DE102021203075A1

DE102021203075A1 - Verfahren, vorrichtung und computerprogramm zur reparatur eines maskendefekts

Info

Publication number: DE102021203075A1
Application number: DE102021203075.0A
Authority: DE
Inventors: Johannes Schöneberg; Michael Budach; Christof Baur; Jens Oster
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2021-03-26
Filing date: 2021-03-26
Publication date: 2022-09-29
Also published as: CN115128897A; KR20220134469A; JP2022151871A; TW202238262A; US20220308443A1; TWI826978B

Abstract

Es werden ein Verfahren, eine Vorrichtung und ein Computerprogramm zur Reparatur eines Defekts einer Maske für die Lithographie, insbesondere einer EUV-Maske, beschrieben.Ein Verfahren zur Reparatur eines Defekts einer Maske für die Lithographie, insbesondere einer EUV-Maske, umfasst die folgenden Schritte: (a.) Durchführen eines ersten Reparaturschrittes an dem Defekt mit einer ersten Reparaturdosis, wobei der Defekt dadurch von einer Anfangstopologie in eine erste Defekttopologie übergeht; (b.) Ermitteln eines Einflusses des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defektes; (c.) Bestimmen einer zweiten Defekttopologie für den Defekt, die mit einem zweiten Reparaturschritt an dem Defekt erreicht werden soll; und (d.) Ermitteln einer zweiten Reparaturdosis für den zweiten Reparaturschritt zumindest teilweise basierend auf dem ermittelten Einfluss des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defekts und der zweiten Defekttopologie. Das Verfahren kann ferner den Schritt (e.) des Durchführens des zweiten Reparaturschrittes mit der zweiten Reparaturdosis umfassen.

Description

1. Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren, eine Vorrichtung und ein Computerprogramm zur Reparatur eines Defekts einer Maske für die Lithographie, insbesondere eines Defekts einer Maske für die EUV-Lithographie (im Folgenden kurz „EUV-Maske“).
2. Stand der Technik
Als Folge der ständig steigenden Integrationsdichte in der Mikroelektronik müssen lithographische Masken (im Folgenden oft kurz „Masken“) immer kleiner werdende Strukturelemente in eine Fotolackschicht eines Wafers abbilden. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, wird die Belichtungswellenlänge zu immer kleineren Wellenlängen verschoben. Derzeit werden für Belichtungszwecke hauptsächlich Argonfluorid (ArF) Excimer-Laser eingesetzt, die Licht bei einer Wellenlänge von 193 nm emittieren. An Lichtquellen, die im extrem ultravioletten (EUV) Wellenlängenbereich (10 nm bis 15 nm) emittieren, und entsprechenden EUV-Masken wird intensiv gearbeitet. Zur Erhöhung des Auflösungsvermögens von Wafer-Belichtungsprozessen wurden gleichzeitig mehrere Varianten der herkömmlichen binären lithographischen Masken entwickelt. Beispiele hierfür sind Phasenmasken oder phasenschiebende Masken und Masken für Mehrfachbelichtung.
Lithographische Masken können aufgrund der immer kleiner werdenden Abmessungen der Strukturelemente jedoch nicht immer ohne auf einem Wafer sichtbare oder druckbare Defekte hergestellt werden. Wegen der kostspieligen Herstellung von Masken werden defekte Masken wann immer möglich repariert.
Zwei wichtige Gruppen von Defekten lithographischer Masken sind zum einen dunkle Defekte (engl. „dark defects“), und zum anderen klare Defekte (engl. „clear defects“).
Dunkle Defekte sind Stellen, an denen Absorber- oder phasenschiebendes Material vorhanden ist, die aber frei von diesem Material sein sollten. Diese Defekte werden repariert, in dem das überschüssige Material vorzugsweise mit Hilfe eines lokalen Ätzprozesses entfernt wird.
Klare Defekte sind hingegen Defekte auf der Maske, die bei optischer Belichtung in einem Wafer-Stepper oder Wafer-Scanner eine größere Lichtdurchlässigkeit aufweisen als eine identische defektfreie Referenzposition. Bei Maskenreparaturprozessen können solche klaren Defekte durch Abscheiden oder Deposition eines Materials mit geeigneten optischen Eigenschaften behoben werden. Idealerweise sollten die optischen Eigenschaften des zur Reparatur verwendeten Materials denen des Absorber- bzw. phasenschiebenden Materials entsprechen.
Die Anmelderin entwickelt und stellt Messanlagen zum Analysieren von lithographischen Masken her. Ferner entwickelt und vertreibt die Anmelderin Reparaturvorrichtungen für lithographische Masken.
Zur Entfernung von dunklen Defekten ist es bekannt, einen Elektronenstrahl zu verwenden, welcher direkt auf den zu reparierenden Defekt gerichtet wird. Auf Grund der Verwendung eines Elektronenstrahls ist dabei insbesondere eine präzise Lenkung und Positionierung des Strahls auf den Defekt möglich. In Verbindung mit einem Präkursorgas, auch Prozessgas genannt, das in die Atmosphäre der zu reparierenden Maske geleitet werden kann, ist es möglich, durch den einfallenden Elektronenstrahl eine Reaktion zu induzieren, welche einem lokalen Ätzvorgang gleicht. Durch diesen induzierten lokalen Ätzvorgang können Anteile überschüssigen Materials (des Defekts) von der Maske entfernt werden, sodass die für die lithographische Maske gewünschten Absorber- und/oder phasenschiebenden Eigenschaften erzeugt bzw. wiederhergestellt werden können.
Alternativ ist es auch möglich, das verwendete Präkursorgas so zu wählen, dass bei Bestrahlung mit dem Strahl, ein Abscheideprozess induziert werden kann. Als Folge dessen kann an klaren Defekten zusätzliches Material abgeschieden werden, um die Lichtdurchlässigkeit der Maske lokal zu verringern und/oder die phasenschiebenden Eigenschaften zu erhöhen.
Ein mögliches Verfahren zur Reparatur phasenschiebender Defekte in einer Fotomaske wird beispielsweise im Dokument US 6,593,040 B2 beschrieben. Das Verfahren umfasst das Scannen der Maske nach Defekten und das Ermitteln der Position zumindest eines Defekts. Der Defekt wird nachfolgend dreidimensional analysiert und das Ergebnis der Analyse wird verwendet, um einen fokussierten Ionenstrahl (engl. „focussed ion beam“, FIB) auf den Defekt zu richten, um diesen zu entfernen. Der FIB wird durch eine Ätzkarte gesteuert, welche auf Basis des Ergebnisses der dreidimensionalen Analyse erzeugt wurde. Ferner können Testmuster mit dem FIB erzeugt und dreidimensional analysiert werden, welche dann weiter verwendet werden, um die Ätzkarte zu erzeugen.
Ein Nachteil der bekannten Verfahren ist allerdings, dass diese zum Beispiel die Dynamik des Reparaturprozesses überhaupt nicht oder in nur unzureichendem Maße berücksichtigen. So erfolgt im oben genanntem Verfahren die dreidimensionale Analyse nur einmal vor Durchführung des Ätzprozesses. Beispielsweise kann sich aber die Art und Weise, wie ein Defekt auf gerade stattfindende Reparaturmaßnahmen reagiert, während des Reparaturprozesses ändern. Dies kann dazu führen, dass die vorab berechneten Reparaturschritte bei der Durchführung des Verfahrens nicht zu den erwarteten Ergebnissen führen und der Reparaturerfolg daher nicht wie gewünscht eintritt (oder sogar eine Beschädigung der Maske auftritt).
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren anzugeben, welches diese Nachteile der bekannten Verfahren zumindest teilweise abmildert oder eliminiert und/oder eine genauere und sicherere Reparatur von Maskendefekten erlaubt. Weiterhin sollen eine entsprechende Vorrichtung und ein Computerprogramm mit Anweisungen zur Durchführung eines solchen Verfahrens bereitgestellt werden.
3. Zusammenfassung der Erfindung
Die oben genannten Aufgaben werden zumindest teilweise gelöst durch die verschiedenen Aspekte der vorliegenden Erfindung, wie sie im Folgenden beschrieben werden.
In einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zur Reparatur eines Defekts einer Maske für die Lithographie, insbesondere einer EUV-Maske, die folgenden Schritte: (a.) Durchführen eines ersten Reparaturschrittes an dem Defekt mit einer ersten Reparaturdosis, wobei der Defekt dadurch von einer Anfangstopologie in eine erste Defekttopologie übergeht, (b.) Ermitteln eines Einflusses des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defektes, (c.) Bestimmen einer zweiten Defekttopologie für den Defekt, die mit einem zweiten Reparaturschritt an dem Defekt erreicht werden soll, und (d.) Ermitteln einer zweiten Reparaturdosis für den zweiten Reparaturschritt zumindest teilweise basierend auf dem ermittelten Einfluss des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defekts und der zweiten (beabsichtigten) Defekttopologie.
Bei der Maskenbearbeitung, insbesondere der Maskenreparatur, werden typischerweise ein oder mehrere Gase an einen beabsichtigten Reaktionsort geleitet und dort durch Bestrahlung mit einem Strahl energetischer Teilchen (beispielsweise Photonen, Elektronen oder Ionen) zur Reaktion gebracht, um so die beabsichtigten Bearbeitungsprozesse durchzuführen (zum Beispiel einen Ätzprozess oder einen Depositionsprozess, wie eingangs bereits angedeutet und weiter unten noch in mehr Detail beschrieben). Hierbei hat die eingebrachte Reparaturdosis einen Einfluss auf den Ablauf des jeweiligen Reparaturschrittes.
Gemäß dem vorliegenden Verfahren wird an dem zu reparieren Defekt (beispielsweise einem klaren oder einem dunklen Defekt wie eingangs erwähnt) zunächst ein erster Reparaturschritt mit einer ersten Reparaturdosis durchgeführt. Hierbei verändert sich der Defekt, insbesondere geht der Defekt von einer Anfangstopologie in eine neue Topologie über, die hier als erste Defekttopologie bezeichnet wird.
Im einfachsten Falle wird die Topologie dabei lediglich durch eine einzelne oder einige wenige Kenngrößen beschrieben, beispielsweise eine Höhe des Defekts. Wie weiter unten noch im Detail beschrieben, kann im Rahmen des vorliegenden Verfahrens die Topologie des Defekts aber auch noch genauer beschrieben und charakterisiert werden, beispielsweise durch eine positionsabhängige Höhe des Defekts, durch dessen laterale Ausdehnung, durch dessen dreidimensionale Struktur, usw., was die Genauigkeit der Maskenreparatur steigern kann.
Nach Durchführung dieses ersten Reparaturschrittes wird gemäß dem beschriebenen Verfahren ermittelt, wie sich der erste Reparaturschritt auf den Defekt ausgewirkt hat. Insbesondere kann ermittelt werden, wie sich die Topologie des Defekts bedingt durch die Durchführung des ersten Reparaturschrittes geändert hat bzw. welchen Einfluss der erste Reparaturschritt auf die Topologie des Defekts hatte. Die Ermittlung der Topologie des Defekts bzw. deren Änderung kann dabei auf eine dem Fachmann grundsätzlich bekannte Art und Weise erfolgen, beispielsweise durch Verwendung eines Rastersondenmikroskops, insbesondere eines Rasterkraftmikroskops, eines Profilometers oder einer anderen geeigneten Vorrichtung (siehe unten). Grundsätzlich sind auch interferometrische Messmethoden denkbar, wobei diese jedoch typischerweise keine ausreichende laterale Auflösung aufweisen.
Diesem Schritt liegt die Erkenntnis zu Grunde, dass bei der Reparatur von Defekten auf Masken im Allgemeinen eine Mehrzahl von Faktoren eine Rolle spielt, die das Resultat eines Reparaturschrittes bei einer gegebenen Reparaturdosis beeinflussen können, und das genaue Verhalten des Defekts daher nicht immer präzise vorhersagbar ist. Oder andersherum gesagt hängt im Allgemeinen die für einen bestimmten Reparaturerfolg notwendige Reparaturdosis von einer Mehrzahl von (Defekt-)Parametern ab, die nicht notwendigerweise immer alle bekannt sein müssen. Neben der Topologie des Defekts selbst können dies z.B. die Eigenschaften der näheren Defektumgebung auf der Maske sein (beispielsweise können sich Bereiche des Defekts, die an das Absorbermaterial der Maske angrenzen, anders verhalten als Bereiche, die an das Quarzmaterial der Maske angrenzen), die Lage des Defekts auf der Photomaske (beispielsweise verhält sich ein Bereich mit viel Quarzmaterial anders als ein Bereich mit viel Absorbermaterial, und stark strukturierte Regionen können sich anders verhalten als schwach strukturierte Regionen) oder die elektrischen Aufladung und/oder Temperatur der Maskenoberfläche. Speziell für Defekte, die abgetragen werden müssen, kann auch die Materialzusammensetzung des Defekts eine Rolle spielen, die entweder bereits intrinsisch durch den Maskentyp selbst bedingt sein kann (beispielsweise verschiedene Materialien und oder Materiallagen, aus denen die Maske besteht) oder aber durch Kontaminationen oder Fremdstoffe auf der Maske bzw. dem Defekt beeinflusst sein kann.
All diese Faktoren können sich zudem während der Maskenreparatur ändern, und damit kann sich während des Prozesses auch die benötigte Reparaturdosis (in anfangs nicht vorhersehbarer Weise) ändern. Die Reparaturdosis muss daher während der Durchführung des Maskenreparaturprozesses so gewählt und angepasst werden, dass der Defekt wie gewünscht repariert wird und Schäden an der Photomaske minimiert werden. Gemäß dem vorliegenden Verfahren wird der Defekt daher nicht in einem einzigen Schritt repariert, für den vorab eine benötigte Reparaturdosis bestimmt wurde, sondern nach Durchführung des ersten Reparaturschrittes wird zunächst dessen Einfluss auf die Topologie des Defektes ermittelt, und hieraus werden Informationen gewonnen, die für die Steuerung des weiteren Maskenreparaturprozesses verwendet werden.
Genauer gesagt wird nach dem Ermitteln des Einflusses des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defekts zunächst eine zweite Defekttopologie ermittelt, die mit einem zweiten Reparaturschritt an der Maske erreicht werden soll. Wie unten noch im Detail erläutert kann es sich bei der zweiten Defekttopologie bereits um die zu erreichender Endtopologie (d.h. den gewünschten Reparaturerfolg) handeln, oder aber die zweite Defekttopologie stellt ihrerseits ein Zwischenziel des Verfahrens dar und das Verfahren umfasst weitere Iterationen der hier beschriebenen Herangehensweise bis das gewünschte Endresultat erreicht ist. Das Ermitteln der zu erreichenden zweiten Defekttopologie kann dabei automatisch erfolgen oder unter manuellem Zutun. Mischformen sind auch möglich. Es können auch schon vor Beginn des Verfahrens eine zweite Defekttopologie oder eine Sequenz von Defekttopologien (wenn das Verfahren iterativ ablaufen soll, vgl. unten) vorgegeben worden sein, die beispielsweise auf Erfahrungswerten aus Reparaturen gleichartiger oder ähnlicher Defekte resultieren, und die dann mit dem Verfahren der Reihe nach erreicht werden sollen.
Nachdem die zweite Defekttopologie festgelegt wurde, die mit dem folgenden, zweiten Reparaturschritt erreicht werden soll, wird die hierfür notwendige Reparaturdosis ermittelt, unter Einbeziehung des Einflusses des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defektes und der zu erreichenden zweiten Defekttopologie. Weitere Faktoren, welche Einfluss auf den Ablauf des zweiten Reparaturschrittes haben, können an dieser Stelle selbstverständlich auch Berücksichtigung finden, beispielsweise die oben erwähnten Faktoren.
Das Ermitteln der für den zweiten Reparaturschritt notwendigen Reparaturdosis erfolgt also unter Einbeziehung der aus dem ersten Reparaturschritt gewonnenen Informationen, so dass gemäß dem vorliegenden Verfahren eine dynamische Anpassung des Maskenreparaturprozesses an die sich gegebenenfalls verändernden Bedingungen, an (sich ändernde) Eigenschaften des sich gerade in Bearbeitung befindenden Defekts bzw. an andere (nicht kontrollierte und/oder kontrollierbare) Prozessparameter ermöglicht wird.
Das Verfahren kann dann weiter den Schritt (e.) des Durchführens des zweiten Reparaturschrittes mit der zweiten Reparaturdosis umfassen.
Durch die Durchführung dieses zweiten Reparaturschrittes wird sich die Topologie des Defekts abermals verändern. Im Idealfall entspricht die so erreichte Topologie der als Ziel für den zweiten Reparaturschritt vorgegebenen Topologie, unter Einbeziehung derer die zweite Reparaturdosis ermittelt wurde. Aufgrund verschiedener Faktoren kann es aber auch sein, dass die Topologie des Defekts nach Durchführung des zweiten Reparaturschrittes nicht exakt der Topologie entspricht, die angestrebt war. Falls die mit dem zweiten Reparaturschritt erzeugte Topologie nicht ohnehin nur als Zwischenziel des Verfahrens vorgesehen war, können in diesem Falle dann noch weitere Reparaturmaßnahmen erforderlich sein, um das gewünschte Reparaturergebnis zu erreichen. In jedem Falle aber wird nach Durchführung des zweiten Reparaturschrittes der Defekt eine Topologie aufweisen, die ab hier als die zweite (tatsächliche) Defekttopologie bezeichnet wird.
Aus den obigen Ausführungen ergibt sich also, dass der erste Reparaturschritt insbesondere als ein Kalibrierungsschritt durchgeführt werden kann. Beispielsweise um Beschädigungen der Maske zu vermeiden, z.B. durch einen unvorhersehbar „aggressiven“ Verlauf des ersten Reparaturschritts, kann der erste Reparaturschritt insbesondere als Kalibrierungsschritt durchgeführt werden, bei dem weniger als 50%, bevorzugt weniger als 30%, besonderes bevorzugt weniger als 15% eines gewünschten finalen Reparaturerfolgs erzielt werden bzw. erzielt werden sollen. Der gewünschte finale Reparaturerfolg wird dabei in den meisten Fällen die vollständige Beseitigung des Defekts der Maske darstellen, andere Fälle sind jedoch auch denkbar und mit umfasst.
Insbesondere kann die Reparaturdosis für den ersten Reparaturschritts (gegebenenfalls positionsabhängig) so gewählt werden, dass die obigen Prozentwerte nicht überschritten werden. Im Zweifelsfall wird man sich für einen eher „konservativen“ Wert für die Reparaturdosis für den ersten Reparaturschritt entscheiden, da hierdurch Schäden an der Maske (beispielsweise durch ein Überätzen) am ehesten zu vermeiden sind.
Alternativ kann für den ersten Reparaturschritt auch eine erste Reparaturdosis ermittelt werden, die darauf abzielt, mehr als 50% eines gewünschten finalen Reparaturerfolgs zu erzielen. Dadurch kann die Anzahl der folgenden Iterationen und damit die gesamte Prozessdauer minimiert werden. Gleichzeitig kann auf eventuelle Abweichungen noch in einem oder mehreren zweiten Schritten reagiert werden. Die Wahl der ersten Reparaturdosis kann dabei beispielsweise empirisch aus ähnlichen Reparaturen bestimmt werden.
Wie bereits angedeutet kann der Schritt (b.) des Ermittelns des Einflusses des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defektes ein Ermitteln einer Änderung in der Topologie des Defekts umfassen, welche durch die Durchführung des ersten Reparaturschrittes hervorgerufen wird. Insbesondere kann der Schritt einen Vergleich der ersten Defekttopologie mit der Anfangstopologie beinhalten.
Falls notwendig kann dies umfassen, dass vor Durchführung des ersten Reparaturschrittes zunächst die Anfangstopologie bestimmt wird.
Die Änderung der Topologie des Defekts kann dabei im Rahmen des vorliegenden Verfahrens grundsätzlich in verschiedenen Detailgraden angegeben und berücksichtigt werden. Wie eingangs bereits erwähnt kann die Topologie beispielsweise lediglich durch einen Wert für die Höhe/Dicke des Defekts beschrieben werden (beispielsweise eine über die Grundfläche des Defekts gemittelte Höhe/Dicke, oder eine maximale Höhe/Dicke des Defekts, oder eine minimale Höhe/Dicke des Defekts) und die Änderung der Topologie kann dementsprechend in diesem einfachen Fall lediglich durch eine Änderung in der Höhe/Dicke des Defekts charakterisiert werden. Durch einen Vergleich der ersten Defekttopologie mit der Anfangstopologie können aber auch weitaus detailliertere Informationen über die Topologieänderung ermittelt werden. Je genauer die so gewonnenen Informationen sind, desto genauer wird sich im Allgemeinen auch die zweite Reparaturdosis bestimmen lassen (ggf. sogar positionsabhängig, vgl. weiter unten), die für die Erzielung der angestrebten zweiten Defekttopologie vonnöten ist. Allerdings kann dies den Analyseaufwand des Verfahrens steigern, so dass hier eine Abwägung getroffen werden muss bzw. kann.
Der Schritt (b.) des Ermittelns des Einflusses des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defektes kann insbesondere ein Ermitteln einer ersten Prozessgeschwindigkeit des ersten Reparaturschrittes zumindest teilweise basierend auf der ermittelten Änderung in der Topologie des Defekts und der ersten Reparaturdosis umfassen.
Die ermittelte Änderung der Topologie des Defekts kann in Kenntnis der ersten Reparaturdosis also dazu benutzt werden, um herauszufinden, wie schnell der erste Reparaturschritt die Topologie des Defekts verändert und beispielsweise Material abträgt oder ablagert. Für einen Ätzprozess kann also beispielsweise festgestellt werden, wie stark der durchgeführte erste Reparaturschritt bei der ersten Reparaturdosis das Material des Defekts wegätzt. Für einen Depositionsprozess kann festgestellt werden, wie schnell bzw. wie viel der durchgeführte erste Reparaturschritt bei der ersten Reparaturdosis Material auf der Maske ablagert. Diese Informationen können dann benutzt werden, um zu ermitteln, „wie viel noch zu tun ist“, und somit bei der Ermittlung der zweiten Reparaturdosis Eingang finden. Da die erste Prozessgeschwindigkeit des ersten Reparaturschrittes an dem sich gerade in Bearbeitung befindenden Defekts selbst ermittelt wurden, kann sie somit automatisch die oben erwähnten weiteren Faktoren mitberücksichtigen, welche die Prozessgeschwindigkeit beeinflussen mögen, was eine besonders genaue und auch „dynamische“ Steuerung des weiteren Prozessablaufs erlaubt.
Die Topologie des Defekts kann insbesondere eine Höhe des Defekts in Abhängigkeit von einer Position auf der Maske umfassen.
Eine solche „Höhenkarte“ des Defekts erlaubt beispielsweise, auch die Reparaturdosis für den oder die weiteren Reparaturschrittes ortsaufgelöst zu ermitteln, da sie ortsaufgelöste Informationen über den Einfluss des ersten Reparaturschrittes (oder weiterer iterativ durchgeführter Reparaturschritte) auf den Defekt zur Verfügung stellt und somit eine ortsabhängige Kalibrierung des Prozesses erlaubt.
Die Topologie des Defekts kann ferner beispielsweise eine oder mehrere der folgenden Informationen umfassen: eine laterale Ausdehnung des Defektes, eine dreidimensionale Struktur des Defekts.
Wie schon erwähnt wird die Einbeziehung weiterer Eigenschaften bzw. Informationen über die Topologie des Defekts im Allgemeinen eine noch genauere Steuerung des Prozesses erlauben, allerdings auch dessen Komplexität und Ressourcenverbrauch steigern, so dass hier ein Ausgleich zwischen Komplexität und Genauigkeit des Verfahrens getroffen werden muss bzw. kann.
Der Schritt (d.) des Ermittelns der zweiten Reparaturdosis für den zweiten Reparaturschritt kann eine oder mehrere Kalibrierkurven für verschiedene Defekttypen mit berücksichtigen, die eine Abschätzung eines Reparaturverhaltens des Defekts ermöglichen.
Über die „dynamische“ Kalibrierung des Verfahrens basierend auf der Topologieänderung des sich gerade in Bearbeitung befindenden Defekts (im Folgenden oft kurz: „aktueller Defekt“) hinaus kann das vorliegende Verfahren also auch Referenzdaten/Kalibrierkurven nutzen, um die Genauigkeit des Verfahrens und/oder dessen Geschwindigkeit weiter zu erhöhen. Beispielsweise können diese Kalibrierkurven dafür verwendet werden, die Reparaturdosis für den oder die weiteren Reparaturschritte so anzupassen, dass die gewünschte Prozessgeschwindigkeit erreicht wird. So kann z.B. die von dem aktuellen Defekt während des ersten Reparaturschritts erfahrene Änderung seiner Topologie verglichen werden mit einer oder mehreren Kalibrierkurven für einen Defekttyp, der dem aktuellen Defekt entspricht oder diesem ähnelt, um so abzugleichen, ob der momentane Reparaturprozess sich wie erwartet verhält oder von den Referenzwerten abweicht. In letzterem Fall können die Kalibrierdaten aus den Kurven in die Ermittlung der zweiten Reparaturdosis für den zweiten Reparaturschritt einfließen, beispielsweise kann der ermittelte tatsächliche Einfluss des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defekts mit Werten aus den Kalibrierkurven gemittelt werden, oder eine Abweichung von dem erwarteten Verhalten kann ermittelt werden und die Größe dieser Abweichung wird dann bei der Ermittlung der zweiten Reparaturdosis (z.B. als Korrekturfaktor zu der zunächst ohne Berücksichtigung der Kalibrierkurven ermittelten zweiten Reparaturdosis) mit berücksichtigt. Auch eine gewichtete Summe aus dem ermittelten tatsächlichen Einfluss und einem oder mehreren Werten aus der einen oder den mehreren Kalibrierkurven kann herangezogen werden. Ferner können solche hinterlegten Referenzdaten auch dazu genutzt werden, Zwischenschritte einzusparen, d.h. die gewünschte Endtopologie schneller erreichen zu können, als dies gegebenenfalls möglich wäre, wenn man sich „blind“ an das gewünschte Reparaturergebnis „herantasten“ müsste.
Hierbei können die eine oder mehreren Kalibrierkurven manuell oder automatisch während des momentanen Durchlaufs und/oder einem oder mehreren vorhergehenden Durchläufen des Verfahrens angelegt wurden.
Die in einem oder mehreren vorhergehenden Durchläufen des Verfahrens angelegten Kalibrierkurven können beispielsweise in einer Datenbank abgelegt sein, auf die während des momentanen Durchlaufs des Verfahrens zugegriffen wird. Andere Arten der Datenspeicherung sind selbstverständlich auch möglich. Insbesondere wenn das Verfahren wie unten noch weiter beschrieben iterativ abläuft, ist es aber auch möglich, dass die Kalibrierkurven vorherigen Schritten dieses Iterationsprozesses in dem momentanen Reparaturprozess selbst erwachsen sind, und daher die Eigenschaften und Charakteristika des momentanen Reparaturprozesses selbst besonders gut abbilden können.
Für einen Defekt, der mehrere Materiallagen umfasst, kann das Verfahren zudem wie folgt ablaufen: Das Durchführens des ersten Reparaturschrittes mit der ersten Reparaturdosis kann an einer ersten Materiallage erfolgen, die ein erstes Material beinhaltet, und das Durchführen des zweiten Reparaturschritts mit der zweiten Reparaturdosis kann an einer zweiten Materiallage erfolgen, die ein zweites Material beinhaltet, das sich von dem ersten Material unterscheidet. Zudem kann das Ermitteln der ersten Prozessgeschwindigkeit des ersten Reparaturschrittes bezüglich des ersten Materials erfolgen, und das Ermitteln der zweiten Reparaturdosis kann dann ein Berücksichtigen einer Dicke der zweiten Materiallage und einer Prozessselektivität des zweiten Reparaturschritts an dem zweiten Material im Bezug zu dem ersten Reparaturschritt an dem ersten Material beinhalten.
Das Berücksichtigen der Dicke der zweiten Materiallage bei dem Ermitteln der zweiten Reparaturdosis ist dabei optional, d.h. die hier erläuterte Option kann grundsätzlich auch ohne das Einbeziehens der Dicke der zweiten Materiallage als relevantem Faktor Anwendung finden.
In jedem Fall kann der erste Reparaturschritt an der ersten Materiallage, welche das erste Material beinhaltet, genutzt werden, um das Verhalten und die Auswirkungen des Reparaturprozesses auf die zweiten Materiallage zu extrapolieren, und somit eine geeignete zweite Reparaturdosis für die Bearbeitung dieser zweiten Materiallage in dem zweiten Reparaturschritt zu ermitteln und zu wählen. Hierbei spielt insbesondere die Prozessselektivität der ablaufenden Reaktion (z.B. Ätzprozess oder Depositionsprozess) hinsichtlich des ersten und zweiten Materials eine Rolle, z.B. die Prozessgeschwindigkeit oder Prozessrate, mit welcher der Reparaturprozess unter anderweitig gleichen Bedingungen hinsichtlich des ersten bzw. zweiten Materials abläuft.
Falls die Prozessselektivität bezüglich der verschiedenen Materialien nicht bekannt ist, kann sie während des momentanen Durchlaufs des Verfahrens und/oder einem oder mehreren vorhergehenden Durchläufen des Verfahrens aus dem Reparaturprozess selbst ermittelt worden sein. So kann beispielsweise dem zweiten Reparaturschritt zunächst ein weiterer Schritt vorausgehen, in dem die zweite Materiallage „angetestet wird“ (z.B. ein Bearbeitungsschritt mit geringer Reparaturdosis aber vom selben Typ wie der durchzuführende zweite Reparaturschritt) und so die Prozessselektivität bezüglich des zweiten Materials ermittelt werden, bevor dann die eigentliche Reparatur mit dem zweiten Reparaturschritt fortgesetzt wird.
Die zweite Defekttopologie kann wie schon erwähnt bereits eine gewünschte Endtopologie darstellen. D.h. es ist möglich, dass das vorliegende Verfahren bereits mit Abschluss des zweiten Reparaturschrittes den gewünschten Reparaturerfolg erzielt (bzw. diesem zumindest sehr nahe kommt), was insbesondere dadurch möglich werden kann, dass der zweite Reparaturschritt an dem aktuellen Defekt selbst kalibriert wurde, nämlich durch Ermittlung des Einflusses, welchen der erste Reparaturschritt auf die Topologie des Defekts hatte.
Es ist aber insbesondere auch möglich, dass die zweite Defekttopologie lediglich ein Zwischenziel des Verfahrens darstellt, und im Rahmen des Verfahrens die Schritte (b.) bis (e.) iterativ solange durchlaufen werden, bis eine gewünschte Endtopologie des Defekts erreicht ist.
D.h. nach Durchführung des zweiten Reparaturschrittes mit der zweiten Reparaturdosis wird ein Einfluss des zweiten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defekts ermittelt (und/oder ein gemittelter bzw. gewichteter Einfluss des ersten und zweiten Reparaturschrittes), sodann wird eine dritte Defekttopologie für den Defekt festgelegt, die mit einem dritten Reparaturschritt an dem Defekt erreicht werden soll, und es wird eine dritte Reparaturdosis für den dritten Reparaturschritt zumindest teilweise basierend auf dem ermittelten Einfluss des zweiten Reparaturschritts auf die Topologie des Defekts (und/oder basierend auf dem genannten gemittelten bzw. gewichteten Einfluss) und der dritten Defekttopologie ermittelt. Sodann kann der dritte Reparaturschritt mit der dritten Reparaturdosis durchgeführt werden.
Generell kann nach Durchführung des i-ten Reparaturschrittes mit der i-ten Reparaturdosis ein Einfluss des i-ten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defekts ermittelt werden, dann eine i+1-ten Defekttopologie für den Defekt festgelegt werden, die mit einem i+1-ten Reparaturschritt an dem Defekt erreicht werden soll, eine i+1-te Reparaturdosis für den i+1-ten Reparaturschritt zumindest teilweise basierend auf dem ermittelten Einfluss des i-ten Reparaturschritts auf die Topologie des Defekts und der i+1-ten Defekttopologie ermittelt werden, und der i+1-te Reparaturschritt mit der i+i-ten Reparaturdosis durchgeführt werden. Und so weiter.
Bei der Ermittlung der i+1-ten Reparaturdosis für den i+1-ten Reparaturschritt können dabei die Informationen und Erkenntnisse - d.h. der „Kalibrierungsinput“ - aus der gerade vorher durchlaufenen i-ten Iteration Eingang finden, aber auch der Kalibrierungsinput aus einer oder mehreren schon weiter zurückliegenden Iterationen (d.h. aus der i-1-ten Iteration und/oder der i-2-ten Iteration und/oder der i-3-ten Iteration, usw., soweit vorhanden), sodass der berücksichtigte Kalibrierungsinput mit jeder Iteration steigt kann. Zum Beispiel kann der Input aus den verschiedenen Iterationen gemittelt oder z.B. nach „Aktualität“ gewichtet werden.
Eine Verifikation der erreichten Endtopologie kann ebenfalls Teil des Verfahrens sein.
Diese Verifikation kann beispielsweise umfassen, dass überprüft wird, ob die aus dem gerade zurückliegenden Reparaturschritt resultierende Defekttopologie tatsächlich mit der Topologie übereinstimmt, die als Ziel für den Reparaturschritt vorgegeben war. Falls dies der Fall ist, kann das Verfahren als abgeschlossen betrachtet werden, falls nicht sind gegebenenfalls weitere Iterationen notwendig.
Die erste Reparaturdosis und/oder die zweite Reparaturdosis kann dabei positionsabhängig variieren. Gleiches gilt, bei iterativem Verlauf des Verfahrens, für eine möglicherweise von dem Verfahren umfasste dritte Reparaturdosis und/oder vierte Reparaturdosis, usw.
Durch eine positionsabhängige Variation der Reparaturdosis bzw. Reparaturdosen kann die Bearbeitung des Defektes punktgenau gesteuert werden und so an jeder Stelle des Defekts nur so viel Material abgetragen oder abgelagert werden, wie dies zum Erreichen der angestrebten Defekttopologie nach Abschluss des Reparaturprozesses notwendig ist.
Der erste Reparaturschritt und/oder der zweite Reparaturschritt kann einen Ätzprozess und/oder einen Depositionsprozess umfassen. Gleiches gilt, bei iterativem Verlauf des Verfahrens, für einen möglicherweise von dem Verfahren umfassten dritten Reparaturschritt und/oder vierten Reparaturschritt, usw.
Wie schon eingangs erwähnt lassen sich Maskendefekte typischerweise in eine von zwei Arten einordnen, nämlich Defekte, bei denen überschüssiges Absorbermaterial an Stellen vorhanden ist, an denen dies nicht der Fall sein sollte, oder aber Defekte bei denen umgekehrt Absorbermaterial fehlt. Mit diesen beiden Arten von Defekten korrespondieren jeweilige typische Reparaturmaßnahmen, nämlich das Entfernen des überschüssigen Materials, insbesondere durch Wegätzen des Materials, oder aber die Deposition von Absorbermaterial an Stellen, an denen dieses fehlt.
Die erste Prozessgeschwindigkeit kann insbesondere positionsabhängig bestimmt werden. Gleiches gilt, bei iterativem Verlauf des Verfahrens, für einen möglicherweise von dem Verfahren umfasste zweite Prozessgeschwindigkeit und/oder dritte Prozessgeschwindigkeit, usw.
Dies kann insbesondere dazu benutzt werden, wie gerade beschrieben eine positionsabhängige Reparaturdosis für den nächsten Reparaturschritt zu bestimmen, so dass dieser punktgenau so gesteuert werden kann, dass die beabsichtigte Defekttopologie möglichst genau erreicht werden kann. Zur positionsabhängigen Bestimmung der Prozessgeschwindigkeit kann im Allgemeinen eine positionsabhängige Erfassung der Änderung der Topologie zumindest in dem gerade zurückliegenden Reparaturschritt erfolgen, es können aber auch positionsaufgelöste Informationen aus weiter zurückliegenden Iterationen (falls vorhanden) Verwendung finden.
Vorteilhaft ist, wenn das Verfahren unter gleichbleibenden äußeren Bedingungen abläuft, insbesondere in einem Vakuum.
Ist dies nämlich nicht der Fall, wie beispielsweise in aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren, bei denen zwar eine oder mehrere Zwischenkontrollen des Reparaturfortschritts möglich sein können, hierzu die sich in Bearbeitung befindende Maske aber aus der Bearbeitungsumgebung herausgenommen werden muss, um sie einem Analysetool zuzuführen, so kann sich während einer solchen Analyse die Maskenoberfläche und insbesondere die Defektoberfläche bzw. Zusammensetzung des Defekts ändern, beispielsweise durch Oxidationsprozesse, so dass die vor oder während der Analyse gewonnenen Erkenntnisse bei Wiederaufnahme des Reparaturprozesses bereits veraltet sein können und die dann vorliegenden Verhältnisse nicht mehr richtig abbilden. Das vorliegende Verfahren kann hingegen unter gleichbleibenden Bedingungen, insbesondere in einem Vakuum, stattfinden, so dass solche Effekte, die zu Fehlern und Ungenauigkeiten des Reparaturprozesses führen können, vermieden werden können.
Das Verfahren kann insbesondere auf einer kombinierten Reparatur- und Analysevorrichtung ablaufen.
Dies geht Hand in Hand mit der gerade erwähnten Möglichkeit, das Verfahren unter gleichbleibenden Bedingungen ablaufen zu lassen, und begünstigt einen solchen Verfahrensablauf, da die Maske nicht aus der Vorrichtung entnommen und z.B. einer separaten Analysevorrichtung zugeführt werden muss. Zudem kann dies den Reparaturprozess vereinfachen und beschleunigen.
Als Beispiel kann die kombinierte Reparatur- und Analysevorrichtung in einer Kombination eines von der Anmelderin vertriebenen Reparatursystems mit einem Rasterkraftmikroskop ausgebildet sein.
Falls der Defekt einem bekannten Defekttyp entspricht, für den eine oder mehrere Kalibrierkurven bekannt sind, so kann das Verfahren zudem umfassen, dass aus einem Reparaturverhalten des Defekts Rückschlüsse auf eine Stabilität des Verfahrens getroffen werden und/oder auf eine Stabilität einer Vorrichtung, auf der das Verfahren abläuft.
Die Rückschlüsse können dabei unter Berücksichtigung der Kalibrierkurven gezogen werden.
Bereits weiter oben wurde erwähnt und erläutert, wie gespeicherte Kalibrierdaten und Kalibrierkurven dazu genutzt werden können, zu überprüfen, ob der gerade ablaufende Reparaturprozess sich wie erwartet verhält (beispielsweise basierend auf dem Defekttyp des sich gerade in Bearbeitung findenden Defekts und für einen solchen Defekttypen aufgezeichnete Referenzdaten), um so den weiteren Reparaturprozess zu optimieren und zu beschleunigen. Umgekehrt kann ein solcher Abgleich mit vorhandenen Referenzdaten/Kalibrierkurven aber auch dem Zwecke dienen, die Stabilität des ablaufenden Verfahrens gegenüber bekannten oder unbekannten Einflüssen zu untersuchen.
Entspricht der aktuelle Defekt beispielsweise einem gut untersuchten und bekannten Defekttypen und weicht das Reparaturverhalten des aktuellen Defekts deutlich von der oder den Kalibrierkurven ab, so kann dies ein Zeichen sein, dass das ablaufende Verfahren und/oder die Vorrichtung, auf der es abläuft, sehr fehleranfällig gegenüber solchen Einflüssen ist. Es können dann gegebenenfalls geeignete Gegenmaßnahmen ergriffen werden (beispielsweise eine Überprüfung der Temperatur, des Vakuums, der elektrischen Aufladung der Maske, usw.), um so den Reparaturerfolg an der vorliegenden Maske nicht zu gefährden.
Sind für verschiedene Materialien Referenzprozessgeschwindigkeiten bekannt, so kann das Verfahren auch umfassen, dass aus einem Reparaturverhalten des Defekts Rückschlüsse auf dessen Materialzusammensetzung getroffen werden.
Die Rückschlüsse können dabei unter Berücksichtigung der Referenzprozessgeschwindigkeiten gezogen werden.
Es können also beispielsweise unter Verwendung einer konstanten Reparaturdosis einige oder mehrere Reparaturschritte an dem Defekt durchgeführt werden, und aus der jeweiligen Änderung der Defekttopologie können dann beispielsweise Rückschlüsse auf die Prozessgeschwindigkeit des jeweiligen Reparaturschrittes getroffen werden. Hieraus kann dann durch Abgleich mit den bekannten Referenzprozessgeschwindigkeiten eine Materialzusammensetzung des Defekts (z.B. an der Stelle des jeweiligen Reparaturschrittes) abgeleitet werden.
Einen weiteren Aspekt bildet ein Computerprogramm mit Instruktionen, die bei Ausführung eine Vorrichtung zur Reparatur eines Defekts einer Maske für die Lithographie, insbesondere einer EUV-Maske, dazu veranlassen, ein Verfahren wie hierin beschrieben durchzuführen.
Hierbei können verschiedene Aspekte und Merkmale des hierin beschriebenen Verfahrens in dem Programm miteinander kombiniert worden sein und einzelne Aspekte können auch außen vor gelassen bleiben, sofern diese zur Erzielung eines gewünschten Resultats entbehrlich sind.
Das Computerprogramm kann insbesondere Instruktionen umfassen, die bei Ausführung die Vorrichtung zur Reparatur des Defekts dazu veranlassen, automatisch den ersten Reparaturschritt als Kalibrierungsschritt an dem Defekt mit der ersten Reparaturdosis durchzuführen, automatisch den Einfluss dieses Kalibrierungsschrittes auf die Topologie des Defektes zu ermitteln, und zumindest teilweise basierend auf dem ermittelten Einfluss des Kalibrierungsschrittes und der ersten Reparaturdosis die zweite Reparaturdosis automatisch so zu ermitteln, dass mit ihr der zweite Reparaturschritt durchgeführt werden kann, um die zweite Defekttopologie zu erreichen.
Ein manuelles Zutun eines Benutzers mag daher entfallen, was die Maskenreparatur beschleunigen kann und/oder deren Fehleranfälligkeit reduzieren kann. Auch für eine Automatisierung des Verfahrens ist dies von Vorteil.
Einen weiteren Aspekt bildet zudem eine Vorrichtung zur Reparatur eines Defekts einer Maske für die Lithographie, insbesondere einer EUV-Maske, wobei die Vorrichtung ausgebildet ist, ein Verfahren wir hierin beschrieben durchzuführen.
Auch hier kann die Vorrichtung so ausgestaltet sein, dass in der darauf ablaufenden Ausführungsform verschiedene Aspekte und Merkmale des hierin beschriebenen Verfahrens miteinander kombiniert werden, und einzelne Aspekte des beschriebene Verfahrens können auch außen vor gelassen bleiben, sofern diese zur Erzielung eines gewünschten Resultat entbehrlich sind.
Die Vorrichtung kann dabei folgendes umfassen: Mittel zum Durchführen eines ersten Reparaturschrittes an dem Defekt mit einer ersten Reparaturdosis, wobei der Defekt dadurch von einer Anfangstopologie in eine erste Defekttopologie übergeht, Mittel zum Ermitteln eines Einflusses des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defektes, Mittel zum Bestimmen einer zweiten Defekttopologie für den Defekt, die mit einem zweiten Reparaturschritt an dem Defekt erreicht werden soll, und Mittel zum Ermitteln einer zweiten Reparaturdosis für den zweiten Reparaturschritt zumindest teilweise basierend auf dem ermittelten Einfluss des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defekts und der zweiten Defekttopologie.
Wie bereits erwähnt kann die Vorrichtung dabei eine kombinierte Reparatur- und Analysevorrichtung sein. Dies kann es insbesondere erlauben, dass das ablaufende Verfahren komplett oder zumindest weitestgehend unter gleich bleibenden äußeren Bedingungen, insbesondere in einem Vakuum, abläuft.
Als Beispiel können die oben genannten Mittel in einer Kombination eines von der Anmelderin vertriebenen Reparatursystems mit einem Rasterkraftmikroskop ausgebildet sein.
Die Vorrichtung kann zudem einen Speicher beinhalten, in dem das oben angesprochene Computerprogramm gespeichert ist, sowie Mittel zur Ausführung der darin enthaltenen Instruktionen, sodass die Vorrichtung bei Ausführung der Instruktionen automatisch den ersten Reparaturschritt als Kalibrierungsschritt an dem Defekt mit der ersten Reparaturdosis durchführt, automatisch den Einfluss dieses Kalibrierungsschrittes auf die Topologie des Defektes ermittelt, und zumindest teilweise basierend auf dem ermittelten Einfluss des Kalibrierungsschrittes und der ersten Reparaturdosis die zweite Reparaturdosis automatisch so ermittelt, dass mit ihr der zweite Reparaturschritt durchgeführt werden kann, um die zweite Defekttopologie zu erreichen.
Auf die Vorteile der Möglichkeit eines solch automatisierten Ablaufs wurde bereits hingewiesen und auf die entsprechen Ausführung wird daher hier Bezug genommen.
Abschließend sei auf folgendes hingewiesen: Bis zu diesem Punkt wurde die Erfindung vornehmlich im Kontext der Reparatur eines Maskendefekts beschrieben und diskutiert, was einen wichtigen Anwendungsfall der offenbarten Lehre darstellt. Es wird aber darauf verwiesen, dass die offenbarte Lehre grundsätzlich nicht hierauf beschränkt ist, sondern auch für die (Oberflächen-)Bearbeitung anderer im Bereich der Mikroelektronik verwendeter Objekte zur Anwendung kommen kann, z.B. zur Veränderung und/oder Reparatur von strukturierten Waferoberflächen oder Oberflächen von Mikrochips, usw. Diese weiteren Anwendungsmöglichkeiten sind von der offenbarten Lehre daher ebenfalls stets mit umfasst, auch wenn nicht explizit erwähnt, sofern diese nicht explizit ausgeschlossen oder physikalisch bzw. technisch unmöglich sind.
Figurenliste
In der folgenden detaillierten Beschreibung werden mögliche Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die folgenden Figuren beschrieben:

1 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform des hierin beschriebenen Verfahrens, bei der überschüssiges Absorbermaterial abgetragen wird;
2 zeigt die Resultate der Anwendung einer Ausführungsform des hierin beschriebenen Verfahrens auf einen Defekt einer Maske mit einer lines-and-spaces Struktur;
3 zeigt denkbare Verfahrensabläufe für eine mögliche Implementierung des hierin beschriebenen Verfahrens, die mittels Komponenten einer kombinierten Analyse- und Reparaturvorrichtung ausgeführt werden können.

5. Detaillierte Beschreibung möglicher Ausführungsformen
Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung vornehmlich mit Bezug zur Reparatur von Defekten lithographischer Masken beschrieben. Der Vollständigkeit halber sei aber noch einmal erwähnt, dass die Erfindung nicht hierauf beschränkt ist sondern grundsätzlich auch für andere Arten der Maskenbearbeitung zum Einsatz kommen kann, oder noch allgemeiner für die Oberflächenbearbeitung anderer im Bereich der Mikroelektronik verwendeter Objekte, z.B. zur Veränderung und/oder Reparatur von strukturierten Waferoberflächen oder von Oberflächen von Mikrochips, usw. Auch wenn im Folgenden daher vornehmlich auf den Anwendungsfall der Reparatur von Maskendefekten Bezug genommen, um die Beschreibung übersichtlich und leichter verständlich zu halten, bleiben die anderen Anwendungsmöglichkeiten der offenbarten Lehre dem Fachmann dennoch gegenwärtig.
Es wird ferner darauf verwiesen, dass im Folgenden nur einzelne Ausführungsformen der Erfindung in mehr Detail beschrieben werden können. Der Fachmann wird jedoch verstehen, dass die im Zusammenhang mit diesen Ausführungsformen beschriebenen Merkmale und Abwandlungsmöglichkeiten auch noch weiter modifiziert und/oder in anderen Kombinationen oder Subkombination miteinander kombiniert werden können, ohne dass dies aus dem Bereich der vorliegenden Erfindung herausführen würde. Einzelne Merkmale oder Untermerkmale können zudem auch weggelassen werden, sofern sie zur Erreichung eines beabsichtigten Resultats entbehrlich sind. Um unnötige Wiederholungen zu vermeiden, wird deshalb auf die Ausführungen und Erklärungen der vorhergehenden Abschnitte verwiesen, welche auch für die nun folgende detaillierte Beschreibung Geltung bewahren.
Die 1 zeigt schematisch eine Ausführungsform 100 des beschriebenen Verfahrens zur Reparatur eines Defekts einer Maske 10 durch Wegätzen überschüssigen Absorbermaterials.
Zu Beginn des Verfahrens 100 besitzt der Defekt eine Anfangstopologie 110. Die Anfangstopologie 110 mag bereits bekannt sein, beispielsweise aus vorhergehenden Analysen der Maske 10, oder sie kann zunächst im Rahmen des Verfahrens 100 ermittelt werden, beispielsweise mithilfe eines Rasterkraftmikroskops.
Der Defekt wird sodann in einem ersten Reparaturschritt 120 mit einer ersten Reparaturdosis (vereinzelt auch nur Dosis genannt) 125 bearbeitet. Im vorliegenden Falle handelt es sich bei dem ersten Reparaturschritt 120 um einen Ätzprozess, d.h. es werden beispielsweise ein oder mehrere Präkursorgase dem Maskenbereich, in dem sich der Defekt befindet, zugeleitet, wo sie durch Bestrahlung z.B. mit einem Strahl energetischer Teilchen zur Reaktion gebracht werden und das Absorbermaterial wegätzen. Im hier gezeigten Fall variiert die Reparaturdosis 125 dabei positionsabhängig, d.h. die Bestrahlung erfolgt gemäß einer so genannten „dose map“. Diese dose map kann dabei bereits zu einem gewissen Maße auf Anfangstopologie 110 des Defekts abgestimmt sein.
Nach Durchführung des ersten Reparaturschrittes 120 hat sich die Topologie, welche vorliegend durch eine ortsaufgelöste Höhenkarte des Defekts beschrieben und charakterisiert wird, verändert und der Defekt besitzt nunmehr eine erste Defekttopologie 130. Wie im Folgenden noch beschrieben dient der erste Reparaturschritt 120 hierbei nicht nur der eigentlichen Reparatur der Maske 10, sondern er fungiert auch als Kalibrierungsschritt, um den weiteren Verfahrensablauf zu steuern und zu optimieren.
So wird nach Durchführung des ersten Reparaturschrittes 120 in einem Analyseschritt 140 untersucht, welchen Einfluss der erste Reparaturschritt 120 auf die Topologie des Defekts hatte. Dies geschieht im vorliegenden Falle dadurch, dass die Änderung in der Topologie des Defekts, hier insbesondere die ortsabhängige Änderung der Höhe des Defekts, durch einen Vergleich der Anfangstopologie 110 mit der ersten Defekttopologie 130 ermittelt wird, was zu einem ortsaufgelösten Änderungsprofil der Topologie bezüglich des ersten Reparaturschrittes 120 führt. Unter Berücksichtigung der verwendeten Reparaturdosis 125 kann so eine Art aufgelöste Prozessgeschwindigkeit des Ätzvorgangs ermittelt werden, die dann zur weiteren Verfahrenssteuerung verwendet wird.
So wird nach der Durchführung des Analyseschrittes 140 zunächst eine zweite Defekttopologie ermittelt, die in einem nachfolgenden zweiten Reparaturschritt, angedeutet durch den Pfeil 150, erreicht werden soll. Beispielsweise kann die zweite Defekttopologie bereits dem endgültig gewünschten Reparaturerfolg entsprechen, was im vorliegenden Falle einem Abtrag des überschüssigen Absorbermaterial bis auf das Quarzlevel der Maske 10 entspricht. Die zweite Defekttopologie kann aber auch nur ein Zwischenziel des Verfahrens darstellen, z.B. wenn das Verfahren von vorne herein auf mehrere Iterationen ausgelegt ist.
Basierend auf den im Analyseschritt 140 gewonnenen Informationen, d.h. basierend auf dem ermittelten Einfluss des ersten Reparaturschrittes 120 auf die Topologie des Defekts, insbesondere der ermittelten Prozessgeschwindigkeit des ersten Reparaturschrittes 120, sowie der angestrebten zweiten Defekttopologie wird sodann eine zweite Reparaturdosis für den zweiten Reparaturschritt 150 ermittelt, und der zweite Reparaturschritt 150 dementsprechend durchgeführt.
Im besten Fall führt die Durchführung dieses zweiten Reparaturschritts 150 genau (oder innerhalb gewisser Akzeptanzintervalle) zu dem angestrebten Erfolg, d.h. die dadurch erzielte Topologie des Defekts entspricht genau der angestrebten zweiten Defekttopologie. Wie in 1 angedeutet kann die bei Durchführung des zweiten Reparaturschritts 150 erreichte tatsächliche zweite Defekttopologie 160 aber auch noch von dem angestrebten Resultat abweichen, so dass gegebenenfalls noch eine Nachbearbeitung und/oder weitere Reparaturschritte vonnöten sein können.
Ob dies der Fall ist, kann beispielsweise durch eine Verifikation der nach dem zweiten Reparaturschritt 150 erreichten Defekttopologie 160 ermittelt werden, beispielsweise durch einen Vergleich der Defekttopologie 160 mit gewissen Akzeptanzintervallen oder dergleichen.
Falls eine weitere Bearbeitung vonnöten ist, können die oben beschriebenen Schritte iterativ so oft wiederholt werden, bis sich der gewünschte Reparaturerfolg einstellt.
2 zeigt eine schematische Darstellung der Ergebnisse und des Ablaufs eines Maskenreparaturverfahrens 200 gemäß der hierein offenbarten Lehre anhand einer Maske 20 mit einer lines-and-spaces Struktur. In einem der spaces befand sich überschüssiges Absorbermaterial, das im Laufe des Verfahrens 200 abgetragen wurde.
Das Verfahren 200 lief dabei auf einer kombinierten Reparatur- und Analysevorrichtung unter gleichbleibenden äußeren Bedingungen, nämlich in einem Vakuum, ab. Die Vorrichtung umfasste ein Rasterelektronenmikroskop (SEM), dass der Durchführung der Reparaturschritte diente, indem sein Elektronenstrahl zur Auslösung der Ätzschritte an der Defektstelle unter Einleitung eines geeigneten Ätzgases (bzw. einer Gasmischung) diente. Gleichzeitig nahm das SEM Bilder der Maske in einer Umgebung der Defektstelle auf. Diese von dem SEM aufgenommenen Bilder sind in den mit den Referenzzeichen 210, 220 und 240 bezeichneten Teilfiguren der 2 jeweils zuoberst gezeigt.
Zur genaueren Analyse der Defekttopologie wurde ferner ein Rasterkraftmikroskop (AFM) verwendet, dessen entsprechenden Aufnahmen in den Teilfiguren 210, 220 und 240 der 2 jeweils in der Mitte und unten gezeigt sind. Das Bild in der Mitte zeigt dabei jeweils die Maske 20 in Aufsicht (analog zu den Bildern des SEM) und mit einem Höhenprofil in Form von äquidistanten Höhenlinien (analog einer topographischen Wanderkarte). Unten in den Teilfiguren 210, 220 und 240 der 2 ist jeweils ein Schnitt durch das entsprechende von dem AFM gemessene Höhenprofil entlang der Schnittlinie 28 gezeigt.
In der Teilfigur 210 ist der initialer Defekt gezeigt, wie er sich in einem SEM-Bild (oben in der Teilfigur 210) und einem AFM-Bild (in der Mitte der Teilfigur 210, mit Höhenlinien) zeigte. Entlang der waagerechten Linie 28 wurde wie bereits erwähnt aus dem AFM-Bild ein Höhenprofil extrahiert (unten in der Teilfigur 210). In dem mit dem Referenzzeichen 21 belegten Bereich der Maske 20 ist auf einem der spaces, welcher zwischen zwei lines 25 angeordnet ist, ein Defekt in Form überschüssigen Absorbermaterials erkennbar.
Auf diese Defekttopologie wurde ein erster Reparaturschritt mit einer vorgegebenen dose map (Reparaturdosis) durchgeführt, der zur Kalibrierung der Prozessgeschwindigkeit diente.
Die Reparaturdosis kann bei diesem Kalibrierungsschritt nicht nur durch eine Änderung der Stromstärke des Elektronenstrahls eingestellt werden, sondern alternativ oder zusätzlich dadurch, dass die Anzahl der Male variiert wurde, wie oft der Elektronenstrahl in einem Reparaturschritt auf einen bestimmten Bearbeitungspunkt trifft. Andere Möglichkeiten zur Steuerung und Veränderung der Reparaturdosis sind aber von der vorliegenden Lehre ausdrücklich mit umfasst.
Nach Durchführung dieses Kalibrierungsschrittes/ersten Reparaturschrittes ergab sich die Situation, wie sie in der mit dem Referenzzeichen 220 bezeichneten mittleren Teilfigur der 2 abgebildet ist: In dem mit dem Referenzzeichen 22 belegten Bereich der Maske 20 ist weiterhin in dem betreffenden space ein (schwacher) Defekt in Form überschüssigen Absorbermaterials erkennbar.
Durch eine erneute Aufnahme eines oder mehrerer AFM Bilder (s. in der Mitte und unten in der Teilfigur 220) konnte die Änderung der Defekttopologie durch die erste Reparaturdosis ortsaufgelöst bestimmt werden. Aus dieser Änderung, der im Kalibrierungsschritt verwendeten dose map und einer Zieltopologie bezüglich des nachfolgenden zweiten Reparaturschrittes wurde dann ein neue dose map berechnet, um diese Zieltopologie zu erreichen. Diese dose map wurde dann in einem weiteren Reparaturschritt auf den Defekt angewendet, was in 2 durch den Pfeil 230 angedeutet ist.
Es wird diesbezüglich darauf verweisen, dass die durch den Pfeil 230 angedeutete Bearbeitung auch mehrere Analyse- und Reparaturschritte umfassen kann, wobei die dose map für jeden Schritt aus der oder den vorherigen dose map(s), der oder den vorherigen Topologieänderung(en) und einer jeweiligen oder gemeinsam als Reparaturziel insgesamt vorgegebenen Zieltopologie berechnet werden kann.
Das Verfahren 200 kann dabei durchaus darauf ausgelegt sein, in mehreren Iterationen abzulaufen, d.h. eine bei einem bestimmen Reparaturschritt angestrebte Defekttopologie muss nicht zwangsläufig dem endgültig gewünschten Reparaturerfolgt, z.B. dem kompletten Abtrag des überschüssigen Absorbermaterials entsprechen. Vielmehr kann ein gegebener Reparaturschritt auch nach bereits erfolgtem ersten Reparaturschritt dezidiert der weiteren Feinkalibrierung und Feinabstimmung des Reparaturverfahrens 200 dienen, sodass die im ersten und diesem Reparaturschritt gewonnenen Informationen (und ggf. Informationen aus noch weiteren, der Kalibrierung dienenden Reparaturschritten) schlussendlich in dem oder den nachfolgenden Reparaturschritt(en) verwendet werden können, um eine äußerst genaue Reparatur des Defekts der Maske 20 zu erreichen. Beispielsweise kann so ein Überätzen des Defekts vermieden werden sollte.
Um dies noch einmal zu wiederholen, eine jeweilige angestrebte Defekttopologie (z.B. die zweite Defekttopologie und/oder die dritte Defekttopologie und/oder die vierte Defekttopologie, usw., in Falle eines iterativen Verfahrensablaufs) muss also nicht notwendigerweise immer schon dem gewünschten Endresultat des Reparaturprozesses 200 entsprechen (obschon dies selbstverständlich auch der Fall sein kann), sondern sie kann auch lediglich ein Zwischenziel des Verfahrens darstellen. In so einem Fall - und dies gilt ganz allgemein für die hierin offenbarte Lehre und nicht nur für das momentan beschriebene Ausführungsbeispiel 200 - kann die in einem Reparaturschritt angestrebte Zwischentopologie des Defekts auch weniger detailliert spezifiziert werden als dies z.B. für das angestrebte Endresultat des Reparaturprozesses der Fall sein mag. Beispielsweise kann die angestrebte Zwischentopologie des Defekts lediglich dahingehend spezifiziert werden, dass nicht mehr als ein gewisser Prozentsatz der verbleibenden Defektgröße (z.B. Defekthöhe und/oder Defektbreite) abgetragen (oder im Falle eines Ablagerungsprozesses abgelagert) werden soll, um eine Beschädigung der Maske und/oder eine „Überreparatur“ zu vermeiden. Beispielsweise kann vorgegeben werden, dass mit der angestrebten Defekttopologie nicht mehr als 50%, oder nicht mehr als 30% oder aber nicht mehr als 15% des noch ausstehenden Reparaturerfolgs erzielt werden soll. In anderen Worten, ein Reparaturschritt (auch nach dem ersten Reparaturschritt) kann dezidiert als (weiterer) Kalibrierungsschritt ausgeführt werden, um z.B. die Dynamik des Reparaturprozesses besser zu verstehen und zu kalibrieren, aber gleichzeitig eine Beschädigung der Maske und/oder eine „Überreparatur“ zu vermeiden, wie auch hier geschehen.
Hierbei kann aus mit dem AFM durchgeführten ortsaufgelösten Messungen der Änderung der Höhe des Defekts bei jedem Reparaturschritt in Verbindung mit der jeweils verwendeten dose map eine ortsaufgelöste Prozessgeschwindigkeit des Ätzprozess bestimmt werden. Weiter in Verbindung mit der noch vorliegenden Resthöhe des Defekts, welche durch das AFM ebenfalls ortsaufgelöst ermittelt werden kann, kann dann in einem Extrapolationsschritt eine neue dose map bzw. Reparaturdosis (z.B. Anzahl der Loops) ermittelt werden, um die jeweils im folgenden Schritt und/oder schlussendlich gewünschte Defekttopologie zu erreichen.
Die rechte Teilfigur 240 der 2 zeigt den Defekt (bzw. was davon noch übrig ist) nach dem zweiten Reparaturschritt (und den ggf. weiteren Reparaturschritten) 230. Die Kombination aus SEM- und AFM-Bildern diente zur Verifizierung des Reparaturerfolges.
In dem hier gezeigten Falle ist aus den beiden AFM Bildern (in der Mitte und unten in der Teilfigur 240 der 2) zu erkennen, dass noch ein Residuum des Defektes vorhanden war, das durch einen weiteren Reparaturschritt hätte beseitigt werden können. Falls die Topologie des Residuums aber innerhalb der Spezifikationsgrenzen für eine erfolgreiche Reparatur ist, ist kann diese auch bereits so als erfolgreich abgeschlossen betrachtet werden. Insbesondere sofern der verbleibende Rest unterhalb einer bestimmten Schwelle ist (z.B. beim eigentlichen Bestrahlungsprozess eines Wafers mit Hilfe der Maske 20 nicht zu einem Defekt des Wafers führt), kann er auf der Maske 20 verbleiben.
Die 3 zeigt denkbare Verfahrensabläufe 300 für eine mögliche Implementierung des hierin beschriebenen Verfahrens, die z.B. mittels Komponenten einer kombinierten Analyse- und Reparaturvorrichtung ausgeführt werden können, die in einer Kombination eines Reparatursystems (z.B. mit einem SEM) und einem Analysesystem (z.B. mit einem AFM) verwirklicht sein kann.
An einer zu bearbeitenden Maske kann zu Beginn der Reparatur 310 eine Bestimmung der Dosis bzw. der Reparaturdosis 320 erfolgen. In die Bestimmung der Dosis können dabei die Zieltopologie 315, die aktuelle Topologie 330 sowie die Prozessgeschwindigkeit 325 einfließen. Insbesondere in einem ersten Iterationsschritt kann dabei die Prozessgeschwindigkeit 325 durch eine Benutzereingabe eingestellt werden oder als Standardwert systemseitig vorgegeben werden (z.B. auf Grundlage eines Referenzwertes für eine ähnliche Reparatur, einer Kalibrierungskurve, etc.). Die Prozessgeschwindigkeit kann aber, insbesondere bei einem zweiten oder weiteren Iterationsschritt, auch aus eine Messung einer (oder mehrerer) vorheriger Topologieänderung 375 und einer (oder mehrerer) vorheriger Dosis (Dosen) 365 ermittelt werden bzw. bekannt sein.
Die Dosis kann hierbei als die Anzahl, mit welcher der Elektronenstrahl eines SEM einen Bearbeitungspunkt während des Reparaturschrittes trifft, angegeben bzw. definiert werden. Andere Definitionen der Dosis sind aber ebenfalls denkbar.
Die bestimmte Dosis 320 kann dann in einem ersten (Teil-) Reparaturschritt 335 zur Reparatur eines Defekts angewandt werden, wobei es möglich ist, hierzu insbesondere ein SEM, welches Teil der verwendeten Reparaturvorrichtung sein kann, einzusetzen. Es ist dabei sowohl möglich, die Reparatur der Maske in einem Schritt auszuführen als auch in mehreren (z.B. iterativen) Schritten. Der erste (Teil-) Reparaturschritt 335 kann auch als Kalibrierungsschritt ausgeführt werden, d.h. die zu erzielende erste Defekttopologie und dementsprechend die erste Dosis kann relativ „konservativ“ gewählt und ermittelt werden, um eine Maskenbeschädigung bzw. „Überreparatur“ zu vermeiden. Nach Durchführung des Reparaturschrittes können gegebenenfalls Nachbearbeitungsschritte erfolgen.
In einem nächsten Schritt 340 kann entschieden werden, ob die Reparatur beendet 345 werden soll oder ob eine nächste Iteration 350 des Reparaturvorgangs erfolgen soll.
Wenn eine weitere Iteration 350 des Reparaturvorgangs erfolgen soll, kann anschließend eine Bestimmung der neuen Topologie 355 bzw. der neuen Defekthöhe des Maskendefekts erfolgen. Es ist aber auch möglich, die neue Topologie dann zu bestimmen, wenn keine weitere Iteration 350 erfolgen soll, z.B. um das Endergebnis der Reparatur zu prüfen. Falls dieses überraschender Weise nicht wie gewünscht sein sollte, wäre es auch möglich, noch eine weitere Iteration 350 durchzuführen und entsprechend fortzufahren.
Die neue Topologie 355 kann als (neue) aktuelle Topologie 330 gespeichert werden. Anhand der neuen Topologie 355 sowie der Informationen aus einer oder mehreren vorangegangenen Iterationen 360, z.B. einer vorherigen Topologie 370, kann eine Topologieänderung 375 bestimmt werden, welche durch den ersten Iterations- bzw. Reparaturschritt erzielt worden ist. Die so gewonnene Information über die Topologieänderung 375 kann isoliert betrachtet oder in Verbindung mit einer vorherigen Dosis 365 (eines oder mehrerer vorangegangener Iterations- bzw. Reparaturschritte) dazu verwendet werden, eine (neue) Prozessgeschwindigkeit 325 zu bestimmen.
Nun kann wiederum in Schritt 320 die Dosis für den weiteren durchzuführenden (Teil-)Reparaturvorgang bestimmt werden. Dies kann auf Basis der (neuen) Prozessgeschwindigkeit 325, der (neuen) aktuellen Topologie 330 und der Zieltopologie 315 erfolgen. Auch Referenzdaten aus von dem System vorgehaltenen und/oder dynamisch erstellten Kalibierkurven usw. können an dieser Stelle einfließen.
Danach kann der nächste Reparaturschritt 335 mit der so bestimmten Dosis durchgeführt und gegebenenfalls weitere (Teil-) Reparaturschritte 335 ausgeführt werden.
Auf diese Weise kann das Verfahren so lange fortgeführt werden, bis sich der gewünschte Reparaturerfolg bzw. die Zieltopologie 315 eingestellt hat, möglicherweise unter Einbeziehung einer Endverifikation des Reparaturergebnisses beispielsweise unter Verwendung eines AFM und/oder SEM.
Die Komponenten der Reparaturvorrichtung können dabei zumindest teilweise in Hardware als auch in Software implementiert sein, wobei Kombinationen aus hardware- und softwareseitiger Implementierungen klarerweise möglich sind.
Eine vorteilhafte Implementierung des Verfahrens kann ferner der Gestalt sein, dass beispielsweise nach Ermitteln der Anfangstopologie des Defektes eine Zieltopologie als angestrebtes Endresultat des Reparaturprozesses vorgegeben wird (manuell oder automatisiert) und das Verfahren dann weiter (weitestgehend) automatisiert auf einem System bzw. einer Vorrichtung abläuft. Hierzu kann das System bzw. die Vorrichtung ausgebildet sein, ohne manuelles Zutun, beispielsweise anhand von Referenzkurven betreffend eine Klasse von Defekten, die dem vorliegenden Defekt ähnlich sind oder gleichen, eine passende Prozessführung auswählen und insbesondere eine Entscheidung darüber treffen, wie viele Iterationen für die Reparatur des vorliegenden Defekts zunächst am vorteilhaftesten erscheinen. Basierend auf dieser Zahl können automatisch die zu erreichenden Zwischentopologien bestimmte werden. Das System kann dann wie oben beschrieben automatisch durch den Reparaturprozess iterieren, wobei es durchaus vorkommen kann, dass die von dem System ursprünglich angestrebte Anzahl der Iterationen nicht ausreichend ist (oder zu groß ist), um den gewünschten Reparaturerfolg zu erreichen. Dann kann das System automatisch weitere Reparaturschritte durchführen (bzw. nicht mehr benötigte Schritte weglassen), oder das System unterbricht zunächst den Reparaturprozess, um weitere Benutzereingaben abzuwarten. In jedem Fall kann sich das System während des Iterierens durch den Reparaturprozess selbst kalibrieren, was einen besonderen Vorteil des beschriebenen Verfahrens und Systems darstellen kann.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

US 6593040 B2 [0010]

Claims

Verfahren (100, 200) zur Reparatur eines Defekts einer Maske (10, 20) für die Lithographie, insbesondere einer EUV-Maske, umfassend: a. Durchführen eines ersten Reparaturschrittes (120) an dem Defekt mit einer ersten Reparaturdosis (125), wobei der Defekt dadurch von einer Anfangstopologie (110) in eine erste Defekttopologie (130) übergeht; b. Ermitteln (140) eines Einflusses des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defektes; c. Bestimmen einer zweiten Defekttopologie (160) für den Defekt, die mit einem zweiten Reparaturschritt (150) an dem Defekt erreicht werden soll; und d. Ermitteln einer zweiten Reparaturdosis für den zweiten Reparaturschritt zumindest teilweise basierend auf dem ermittelten Einfluss des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defekts und der zweiten Defekttopologie.
Verfahren nach Anspruch 1, weiter umfassend: e. Durchführen des zweiten Reparaturschrittes mit der zweiten Reparaturdosis.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-2, wobei der erste Reparaturschritt als ein Kalibrierungsschritt durchgeführt wird, insbesondere als Kalibrierungsschritt, bei dem weniger als 50%, bevorzugt weniger als 30%, besonderes bevorzugt weniger als 15% eines gewünschten finalen Reparaturerfolgs erzielt werden, oder wobei für den ersten Reparaturschritt eine erste Reparaturdosis ermittelt wird, die darauf abzielt, mehr als 50 % eines gewünschten finalen Reparaturerfolgs zu erzielen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-3, wobei Schritt b. des Ermittelns des Einflusses des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defektes ein Ermitteln einer Änderung in der Topologie des Defekts umfasst, welche durch die Durchführung des ersten Reparaturschrittes hervorgerufen wird, insbesondere einen Vergleich der ersten Defekttopologie mit der Anfangstopologie.
Verfahren nach Anspruch 4, wobei Schritt b. des Ermittelns des Einflusses des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defektes ein Ermitteln einer ersten Prozessgeschwindigkeit des ersten Reparaturschrittes zumindest teilweise basierend auf der ermittelten Änderung in der Topologie des Defekts und der ersten Reparaturdosis umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-5, wobei die Topologie des Defekts eine Höhe des Defekts in Abhängigkeit von einer Position auf der Maske umfasst.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Topologie des Defekts weiter eine oder mehrere der folgenden Informationen umfasst: eine laterale Ausdehnung des Defektes, eine dreidimensionale Struktur des Defekts.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-7, wobei Schritt d. des Ermittelns der zweiten Reparaturdosis für den zweiten Reparaturschritt ferner eine oder mehrere Kalibrierkurven für verschiedene Defekttypen mit berücksichtigt, die eine Abschätzung eines Reparaturverhaltens des Defekts ermöglichen.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei die eine oder mehreren Kalibrierkurven manuell oder automatisch während des momentanen Durchlaufs und/oder einem oder mehreren vorhergehenden Durchläufen des Verfahrens angelegt wurden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5-9 in Kombination mit Anspruch 2, wobei der Defekt mehrere Materiallagen umfasst und wobei: das Durchführens des ersten Reparaturschrittes mit der ersten Reparaturdosis an einer ersten Materiallage erfolgt, die ein erstes Material beinhaltet, das Durchführen des zweiten Reparaturschritts mit der zweiten Reparaturdosis an einer zweiten Materiallage erfolgt, die ein zweites Material beinhaltet, das sich von dem ersten Material unterscheidet, das Ermitteln der ersten Prozessgeschwindigkeit des ersten Reparaturschrittes bezüglich des ersten Materials erfolgt, und das Ermitteln der zweiten Reparaturdosis ferner ein Berücksichtigen einer Dicke der zweiten Materiallage und einer Prozessselektivität des zweiten Reparaturschritts an dem zweiten Material im Bezug zu dem ersten Reparaturschritt an dem ersten Material beinhaltet.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-10, wobei die zweite Defekttopologie eine gewünschte Endtopologie darstellt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2-10, wobei die zweite Defekttopologie ein Zwischenziel des Verfahrens darstellt, und wobei das Verfahren die Schritte b. bis e. iterativ solange durchläuft, bis eine gewünschte Endtopologie des Defekts erreicht ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11 oder 12, weiter umfassend eine Verifikation der erreichten Endtopologie.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-13, wobei die erste Reparaturdosis und/oder die zweite Reparaturdosis positionsabhängig variiert.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-14, wobei der erste Reparaturschritt und/oder der zweite Reparaturschritt einen Ätzprozess und/oder einen Depositionsprozess umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-15, wobei die erste Prozessgeschwindigkeit positionsabhängig bestimmt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-16, wobei das Verfahren unter gleichbleibenden äußeren Bedingungen abläuft, insbesondere in einem Vakuum.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-17, wobei das Verfahren auf einer kombinierten Reparatur- und Analysevorrichtung abläuft.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-18, wobei der Defekt einem bekannten Defekttyp entspricht, für den eine oder mehrere Kalibrierkurven bekannt sind, und wobei das Verfahren weiter umfasst, dass aus einem Reparaturverhalten des Defekts Rückschlüsse auf eine Stabilität des Verfahrens und/oder einer Vorrichtung getroffen werden, auf der das Verfahren abläuft.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-19, wobei für verschiedene Materialien Referenzprozessgeschwindigkeiten bekannt sind, und wobei das Verfahren weiter umfasst, dass aus einem Reparaturverhalten des Defekts Rückschlüsse auf dessen Materialzusammensetzung getroffen werden.
Computerprogramm mit Instruktionen, die bei Ausführung eine Vorrichtung zur Reparatur eines Defekts einer Maske für die Lithographie dazu veranlassen, das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1-20 durchzuführen.
Computerprogramm nach Anspruch 21, weiter umfassend Instruktionen, die bei Ausführung die Vorrichtung zur Reparatur des Defekts dazu veranlassen, automatisch den ersten Reparaturschritt als Kalibrierungsschritt an dem Defekt mit der ersten Reparaturdosis durchzuführen, automatisch den Einfluss dieses Kalibrierungsschrittes auf die Topologie des Defektes zu ermitteln, und zumindest teilweise basierend auf dem ermittelten Einfluss des Kalibrierungsschrittes und der ersten Reparaturdosis die zweite Reparaturdosis automatisch so zu ermitteln, dass mit ihr der zweite Reparaturschritt durchgeführt werden kann, um die zweite Defekttopologie zu erreichen.
Vorrichtung (300) zur Reparatur eines Defekts einer Maske (10, 20) für die Lithographie, insbesondere einer EUV-Maske, wobei die Vorrichtung ausgebildet ist, das Verfahren (100, 200) gemäß einem der Ansprüche 1-20 durchzuführen.
Vorrichtung nach Anspruch 23, wobei die Vorrichtung folgendes umfasst: a. Mittel (330) zum Durchführen eines ersten Reparaturschrittes an dem Defekt mit einer ersten Reparaturdosis, wobei der Defekt dadurch von einer Anfangstopologie in eine erste Defekttopologie übergeht; b. Mittel (310, 350) zum Ermitteln eines Einflusses des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defektes; c. Mittel zum Bestimmen einer zweiten Defekttopologie für den Defekt, die mit einem zweiten Reparaturschritt an dem Defekt erreicht werden soll; und d. Mittel (320) zum Ermitteln einer zweiten Reparaturdosis für den zweiten Reparaturschritt zumindest teilweise basierend auf dem ermittelten Einfluss des ersten Reparaturschrittes auf die Topologie des Defekts und der zweiten Defekttopologie.
Vorrichtung nach Anspruch 23 oder 24, weiter beinhaltend einen Speicher, in dem das Computerprogramm nach Anspruch 22 gespeichert ist, sowie Mittel zur Ausführung der darin enthaltenen Instruktionen, sodass die Vorrichtung bei deren Ausführung automatisch den ersten Reparaturschritt als Kalibrierungsschritt an dem Defekt mit der ersten Reparaturdosis durchführt, automatisch den Einfluss dieses Kalibrierungsschrittes auf die Topologie des Defektes ermittelt, und zumindest teilweise basierend auf dem ermittelten Einfluss des Kalibrierungsschrittes und der ersten Reparaturdosis die zweite Reparaturdosis automatisch so ermittelt, dass mit ihr der zweite Reparaturschritt durchgeführt werden kann, um die zweite Defekttopologie zu erreichen.