JP2002357892A

JP2002357892A - 解像度以下の補助フィーチャとして罫線ラダー・バーを利用した光近接補正方法

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Publication number: JP2002357892A
Application number: JP2002115493A
Authority: JP
Inventors: Bruce W Smith; ダブリュ、スミスブルース
Original assignee: ASML MaskTools Netherlands BV
Current assignee: ASML MaskTools Netherlands BV
Priority date: 2001-03-14
Filing date: 2002-03-13
Publication date: 2002-12-13
Anticipated expiration: 2022-03-13
Also published as: DE60202230T2; EP1241525A3; DE60202230D1; JP4267245B2; EP1241525B1; KR100457839B1; TW571571B; KR20020073297A; US20020192570A1; EP1241525A2; US6881523B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】マスクに形成されたパターンを基板上に光学的
に転写し、かつ光近接効果を打ち消すためのフォトリソ
グラフィ・マスク。【解決手段】マスクは、それぞれが第１の方向に延在す
る長手方向軸線を有する、基板上に印刷すべき複数の解
像可能フィーチャと、第２の方向に延在する長手方向軸
線を有する、複数の解像可能フィーチャの２つの間に配
設された一対の解像不可能光近接補正フィーチャとを含
み、複数の解像可能フィーチャの長手方向軸線の第１の
方向が、一対の解像不可能光近接補正フィーチャの長手
方向軸線の第２の方向に垂直である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はフォトリソグラフィ
に関し、より詳細には、光近接効果を補正し、処理性能
全体を高めるように機能する、解像度以下の光近接補正
（「ＯＰＣ」）フィーチャを有するフォトマスク（「マ
スク」）の設計および製造に関する。本発明はまた、一
般に、放射線の投影ビームを供給するための放射システ
ムと、所望のパターンに従って投影ビームにパターンを
付ける働きをするパターニング手段（例えばマスク）を
支持するための支持構造と、基板を保持するための基板
テーブルと、パターンを付けされたビームを基板のター
ゲット部分に投影するための投影システムと、を備える
リソグラフィ投影装置におけるそのようなマスクの使用
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】リソグラフィ装置は、例えば集積回路
（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような場
合、マスクは、ＩＣの個々の層に対応する回路パターン
を生成することができ、このパターンを、放射線感光材
料（レジスト）の層で被覆されている基板（シリコン・
ウェハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは複数の
ダイを備える）にイメージすることができる。一般に、
単一のウェハが、１度に１つずつ投影システムによって
連続的に放射される隣接ターゲット部分の回路網全体を
含んでいる。１つのタイプのリソグラフィ投影装置で
は、各ターゲット部分が、マスク・パターン全体を一括
してターゲット部分に露光することによって照射され
る。そのような装置は、一般にウェハ・ステッパと呼ば
れる。代替装置（一般にステップ・アンド・スキャン装
置と呼ばれる）では、所与の基準方向（「スキャン」方
向）に投影ビーム下でマスク・パターンを漸次スキャン
し、それと同時にこの方向に平行に、または反平行に基
板テーブルを同期してスキャンすることによって各ター
ゲット部分が照射される。一般に、投影システムが倍率
Ｍ（通常、＜１）を有するので、基板テーブルがスキャ
ンされる速度Ｖは、マスク・テーブルがスキャンされる
速度のＭ倍となる。ここに記述したリソグラフィ・デバ
イスに関するより多くの情報は、例えば参照により本明
細書に組み込む米国特許第６０４６７９２号から得るこ
とができる。

【０００３】リソグラフィ投影装置を使用する製造プロ
セスでは、マスク・パターンが、放射線感光材料（レジ
スト）の層によって少なくとも部分的に覆われた基板に
イメージされる。このイメージ・ステップの前に、基板
にプライミング、レジスト・コーティング、ソフト・ベ
ークなど様々な処置を施すことができる。露光後に、露
光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、および
イメージされたフィーチャの測定／検査など他の処置を
基板に施すこともできる。この一連の処置は、デバイ
ス、例えばＩＣの個々の層にパターンを付すための基礎
として使用される。次いで、そのようなパターンが付さ
れた層に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メ
タライゼーション、酸化、化学機械研磨など様々なプロ
セスを施すことができる。これらは全て、個々の層を完
成させるためのものである。複数の層が必要な場合、手
順全体、またはその変形が、それぞれの新たな層ごとに
繰り返されなければならない。最終的に、デバイスの列
（アレイ）が基板（ウェハ）上に存在することになる。
次いで、これらのデバイスを、ダイシングやソーイング
などの技法によって互いに分離し、個々のデバイスを、
例えばキャリアに取り付けたり、あるいはピンに接続し
たりすることができる。そのようなプロセスに関する他
の情報は、例えば参照により本明細書に組み込むＰｅｔ
ｅｒｖａｎＺａｎｔの著書「ＭｉｃｒｏｃｈｉｐＦ
ａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：ＡＰｒａｃｔｉｃａｌＧｕ
ｉｄｅｔｏＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＰｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇ」，ＴｈｉｒｄＥｄｉｔｉｏｎ，Ｍｃ
ＧｒａｗＨｉｌｌＰｕｂｌｉｓｈｉｎｇＣｏ．，
１９９７，ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４から得
ることができる。

【０００４】話を簡単にするために、投影システムを本
明細書では以後「レンズ」と呼ぶ場合がある。しかし、
この用語は、例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折
光学系を含む様々なタイプの投影システムを包含するも
のとして広く解釈すべきである。放射システムは、放射
線の投影ビームを方向付けし、成形し、または制御する
ために、前記設計タイプのいずれかに準じて動作する構
成要素も含むことができ、そのような構成要素もまた、
以下で総称して、または個別に「レンズ」と呼ぶ。さら
に、リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（お
よび／または２つ以上のマスク・テーブル）を有するタ
イプのものであってよい。そのような「多段」装置で
は、追加のテーブルを並列に使用することができ、ある
いは１つまたは複数のテーブルに関して予備ステップを
行い、その一方で１つまたは複数の他のテーブルを露光
することができる。二段リソグラフィ装置が、例えば、
参照により本明細書に組み込む米国特許第５９６９４４
１号およびＷＯ９８／４０７９１号に記載されている。

【０００５】上で参照したフォトリソグラフィ・マスク
は、シリコン・ウェハ上に集積すべき回路構成要素に対
応した幾何パターンを備える。そのようなマスクを作成
するために使用されるパターンは、ＣＡＤ（コンピュー
タ援用設計）プログラムを使用して生成され、このプロ
セスはしばしばＥＤＡ（電子設計自動化）と呼ばれる。
ほとんどのＣＡＤプログラムが、一組の所与の設計規則
に従って機能マスクを作成する。これらの規則は、処理
および設計限界によって設定される。例えば、設計規則
は、回路デバイス（ゲート、コンデンサなど）間、また
は相互接続線間の空間公差を定義しており、それによっ
て回路デバイスまたは線路が、望ましくない形で互いに
相互作用することがないようになされている。設計規則
限界は通常、「臨界寸法」（ＣＤ）と呼ばれる。回路の
臨界寸法は、線路の最小幅または２つの線路間の最小空
間によって定義することができる。したがって、ＣＤ
は、設計された回路全体のサイズおよび密度を決定す
る。

【０００６】当然、集積回路製造の目標の１つは、（マ
スクによって）ウェハ上に元の回路設計を忠実に再現す
ることである。別の目標は、できるだけ広い半導体ウェ
ハ表面積を使用することである。しかし、集積回路のサ
イズが縮小され、その密度が増すにつれて、対応するマ
スク・パターンのＣＤが光学露光ツールの解像度限界に
近づく。露光ツールの解像度は、露光ツールがウェハ上
で繰返し露光することができる最小フィーチャによって
定義される。この露光機器の解像度値は、しばしば、多
くの先進ＩＣ回路設計においてＣＤを制限する。

【０００７】回路レイアウトの臨界寸法がより小さくな
り、露光ツールの解像度値に近づくと、マスク・パター
ンと、フォトレジスト層上に現像される実際の回路パタ
ーンとの対応関係が大幅に低くなる可能性がある。マス
クと実際の回路パターンとの差の程度および量は、回路
フィーチャ相互の近接度に応じて決まる。したがって、
パターン転写の問題は、「近接効果」と呼ばれる。

【０００８】近接効果の重要な問題を克服する助けとな
るように、サブリソグラフィ・フィーチャをマスク・パ
ターンに加えるいくつかの技法が使用される。サブリソ
グラフィ・フィーチャは、露光ツールの解像度未満の寸
法を有し、したがってフォトレジスト層に転写されな
い。その代わり、サブリソグラフィ・フィーチャは、元
のマスク・パターンと相互作用して、近接効果を補償
し、それによって最終的に転写される回路パターンを改
善する。

【０００９】そのようなサブリソグラフィ・フィーチャ
の例として、米国特許第５８２１０１４号（参照より本
明細書に組み込む）に開示されているスキャッタリング
・バー（拡散バー）およびアンチスキャッタリング・バ
ーがあり、これらをマスク・パターンに追加して、近接
効果によって生じるマスク・パターン内のフィーチャ間
のずれを低減する。より具体的には、解像度以下の補助
フィーチャ、またはスキャッタリング・バーが、光近接
効果を補正するための手段として使用され、また、処理
ウィンドウ全体を大きくするのに効果的であるものとし
て示されている（すなわち、フィーチャが隣接フィーチ
ャに対して分離されているか、または高密度で詰まって
いるかに関わらず、特定のＣＤを有するフィーチャを常
に印刷することができる）。’０１４特許に記載されて
いるように、一般的に、光近接補正は、あまり高密度で
なく分離されたフィーチャに関して、これらのフィーチ
ャの近くにスキャッタリング・バーを配置することによ
って焦点深度を改善することによって行われる。スキャ
ッタリング・バーは、（分離された、またはあまり高密
度でないフィーチャの）実効パターン密度をより高密度
に変更するように機能し、それによって、分離されたフ
ィーチャまたはあまり高密度でないフィーチャの印刷に
関する望ましくない近接効果を打ち消す。ただし、スキ
ャッタリング・バーそれ自体がウェハ上に印刷されない
ことが重要である。したがって、これは、スキャッタリ
ング・バーのサイズを、イメージ・システムの解像度未
満に維持する必要がある。

【００１０】したがって、光リソグラフィの限界が高め
られてサブ波長にまで及ぶにつれて、スキャッタリング
・バーなどの補助フィーチャをより小さくして、イメー
ジ・システムの解像度未満に維持しなければならない。
しかし、イメージ・システムは、より小さな波長および
より高い開口数へと移っていくので、解像度以下スキャ
ッタリング・バーを十分に小さくしてフォトマスクを製
造する能力が重要な問題および大きな課題となる。さら
に、スキャッタリング・バーのサイズが縮小されるの
で、近接効果を低減させる能力が小さくなる。スキャッ
タ・バーを使用することにより生じる問題のいくつか
は、例えば、隣接する主フィーチャ間の空間寸法によ
り、設計内でスキャッタ・バーを含むことができる能力
が制限されることによるものである。

【００１１】さらに、主要マスク・フィーチャの周波数
の高調波に一致する周波数で補助フィーチャが位置決め
されるときに利点が生まれることが、本出願の発明者に
よって判明している。これは、主フィーチャ周波数の整
数倍で補助フィーチャが位置決めされていることを表
す。単一スキャッタ・バー解決策では、スキャッタ・バ
ーは通常、主フィーチャ間の中央に配置されている。し
かし、そのような配置は、スキャッタ・バーが印刷され
ないように十分小さくすることができないので、高密度
フィーチャでは問題を提示する。さらに、半分離フィー
チャに関して、単一スキャッタ・バーの影響が通常は不
十分であり、それにより複数のスキャッタ・バーを主フ
ィーチャ間の空間領域内に位置決めする必要がある。そ
のような場合には、外側スキャッタ・バーと主フィーチ
ャとの間の離隔距離が非常に小さいので、望ましい周波
数解決策が実用的でない。

【００１２】したがって、典型的な解決策は、主フィー
チャ間の空間内部に、均等に間隔を空けて配置された複
数のスキャッタ・バーを配置するものである。しかし、
そのような解決策に関して問題がある。例えば、得られ
るスキャッタ・バーの周波数がしばしばイメージ限界を
超え、それによりスキャッタ・バーの０次回折の効果以
外の効果が全てなくなってしまうことである。さらに、
スキャッタ・バーが、高密度主フィーチャの周波数に合
致する周波数で配置されている場合に、望ましくないこ
とに、修正された照明技法を利用するとスキャッタ・バ
ーが印刷される可能性が高まってしまう。

【００１３】より具体的には、ＯＰＣ補助フィーチャと
して従来技術のスキャッタ・バーを使用する図である図
１に示されるように、主フィーチャ１０間の開いた空間
内に複数のスキャッタ・バー１１が配置されていると
き、スキャッタ・バーの周波数は、ピッチではなく主フ
ィーチャの空間幅に準じている。スキャッタ・バー周波
数は、主フィーチャの周波数とは一致しないが、通常、
イメージング・システムの回折限界を超えている。その
ため、１次回折エネルギーがスキャッタ・バーから収集
されず、スキャッタ・バー周波数が不合理なものとな
る。例えば、図１を参照すると、２４８ｎｍの波長およ
び０．７０ＮＡ対物レンズを使用して１：５の線：空間
デューティ比を有する１５０ｎｍ主フィーチャが示され
ており、１８７．５ｎｍピッチで配置された６０ｎｍの
スキャッタ・バー・サイズによって、主フィーチャ１０
間に均等に間隔を空けて配置された３つのスキャッタ・
バー１１が得られる。スキャッタ・バーに関して得られ
るｋ₁は、解像度の式によって定義され（ｋ₁＝ｐＮＡ／
２λ、ここでｐはピッチであり、ＮＡは対物レンズの開
口数であり、λは露光波長である）、すなわち０．２７
であり、それにより０．９５以下のσ値を使用するとき
に１次回折のレンズ取得を効果的になくする。０次回折
収集のみを用いて、主フィーチャ間の空間全体が、バー
幅（ｂ）およびバー・ピッチ（ｐ_b）の関数として強度
の低下を受ける。すなわち、空間低下強度＝［（ｐ_b−ｂ）／ｐ_b］²＝（０．６８）²＝０．４６ …（１）この結果は、空間伝送が同様に低下する場合に期待され
る。主フィーチャの回折エネルギーが低減され、それに
よりマスク上の他のフィーチャの露光量により近く合致
するマスク露光量を見込むことができるより低い強度を
有するイメージが生じる。しかし、他の値での強度低下
の制御は、スキャッタ・バーのバー幅およびピッチ値の
制限により、複数のスキャッタ・バー補助フィーチャで
は困難になる。

【００１４】したがって、複数のスキャッタ・バーＯＰ
Ｃ補助フィーチャの使用に関連する前述の問題をなくす
る、フォトマスク内にＯＰＣ補助フィーチャを提供する
方法が求められている。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
一目的は、設計自由度を改善すること、特に空間強度低
下の量に対する制御を改善することを見込むＯＰＣ補助
フィーチャを有するフォトリソグラフィ・マスクを形成
する方法を提供することである。さらに、本発明の一目
的は、実質的に主フィーチャの周波数の調波である周波
数成分を導入することができるＯＰＣ補助フィーチャを
提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】より具体的には、本発明
によれば、マスクに形成されたパターンを基板上に光学
的に転送し、かつ光近接効果を打ち消すためのフォトリ
ソグラフィ・マスクが提供される。このフォトリソグラ
フィ・マスクは、基板上に印刷する複数の解像可能フィ
ーチャであって、それぞれが第１の方向に延びる長手方
向軸線を有する解像可能フィーチャと、複数の解像可能
フィーチャのうちの２つの間に配設されたラダー・バー
と呼ばれる一対の解像不可能な光近接補正フィーチャで
あって、第２の方向に延びる長手方向軸線を有する解像
不可能光近接補正フィーチャとを含み、複数の解像可能
フィーチャの長手方向軸線の第１の方向が、解像不可能
光近接補正フィーチャの長手方向軸線の第２の方向に垂
直になっている。

【００１７】以下にさらに詳細に説明するように、本発
明は、既知のＯＰＣ補助フィーチャに勝る大きな利点を
有する。例えば、本発明のラダー・バー補助フィーチャ
の大きな利点の１つは、ラダー・バーのサイズおよびラ
ダー・バーのピッチを単に変えることによって、強度低
下値を簡単に、かつ大幅に変えて、イメージング性能を
最適化することができることである。これが可能なの
は、１つには、主フィーチャに対するラダー・バーの向
きにより、ラダー・バーのピッチおよびサイズが主フィ
ーチャ間の空間によってもはや制限されないためであ
る。さらに、ラダー・バー補助フィーチャのグループの
幅を適切に選択することにより、主縁部の軸線に沿っ
て、かつ主フィーチャ縁部間でラダー・バーの実効周波
数成分を制御することができ、かつ２次回折成分の大き
さの増大を最小限に抑え、それにより、ラダー・バー補
助フィーチャが印刷される可能性を低下させることがで
きる。

【００１８】本発明の追加の利点は、本発明の例示実施
形態の以下の詳細な説明から当業者に明らかになろう。

【００１９】本明細書では、ＩＣ製造での本発明の使用
に特に言及する場合があるが、本発明が多くの他の可能
な適用例も有することをはっきりと理解されたい。例え
ば、集積光学系、磁区メモリ用の誘導および検出パター
ン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用
することができる。そのような代替適用例の文脈では、
この本文における用語「焦点板」、「ウェハ」、または
「ダイ」の使用を、より一般的な用語「マスク」、「基
板」、および「ターゲット部分」でそれぞれ置き代えら
れるものとみなすべきであることを当業者は理解されよ
う。

【００２０】また、本明細書では、用語「放射線」およ
び「ビーム」を、紫外放射線（例えば波長が３６５、２
４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍのもの）やＥ
ＵＶ（例えば５〜２０ｎｍの波長を有する極紫外放射
線）を含むあらゆるタイプの電磁放射線を包含するもの
として使用する。

【００２１】本明細書で使用する用語「マスク」は、基
板のターゲット部分に形成するパターンに対応してパタ
ーンを付けた断面を入射放射線ビームに与えるために使
用することができる一般的なパターニング手段を表すも
のと広く解釈することができる。用語「光バルブ」をこ
の文脈で使用することもできる。従来のマスク（透過ま
たは反射、二元、位相、ハイブリッドなど）に加え、他
のそのようなパターニング手段の例としては、次のよう
なものが挙げられる。・プログラム可能ミラー・アレ
イ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御層および
反射表面を有するマトリックス・アドレス可能な表面で
ある。そのような装置の背後にある基本原理は、（例え
ば）反射表面のアドレスされた領域が入射光を回折光と
して反射し、アドレスされていない領域が入射光を非回
折光として反射することである。適切なフィルタを使用
して、前記非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、
後に回折光のみを残すことができる。このようにする
と、マトリックス・アドレス可能表面のアドレス指定パ
ターンに従ってビームにパターンを付けられるようにな
る。必要なマトリックス・アドレス指定は、適切な電子
手段を使用して行うことができる。そのようなミラー・
アレイに関するより多くの情報は、例えば参照により本
明細書に組み込む米国特許第５２９６８９１号および米
国特許第５５２３１９３号から得ることができる。・プ
ログラム可能ＬＣＤアレイ。そのような構成の一例は、
参照により本明細書に組み込む米国特許第５２２９８７
２号に与えられている。

【００２２】本発明自体を、他の目的および利点と共
に、以下の詳細な説明および添付概略図面を参照してよ
り良く理解することができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の光近接補正技法によれ
ば、印刷する主フィーチャの長手方向軸線に実質的に垂
直な長手方向軸線をそれぞれが有する解像不可能ラダー
・バー補助フィーチャが、解像度以下補助フィーチャと
して利用される。以下に詳細に説明するように、本発明
のラダー・バー補助フィーチャの使用は、とりわけ設計
自由度の改善を見込み、特に、空間強度低下の量に対す
る制御の改善およびイメージ制御の改善を見込む。さら
に、主フィーチャ縁部の軸線に沿った、かつ主フィーチ
ャ縁部間でのラダー・バー補助フィーチャの実効周波数
成分の制御を見込んでいる。

【００２４】図２に、本発明のラダー・バー補助フィー
チャ（ラダー・バーとも呼ぶ）の第１の実施形態を利用
する例示マスクを図示する。図２を参照すると、複数の
ラダー・バー補助フィーチャ２２が、主フィーチャ２１
間に配置されている。重要な点は、長手方向軸線が主フ
ィーチャ２１の長手方向軸線に垂直に延びるように各ラ
ダー・バー補助フィーチャ２２が位置決めされているこ
とである。図示したように、ラダー・バー補助フィーチ
ャ２２は互いに平行に延びている。さらに、所与の実施
形態のラダー・バー補助フィーチャの長さは、実質的に
主フィーチャ２１縁部間の空間の長さ全体にラダー・バ
ー２２が延びるような長さである。図２に示した実施形
態では、ラダー・バー２２は、主フィーチャ２１の縁部
に接触していない。しかし、ラダー・バー２２が主フィ
ーチャの縁部に接触していてもよいことに留意された
い。

【００２５】さらに、スキャッタ・バーと同様に、各ラ
ダー・バー補助フィーチャ２２は、印刷されないように
解像度以下になっている。すなわち、（「Ｘ」方向の）
ラダー・バー・サイズの長さ、およびラダー・バー・ピ
ッチ（ｐ_b）を考慮して決まる各バー補助フィーチャの
サイズ（ｂ）は、ラダー・バー補助フィーチャを解像度
以下に維持するものでなければならない。すなわち、バ
ー・ピッチがイメージング・ツールの解像度限界を超え
ていなければならず、つまりλ／（σ＋１）ＮＡ未満で
なければならない。ここで、λは露光波長であり、σは
部分コヒーレンス係数であり、ＮＡは対物レンズの開口
数である。「Ｙ」方向でのラダー・バーのサイズは、ラ
ダー・バーが印刷されることがないように十分小さく、
それでも式（１）によって定義される空間強度の低下が
もたらされるように十分大きく保持すべきである。所与
のマスク設計に関するラダー・バー補助フィーチャの最
適なセッティングおよび／またはサイジングは、実験に
基づく方法によって、かつ／またはシミュレーションに
よって決定することができることに留意されたい。さら
に、ラダー・バー補助フィーチャは、暗線の主フィーチ
ャと共に使用する際は不透明にすることができ、明空間
フィーチャと共に使用する際は透明にすることができる
ことに留意されたい。

【００２６】解像度以下ラダー・バー補助フィーチャが
存在することにより、主フィーチャの縁部、および主フ
ィーチャ端部に沿った主フィーチャ回折の制御をできる
ようになる。より具体的には、主フィーチャの縁部間に
ラダー・バー補助フィーチャ２２を配置することによっ
て、主要な回折次数、すなわち０次回折、１次回折、お
よび２次回折を以下の式を利用して求めることができ
る。０次の大きさ＝［（ｐ_b−ｂ）／Ｐ_b］（ｓ／ｐ） …（２）１次の大きさ＝［（ｐ_b−ｂ）／Ｐ_b］｜（ｓ／ｐ）ｓｉｎｃ（ｓ／ｐ）｜ …（３）２次の大きさ＝［（ｐ_b−ｂ）／Ｐ_b］｜（ｓ／ｐ）ｓｉｎｃ（２ｓ／ｐ）｜ …（４）ここでｓは主フィーチャ２１間の空間（すなわち幅）で
あり、ｐは主フィーチャ間のピッチであり、ｐ_bはバー
・ピッチ（「Ｙ」方向）であり、ｂはバー・サイズ
（「Ｙ」方向）である。前述の式は「Ｘ」方向での回折
次数に関連しており、ラダー・バーの幅は、バーが
「Ｘ」方向で開口全体にわたって延在するようなものに
なっていると想定していることに留意されたい。

【００２７】ＯＰＣ補助フィーチャを有さない例示的マ
スクに対応する仮想イメージを図５（ａ）に図示し、図
５（ｂ）は、図５（ａ）で利用されたのと同じであり、
しかし本発明のラダー・バー補助フィーチャを含むよう
に修正されているマスクの仮想イメージである。具体的
には、図５（ａ）は、２４８ｎｍの波長（λ）、０．７
０のレンズ瞳孔ＮＡ、および０．８５の部分コヒーレン
ス値（σ）を利用して、線：空間が１：５のデューティ
比を有する１５０ｎｍ主フィーチャ（半分離フィーチ
ャ）をイメージした結果を図示する。照明システムの回
折限界ピッチは１９２ｎｍである。図５（ａ）のイメー
ジは、最良合焦（５１）および３００ｎｍ焦点ずれ（５
２）に対応する。図５（ａ）に示されるように、得られ
るアイソフォーカル（等焦点）変曲点は約０．８であ
り、これは、線：空間が１：１のデューティ比を有する
マスク・フィーチャに対応するアイソフォーカル変曲点
の値よりもかなり大きい（１：１のデューティ比では、
得られるアイソフォーカル変曲点は０．３４程度であ
る）。アイソフォーカル変曲点は、実質的に焦点ずれが
なく（すなわち最良合焦で）印刷されるか、焦点ずれ３
００ｎｍで印刷されるかに関わらず、イメージが最小損
失で印刷される位置に対応することに留意されたい。高
密度および半分離フィーチャに関連するアイソフォーカ
ル変曲点の位置のばらつきは、共通の処理ウィンドウを
用いてこれらのフィーチャを印刷するのを困難にする。
したがって、そのような高密度および半分離フィーチャ
が同じマスク上に含まれているとき、半分離フィーチャ
に関連するアイソフォーカル変曲点を低下し、それによ
りプロセス・オーバラップを改善することが望まれる。

【００２８】図５（ｂ）は、ラダー・バー補助フィーチ
ャがマスクに加えられることを除いて、図５（ａ）のイ
メージを生成するために利用されるのと同じマスクに対
応する。利用されるラダー・バー補助フィーチャは、サ
イズが６０ｎｍ（図２の寸法「ｂ」）であり、ピッチｐ
_bが１８５ｎｍである。さらに、ラダー・バー補助フィ
ーチャは、ラダー・バーが主フィーチャ間に開いた空間
全体にわたって延在するような長さを有する。上述した
ように、照明に利用されるイメージング・システムの回
折限界ピッチが１９２ｎｍであるので、ラダー・バー補
助フィーチャのピッチは、イメージング・システムのピ
ッチ限界を十分に下回り、そのためラダー・バー補助フ
ィーチャは印刷されない。ラダー・バー補助フィーチャ
の前述の構成／寸法により、ラダー・バー補助フィーチ
ャの周波数により０次回折項のみが収集される。したが
って、上述の式（１）を利用すると、得られる主フィー
チャ間の強度低下が（０．６７６）²、すなわち４６％
となる。

【００２９】ラダー・バー補助フィーチャの重要な利点
の１つは、ラダー・バーのサイズおよびラダー・バーの
ピッチを変えるだけで、強度低下値を簡単かつ大幅に変
えて（例えばこの例で得られる４６％値前後）、イメー
ジング性能を最適化できるようにすることであることに
留意されたい。これが可能なのは、１つには、主フィー
チャに対するラダー・バーの向きにより、ラダー・バー
のピッチおよびサイズが主フィーチャ間の空間によって
もはや制限されないためである。ＯＰＣフィーチャとし
て含むことができるラダー・バーの数を定義するのは主
フィーチャの長さ（図２の「Ｙ」方向）である。対照的
に、主フィーチャ間に含むことができるスキャッタ・バ
ーの数は、フィーチャ間の空間によって制限され、実用
的には、スキャッタ・バーを解像度以下に維持しながら
主フィーチャ間に複数のスキャッタ・バーを収容するの
はかなり困難である。

【００３０】再び図５（ｂ）に戻ると、図示したよう
に、前述のラダー・バー補助フィーチャの使用により、
有利には、線：空間が１：５のデューティ比を有するフ
ィーチャに関するアイソフォーカル変曲点が０．４未満
の値まで低下し、この値は、線：空間が１：１のデュー
ティ比を有するフィーチャのアイソフォーカル変曲点に
かなり近い。線：空間が１：５のデューティ比を有する
フィーチャに関するアイソフォーカル変曲点の位置の低
下により、これらの半分離フィーチャおよび高密度フィ
ーチャを共通の処理ウィンドウを用いて印刷することが
できる。

【００３１】上述したように、本発明のラダー・バー補
助フィーチャを利用して、主フィーチャの端部での光近
接効果を制御し、あるいは補正することもできる。これ
は、ラダー・バー補助フィーチャが主フィーチャの端部
に関して位置決めされる場所を制御することによって達
成することができる。図４は、ラダー・バー補助フィー
チャを利用してライン端部短縮を補償する例示的マスク
を示す。図４に示されているように、ラダー・バー補助
フィーチャ４２は、主フィーチャ４１の端部を超えて延
在し、それによりライン端部短縮の発生を防止してい
る。

【００３２】本発明の第２の実施形態によれば、主フィ
ーチャ間に配設されたラダー・バー補助フィーチャの長
さを変えることができる。以下にさらに詳細に説明する
ように、ラダー・バー補助フィーチャの長さを変えるこ
とによって、追加のイメージ制御を提供する、ラダー・
バー補助フィーチャの周波数成分を導入することができ
る。

【００３３】図３に、本発明のラダー・バー補助フィー
チャの第２の実施形態を利用する例示的マスクを示す。
図３に示されるように、ラダー・バー補助フィーチャ３
２は、主フィーチャ３１間の空間全体にわたっては延在
せず、各ラダー・バー補助フィーチャの長さは等しい。
その結果、ラダー・バー補助フィーチャをグループ３３
と見なすことができ、このグループは、主フィーチャ３
１間に繰返し配設されるときに特有のサイズおよび周波
数を有する。図３には、２つの主フィーチャ３１間に配
設されたグループ３３を１つだけ例示する。ラダー・バ
ー補助フィーチャの長さがグループ３３の幅を決定する
ことに留意されたい。

【００３４】グループ３３の幅を制御することによっ
て、グループ３３に関連する周波数成分を導入すること
ができ、この周波数成分は、好ましくは主フィーチャの
周波数の高調波であり、有利には、対応する１次および
２次回折成分の低下を伴わずに０次回折成分を低下する
働きをする。したがって、この追加の周波数成分によっ
てイメージ制御を改善することができる。これに対し、
本発明の第１の実施形態では、ラダー・バー補助フィー
チャが実質的に主フィーチャ間の空間全体にわたって延
びるように配設されており、そのような周波数成分が主
フィーチャ方向に沿って導入されることはない。したが
って、第１の実施形態では、式（２）、（３）、および
（４）によって示される全ての回折次数の低下が生じ
る。

【００３５】０次、１次、および２次の回折成分の大き
さに対してラダー・バー・グループの幅が及ぼす効果
は、図６に示される例示的マスクに関して計算される。
図６を参照すると、マスク電場６０が、主フィーチャ６
１と、ラダー・バー補助フィーチャのグループ６２とに
関して例示されており、各一対の主フィーチャ６１間に
グループが１つ配設されている。上述したように、マス
ク・フィーチャ６１間の空間内部にラダー・バー補助フ
ィーチャ・グループ６２を導入することによって、マス
ク電場に関する主要回折次数が修正される。具体的に
は、明開口を有する不透明主フィーチャに関して、主要
回折次数の大きさは以下のようになる。

【数１】ここで、ｓは主フィーチャ空間幅であり、ｐは主フィー
チャ・ピッチであり、ｇはラダー・バー補助フィーチャ
・グループの幅であり、Ｉｇは、結果として得られるラ
ダー・バー補助フィーチャ・グループのグループ強度で
あり、これは上述の式（１）を利用して計算することが
できる。

【００３６】前述の式からわかるように、主要回折次数
の修正は特有なものであり、グループ化されたラダー・
バー補助フィーチャのパラメータに応じている。図７
（ａ）〜（ｃ）に、グループ化ラダー・バー補助フィー
チャが主要回折次数に影響を及ぼす様子を例示する。０
次の大きさの値が、結果として得られる０次の値に対し
て正規化された１次および２次の大きさの値と共にプロ
ットされている。図７（ａ）〜（ｃ）に例示されるイメ
ージは、線：空間が１：２．５のデューティ比を有する
フィーチャを備えるマスクに対応し、グループ化ラダー
・バー補助フィーチャは、ゼロから、実質的に主フィー
チャ間の空間全体までの範囲の幅を有する。分数幅０
は、グループ・ラダー・バー補助フィーチャが存在しな
いことを表し、幅１は、（本発明の第１の実施形態のよ
うに）ラダー・バー補助フィーチャが実質的に主フィー
チャ間の空間全体を占有していることを表す。さらに、
所与の実施形態では、ラダー・バー補助フィーチャのグ
ループの伝送値を、０％〜１００％（すなわち補助フィ
ーチャが存在しない）の間で変えることができる。

【００３７】図７（ａ）〜７（ｃ）を参照すると、ラダ
ー・バー補助フィーチャが、第１の実施形態（すなわち
図７（ａ）〜７（ｃ）のプロットの右側）のように実質
的に主フィーチャ間の空間全体を占有する場合に、正規
化された１次回折値と２次回折値が同じであることがわ
かる。図７（ａ）〜（ｃ）のプロットの左側は、スキャ
ッタ・バー解決策に対応し、０伝送値および小さな分数
幅を有する。スキャッタ・バーのサイズが増大し、スキ
ャッタ・バーが印刷される点まで２次回折成分の大きさ
が増大すると、スキャッタ・バー技法で問題が生じるこ
とに留意されたい。０．３幅スキャッタ・バーがレジス
ト中に印刷されることが示されている。スキャッタ・バ
ーの幅に関する実用的な限界は、０．１５〜０．２分数
幅程度である。しかし、スキャッタ・バーとは異なり、
図７（ｃ）に示されるように、グループ化ラダー・バー
補助フィーチャの幅を調節することによって、大きな２
次効果により生じる印刷可能性の問題を軽減することが
でき、そのため、ラダー・バー補助フィーチャの使用は
実行可能な解決策となる。より具体的には、図７（ｃ）
に示されるように、ラダー・バー補助フィーチャ６２の
グループの幅を適切に選択することによって、２次回折
成分の大きさの増大を最小限に抑えることができ、それ
によりラダー・バー補助フィーチャが印刷される可能性
が低下する。

【００３８】図８は、グループ化ラダー・バー補助フィ
ーチャの効果を例示する仮想イメージである。例示され
たイメージは、線：空間が１：５のデューティ比を有す
る１５０ｎｍフィーチャを備えるマスクに対応し、グル
ープ化ラダー・バー補助フィーチャが、主フィーチャ間
の空間幅の２／３、すなわち５００ｎｍのグループ幅を
有する。前の例と同様に、ラダー・バー補助フィーチャ
のピッチは１８５ｎｍであり、これは、イメージング・
システムのピッチ制限を十分に下回り（すなわち、ラダ
ー・バー補助フィーチャは解像度以下であり）、バーの
幅サイズは６０ｎｍである。図８のイメージは、最良合
焦８１で取られたイメージ、および３００ｎｍの焦点ず
れ８２で取られたイメージに対応する。図８のイメージ
を生成するために利用されるマスクの形状により、グル
ープ内のラダー・バー補助フィーチャの０次回折のみが
集められる。これはそのピッチが解像度の回折限界を下
回るからであり、その結果、（０．７８）²、すなわち
０．６１、すなわち６１％の主フィーチャ間の強度低下
をもたらす。前述のことは、以下の式（８）を利用して
計算される。空間低下強度＝［（（ｐ_b−ｂ）／ｐ_b）（ｇ／ｓ）＋（ｓ−ｇ）／ｓ］²＝０．６１ …（８）ここでｐ_bはラダー・バー・ピッチであり、ｂはラダー
・バーの幅であり、ｓは主フィーチャ空間幅であり、ｇ
はラダー・バー補助フィーチャ・グループの幅である。
本発明の重要な態様の１つは、ラダー・バー補助フィー
チャのグループの幅を調節することによって、またはラ
ダー・バー補助フィーチャのピッチおよびサイズを調節
することによって、この伝送低下値をより高く、または
より低く簡単に変更できることであることに留意された
い。

【００３９】図５（ｂ）に記載したイメージと比べる
と、図８に記載したイメージの結果は、可変幅を有する
グループ化ラダー・バー補助フィーチャを利用すること
によって得られる大きな改善を明らかにする。より具体
的には、図５（ｂ）の最良合焦イメージに関するイメー
ジ・コントラストは０．３７であり、図８のイメージに
関するイメージ・コントラストは０．６８であり、イメージ・コントラスト＝（Ｉｍｉｎ−Ｉｍａｘ）／（Ｉｍｉｎ＋Ｉｍａｘ） …（９）であり、ここでＩｍｉｎおよびＩｍａｘは最小および最
大の強度である。図５（ｂ）の全空間幅ラダー・バー補
助フィーチャのアイソフォーカル変曲点は０．７８であ
り、０．４４である図８のグループ化ラダー・バー補助
フィーチャの値よりも低いが、これは、イメージ・コン
トラストの損失によって相殺されることに留意された
い。重要なことに、変化する幅を有するグループ化ラダ
ー・バー補助フィーチャを利用することによって、この
兼ね合いを制御することができ、より広いグループがよ
り低いアイソフォーカル強度をもたらすことができ、よ
り狭いグループがより大きなコントラストをもたらすこ
とができる。

【００４０】図９は、本発明のラダー・バーＯＰＣ補助
フィーチャを利用する例示的マスク・レイアウトを示
す。図９に図示されるマスク・レイアウトは、主線フィ
ーチャ９１の２次元適用を表し、主線フィーチャ９１間
に配設されたラダー・バー補助フィーチャ９２のグルー
プを有する。さらに、この例示的マスクは、従来技術の
スキャッタ・バー９３の使用も例示する。そのようなＯ
ＰＣ補正フィーチャの使用は、様々なフィーチャ・サイ
ズおよびピッチ値にわたるプロセス・オーバラップに関
する大きな改善を提供することができる。

【００４１】上述したように、本発明は、公知のＯＰＣ
補助フィーチャに勝る大きな利点を提供する。例えば、
本発明のラダー・バー補助フィーチャの重要な利点の１
つは、ラダー・バーのサイズおよびラダー・バーのピッ
チを単に変えることによって、強度低下値を簡単かつ大
幅に変えられ、イメージング性能を最適にできることで
ある。これが可能なのは、１つには、主フィーチャに対
するラダー・バーの向きにより、ラダー・バーのピッチ
およびサイズが主フィーチャ間の空間によってはもはや
制限されないためである。さらに、ラダー・バー補助フ
ィーチャのグループの幅を適切に選択することによっ
て、２次回折成分の大きさの増大を最小限に抑えること
ができ、それによりラダー・バー補助フィーチャが印刷
される可能性が低下する。

【００４２】本発明の多数の変形が可能であることにも
留意されたい。例えば、ラダー・バー補助フィーチャ
を、四極子照明などオフ軸照明技法と共に利用すること
ができる。さらに、上で留意したように、得られるイメ
ージをさらに最適化することを可能にするためにラダー
・バー補助フィーチャの伝送％を変えることもできる。

【００４３】図１０に、本発明によって設計されたマス
クと共に使用するのに適したリソグラフィ投影装置を概
略的に示す。この装置は、以下のものを備える。放射線
の投影ビームＰＢを供給するための放射システムＥｘ、
ＩＬ。この特定の場合には、放射システムは放射線源Ｌ
Ａも備える。マスクＭＡ（例えば焦点板）を保持するた
めのマスク・ホルダを備え、アイテムＰＬに関してマス
クを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接
続された第１の対象物テーブル（マスク・テーブル）Ｍ
Ｔ。基板Ｗ（例えばレジスト被覆シリコン・ウェハ）を
保持するための基板ホルダを備え、アイテムＰＬに関し
て基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段
に接続された第２の対象物テーブル（基板テーブル）Ｗ
Ｔ。基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたは複
数のダイを備える）にマスクＭＡの照射部分をイメージ
するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、
屈折、反射、または反射屈折光学系）。

【００４４】本明細書で示すように、この装置は、透過
性タイプの（すなわち透過性マスクを有する）ものであ
る。しかし一般には、例えば反射性タイプの（反射性マ
スクを有する）ものであってもよい。別法として、この
装置は、マスクの使用に対する代替として別の種類のパ
ターニング手段を採用することもできる。例として、プ
ログラム可能ミラー・アレイやＬＣＤマトリックスを挙
げられる。

【００４５】放射線源ＬＡ（例えば、水銀ランプやエキ
シマ・レーザ）は放射線ビームを発生する。このビーム
は、直接的に、または例えばビーム拡大器Ｅｘなどの調
整手段を横切った後に、照明システム（照明器）ＩＬに
供給される。照明器ＩＬは、ビームの強度分布の外側お
よび／または内側放射範囲（一般にそれぞれσ外側およ
びσ内側と呼ばれる）を設定するための調節手段ＡＭを
備えることができる。さらに、一般には、積分器ＩＮや
集光レンズＣＯなど様々な他の構成要素も備える。この
ようにして、マスクＭＡに衝突するビームＰＢが、その
断面で所望の均一性および強度分布を有するようにして
いる。

【００４６】図１０に関して、放射線源ＬＡは、（例え
ば放射線源ＬＡが水銀ランプであるときにしばしばそう
であるように）リソグラフィ投影装置のハウジング内部
にある場合があり、しかしリソグラフィ投影装置から離
れていて、生成する放射線ビームが（例えば適切な方向
付けミラーによって）装置内に導かれる場合もあること
に留意されたい。この後者のシナリオは、放射線源ＬＡ
がエキシマ・レーザ（例えばＫｒＦ、ＡｒＦ、またはＦ
₂レージング）であるときにしばしばそうである。本発
明はこれら両方のシナリオを包含する。

【００４７】ビームＰＢはその後、マスク・テーブルＭ
Ｔ上に保持されているマスクＭＡに交差する。ビームＰ
Ｂは、マスクＭＡを横切ると、レンズＰＬを通過し、レ
ンズＰＬが、基板Ｗのターゲット部分ＣにビームＰＢを
合焦する。第２の位置決め手段（および干渉計測定手段
ＩＦ）によって、基板テーブルＷＴを、例えばビームＰ
Ｂの経路内に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするよ
うに正確に移動することができる。同様に、第１の位置
決め手段を使用して、例えばマスク・ライブラリからマ
スクＭＡを機械的に検索した後、またはスキャン中に、
ビームＰＢの経路に関してマスクＭＡを正確に位置決め
することができる。一般に、対象物テーブルＭＴ、ＷＴ
の移動は、図２０には明示していない長ストローク・モ
ジュール（粗い位置決め）と短ストローク・モジュール
（精密位置決め）とを用いて実現される。しかし、（ス
テップ・アンド・スキャン・ツールと異なり）ウェハ・
ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴを短ストロ
ーク・アクチュエータにのみ接続すること、または固定
することができる。

【００４８】図示したツールは、２つの異なるモードで
使用することができる。ステップ・モードでは、マスク
・テーブルＭＴが本質的に静止して保たれ、マスク・イ
メージ全体が、ターゲット部分Ｃに１度に（すなわちた
だ１回の「フラッシュ」で）投影される。次いで、基板
テーブルＷＴがｘおよび／またはｙ方向にシフトされ、
それにより別のターゲット部分ＣをビームＰＢによって
照射することができる。スキャン・モードでは、所与の
ターゲット部分Ｃがただ１回の「フラッシュ」で露光さ
れない点を除き、本質的に同じシナリオが適用される。
１回のフラッシュで露光するのではなく、マスク・テー
ブルＭＴが速度ｖで所与の方向（いわゆる「スキャン方
向」、例えばｙ方向）に移動可能であり、それにより投
影ビームＰＢがマスク・イメージ全体にわたってスキャ
ンするようになっている。それと並行して、基板テーブ
ルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで同方向または逆方向に同時に
移動される。ここでＭはレンズＰＬの倍率である（典型
的にはＭ＝１／４または１／５）。このようにすると、
解像度を損なわずに、比較的大きなターゲット部分Ｃを
露光することができる。

【００４９】本発明のいくつかの特定の実施形態を開示
したが、本発明を、本発明の精神または本質的な特徴を
逸脱することなく他の形式で実施することもできること
に留意されたい。したがって、これらの実施形態は、全
ての点で例示とみなすべきであり、限定とみなすべきで
はなく、本発明の範囲は頭記の特許請求の範囲によって
指示され、したがって特許請求の範囲の等価形態の意味
および範囲に入る全ての変更を本発明に含むものとす
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】スキャッタ・バーと呼ばれる従来技術の補助フ
ィーチャを利用する例示的マスクを示す図である。

【図２】本発明のラダー・バー補助フィーチャの第１の
実施形態を利用する例示的マスクを示す図である。

【図３】本発明のラダー・バー補助フィーチャの第２の
実施形態を利用する例示的マスクを示す図である。

【図４】本発明のラダー・バー補助フィーチャを利用す
る例示的マスクを示す図である。

【図５（ａ）】補助フィーチャを有さないマスクに対応
する仮想イメージを示す図である。

【図５（ｂ）】図５（ａ）で利用されるのと同じであ
り、しかし本発明のラダー・バー補助フィーチャを含む
ように修正されたマスクの仮想イメージである。

【図６】本発明のラダー・バー補助フィーチャを備える
例示的マスクを示す図である。

【図７（ａ）】本発明のラダー・バー補助フィーチャが
主要回折次数（すなわち０次、１次、２次）に影響を与
える様子を示す図である。

【図７（ｂ）】本発明のラダー・バー補助フィーチャが
主要回折次数（すなわち０次、１次、２次）に影響を与
える様子を示す図である。

【図７（ｃ）】本発明のラダー・バー補助フィーチャが
主要回折次数（すなわち０次、１次、２次）に影響を与
える様子を示す図である。

【図８】グループ化ラダー・バー補助フィーチャの効果
を示す仮想イメージである。

【図９】本発明のラダー・バー補助フィーチャを利用す
る例示的マスク・レイアウトを示す図である。

【図１０】本発明によって設計したマスクと共に使用す
るのに適したリソグラフィ投影装置の概略図である。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１４年５月１６日（２００２．５．１
６）

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２】

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクに形成されたパターンを基板上に
光学的に転写するためのフォトリソグラフィ・マスクに
おいて、前記基板上に印刷される複数の解像可能フィーチャであ
って、それぞれが第１の方向に延びる長手方向軸線を有
する解像可能フィーチャと、前記複数の解像可能フィーチャのうちの２つの間に配置
される一対の解像不可能な光近接補正フィーチャであっ
て、第２の方向に延びる長手方向軸線を有する解像不可
能な光近接補正フィーチャと、を有し、前記複数の解像可能フィーチャの長手方向軸線の前記第
１の方向が、前記一対の解像不可能な光近接補正フィー
チャの長手方向軸線の前記第２の方向に垂直であること
を特徴とするフォトリソグラフィ・マスク。
【請求項２】前記一対の解像不可能な光近接補正フィ
ーチャが、前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記
２つの解像可能フィーチャを離隔している空間の幅以下
の長さ寸法を有する請求項１に記載のフォトリソグラフ
ィ・マスク。
【請求項３】前記解像不可能光近接補正フィーチャの
対が、前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記２つ
の解像可能フィーチャの間に複数配置されており、該解
像不可能光学フィーチャの対が、第２の方向に延びる長
手方向軸線をそれぞれ有している請求項２に記載のフォ
トリソグラフィ・マスク。
【請求項４】前記複数の解像可能フィーチャのうちの
前記２つの解像可能フィーチャの間に配置された解像不
可能な光近接補正フィーチャの前記複数の対の全てが、
補正フィーチャの単一グループを形成するように、実質
的に同じ長さを有する請求項３に記載のフォトリソグラ
フィ・マスク。
【請求項５】前記マスクがさらに、補正フィーチャの
前記単一グループを複数備え、該補正フィーチャの複数
の単一グループのそれぞれが、前記解像可能フィーチャ
の特定の一対の間に配置されている請求項４に記載のフ
ォトリソグラフィ・マスク。
【請求項６】解像不可能な光近接補正フィーチャの前
記対が、前記解像可能フィーチャの２次回折成分の増大
を最小限に抑えるように機能する請求項４に記載のフォ
トリソグラフィ・マスク。
【請求項７】補正フィーチャの前記グループが、実質
的に、前記複数の解像可能フィーチャの周波数成分の高
調波である周波数成分を有する請求項５に記載のフォト
リソグラフィ・マスク。
【請求項８】解像不可能な光近接補正フィーチャの前
記対が、前記解像可能フィーチャの特定の１組に関する
アイソフォーカル変曲点を低下させるように機能する請
求項４に記載のフォトリソグラフィ・マスク。
【請求項９】読取可能な記録媒体を備えたコンピュー
タを制御するためのコンピュータ・プログラム製品であ
って、フォトリソグラフィ・マスクに形成されたパター
ンを基板上に光学的に転写するために、該マスクに対応
する少なくとも１つのファイルを生成するようにコンピ
ュータに指図する手段が前記記録媒体上に記録されてお
り、該マスクが、前記基板上に印刷される複数の解像可能フィーチャであ
って、それぞれが第１の方向に延びる長手方向軸線を有
する解像可能フィーチャと、前記複数の解像可能フィーチャのうちの２つの間に配設
された一対の解像不可能な光近接補正フィーチャであっ
て、第２の方向に延びる長手方向軸線を有する解像不可
能光近接補正フィーチャと、を有し、前記複数の解像可能フィーチャの長手方向軸線の前記第
１の方向が、前記一対の解像不可能光近接補正フィーチ
ャの長手方向軸線の前記第２の方向に垂直であることを
特徴とするコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１０】前記解像不可能光近接補正フィーチャ
の各対が、前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記
２つの解像可能フィーチャを離隔する空間の幅以下の長
さ寸法を有する請求項９に記載のコンピュータ・プログ
ラム製品。
【請求項１１】解像不可能光近接補正フィーチャの前
記対が、前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記２
つの解像可能フィーチャの間に複数配設されており、該
解像不可能光学フィーチャの前記対が、第２の方向に延
びる長手方向軸線をそれぞれ有している請求項９に記載
のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１２】前記複数の解像可能フィーチャのうち
の前記２つの解像可能フィーチャの間に配設された前記
解像不可能な光近接補正フィーチャの前記複数の対の全
てが、補正フィーチャの単一グループを形成するよう
に、実質的に同じ長さを有する請求項１１に記載のコン
ピュータ・プログラム製品。
【請求項１３】前記マスクがさらに、補正フィーチャ
の前記単一グループを複数備え、補正フィーチャの前記
複数の単一グループがそれぞれ、前記解像可能フィーチ
ャの特定の一対の間に配設されている請求項１２に記載
のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１４】解像不可能な光近接補正フィーチャの
前記複数の対が、前記解像可能フィーチャの２次回折成
分の増大を最小限に抑えるように機能する請求項１３に
記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１５】補正フィーチャの前記グループが、実
質的に、前記複数の解像可能フィーチャの周波数成分の
高調波である周波数成分を有する請求項１３に記載のコ
ンピュータ・プログラム製品。
【請求項１６】解像不可能な光近接補正フィーチャの
前記複数の対が、前記解像可能フィーチャの特定の１組
に関するアイソフォーカル変曲点を低下させるように機
能する請求項１３に記載のフォトリソグラフィ・マス
ク。
【請求項１７】リソグラフィ露光装置を用いてフォト
グラフィ・マスクから基板上にリソグラフィ・パターン
を転写する方法であって、それぞれが第１の方向に延びる長手方向軸線を有する、
前記基板上に印刷する複数の解像可能フィーチャを形成
する段階と、第２の方向に延在する長手方向軸線を有する、前記複数
の解像可能フィーチャのうちの２つの間に配設された一
対の解像不可能な光近接補正フィーチャを形成する段階
と、を含むリソグラフィ・パターン転写方法において、前記複数の解像可能フィーチャの前記長手方向軸線の前
記第１の方向が、前記一対の解像不可能光近接補正フィ
ーチャの前記長手方向軸線の前記第２の方向に垂直であ
るリソグラフィ・パターン転写方法。
【請求項１８】前記一対の解像不可能光近接補正フィ
ーチャが、前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記
２つの解像可能フィーチャを離隔する空間の幅未満の長
さ寸法を有する請求項１７に記載のリソグラフィ・パタ
ーン転写方法。
【請求項１９】前記解像不可能な光近接補正フィーチ
ャの対が、前記複数の解像可能フィーチャのうちの前記
２つの解像可能フィーチャの間に複数配設されており、
前記解像不可能光学フィーチャの対がそれぞれ、第２の
方向に延びる長手方向軸線を有している請求項１８に記
載のリソグラフィ・パターン転写方法。
【請求項２０】前記複数の解像可能フィーチャのうち
の前記２つの解像可能フィーチャの間に配設された前記
解像不可能な光近接補正フィーチャの前記複数の対の全
てが、補正フィーチャの単一グループを形成するよう
に、実質的に同じ長さを有する請求項１９に記載のリソ
グラフィ・パターン転写方法。
【請求項２１】前記マスクがさらに、補正フィーチャ
の前記単一グループを複数備え、補正フィーチャの前記
複数の単一グループがそれぞれ、前記解像可能フィーチ
ャの特定の一対の間に配設されている請求項２０に記載
のリソグラフィ・パターン転写方法。
【請求項２２】前記解像不可能な光近接補正フィーチ
ャの前記対が、前記解像可能フィーチャの２次回折成分
の増大を最小限に抑えるように機能する請求項２１に記
載のリソグラフィ・パターン転写方法。
【請求項２３】前記補正フィーチャの前記グループ
が、実質的に、前記複数の解像可能フィーチャの周波数
成分の高調波である周波数成分を有する請求項２１に記
載のリソグラフィ・パターン転写方法。
【請求項２４】解像不可能な光近接補正フィーチャの
前記対が、前記解像可能フィーチャの特定の１組に関す
るアイソフォーカル変曲点を低下させるように機能する
請求項２０に記載のリソグラフィ・パターン転写方法。
【請求項２５】（ａ）放射線感光材料の層によって少
なくとも部分的に覆われた基板を提供する段階と、（ｂ）放射システムを使用して放射線の投影ビームを提
供する段階と、（ｃ）マスク上のパターンを使用して、投影ビームの断
面にパターンを与える段階と、（ｄ）パターン付けされた放射線のビームを放射線感光
材料の層のターゲット部分に投影する段階と、を含むデ
バイス製造方法であって、段階（ｃ）で使用するマスクが、それぞれが第１の方向に延びる長手方向軸線を有する、
前記基板上に印刷する複数の解像可能フィーチャと、第２の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記複数の
解像可能フィーチャのうちの２つの間に配設された一対
の解像不可能光近接補正フィーチャと、を備え、前記複数の解像可能フィーチャの前記長手方向軸線の前
記第１の方向が、前記一対の解像不可能光近接補正フィ
ーチャの前記長手方向軸線の前記第２の方向に垂直であ
ることを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項２６】パターンが形成されたフォトリソグラ
フィ・マスクであって、該パターンを基板上に光学的に
転写するためのフォトリソグラフィ・マスクにおいて、第１の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記基板上
に印刷する解像可能フィーチャと、第２の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記解像可
能フィーチャに隣接して配設された一対の解像不可能光
近接補正フィーチャと、を備え、前記解像可能フィーチャの前記長手方向軸線の前記第１
の方向が、前記一対の解像不可能光近接補正フィーチャ
の前記長手方向軸線の前記第２の方向に垂直であること
を特徴とするフォトリソグラフィ・マスク。
【請求項２７】前記解像不可能光近接補正フィーチャ
の対が、前記解像可能フィーチャに近接して複数配設さ
れており、解像不可能光学フィーチャの前記対が、第２
の方向に延びる長手方向軸線をそれぞれ有している請求
項２６に記載のフォトリソグラフィ・マスク。
【請求項２８】前記解像不可能光近接補正フィーチャ
が、前記解像可能フィーチャの２次回折成分の増大を最
小限に抑えるように機能する請求項２７に記載のフォト
リソグラフィ・マスク。
【請求項２９】読取可能な記録媒体を備えるコンピュ
ータを制御するためのコンピュータ・プログラム製品に
おいて、フォトリソグラフィ・マスクに形成されたパタ
ーンを基板上に光学的に転写するために、該フォトリソ
グラフィ・マスクに対応する少なくとも１つのファイル
を生成するようにコンピュータに指図する手段が記録媒
体上に記録されており、前記マスクが、第１の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記基板上
に印刷する解像可能フィーチャと、第２の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記解像可
能フィーチャに隣接して配設された一対の解像不可能光
近接補正フィーチャと、を備え、前記解像可能フィーチャの前記長手方向軸線の前記第１
の方向が、前記一対の解像不可能光近接補正フィーチャ
の前記長手方向軸線の前記第２の方向に垂直であること
を特徴とする、コンピュータ・プログラム製品。
【請求項３０】解像不可能光近接補正フィーチャの前
記対が、前記解像可能フィーチャに隣接して複数配設さ
れており、解像不可能光学フィーチャの前記対が、第２
の方向に延びる長手方向軸線をそれぞれ有している請求
項２９に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項３１】解像不可能光近接補正フィーチャの前
記複数の対が、前記解像可能フィーチャの２次回折成分
の増大を最小限に抑えるように機能する請求項３０に記
載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項３２】リソグラフィ露光装置の使用によって
フォトグラフィ・マスクから基板上にリソグラフィ・パ
ターンを転写する方法であって、第１の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記基板上
に印刷する解像可能フィーチャを形成する段階と、第２の方向に延びる長手方向軸線を有する、前記解像可
能フィーチャに隣接して配設された一対の解像不可能光
近接補正フィーチャを形成する段階と、を含むリソグラ
フィ・パターン転写方法において、前記解像可能フィーチャの前記長手方向軸線の前記第１
の方向が、前記一対の解像不可能光近接補正フィーチャ
の前記長手方向軸線の前記第２の方向に垂直であるリソ
グラフィ・パターン転写方法。
【請求項３３】前記解像不可能光近接補正フィーチャ
の対が、前記解像可能フィーチャに隣接して複数配設さ
れており、前記解像不可能光学フィーチャの対が、第２
の方向に延びる長手方向軸線をそれぞれ有している請求
項３２に記載の方法。