DE60202230T2 - Naheffektkorrektur mittels nicht aufgelöster Hilfsstrukturen in Form von Leiterstäben - Google Patents

Naheffektkorrektur mittels nicht aufgelöster Hilfsstrukturen in Form von Leiterstäben Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung befasst sich mit der Photolithografie und insbesondere mit der Gestaltung und Erzeugung einer Photomaske („Maske") mit nichtauflösbaren optischen Nahkorrektur-(„OPC")Merkmalen, welche zur Korrektur optischer Naheffekte dienen und die Prozessleistung insgesamt erhöhen. Die vorliegende Erfindung betrifft außerdem die Verwendung einer solchen Maske in einer lithografischen Projektionsvorrichtung, welche allgemein umfasst:
    • – ein Strahlungssystem zur Bereitstellung eines Strahlungs-Projektionsstrahls;
    • – eine Halterungsstruktur zur Halterung von Strukturierungsmitteln (z. B. Maske), wobei die Strukturierungsmittel dazu dienen, den Projektionsstrahl nach Maßgabe eines gewünschten Musters zu strukturieren;
    • – einen Substrattisch zum Halten eines Substrats; sowie
    • – ein Projektionssystem zum Projizieren des strukturierten Strahls auf einen Zielbereich des Substrats.
  • Lithografievorrichtungen können beispielsweise bei der Herstellung von integrierten Schaltungen (ICs) eingesetzt werden. In diesem Fall kann die Maske ein einer einzelnen Schicht des IC entsprechendes Schaltungsmuster enthalten, wobei dieses Muster auf einen Zielbereich (der z. B. ein oder mehrere Chips umfasst) eines Substrats (Siliziumwafer) abgebildet werden kann, welches mit einer Schicht eines strahlungsempfindlichen Materials (Resist) beschichtet wurde. Im allgemeinen enthält ein einzelner Wafer ein ganzes Netz von benachbarten Zielbereichen, die jeder für sich nacheinander mittels des Projektionssystems belichtet werden. Bei einem Typ von lithografischer Projektionsvorrichtung wird jeder Zielbereich dadurch belichtet, dass der Zielbereich in einem Schritt mit dem gesamten Maskenmuster belichtet wird; eine derartige Vorrichtung wird gemeinhin als Wafer-Stepper bezeichnet. Bei einer alternativen Vorrichtung – gewöhnlich als Step-and-Scan-Vorrichtung bezeichnet – wird jeder Zielbereich belichtet, indem das Maskenmuster in einer gegebenen Referenzrichtung (der „Abtast"-Richtung) fortschreitend unter dem Projektionsstrahl verfahren wird, während gleichzeitig der Substrattisch parallel oder antiparallel zu dieser Richtung verfahren wird; da das Projektionssystem im allgemeinen einen Vergrößerungsfaktor M (generell < 1) hat, ist die Geschwindigkeit V, mit der der Stubstrattisch verfahren wird, um einen Faktor M größer als diejenige, mit der der Maskentisch bewegt wird. Weitere Informationen im Hinblick auf lithografische Geräte, wie sie hier beschrieben sind, können beispielsweise in US 6,046,792 nachgelesen werden.
  • Im Rahmen eines Herstellungsprozesses mit einer lithografischen Projektionsvorrichtung wird ein Maskenmuster auf ein Substrat abgebildet, das zumindest teilweise mit einer Schicht eines strahlungsempfindlichen Materials (Resist) beschichtet ist. Vor diesem Abbildungsschritt kann das Substrat verschiedene Prozeduren durchlaufen, etwa ein Priming, eine Resistbeschichtung sowie einen Soft-Bake-Vorgang. Nach der Belichtung kann das Substrat weiteren Prozeduren ausgesetzt werden, etwa einem Post-Exposure-Bake-(PEB)Vorgang, einer Entwicklung, einem Hard-Bake-Vorgang sowie einer Messung/Untersuchung der abgebildeten Merkmale. Diese Liste von Prozeduren dient als Basis zur Strukturierung einer einzelnen Schicht eines Bauteils, z. B. eines IC. Eine solche strukturierte Schicht kann sodann verschiedene Prozesse wie Ätzen, Ionenimplantation (Dotierung), Metallisierung, Oxidation, chemischmechanisches Polieren, usw. durchlaufen, die alle dazu dienen, eine einzelne Schicht fertigzustellen. Wenn mehrere Schichten benötigt werden, muss die gesamte Prozedur oder eine Abwandlung derselben für jede neue Schicht wiederholt werden. Letztendlich wird eine Anordnung von Bauelementen auf dem Substrat (Wafer) vorliegen. Diese Bauelemente werden sodann mittels einer solchen Technik wie Zerschneiden oder Sägen voneinander getrennt, woraufhin die einzelnen Bauelemente auf einem Träger montiert, mit Anschlussstiften verbunden werden können, usw. Weitere Informationen hinsichtlich solcher Vorgänge können beispielsweise aus dem Buch „Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" von Peter van Zant, 3. Auflage, McGraw Hill Publishing Co., 1997, ISBN 0-07-067250-4, erhalten werden.
  • Der Einfachheit halber kann nachfolgend auf das Projektionssystem als „Linse" Bezug genommen werden, wobei jedoch dieser Begriff weit zu interpretieren ist und verschiedene Arten von Projektionssystemen einschließlich beispielsweise refraktiver Optiken, Reflektionsoptiken und katadioptrischer Systeme umfasst. Auch das Strahlungssystem kann Komponenten enthalten, die gemäß einem dieser Designtypen arbeiten, um den Strahlungs-Projektionsstrahl zu richten, zu formen oder zu steuern, wobei diese Komponenten gemeinsam oder einzeln nachstehend ebenfalls als „Linse" bezeichnet werden können. Die Lithografievorrichtung kann zudem von einem Typ mit zwei oder mehr Substrattischen (und/oder zwei oder mehr Maskentischen) sein. Bei derartigen „Multiträger"-Geräten können die zusätzlichen Tische parallel verwendet werden oder es können vorbereitende Schritte auf einem oder mehreren Tischen ausgeführt werden, während ein oder mehrere andere Tische für Belichtungen benutzt werden. Doppelträger-Lithografievorrichtungen sind beispielsweise in US 5,969,441 und WO 98/40791 beschrieben.
  • Die oben angesprochenen Photolithografiemasken enthalten geometrische Muster, die den auf einem Siliziumwafer zu integrierenden Schaltungskomponenten entsprechen. Die Muster, die zur Herstellung solcher Masken verwendet werden, werden mit Hilfe von CAD-(Computer-Aided Design)Programmen erzeugt, wobei dieser Vorgang oftmals als EDA (Electronic Design Automation) bezeichnet wird. Die meisten CAD-Programme folgen einem Satz vorbestimmter Designregeln zur Erschaffung funktionaler Masken. Diese Regeln werden durch Prozess- und Entwurfsbeschränkungen festgelegt. Entwurfsregeln definieren beispielsweise den zulässigen Abstand zwischen Schaltkreiselementen (etwa Gattern, Kondensatoren, usw.) oder Verbindungsleitungen, um so zu gewährleisten, dass die Schaltkreiselemente oder die Leitungen nicht miteinander in unerwünschter Weise wechselwirken. Die Entwurfsregelbeschränkungen werden üblicherweise als „kritische Abmessungen" (CD) bezeichnet. Eine kritische Abmessung einer Schaltung kann als die kleinste Breite einer Linie oder der geringste Abstand zwischen zwei Linien definiert sein. Die CD bestimmt somit die Gesamtgröße und die Dichte der entworfenen Schaltung.
  • Selbstverständlich ist es eines der Ziele bei der Herstellung integrierter Schaltungen, das ursprüngliche Schaltungsdesign getreu auf dem Wafer (über die Maske) wiederzugeben. Ein weiteres Ziel ist es, so viel als möglich von der Fläche des Halbleiterwafers zu nutzen. Wird die Größe einer integrierten Schaltung verringert und ihre Dichte erhöht, nähert sich jedoch die CD ihres entsprechenden Maskenmusters der Auflösungsgrenze des optischen Belichtungswerkzeugs. Die Auflösung für ein Belichtungswerkzeug definiert sich als das minimale Merkmal, das von dem Belichtungswerkzeug wiederholt auf dem Wafer belichtet werden kann. Der Auflösungswert gegenwärtiger Belichtungsapparate schränkt oftmals die CD für viele komplexere IC-Schaltungsentwürfe ein.
  • Wenn die kritischen Abmessungen des Schaltungslayouts kleiner werden und sich dem Auflösungswert des Belichtungswerkzeugs nähern, kann sich die Entsprechung zwischen dem Maskenmuster und dem tatsächlich auf der Photoresistschicht entwickelten Schaltungsmuster signifikant verringern. Der Grad und die Menge der Unterschiede zwischen der Maske und den tatsächlichen Schaltungsmustern hängt von der Nähe der Schaltungselemente voneinander ab. Dementsprechend werden Musterübertragungsprobleme als „Naheffekte" bezeichnet.
  • Um bei der Überwindung des erheblichen Problems der Naheffekte zu helfen, werden zahlreiche Methoden eingesetzt, um sub-lithografische Merkmale zu Maskenmustern hinzuzufügen. Sub-lithografische Merkmale besitzen Abmessungen, die kleiner als die Auflösung des Belichtungswerkzeugs sind und werden daher nicht auf die Photoresistschicht übertragen. Stattdessen treten sub-lithografische Merkmale in Wechselwirkung mit dem ursprünglichen Maskenmuster und kompensieren Naheffekte, wodurch das letztendlich übertragene Schaltungsmuster verbessert wird.
  • Beispiele solcher sub-lithografischer Merkmale sind Streustriche und Antistreustriche, wie sie etwa im US-Patent 5,821,014 offenbart sind und zu Maskenmustern hinzugefügt werden, um durch Naheffekte hervorgerufene Unterschiede zwischen Merkmalen eines Maskenmusters zu verringern. Im speziellen wurden nichtauflösbare Hilfsmerkmale – oder Streustriche – als Mittel zur Korrektur optischer Naheffekte verwendet; sie erwiesen sich als wirksam, um das Prozessfenster insgesamt zu erhöhen (d. h. die Fähigkeit, Merkmale mit einer bestimmten CD konsistent zu drucken, und zwar unabhängig davon, ob die Merkmale gegenüber benachbarten Merkmalen isoliert oder dicht gepackt sind oder nicht). Wie in dem '014-Patent angegeben, erfolgt die optische Nahkorrektur allgemein gesagt dadurch, dass die Fokustiefe für die weniger dichten bis isolierten Merkmale durch Anordnen von Streustrichen nahe dieser Merkmale verbessert wird. Die Streustriche dienen dazu, die effektive Musterdichte (der isolierten oder weniger dichten Merkmale) hin zu dichter zu ändern, wodurch die mit dem Drucken von isolierten oder weniger dichten Merkmalen verbundenen unerwünschten Naheffekte zunichte gemacht werden. Es ist freilich wichtig, dass die Streustriche selbst nicht auf dem Wafer gedruckt werden. Dies erfordert somit, dass die Größe der Streustriche unter der Auflösungsfähigkeit des Abbildungssystems gehalten werden muss.
  • Indem die Grenzen bei der optischen Lithografie weit in die Subwellenlängenfähigkeit gesteigert werden, müssen Hilfsmerkmale wie Streustriche dementsprechend kleiner und kleiner gemacht werden, sodass die Hilfsmerkmale unter der Auflösungsfähigkeit des Abbildungssystems bleiben. Während sich Abbildungssysteme jedoch zu kleineren Wellenlängen und größeren numerischen Aperturen bewegen, wird die Fähigkeit, die Photomasken mit hinreichend kleinen, unter der Auflösungsgrenze liegenden Streustrichen herzustellen, zu einer entscheidenden Angelegenheit und einem ernsthaften Problem. Zusätzlich sinkt mit abnehmender Größe der Streustriche deren Eignung, Naheffekte zu verringern. Einige der im Rahmen der Verwendung von Streustrichen entstehenden Probleme beruhen auf der Tatsache, dass die Möglichkeit, Streustriche in einen Entwurf einzufügen, begrenzt ist, beispielsweise durch die Größe des Abstands zwischen benachbarten Hauptmerkmalen.
  • Die Erfinder der vorliegenden Anmeldung haben außerdem festgestellt, dass Vorteile auftreten, wenn Hilfsmerkmale mit Häufigkeiten angeordnet werden, die mit den Harmonischen der Frequenz der primären Maskenmerkmale übereinstimmen. Dies legt nahe, dass die Hilfsmerkmale in ganzzahligen Vielfachen der Hauptmerkmalsfrequenz angeordnet werden sollten. Für eine Lösung mit einem einzelnen Streustrich wird der Streustrich üblicherweise mittig zwischen den Hauptmerkmalen angeordnet. Diese Anordnung stellt jedoch ein Problem für dichte Merkmale dar, weil der Streustrich nicht klein genug gemacht werden kann, um sein Drucken zu verhindern. Für semiisolierte Merkmale ist darüber hinaus der Einfluss eines einzelnen Streustrichs im allgemeinen unzureichend, was es erfordert, dass mehrere Streustriche in dem Zwischenraum zwischen Hauptmerkmalen angeordnet werden. In diesen Fällen ist die Wunschfrequenzlösung nicht praktikabel, da der Abstand zwischen den äußeren Streustrichen und dem Hauptmerkmal zu klein ist.
  • Die übliche Lösung ist deswegen, in dem Raum zwischen Hauptmerkmalen mehrere Streustriche in gleichen Abständen anzuordnen. Mit dieser Lösung sind jedoch Probleme verbunden. Beispielsweise liegt die resultierende Frequenz der Streustriche oftmals jenseits der Abbildungsgrenzen, wodurch alles bis auf den Effekt der Beugung nullter Ordnung des Streustrichs aufgehoben wird. Werden die Streustriche ferner mit einer Frequenz angeordnet, die mit derjenigen der dichten Hauptmerkmale übereinstimmt, gibt es eine unerwünschte Erhöhung der Wahrscheinlichkeit, dass die Streustriche gedruckt werden, wenn modifizierte Belichtungstechniken eingesetzt werden.
  • Genauer gesagt, werden mehrere Streustriche 11, wie in 1 gezeigt, die eine Darstellung der Verwendung bekannter Streustriche als OPC-Hilfsmerkmal ist, in einem sich zwischen Hauptmerkmalen 10 öffnenden Raum angeordnet, so ist die Frequenz der Streustriche eine Funktion der Breite des Raums zwischen den Hauptmerkmalen anstatt der Teilung. Wenngleich die Streustrichfrequenz nicht mit derjenigen der Hauptmerkmale übereinstimmt, liegt sie im allgemeinen jenseits der Beugungsgrenzen des Abbildungssystems. Als Folge wird keine Beugungsenergie erster Ordnung von den Streustrichen aufgefangen, was die Streustrichfrequenz inkonsequent macht. Mit Bezug beispielsweise auf 1, wo Hauptmerkmale von 150 nm mit einem Linie/Raum-Verhältnis von 1 : 5 dargestellt sind, resultiert bei Verwendung einer Wellenlänge von 248 nm und einer Objektivlinse mit 0,70NA eine Streustrichgröße von 60 nm bei Anordnung mit einer Teilung von 187,5 nm in drei gleichmäßig beabstandeten Streustrichen 11 zwischen den Hauptmerkmalen 10. Das resultierende k1 für die Streustriche – definiert durch die Auflösungsgleichung (k1 = pNA/2λ, wobei p gleich der Teilung ist, NA gleich der numerischen Apertur der Objektivlinse ist und λ gleich der Belichtungswellenlänge ist) – beträgt 0,27, wodurch der Einfang der ersten Beugungsordnungen durch die Linse effektiv beseitigt wird, sofern σ-Werte von 0,95 und darunter verwendet werden. Bei Auffang nur der nullten Beugungsordnung erfährt der gesamte Raum zwischen den Hauptmerkmalen eine Intensitätsabschwächung als Funktion der Strichbreite (b) und der Strichteilung (pb): Raumintensitätsabschwächung = [(pb – b)/pb]2 = (0.68)2 = 0.46 (1)
  • Diese Ergebnis ist zu erwarten, wenn die Raumtransmission äquivalent verringert wird. Die Beugungsenergie der Hauptmerkmale wird verringert, was zu einem Bild mit geringerer Intensität führt, das eine Maskenbelichtungsdosis gestatten kann, welche näher mit derjenigen der anderen Merkmale der Maske übereinstimmt. Die Einstellung der Intensitätsverringerung bei anderen Werten ist jedoch bei Multistreustrich-Hilfsmerkmalen aufgrund der Randbedingungen der Werte der Strichbreite und der Teilung der Streustriche schwierig.
  • Somit besteht ein Bedarf nach einem Verfahren zur Vorsehung von OPC-Hilfsmerkmalen in einer Photomaske, welches die vorstehenden, mit der Verwendung von Multistreustrich-OPC-Hilfsmerkmalen verbundenen Probleme beseitigt.
  • US 5,585,210 offenbart eine Photolithografiemaske, bei der sich zwischen Druckmerkmalen längliche Hilfsmerkmale erstrecken.
  • Es ist dementsprechend eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Bildung einer Photolithografiemaske mit OPC-Hilfsmerkmalen anzugeben, das eine verbesserte Flexibilität beim Entwurf und insbesondere eine verbesserte Kontrolle über die Stärke der Raumintensitätsverringerung erlaubt. Außerdem ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, OPC-Hilfsmerkmale bereitzustellen, die in der Lage sind, eine Frequenzkomponente einzubringen, welche im wesentlichen eine Harmonische der Frequenz der Hauptmerkmale ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist speziell eine Photolithografiemaske für die optische Übertragung eines in der Maske gebildeten Musters auf ein Substrat vorgesehen, wobei die Maske eine Mehrzahl von auflösbaren Merkmalen aufweist, mit denen das Substrat zu bedrucken ist, wobei jedes der Mehrzahl von auflösbaren Merkmalen eine sich in einer ersten Richtung erstreckende Längsachse aufweist, so wie ein zwischen zweien der Mehrzahl von auflösbaren Merkmalen angeordnetes Paar von nichtauflösbaren optischen Nahkorrekturmerkmalen, wobei das Paar von nichtauflösbaren optischen Nahkorrekturmerkmalen eine sich in einer zweiten Richtung erstreckende Längsachse aufweist, wobei die erste Richtung der Längsachse der Mehrzahl von auflösbaren Merkmalen orthogonal zu der zweiten Richtung der Längsachse des Paars von nichtauflösbaren optischen Nahkorrekturmerkmalen liegt, dadurch gekennzeichnet, dass das Paar von nichtauflösbaren optischen Nahkorrekturmerkmalen zwischen zwei auflösbaren Merkmalen angeordnet ist, die in der zweiten Richtung unmittelbar benachbart sind und eine Längenabmessung aufweisen, welche kleiner als die Breite eines Zwischenraums ist, welcher die beiden aus der Mehrzahl von auflösbaren Merkmalen trennt.
  • Wie in näherer Einzelheit nachstehend erläutert, bietet die vorliegende Erfindung erhebliche Vorteile gegenüber bekannten OPC-Hilfsmerkmalen. Einer der erheblichen Vorteile der Leiterstrich-Hilfsmerkmale der vorliegenden Erfindung ist beispielsweise, dass sie es erlauben, durch einfaches Ändern der Größe der Leiterstriche und des Abstands bzw. der Teilung der Leiterstriche den Intensitätsverringerungswert leicht und signifikant zu ändern, um die Abbildungseigenschaften zu optimieren. Dies ist zum Teil möglich, weil aufgrund der Orientierung der Leiterstriche relativ zum Hauptmerkmal die Teilung und die Größe der Leiterstriche nicht mehr durch den Zwischenraum zwischen den Hauptmerkmalen beschränkt sind. Außerdem ist es durch geeignete Wahl der Breite der Gruppe von Leiterstrich-Hilfsmerkmalen möglich, eine wirksame Frequenzkomponente der Leiterstriche längs der Achse der Hauptkanten und zwischen den Hauptmerkmalskanten einzustellen und den Anstieg der Größe der Beugungskomponente zweiter Ordnung zu minimieren, was die Wahrscheinlichkeit herabsetzt, dass die Leiterstrich-Hilfsmerkmale gedruckt werden.
  • Weitere Vorteile der vorliegenden Erfindung werden für einen Fachmann aus der folgenden detaillierten Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ersichtlich werden.
  • Wenngleich eine spezielle Bezugnahme in diesem Text auf die Verwendung der Erfindung im Rahmen der Herstellung von ICs gemacht werden kann, so ist doch ausdrücklich zu verstehen, dass die Erfindung viele andere mögliche Anwendungen hat. Beispielsweise kann sie bei der Herstellung von integrierten optischen Systemen, Führungs- und Erfassungsmustern für Magnetbereichsspeicher, Flüssigkristallanzeigetafeln, magnetischen Dünnfilmköpfen usw. eingesetzt werden. Ein Fachmann wird anerkennen, dass im Kontext solcher alternativer Anwendungen jeglicher Gebrauch der Begriffe „Retikel", „Wafer" oder „Chip" in diesem Text als durch die allgemeineren Begriffe „Maske", „Substrat" bzw. „Zielbereich" ersetzt anzusehen ist.
  • Im vorliegenden Dokument werden die Begriffe „Strahlung" und „Strahl" so gebraucht, dass sie alle Arten elektromagnetischer Strahlung einschließlich ultravioletter Strahlung (z. B. mit einer Wellenlänge von 365, 248, 193, 157 oder 126 nm) und EUV (extreme ultraviolette Strahlung, z. B. mit einer Wellenlänge im Bereich 5–20 nm) umfassen.
  • Der Begriff Maske, wie er in diesem Text benutzt wird, kann breit als Hinweis auf allgemeine Strukturierungsmittel interpretiert werden, welche dazu genutzt werden können, einen ankommenden Strahl von Strahlung mit einem strukturierten Querschnitt zu versehen, der einem Muster entspricht, welches in einem Zielbereich des Substrats erschaffen werden soll; der Begriff „Lichtventil" kann in diesem Zusammenhang ebenfalls verwendet werden. Neben der klassischen Maske (transmissiv oder reflektierend; binär, phasenverschiebend, hybrid usw.) umfassen Beispiele solcher anderer Strukturierungsmittel:
    • – Eine programmierbare Spiegelanordnung. Ein Beispiel einer solchen Einrichtung ist eine matrixadressierbare Fläche mit einer viskoelastischen Steuerschicht und einer Reflexionsfläche. Das Grundprinzip hinter einer derartigen Vorrichtung ist, dass (z. B.) adressierte Bereiche der Reflexionsfläche einfallendes Licht als gebeugtes Licht reflektieren, während nichtadressierte Bereiche einfallendes Licht als ungebeugtes Licht reflektieren. Mit Hilfe eines geeigneten Filters kann das ungebeugte Licht aus dem reflektierten Strahl herausgefiltert werden, wobei lediglich das gebeugte Licht zurückbleibt; auf diese Weise wird der Strahl entsprechend dem Adressierungsmuster der matrixadressierbaren Fläche strukturiert. Die erforderliche Matrixadressierung kann mit Hilfe geeigneter Elektronikmittel bewirkt werden. Nähere Informationen zu solchen Spiegelanordnungen können beispielsweise in den US-Patenten US 5,296,891 und US 5,523,193 nachgelesen werden.
    • – Eine programmierbare LCD-Anordnung. Ein Beispiel einer solchen Konstruktion ist im US-Patent US 5,229,872 gegeben.
  • Die Erfindung selbst kann zusammen mit weiteren Zielsetzungen und Vorteilen besser anhand der folgenden detaillierten Beschreibung und der beigefügten schematischen Zeichnungen verstanden werden.
  • 1 stellt eine beispielhafte Maske mit herkömmlichen Hilfsmerkmalen dar, die als Streustriche bekannt sind.
  • 2 stellt eine beispielhafte Maske dar, welche eine erste Ausführungsform der Leiterstrich-Hilfsmerkmale der vorliegenden Erfindung nutzt.
  • 3 stellt eine beispielhafte Maske dar, welche eine zweite Ausführungsform der Leiterstrich-Hilfsmerkmale der vorliegenden Erfindung nutzt.
  • 4 stellt eine beispielhafte Maske dar, welche die Leiterstrich-Hilfsmerkmale der vorliegenden Erfindung nutzt.
  • 5(a) stellt ein Luftbild entsprechend einer Maske ohne Hilfsmerkmale dar.
  • 5(b) ist ein Luftbild der gleichen Maske, wie sie in 5(a) benutzt wird, jedoch so modifiziert, dass sie die Leiterstrich-Hilfsmerkmale der vorliegenden Erfindung enthält.
  • 6 stellt eine beispielhafte Maske mit den Leiterstrich-Hilfsmerkmalen der vorliegenden Erfindung dar.
  • 7(a)–7(c) illustrieren, wie die primären Beugungsordnungen (d. h. nullte, erste und zweite) durch die Leiterstrich-Hilfsmerkmale der vorliegenden Erfindung beeinflusst werden.
  • 8 ist ein Luftbild, das den Effekt eines gruppierten Leiterstrich-Hilfsmerkmals veranschaulicht.
  • 9 stellt ein beispielhaftes Maskenlayout mit den Leiterstrich-Hilfsmerkmalen der vorliegenden Erfindung dar.
  • 10 zeigt schematisch eine lithografische Projektionsvorrichtung, die geeignet ist zur Verwendung mit einer mit Hilfe der vorliegenden Erfindung entworfenen Maske.
  • Gemäß der optischen Nahkorrekturtechnik der vorliegenden Erfindung werden nicht auflösbare Leiterstrich-Hilfsmerkmale, die jeweils eine Längsachse besitzen, welche im wesentlichen senkrecht zur Längsachse der zu druckenden Hauptmerkmale liegt, als unter der Auflösungsgrenze liegende Hilfsmerkmale benutzt. Wie im einzelnen nachstehend erläutert, ermöglicht die Verwendung der Leiterstrich-Hilfsmerkmale der vorliegenden Erfindung neben anderen Dingen eine Verbesserung der Flexibilität beim Design und insbesondere eine verbesserte Kontrolle über die Stärke der Raumintensitätsverringerung sowie eine verbesserte Bildkontrolle. Darüber hinaus ermöglicht sie die Einstellung einer wirksamen Frequenzkomponente der Leiterstrich-Hilfsmerkmale entlang der Achse der Hauptmerkmalskanten und zwischen den Hauptmerkmalskanten.
  • 2 stellt eine beispielhafte Maske dar, welche eine erste Ausführungsform der Leiterstrich-Hilfsmerkmale (auch Leiterstriche genannt) der vorliegenden Erfindung benutzt. Bezugnehmend auf 2 ist eine Mehrzahl von Leiterstrich-Hilfsmerkmalen 22 zwischen Hauptmerkmalen 21 angeordnet. Wichtig ist, dass jedes der Leiterstrich-Hilfsmerkmale 22 derart angeordnet ist, dass die Längsachse des Leiterstrich-Hilfsmerkmals 22 senkrecht zur Längsachse der Hauptmerkmale 21 verläuft. Wie gezeigt, erstrecken sich die Leiterstrich-Hilfsmerkmale 22 parallel zueinander. Die Länge der Leiterstrich-Hilfsmerkmale der vorliegenden Ausführungsform ist zudem derart, dass sich die Leiterstriche 22 im wesentlichen über die gesamte Länge des Raums zwischen den Rändern der Hauptmerkmale 21 erstrecken. Bei der in 2 dargestellten Ausführungsform berühren die Leiterstriche 22 die Ränder der Hauptmerkmale 21 nicht. Es ist freilich zu beachten, dass es ebenso möglich ist, dass die Leiterstriche 22 die Ränder der Hauptmerkmale berühren.
  • Ferner liegt jedes Leiterstrich-Hilfsmerkmal 22, wie bei Streustrichen, unterhalb der Auflösungsgrenze, sodass das Leiterstrich-Hilfsmerkmal nicht gedruckt wird. Mit anderen Worten muss die Größe jedes Leiterstrich-Hilfsmerkmals (b) unter Berücksichtigung der Länge der Leiterstrichgröße (genommen in „X"-Richtung) und der Leiterstrichteilung (pb) derart sein, dass die Leiterstrich-Hilfsmerkmale unterhalb der Auflösungsgrenze bleiben. Anders ausgedrückt muss die Strichteilung jenseits der Auflösungsgrenzen des Abbildungswerkzeugs liegen oder unterhalb λ/(σ + 1)NA, wobei λ die Belichtungswellenlänge ist, σ der Partialkohärenzfaktor ist und NA die numerische Apertur der Objektivlinse ist. Die Größe des Leiterstrichs in „Y"-Richtung sollte klein genug sein, damit der Leiterstrich nicht gedruckt wird, dennoch groß genug, um zu einer Verringerung der Zwischenraumintensität zu führen, wie durch Gleichung (1) definiert. Anzumerken ist, dass die optimalen Einstellungen und/oder die optimale Größenbemessung der Leiterstrich-Hilfsmerkmale für ein gegebenes Maskendesign mittels empirischer Methoden und/oder durch Simulation ermittelt werden können. Ferner ist anzumerken, dass Leiterstrich-Hilfsmerkmale zur Verwendung bei Hauptmerkmalen, die von dunklen Linien gebildet sind, lichtundurchlässig sein können oder alternativ transparent zur Verwendung bei Klarraummerkmalen.
  • Das Vorhandensein der nichtauflösbaren Leiterstrich-Hilfsmerkmale erlaubt die Kontrolle der Hauptmerkmalsbeugung entlang der Hauptmerkmalsränder sowie des Endes der Hauptmerkmale. Genauer gesagt können durch Anordnen der Leiterstrich-Hilfsmerkmale 22 zwischen den Rändern der Hauptmerkmale die primären Beugungsordnungen, nämlich die Beugung nullter Ordnung, die Beugung erster Ordnung und die Beugung zweiter Ordnung, mit Hilfe der folgenden Gleichungen ermittelt werden. Größe nullte Ordnung = [(pb – b)/pb](s/p) (2) Größe erste Ordnung = [(pb – b)/pb]|(s/p)sinc(s/p)| (3) Größe zweite Ordnung = [(pb – b)/pb]|(s/p)sinc(2s/p)| (4)wobei s der Raum (d. h. Breite) zwischen Hauptmerkmalen 21 ist, p die Teilung zwischen Hauptmerkmalen ist, pb die Strichteilung (in „Y"-Richtung) ist und b die Strichgröße (in „Y"-Richtung) ist. Zu beachten ist, dass sich die vorstehenden Gleichungen auf die Beugungsordnungen in „X"-Richtung beziehen und voraussetzen, dass die Breite der Leiterstriche derart ist, dass sich die Striche über die gesamte Öffnung in „X"-Richtung erstrecken.
  • 5(a) stellt ein Luftbild entsprechend einer beispielhaften Maske ohne OPC-Hilfsmerkmale dar und 5(b) ist ein Luftbild der gleichen Maske, wie sie in 5(a) verwendet wurde, jedoch modifiziert, sodass sie die Leiterstrich-Merkmale der vorliegenden Erfindung enthält. Speziell stellt 5(a) die Ergebnisse von Hauptmerkmalen von 150 nm mit einem Verhältnis von 1 : 5 von Linie zu Raum (semiisolierte Merkmale) dar, die unter Verwendung einer Wellenlänge (λ) von 248 nm, einer NA von 0,70 der Linsenpupille und einem Partialkohärenzwert (σ) von 0,85 abgebildet werden. Die beugungsbegrenzte Teilung des Beleuchtungssystems ist 192 nm. Die Bilder in 5(a) entsprechen bestem Fokus (51) und einer Defokussierung von 300 nm (52). Wie in 5(a) gezeigt, ist der resultierende isofokale Wendepunkt näherungsweise 0,8, was beträchtlich größer als der Wert des isofokalen Wendepunkts ist, der Maskenmerkmalen mit einem Linie/Raum-Verhältnis von 1 : 1 entspricht (für ein 1 : 1 Verhältnis ist der resultie rende isofokale Wendepunkt in der Größenordnung von 0,34). Zu beachten ist, dass der isofokale Wendepunkt dem Ort entspricht, an dem das Bild mit minimalen Verlusten gedruckt wird, unabhängig davon, ob das Bild im wesentlichen ohne Defokussierung (d. h. beste Fokussierung) oder mit einer Defokussierung von 300 nm gedruckt wird. Veränderungen des Orts der isofokalen Wendepunkte, die mit dichten und semiisolierten Merkmalen verbunden sind, machen es schwierig, diese Merkmale mit einem gemeinsamen Prozessfenster zu drucken. Dementsprechend ist es wünschenswert, den mit semiisolierten Merkmalen verbundenen isofokalen Wendepunkt so herabzusetzen, dass die Prozessüberlappung verbessert wird, wenn solche dichten und semiisolierten Merkmale in derselben Maske enthalten sind.
  • 5(b) entspricht der gleichen Maske, wie sie zur Erzeugung des Bilds der 5(a) verwendet wurde, mit der Ausnahme, dass die Leiterstrich-Hilfsmerkmale zur Maske hinzugefügt sind. Die verwendeten Leiterstrich-Hilfsmerkmale besitzen eine Größe von 60 nm (Abmessung „b" in 2) sowie eine Teilung pb von 185 nm. Die Leiterstrich-Hilfsmerkmale haben ferner eine solche Länge, dass sich die Leiterstriche über den gesamten Raum erstrecken, der sich zwischen den Hauptmerkmalen öffnet. Da, wie angegeben, die beugungsbegrenzte Teilung des zur Belichtung verwendeten Abbildungssystems 192 nm ist, liegt die Teilung der Leiterstrich-Hilfsmerkmale hinreichend unter der Teilungsbegrenzung des Abbildungssystems, sodass die Leiterstrich-Hilfsmerkmale nicht gedruckt werden. Die vorstehende Ausbildung und die vorstehenden Abmessungen der Leiterstrich-Hilfsmerkmale führen zur Aufsammlung lediglich des Beugungsterms nullter Ordnung aufgrund der Frequenz der Leiterstrich-Hilfsmerkmale. Wendet man obige Gleichung (1) an, beträgt die resultierende Intensitätsverringerung zwischen den Hauptmerkmalen (0,676)2 oder 46%.
  • Anzumerken ist, dass einer der wesentlichen Vorteile der Leiterstrich-Hilfsmerkmale ist, dass sie durch einfaches Variieren der Größe der Leiterstriche und der Teilung der Leiterstriche eine einfache und signifikante Änderung des Intensitätsverringerungswerts (beispielsweise auf über oder unter den im vorliegenden Beispiel erhaltenen Wert von 46%) ermöglichen, um die Abbildungseigenschaften zu optimieren. Dies ist zum Teil möglich, weil aufgrund der Orientierung der Leiterstriche relativ zum Hauptmerkmal die Teilung und Größe der Leiterstriche nicht mehr durch den Raum zwischen den Hauptmerkmalen beschränkt sind. Es ist die Länge des Hauptmerkmals (die „Y"-Richtung in 2), die die Anzahl der Leiterstriche festlegt, welche als OPC-Merkmale vorgesehen werden können. Dagegen ist die Anzahl der Streustriche, die zwischen Hauptmerkmale eingefügt werden können, durch den Raum zwischen den Merkmalen beschränkt, wobei es in praktischer Hinsicht zunehmend schwierig wird, mehrere Streustriche zwischen Hauptmerkmalen unterzubringen und gleichzeitig die Nichtauflösbarkeit der Streustriche zu bewahren.
  • Zurück nochmals zu 5(b), führt die Verwendung der vorstehenden Leiterstrich-Hilfsmerkmale, wie gezeigt, vorteilhafterweise zur Herabsetzung des isofokalen Wendepunkts für die Merkmale mit einem Linie/Raum-Verhältnis von 1 : 5 auf einen Wert unterhalb 0,4, was beträchtlich näher bei dem isofokalen Wendepunkt der Merkmale mit einem Linie/Raum-Verhältnis von 1 : 1 liegt. Als Folge der Herabsetzung des Orts des isofokalen Wendepunkts für die Merkmale mit einem Linie/Raum-Verhältnis von 1 : 5 ist es möglich, diese semiisolierten Merkmale und dichten Merkmale mit einem gemeinsamem Prozessfenster zu drucken.
  • Wie vorstehend erwähnt, ist es außerdem möglich, die Leiterstrich-Hilfsmerkmale der vorliegenden Erfindung zur Kontrolle oder Korrektur optischer Naheffekte an den Enden der Hauptmerkmale zu nutzen. Dies kann durch Steuerung, wo das Leiterstrich-Hilfsmerkmal relativ zum Ende der Hauptmerkmale angeordnet ist, erreicht werden. 4 stellt eine beispielhafte Maske mit den Leiterstrich-Hauptmerkmalen zur Kompensation von Linienendverkürzungen dar. Wie in 4 gezeigt, reichen die Leiterstrich-Hilfsmerkmale 42 bis jenseits der Enden der Hauptmerkmale 41, um so das Auftreten von Linienendverkürzungen zu vermeiden.
  • Gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Länge der zwischen den Hauptmerkmalen angeordneten Leiterstrich-Hilfsmerkmale variabel. Wie in näherer Einzelheit nachstehend erläutert, ist es durch Veränderung der Länge der Leiterstrich-Hilfsmerkmale möglich, eine den Leiterstrich-Hilfsmerkmalen zugeordnete Frequenzkomponente einzuführen, die für eine zusätzliche Bildsteuerung sorgt.
  • 3 stellt eine beispielhafte Maske dar, welche die zweite Ausführungsform der Leiterstrich-Hilfsmerkmale der vorliegenden Erfindung nutzt. Wie in 3 gezeigt, erstrecken sich die Leiterstrich-Hilfsmerkmale 32 nicht über den gesamten Raum zwischen den Hauptmerkmalen 31, und die Länge jedes der Leiterstrich-Hilfsmerkmale ist gleich. Als Folge können die Leiterstrich-Hilfsmerkmale als eine Gruppe 33 angesehen werden, welche einheitliche Größe und Frequenz be sitzen, wenn die Gruppe wiederholt zwischen Hauptmerkmalen 31 angeordnet wird. 3 stellt eine einzelne Gruppe 33 da, die zwischen zwei Hauptmerkmalen 31 angeordnet ist. Zu beachten ist, dass die Länge der Leiterstrich-Hilfsmerkmale die Breite der Gruppe 33 bestimmt.
  • Durch Einstellung der Breite der Gruppe 33 ist es möglich, eine mit den Gruppen 33 verbundene Frequenzkomponente einzuführen, welche vorzugsweise eine Harmonische der Frequenz der Hauptmerkmale ist und vorteilhafterweise dazu dient, die Beugungskomponente nullter Ordnung zu verringern, und dies ohne eine entsprechende Verringerung der Beugungskomponenten erster und zweiter Ordnung. Diese zusätzliche Frequenzkomponente ermöglicht eine verbesserte Bildsteuerung. Im Vergleich hierzu wird bei der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei der die Leiterstrich-Hilfsmerkmale im wesentlichen über den gesamten Raum zwischen den Hauptmerkmalen angeordnet sind, keine solche Frequenzkomponente längs der Hauptmerkmalsrichtung eingeführt. Dementsprechend tritt bei der ersten Ausführungsform eine Verringerung aller Beugungsordnungen auf, wie durch die Gleichungen (2), (3) und (4) gezeigt.
  • Der Effekt, den die Breite der Leiterstrichgruppen auf die Größe der Beugungskomponenten nullter, erster und zweiter Ordnung hat, wird für die in 6 dargestellte beispielhafte Maske berechnet. Bezugnehmend auf 6 ist das elektrische Maskenfeld 60 für Hauptmerkmale 61 und die Gruppen 62 von Leiterstrich-Hilfsmerkmalen dargestellt, von denen eine zwischen jedem Paar von Hauptmerkmalen 61 angeordnet ist. Wie angegeben, werden durch Einfügen einer Leiterstrich-Hilfsmerkmalsgruppe 62 in den Raum zwischen den Maskenmerkmalen 61 die primären Beugungsordnungen für das Maskenfeld modifiziert. Speziell wird die Größe der primären Beugungsordnungen für dunkle Hauptmerkmale bei klaren Öffnungen: Größe nullte Ordnung = [1 – (g/s)(1 – √Ig)](s/p) (5) Größe erste Ordnung = |(s/p)sinc(s/p) – (1 – √Ig)(g/p)sinc(g/p)| (6) Größe zweite Ordnung = |(s/p)sinc(2s/p) – (1 – √Ig)(g/p)sinc(2g/p)| (7)wobei s die Breite des Raums zwischen den Hauptmerkmalen ist, p die Teilung der Hauptmerkmale ist, g die Breite der Leiterstrich-Hilfsmerkmalsgruppierung ist und Ig die resultierende Gruppenintensität der Leiterstrich-Hilfsmerkmalsgruppe ist, welche mit Hilfe obiger Gleichung (1) berechnet werden kann.
  • Wie aus den vorstehenden Gleichungen ersichtlich, ist die Modulation der primären Beugungsordnungen eindeutig und eine Funktion der Parameter der gruppierten Leiterstrich-Hilfsmerkmale. Die 7(a)–(c) stellen dar, wie die primären Beugungsordnungen durch die gruppierten Leiterstrich-Hilfsmerkmale beeinflusst werden. Größenwerte der nullten Ordnung sind zusammen mit den Größenwerten der ersten und zweiten Ordnung normiert auf den resultierenden Wert der nullten Ordnung aufgetragen. Die in den 7(a)–(c) dargestellten Bilder entsprechen einer Maske mit Merkmalen mit einem Linie/Raum-Verhältnis von 1 : 2,5, mit gruppierten Leiterstrich-Hilfsmerkmalen mit einer Breite, welche von Null bis im wesentlichen zum gesamten Raum zwischen den Hauptmerkmalen reicht. Eine Bruchteilsbreite von Null bedeutet, dass keine gruppierten Leiterstrich-Hilfsmerkmale vorhanden sind, und eine Breite von 1 bedeutet, dass Leiterstrich-Hilfsmerkmale im wesentlichen den vollen Raum zwischen den Hauptmerkmalen besetzen (wie bei der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung). Bei der vorliegenden Ausführungsform kann zudem der Durchlasswert der Gruppen von Leiterstrich-Hilfsmerkmalen zwischen 0% und 100% (d. h. kein Hilfsmerkmal) variieren. Bezugnehmend auf die 7(a)–7(c) ist zu sehen, dass in dem Fall, dass die Breite der Leiterstrich-Hilfsmerkmale im wesentlichen den gesamten Raum zwischen den Hauptmerkmalen wie bei der ersten Ausführungsform belegt (d. h. die rechte Seite der Grafiken in den 7(a)–7(c)), die normierten Beugungswerte erster und zweiter Ordnung gleich bleiben. Die linke Seite der Grafiken der 7(a)–7(c) entspricht der Streustrichlösung mit Durchlasswerten von Null und kleinen Bruchteilsbreiten. Zu beachten ist, dass bei Streustrichtechniken Probleme entstehen, wenn die Größe des Streustrichs und die Größe der Beugungskomponente zweiter Ordnung bis zu dem Punkt zunehmen, wo der Streustrich gedruckt wird. Es hat sich gezeigt, dass ein Streustrich mit einer Breite von 0,3 im Resist gedruckt wird. Eine praktische Grenze hinsichtlich der Breite der Streustriche liegt in der Größenordnung einer Bruchteilsbreite von 0,15–0,2. Im Unterschied zu Streustrichen jedoch kann, wie in 7(c) gezeigt, durch Justieren der Breite der gruppierten Leiterstrich-Hilfsmerkmale das aus starken Effekten zweiter Ordnung resultierende Druckbarkeitsproblem verringert werden, was die Verwendung der Leiterstrich-Hilfsmerkmale zu einer wertvollen Lösung macht. Genauer ist es, wie in 7(c) gezeigt, durch geeignetes Wählen der Breite der Gruppen von Leiterstrich-Hilfsmerkmalen 62 möglich, den Anstieg der Größe der Beugungskomponente zweiter Ordnung zu minimieren und hierdurch die Wahrscheinlichkeit zu verringern, dass die Leiterstrich-Hilfsmerkmale gedruckt werden.
  • 8 ist ein Luftbild, das die Wirkung eines gruppierten Leiterstrich-Hilfsmerkmals darstellt. Das dargestellte Bild entspricht einer Maske mit Merkmalen von 150 nm mit einem Linie/Raum-Verhältnis von 1 : 5, mit gruppierten Leiterstrich-Hilfsmerkmalen mit einer Gruppenbreite gleich 2/3 der Breite des Raums zwischen den Hauptmerkmalen, oder 500 nm. Ähnlich dem vorhergehenden Beispiel beträgt die Teilung der Leiterstrich-Hilfsmerkmale 185 nm, was hinreichend unter der Teilungsbegrenzung des Abbildungssystems liegt (d. h. die Leiterstrich-Hilfsmerkmale sind nicht auflösbar), und die Breite des Strichs beträgt 60 nm. Die Bilder der 8 entsprechen einem Bild, das am besten Fokus 81 aufgenommen wurde, sowie einem Bild, das bei einer Defokussierung 82 von 300 nm aufgenommen wurde. Die Ausgestaltung der zur Erzeugung der Bilder der 8 verwendeten Maske führt zur Erfassung lediglich der Beugung nullter Ordnung der Leiterstrich-Hilfsmerkmale innerhalb der Gruppe, da ihre Teilung unterhalb der Beugungsgrenzen der Auflösung liegen, was zu einer Intensitätsverringerung zwischen den Hauptmerkmalen von (0,78)2 oder 0,61 oder 61% führt. Das Vorstehende lässt sich mit Hilfe nachstehender Gleichung (8) berechnen: Raumintensitätsverringerung = [((pb – b)/pb)(g/s) + (s – g)/s]2 = 0.61 (8)wobei pb die Leiterstrichteilung ist, b die Breite des Leiterstrichs ist, s die Breite des Raums zwischen Hauptmerkmalen ist und g die Breite der Leiterstrich-Hilfsmerkmalsgruppierung ist. Zu beachten ist, dass einer der wichtigen Aspekte der Erfindung ist, dass dieser Durchlassverringerungswert ohne weiteres nach oben oder unten verändert werden kann, indem die Breite der Gruppe der Leiterstrich-Hilfsmerkmale verändert wird oder indem die Teilung und Größe der Leiterstrich-Hilfsmerkmale verändert werden.
  • Verglichen mit dem in 5(b) gegebenen Bild machen die Resultate des in 8 gegebenen Bilds die beträchtliche Verbesserung klar, die durch die Verwendung der gruppierten Leiterstrich-Hilfsmerkmale mit variabler Breite erzielt wird. Im speziellen ist für die am besten fokussierten Bilder in 5(b) der Bildkontrast 0,37, während für das Bild in 8 der Bildkontrast 0,68 ist, Bildkontrast = (Imin – Imax)/(Imin + Imax) (9)wobei Imin und Imax die minimalen und maximalen Intensitäten sind. Es sei angemerkt, dass obwohl der isofokale Wendepunkt der die gesamte Breite des Raums überspannenden Leiterstrich-Hilfsmerkmale der 5(b) 0,78 ist und damit geringer als der Wert der gruppierten Leiterstrich-Hilfsmerkmale der 8 ist, welcher 0,44 beträgt, dies dem Verlust an Bildkontrast gegenübersteht. Wichtig ist, dass es durch Verwendung der gruppierten Leiterstrich-Hilfsmerkmale mit veränderlicher Breite möglich ist, diesen Kompromiss abzuwägen, wobei eine breitere Gruppe zu einer geringeren isofokalen Intensität führen kann und ein schmälere Gruppe zu einem stärkeren Kontrast führen kann.
  • 9 stellt ein beispielhaftes Maskenlayout mit den Leiterstrich-OPC-Hilfsmerkmalen der vorliegenden Erfindung dar. Das in 9 dargestellte Maskenlayout stellt eine zweidimensionale Anwendung von Hauptlinienmerkmalen 91 mit Gruppen von Leiterstrich-Hilfsmerkmalen 92 dar, welche zwischen den Hauptlinienmerkmalen 91 angeordnet sind. Die beispielhafte Maske stellt außerdem die Verwendung herkömmlicher Streustriche 93 dar. Die Verwendung solcher OPC-Korrekturmerkmale kann für eine erhebliche Verbesserung hinsichtlich der Prozessüberlappung über eine Vielzahl von Merkmalsgrößen und Teilungswerten sorgen.
  • Wie zuvor angegeben, bietet die vorliegende Erfindung beträchtliche Vorteile gegenüber bekannten OPC-Hilfsmerkmalen. Einer der wesentlichen Vorteile der Leiterstrich-Hilfsmerkmale der vorliegenden Erfindung ist beispielsweise, dass sie durch einfaches Verändern der Größe der Leiterstriche und der Teilung der Leiterstriche eine einfache und erhebliche Änderung des Intensitätsverringerungswerts ermöglichen, um die Abbildungseigenschaften zu optimieren. Dies ist zum Teil möglich, weil aufgrund der Orientierung der Leiterstriche relativ zum Hauptmerkmal die Teilung und Größe der Leiterstriche nicht mehr durch den Raum zwischen den Hauptmerkmalen beschränkt sind. Darüber hinaus ist es durch geeignetes Wählen der Breite der Gruppen von Leiterstrich-Hilfsmerkmalen möglich, den Anstieg der Größe der Beugungskomponente zweiter Ordnung zu minimieren und hierdurch die Wahrscheinlichkeit herabzusetzen, dass das Leiterstrich-Hilfsmerkmal gedruckt wird.
  • Es ist ferner zu beachten, dass auch zahlreiche Abwandlungen der vorliegenden Erfindung möglich sind. Beispielsweise können die Leiterstrich-Hilfsmerkmale in Verbindung mit achsversetzten Beleuchtungstechniken eingesetzt werden, etwa einer Quadrapolbeleuchtung. Darüber hinaus ist es auch möglich, wie vorstehend angesprochen, den prozentualen Durchlassgrad der Leiterstrich-Hilfsmerkmale zu variieren, um so eine weitere Optimierung des resultierenden Bilds zu ermöglichen.
  • 10 zeigt schematisch eine lithografische Projektionsvorrichtung, die geeignet ist zur Verwendung mit einer mit Hilfe der vorliegenden Erfindung gestalteten Maske. Die Vorrichtung umfasst:
    • – ein Strahlungssystem Ex, IL, zur Bereitstellung eines Projektionsstrahls PB von Strahlung. In diesem speziellen Fall umfasst das Strahlungssystem zudem eine Strahlungsquelle LA;
    • – einen ersten Objekttisch (Maskentisch) MT, welcher mit einem Maskenhalter zum Halten einer Maske MA, z. B. einem Retikel) ausgeführt ist und mit ersten Positioniermitteln verbunden ist, um die Maske relativ zu einem Gegenstand PL exakt zu positionieren;
    • – einen zweiten Objekttisch (Substrattisch) WT, welcher mit einem Substrathalter zum Halten eines Substrats W (z. B. einem resistbeschichteten Siliziumwafer) ausgeführt ist und mit zweiten Positioniermitteln verbunden ist, um das Substrat relativ zu dem Gegenstand PL genau zu positionieren;
    • – ein Projektionssystem („Linse") PL (z. B. ein refraktives, katoptrisches oder katadioptrisches optisches System) zum Abbilden eines beleuchteten Bereichs der Maske MA auf einen Zielbereich C (der z. B. ein oder mehrere Chips umfasst) des Substrats W.
  • Wie hier dargestellt, ist die Vorrichtung vom transmissiven Typ (d. h. sie weist eine lichtdurchlässige Maske auf). Im allgemeinen kann sie jedoch beispielsweise auch ein Reflexionstyp sein (mit einer reflektierenden Maske). Alternativ kann die Vorrichtung eine andere Art von Strukturierungsmitteln als Alternative zur Verwendung einer Maske benutzen; Beispiele umfassen eine programmierbare Spiegelanordnung oder eine LCD-Matrix.
  • Die Quelle LA (z. B. eine Quecksilberlampe oder ein Excimerlaser) erzeugt einen Strahl von Strahlung. Dieser Strahl wird in ein Beleuchtungssystem (Beleuchter) IL geleitet, und zwar entweder direkt oder nach Durchlaufen von Konditioniermitteln wie beispielsweise einem Strahlexpander Ex. Der Beleuchter IL kann Stellmittel AM umfassen, um die äußere und/oder innere radiale Ausdehnung (üblicherweise mit σ-außen bzw σ-innen bezeichnet) der Intensitätsverteilung im Strahl einzustellen. Außerdem wird er im allgemeinen verschiedene weitere Komponenten enthalten, etwa einen Integrator IN sowie einen Kondensor CO. Auf diese Weise besitzt der auf die Maske MA auftreffende Strahl PB eine gewünschte Gleichförmigkeit und Intensitätsverteilung in seinem Querschnitt.
  • Mit Bezug auf 10 ist zu beachten, dass die Quelle LA innerhalb des Gehäuses der lithografischen Projektionsvorrichtung sein kann (wie es oftmals der Fall ist, wenn die Quelle LA beispielsweise eine Quecksilberlampe ist), dass sie aber auch von der lithografischen Projektionsvorrichtung entfernt sein kann, wobei der Strahlungsstrahl, der von ihr erzeugt wird, in die Vorrichtung geleitet wird (z. B. mit Hilfe geeigneter Richtspiegel); letzteres Szenario ist oftmals der Fall, wenn die Quelle LA ein Excimerlaser ist (z. B. auf Basis von KrF-, ArF- oder F2-Lasertätigkeit). Die vorliegende Erfindung umfasst beide dieser Szenarien.
  • Der Strahl PB trifft anschließend auf die Maske MA, welche an einem Maskentisch MT gehalten wird. Nach Durchgang durch die Maske MA gelangt der Strahl PB durch die Linse PL, welche den Strahl PB auf einen Zielbereich C des Substrats W fokussiert. Mit Hilfe der zweiten Positioniermittel (und interferometrischen Messmitteln IF) kann der Substrattisch WT präzise bewegt werden, um beispielsweise verschiedene Zielbereiche C in den Weg des Strahls PB zu bringen. Ähnlich können die ersten Positioniermittel zur präzisen Positionierung der Maske MA relativ zum Weg des Strahls PB genutzt werden, z. B. nachdem die Maske MA mechanisch von einer Maskenbibliothek geholt wurde oder während eines Abtastvorgangs. Im allgemeinen wird die Bewegung der Objekttische MT, WT mit Hilfe eines langhubigen Moduls (Grobpositionierung) und eines kurzhubigen Moduls (Feinpositionierung) erfolgen, die in 20 nicht ausdrücklich dargestellt sind. Im Fall eines Wafer-Steppers jedoch (im Gegensatz zu einem Step-and-Scan-Werzeug) kann der Maskentisch MT auch bloß mit einem kurzhubigen Aktuator verbunden sein oder er kann fixiert sein.
  • Das dargestellte Werkzeug kann auf zwei verschiedene Weisen benutzt werden:
    • – im Schrittmodus wird der Maskentisch MT im wesentlichen stationär gehalten, wobei ein vollständiges Maskenbild in einem Schritt (d. h. in einem einzigen „Blitz") auf einen Zielbereich C projiziert wird. Der Substrattisch WT wird sodann in x- und/oder y-Richtung verschoben, sodass ein anderer Zielbereich C mit dem Strahl PB bestrahlt werden kann;
    • – im Abtastmodus erfolgt im wesentlichen der gleiche Vorgang, außer dass ein gegebener Zielbereich C nicht in einem einzigen „Blitz" belichtet wird. Stattdessen ist der Maskentisch MT in einer gegebenen Richtung (der sogenannten „Abtastrichtung", z. B. der y-Richtung) mit einer Geschwindigkeit v bewegbar, sodass der Projektionsstrahl PB über ein Maskenbild hinwegfährt; gleichzeitig wird der Substrattisch WT simultan in der gleichen oder der entgegengesetz ten Richtung mit einer Geschwindigkeit V = Mv bewegt, wobei M die Vergrößerung der Linse PL ist (üblicherweise M = 1/4 oder 1/5). Auf diese Weise kann ein relativ großer Zielbereich C belichtet werden, ohne Abstriche an der Auflösung machen zu müssen.
  • Wenngleich einige bestimmte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung offenbart wurden, ist zu beachten, dass die vorliegende Erfindung in anderen Formen verkörpert werden kann, ohne von ihren wesentlichen Merkmalen abzuweichen. Die vorliegenden Ausführungsformen sind daher in jeder Hinsicht als darstellend und nicht beschränkend anzusehen, wobei der Umfang der Erfindung durch die beigefügten Ansprüche angegeben ist.

Claims (8)

  1. Photolithographische Maske für die optische Übertragung eines in der Maske geformten Musters auf ein Substrat, wobei die Maske folgendes aufweist: Eine Mehrzahl auflösbarer Merkmale (21), die auf dem Substrat gedruckt werden sollen, wobei jedes der genannten mehreren auflösbaren Merkmale eine Längsachse aufweist, die sich in einer ersten Richtung (y) erstreckt; und ein Paar nicht-auflösbarer, optisch naher Korrekturmerkmale (22), die zwischen zwei der genannten mehreren auflösbaren Merkmale angeordnet sind, wobei das Paar nicht-auflösbarer, optisch naher Korrekturmerkmale eine Längsachse aufweist, die sich in einer zweiten Richtung (x) erstreckt, wobei die genannte erste Richtung (y) zu der genannten Längsachse der mehreren auflösbaren Merkmale senkrecht steht zu der genannten zweiten Richtung (x) der genannten Längsachse des Paares nicht-auflösbarer, optisch naher Korrekturmerkmale, dadurch gekennzeichnet, dass das genannte Paar von nicht-auflösbaren, optisch nahen Korrekturmerkmalen zwischen zwei auflösbaren Merkmalen angeordnet ist, die in der genannten zweiten Richtung direkt benachbart sind und eine Längenabmessung aufweist, die kleiner ist als die Breite des Raumes, der die genannten zwei der mehreren auflösbaren Merkmale trennt.
  2. Photolithographische Maske nach Anspruch 1, wobei eine Mehrzahl von Paaren der genannten nicht-auflösbaren, optisch nahen Korrekturmerkmale (22) zwischen den genannten zwei aus der Mehrzahl auflösbarer Merkmale angeordnet ist, wobei jedes der genannten nicht-auflösbaren optischen Merkmale eine Längsachse aufweist, die sich in der zweiten Richtung erstreckt.
  3. Photolithographische Maske nach Anspruch 2, wobei die genannten Mehrzahl von Paaren der nicht-auflösbaren, optisch nahen Korrekturmerkmale (22), die zwischen den genannten zwei der mehreren auflösbaren Merkmale angeord net sind, alle im wesentlichen die gleiche Länge aufweisen, sodass sie eine einzige Gruppe von Korrekturmerkmalen bilden.
  4. Photolithographische Maske nach Anspruch 3, wobei die Maske weiterhin eine Mehrzahl von den genannten einzelnen Gruppen von Korrekturmerkmalen (22) aufweist, wobei jede aus der Mehrzahl der genannten Einzelgruppen von Korrekturmerkmalen zwischen einem gegebenen Paar der genannten auflösbaren Merkmale (21) angeordnet ist.
  5. Photolithographische Maske nach einem der Ansprüche 3 oder 4, wobei die genannten Paare von nicht-auflösbaren, optisch nahen Korrekturmerkmalen (21) dazu dienen, den Anstieg einer Brechungskomponente zweiter Ordnung der genannten auflösbaren Merkmale zu minimieren.
  6. Photolithographische Maske nach einem der Ansprüche 3 oder 4, wobei die genannten Gruppen von Korrekturmerkmalen (21) eine Frequenzkomponente aufweisen, die im wesentliche eine Harmonische der Frequenzkomponente der genannten Mehrzahl von auflösbaren Merkmalen ist.
  7. Photolithographische Maske nach einem der Ansprüche 3 oder 4, wobei die genannten Paare von nicht-auflösbaren, optisch nahen Korrekturmerkmalen dazu dienen, einen isofocalen Beugungspunkt, der zu einem gegebenen Satz von auflösbaren Merkmalen gehört, zu reduzieren.
  8. Verfahren zum Herstellen eines Gegenstandes, mit folgenden Schritten: (a) Bereitstellen eines Substrates, das zumindest teilweise mit einer Schicht aus strahlungsempfindlichem Material bedeckt ist; (b) Bereitstellen eines Projektionsstrahles unter Verwendung eines Strahlungssystems; (c) Verwendung eines Musters auf einer Maske, um den Projektionsstrahl in seinem Querschnitt mit einem Muster zu versehen; (d) Projizieren des gemusterten Strahls auf einen Zielabschnitt der Schicht aus strahlungsempfindlichem Material, wobei in Schritt (c), eine Maske gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7 verwendet wird.
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Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10127547C1 (de) * 2001-06-05 2003-03-20 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Durchführung einer regelbasierten OPC bei gleichzeitigem Einsatz von Scatterbars
WO2003021353A1 (de) * 2001-08-31 2003-03-13 Infineon Technologies Ag Photolithographische maske
DE10203358A1 (de) 2001-08-31 2003-04-03 Infineon Technologies Ag Photolithographische Maske
JP4171647B2 (ja) * 2001-11-28 2008-10-22 エーエスエムエル マスクツールズ ビー．ブイ． プロセス・ラチチュードを改善するために利用した補助形態を除去する方法
US7233887B2 (en) 2002-01-18 2007-06-19 Smith Bruce W Method of photomask correction and its optimization using localized frequency analysis
TWI346250B (en) * 2003-06-30 2011-08-01 Asml Masktools Bv Improved scattering bar opc application method for sub-half wavelength lithography patterning
US6983444B2 (en) * 2003-08-01 2006-01-03 Macronix International Co., Ltd. Mask for reducing proximity effect
DE10356699B4 (de) * 2003-11-28 2009-04-09 Qimonda Ag Lithographiesystem für richtungsabhängige Belichtung
SG112969A1 (en) 2003-12-22 2005-07-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and methods for use thereof
KR100556044B1 (ko) * 2003-12-31 2006-03-03 동부아남반도체 주식회사 다마신 공정에서의 패턴 향상 방법
US7117475B2 (en) * 2004-05-18 2006-10-03 Lsi Logic Corporation Method and system for utilizing an isofocal contour to perform optical and process corrections
US6977715B2 (en) * 2004-05-19 2005-12-20 Nanya Technology Corp. Method for optimizing NILS of exposed lines
JP2006030221A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Fujitsu Ltd マスクおよびマスクパターンの寸法測定方法
US7575852B2 (en) * 2004-08-20 2009-08-18 Macronix International Co., Ltd. Method of optically transferring a pattern from a mask having advanced oriented assist features for integrated circuit hole patterns
DE102004047263B4 (de) * 2004-09-24 2010-04-22 Qimonda Ag Verfahren zum Erzeugen eines Abbildungsfehler vermeidenden Maskenlayouts für eine Maske
KR100614651B1 (ko) * 2004-10-11 2006-08-22 삼성전자주식회사 회로 패턴의 노광을 위한 장치 및 방법, 사용되는포토마스크 및 그 설계 방법, 그리고 조명계 및 그 구현방법
JP2006126614A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Toshiba Corp マスクパターンデータ生成方法、フォトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
DE102004058813A1 (de) * 2004-12-07 2006-06-08 Infineon Technologies Ag Maske und Belichtungseinrichtung
DE102005002533B4 (de) * 2005-01-14 2007-09-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen eines Abbildungsfehler vermeidenden Maskenlayouts für eine Maske
DE102005002529B4 (de) * 2005-01-14 2008-12-04 Qimonda Ag Verfahren zum Erzeugen eines Abbildungsfehler vermeidenden Maskenlayouts für eine Maske
US7749662B2 (en) * 2005-10-07 2010-07-06 Globalfoundries Inc. Process margin using discrete assist features
KR100794791B1 (ko) * 2005-10-21 2008-01-21 삼성전자주식회사 터보 스트림 처리 장치 및 그 방법
US20070111109A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photolithography scattering bar structure and method
US8048590B2 (en) * 2005-11-14 2011-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photolithography mask having a scattering bar structure that includes transverse linear assist features
US8448102B2 (en) 2006-03-09 2013-05-21 Tela Innovations, Inc. Optimizing layout of irregular structures in regular layout context
US7956421B2 (en) 2008-03-13 2011-06-07 Tela Innovations, Inc. Cross-coupled transistor layouts in restricted gate level layout architecture
US8541879B2 (en) 2007-12-13 2013-09-24 Tela Innovations, Inc. Super-self-aligned contacts and method for making the same
US9035359B2 (en) 2006-03-09 2015-05-19 Tela Innovations, Inc. Semiconductor chip including region including linear-shaped conductive structures forming gate electrodes and having electrical connection areas arranged relative to inner region between transistors of different types and associated methods
US7446352B2 (en) 2006-03-09 2008-11-04 Tela Innovations, Inc. Dynamic array architecture
US9230910B2 (en) 2006-03-09 2016-01-05 Tela Innovations, Inc. Oversized contacts and vias in layout defined by linearly constrained topology
US8839175B2 (en) 2006-03-09 2014-09-16 Tela Innovations, Inc. Scalable meta-data objects
US7908578B2 (en) 2007-08-02 2011-03-15 Tela Innovations, Inc. Methods for designing semiconductor device with dynamic array section
US8653857B2 (en) 2006-03-09 2014-02-18 Tela Innovations, Inc. Circuitry and layouts for XOR and XNOR logic
US8658542B2 (en) 2006-03-09 2014-02-25 Tela Innovations, Inc. Coarse grid design methods and structures
US9563733B2 (en) 2009-05-06 2017-02-07 Tela Innovations, Inc. Cell circuit and layout with linear finfet structures
US9009641B2 (en) 2006-03-09 2015-04-14 Tela Innovations, Inc. Circuits with linear finfet structures
US7763534B2 (en) 2007-10-26 2010-07-27 Tela Innovations, Inc. Methods, structures and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits
US8667443B2 (en) 2007-03-05 2014-03-04 Tela Innovations, Inc. Integrated circuit cell library for multiple patterning
TWI346249B (en) * 2007-07-24 2011-08-01 Nanya Technology Corp Photomask layout pattern
CN101373326B (zh) * 2007-08-24 2012-01-18 南亚科技股份有限公司 光掩模
CN101382728B (zh) * 2007-09-07 2010-07-28 北京京东方光电科技有限公司 灰阶掩膜版结构
CN101387825B (zh) * 2007-09-10 2011-04-06 北京京东方光电科技有限公司 补偿型灰阶掩膜版结构
US8453094B2 (en) 2008-01-31 2013-05-28 Tela Innovations, Inc. Enforcement of semiconductor structure regularity for localized transistors and interconnect
KR100934855B1 (ko) * 2008-03-11 2010-01-06 주식회사 하이닉스반도체 노광마스크 및 이를 이용한 반도체소자 형성방법
US7939443B2 (en) 2008-03-27 2011-05-10 Tela Innovations, Inc. Methods for multi-wire routing and apparatus implementing same
KR101749351B1 (ko) 2008-07-16 2017-06-20 텔라 이노베이션스, 인코포레이티드 동적 어레이 아키텍쳐에서의 셀 페이징과 배치를 위한 방법 및 그 구현
US9122832B2 (en) 2008-08-01 2015-09-01 Tela Innovations, Inc. Methods for controlling microloading variation in semiconductor wafer layout and fabrication
US8092356B2 (en) * 2008-11-19 2012-01-10 Seel David A Biomechanical exercise device having a resilient support surface
JP5356114B2 (ja) * 2009-05-29 2013-12-04 株式会社東芝 露光用マスク及び半導体装置の製造方法
KR101113326B1 (ko) * 2009-07-01 2012-03-13 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 보조패턴 형성방법
US8661392B2 (en) 2009-10-13 2014-02-25 Tela Innovations, Inc. Methods for cell boundary encroachment and layouts implementing the Same
CN102103325B (zh) * 2009-12-22 2013-06-19 株式会社Lg化学 用于形成精细图案的光掩模及使用该光掩模形成精细图案的方法
US8313992B2 (en) 2010-10-04 2012-11-20 Sandisk Technologies Inc. Method of patterning NAND strings using perpendicular SRAF
US9159627B2 (en) 2010-11-12 2015-10-13 Tela Innovations, Inc. Methods for linewidth modification and apparatus implementing the same
US8524423B2 (en) 2011-07-11 2013-09-03 United Microelectronics Corp. Method of forming assist feature patterns
EP2570854B1 (de) 2011-09-16 2016-11-30 Imec Bestimmung der Form der Beleuchtungsquelle in optischer Lithographie
US9529272B2 (en) * 2013-03-15 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask
US10274818B2 (en) * 2016-12-15 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography patterning with sub-resolution assistant patterns and off-axis illumination
US10176966B1 (en) 2017-04-13 2019-01-08 Fractilia, Llc Edge detection system
US10522322B2 (en) 2017-04-13 2019-12-31 Fractilia, Llc System and method for generating and analyzing roughness measurements
US11380516B2 (en) 2017-04-13 2022-07-05 Fractilia, Llc System and method for generating and analyzing roughness measurements and their use for process monitoring and control
CN113970875A (zh) * 2020-07-22 2022-01-25 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 一种光掩模及其制作方法
CN114326339B (zh) * 2022-01-12 2024-02-02 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 一种提高投影透镜套刻精度的方法及装置
CN117192887A (zh) 2022-05-30 2023-12-08 联华电子股份有限公司 光学邻近修正的执行装置与执行方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4902899A (en) 1987-06-01 1990-02-20 International Business Machines Corporation Lithographic process having improved image quality
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5296891A (en) 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
US5229255A (en) 1991-03-22 1993-07-20 At&T Bell Laboratories Sub-micron device fabrication with a phase shift mask having multiple values of phase delay
JP3179520B2 (ja) 1991-07-11 2001-06-25 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
US5324600A (en) 1991-07-12 1994-06-28 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method of forming resist pattern and photomask therefor
US5242770A (en) * 1992-01-16 1993-09-07 Microunity Systems Engineering, Inc. Mask for photolithography
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US5288569A (en) 1992-04-23 1994-02-22 International Business Machines Corporation Feature biassing and absorptive phase-shifting techniques to improve optical projection imaging
US5256505A (en) 1992-08-21 1993-10-26 Microunity Systems Engineering Lithographical mask for controlling the dimensions of resist patterns
US5538815A (en) 1992-09-14 1996-07-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for designing phase-shifting masks with automatization capability
US5362584A (en) 1993-04-02 1994-11-08 International Business Machines Corporation Phase-shifting transparent lithographic mask for writing contiguous structures from noncontiguous mask areas
JPH07134395A (ja) 1993-04-22 1995-05-23 Samsung Electron Co Ltd マスクパターン及びこれを使用した微細パターンの形成方法
US5424154A (en) 1993-12-10 1995-06-13 Intel Corporation Lithographic emhancement method and apparatus for randomly spaced structures
US5447810A (en) 1994-02-09 1995-09-05 Microunity Systems Engineering, Inc. Masks for improved lithographic patterning for off-axis illumination lithography
US5663893A (en) 1995-05-03 1997-09-02 Microunity Systems Engineering, Inc. Method for generating proximity correction features for a lithographic mask pattern
KR0161437B1 (ko) * 1995-09-19 1999-02-01 김광호 반도체장치의 미세패턴 형성방법
JP2917879B2 (ja) 1995-10-31 1999-07-12 日本電気株式会社 フォトマスク及びその製造方法
KR100353818B1 (ko) * 1995-11-24 2002-12-16 주식회사 하이닉스반도체 콘택홀형성을위한하프톤위상반전마스크
US5723233A (en) 1996-02-27 1998-03-03 Lsi Logic Corporation Optical proximity correction method and apparatus
US5707765A (en) 1996-05-28 1998-01-13 Microunity Systems Engineering, Inc. Photolithography mask using serifs and method thereof
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
US5821014A (en) * 1997-02-28 1998-10-13 Microunity Systems Engineering, Inc. Optical proximity correction method for intermediate-pitch features using sub-resolution scattering bars on a mask
JP3626504B2 (ja) 1997-03-10 2005-03-09 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ ２個の物品ホルダを有する位置決め装置
US6114071A (en) * 1997-11-24 2000-09-05 Asml Masktools Netherlands B.V. Method of fine feature edge tuning with optically-halftoned mask
US6421820B1 (en) * 1999-12-13 2002-07-16 Infineon Technologies Ag Semiconductor device fabrication using a photomask with assist features
US6335130B1 (en) * 2000-05-01 2002-01-01 Asml Masktools Netherlands B.V. System and method of providing optical proximity correction for features using phase-shifted halftone transparent/semi-transparent features

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Publication number Publication date
KR100457839B1 (ko) 2004-11-18
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