives Projizieren der Zwischenmasken (230–236) zur Zusammensetzung eines gemeinsamen Musters auf eine Testmaske (200) in einem ersten Projektionsapparat (250); cc) Bestimmen einer Verteilung von Linienbreiten LB(x, y) der gebildeten Strukturelemente des gemeinsamen Musters auf der Testmaske (200) und jeweils Vergleichen mit vorgegebenen, nominalen Linienbreiten zur Bestimmung einer Verteilung von Abweichungen ΔLB(x, y) der Linienbreiten; cd) Vorgeben einer Funktion (550), welche die Linienbreite in Abhängigkeit von der in dem ersten Projektionsapparat (250) verwendeten Strahlungsdosis angibt; ce) Berechnen einer Verteilung von Korrekturen für die Strahlungsdosis aus der vorgegebenen Funktion (550) und der gemessenen Verteilung von Abweichungen ΔLB(x, y) der Linienbreiten, so dass die Abweichungen ΔLB(x, y) im Falle einer Projektion kompensiert werden können; cf) Ermitteln der Transmission (T) jeweils am Ort (x, y) der Strukturelemente auf der Zwischenmaske (230–236) aus der bestimmten Verteilung der Korrekturen für die Strahlungsdosis; cg) Bilden weiterer Strukturelemente (60), welche die Transmission (T) jeweils am Ort (x, y) der Strukturelemente des Teilmusters (214–220) auf der Vorderseite (32) der Zwischenmaske (230–236) lokal unterschiedlich reduzieren, in einer von der Vorderseite (32) der Zwischenmaske (230–236) beabstandeten Ebene mit einer Verteilung, die von der ermittelten Transmission (T) am Ort (x, y) der Strukturelemente auf der Zwischenmaske (230–236) abhängig ist; d) Bereitstellen der Zwischenmasken (214–220) mit den in der von der Vorderseite (32) der Zwischenmasken beabstandeten Ebene angeordneten weiteren Strukturelementen (60) in dem ersten Projektionsapparat (250) zur Belichtung der Produktionsmaske (600); e) sukzessive Projektion der Zwischenmasken (214–220) auf die Produktionsmaske (600) zur Zusammensetzung des gemeinsamen Musters aus den zerlegten Teilmustern auf dieser Produktionsmaske (600) in dem ersten Projektionsapparat (250).
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt cc) des Bestimmens der Verteilung von Linienbreiten LB(x, y) eine Vermessung der gebildeten Strukturelemente auf der Testmaske (200) beinhaltet.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt cc) des Bestimmens der Verteilung von Linienbreiten LB(x, y) weiter umfasst: – Bereitstellen der Testmaske (200) in einem zweiten Projektionsapparat (310) zur Belichtung eines Testwafers (300); – lithografische Projektion des Musters von der Testmaske (200) auf den Testwafer (300) in dem zweiten Projektionsapparat (310); – Messen einer Verteilung von Linienbreiten LB'(x', y') auf dem Testwafer (300); – Bestimmen der Verteilung von Linienbreiten LB(x, y) auf der Testmaske (200) aus der gemessenen Verteilung von Linienbreiten LB'(x', y') auf dem Testwafer (300) mittels Vorgabe einer weiteren Funktion (500, MEEF), welche die Linienbreite auf dem Testwafer (300) in Abhängigkeit von der Linienbreite auf der Testmaske (200) angibt.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die vorgegebenen, nominalen Linienbreiten aus dem Muster im elektronisch gespeicherten Format abgeleitet werden.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem im Schritt e) der Projektion der Teilmuster (214–220) von den Zwischenmasken (230–236) auf die Produktionsmaske (200) als erster Projektionsapparat ein Maskenstepper oder -scanner mit einer die Linienbreiten der Strukturelemente des Musters verkleinernden Abbildung eingesetzt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem im Schritt c) der Projektion der Teilmuster (214–220) von den Zwischenmasken (230–236) auf die Testmaske (200) als erster Projektionsapparat ein Maskenstepper oder -scanner mit einer die Linienbreiten der Strukturelemente des Musters verkleinernden Abbildung eingesetzt wird.
Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, bei dem für die verkleinernde Abbildung ein Verhältnis 2:1 gewählt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem im Schritt b) des Zerlegens des Musters im elektronisch gespeicherten Format als Anzahl der Teilmuster (214–220) eines aus: 4, 9 oder 16 gewählt wird, so dass im Schritt (c) des Herstellens je einer Zwischenmaske (230–236) für jedes der Teilmuster (214–220) ein Satz mit einer entsprechenden Anzahl von Zwischenmasken (230–236) entsteht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1–8, bei dem der Schritt c) die Herstellung der Zwischenmasken (230–236) in einem Elektronenstrahlschreiber umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1–9, bei dem im Schritt des Vorgebens einer Funktion der Linienbreite in Abhängigkeit von der in dem zweiten Projektionsapparat verwendeten Strahlungsdosis eine weitere Abhängigkeit der Linienbreite der Strukturelemente von der Dichte und Periodizität benachbarter Strukturelemente vorgegeben und diese weitere Abhängigkeit im Schritt der Bestimmung der Korrekturen berücksichtigt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1–10, bei dem der Schritt c) des Herstellens der Zwischenmasken (230–236) die Bildung weiterer Strukturelemente (60) in einer von der Vorderseite (32) beabstandeten Ebene umfasst, die innerhalb des Quarzsubstrats der Zwischenmasken (230–236) oder an dessen Oberfläche auf der Rückseite (34) der Zwischenmasken (230–236) gelegen ist.
Verfahren nach Anspruch 11, bei dem die weiteren Strukturelemente (60) als schattierende Elemente mittels eines gepulsten Lasers im Quarzsubstrat der Zwischenmasken (230–236) ausgeführt werden.
Verfahren nach Anspruch 12, das die weiteren Schritte umfasst: – Zuordnen je eines Teilbereichs der bestimmten Verteilung von Korrekturen für die Strahlungsdosis entsprechend den zerlegten Teilmustern (214–220) zu den Zwischenmasken (230–236); – Bereitstellen der Zwischenmasken (230–236) in einem gepulsten Laserstrahl; – Bilden von schattierenden Elementen jeweils in den Quarzsubstraten der Zwischenmasken (230–236) in Abhängigkeit von der bestimmten Verteilung der Korrektur für die Strahlungsdosis in den jeweils zugeordneten Teilbereichen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem der Schritt c) des Herstellens der Zwischenmasken (230–236) die Bildung weiterer Strukturelemente (60) in einer von der Vorderseite (32) beabstandeten Ebene umfasst, welche durch eine Oberfläche von den Zwischenmasken (230–236) jeweils zugeordneten, separaten optischen Elementen (30, 530–536) gebildet wird.
Verfahren nach Anspruch 14, bei dem der Schritt c) weiter umfasst: – Bereitstellen je eines optischen Elements (30, 530–536) für die Zwischenmasken (230–236); – Zuordnen je eines Teilbereichs der bestimmten Verteilung von Korrekturen für die Strahlungsdosis entsprechend den zerlegten Teilmustern (214–220) zu den Zwischenmasken (230–236); – Bilden der Strukturelemente (60) auf der Oberfläche des den Zwischenmasken (230–236) jeweils zugeordneten optischen Elements (30, 530–536) in Abhängigkeit von der be stimmten Verteilung der Korrektur für die Strahlungsdosis in dem zugeordneten Teilbereich; – Befestigen des optischen Elements (30, 530–536) an der ihm jeweils zugeordneten Zwischenmaske zur Durchführung der Projektion auf den Produktwafer.