KR102327126B1 - 포토리소그래피 마스크의 결함을 처리하기 위한 복구 형상을 확인하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

포토리소그래피 마스크의 결함을 처리하기 위한 복구 형상을 확인하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

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칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
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Abstract

본 발명은 포토리소그래피 마스크(100)의 적어도 하나의 결함(140)을 처리하기 위한 복구 형상(195)을 확인하는 방법으로서, 상기 방법은 아래의 단계들: (a) 적어도 하나의 결함(140)의 상기 복구 형상(195)에 대한 적어도 하나의 보정값(185)을 결정하는 단계 - 상기 보정값(185)은 상기 포토리소그래피 마스크(100)의 적어도 하나의 패턴 요소(130)의 위치(175)를 고려하며, 상기 적어도 하나의 패턴 요소는 상기 적어도 하나의 결함(140)과 접촉하지 않음 - ; 및 (b) 적어도 하나의 보정값(185)을 적용함으로써 복구 형상(195)을 보정하는 단계를 포함한다.

Description

포토리소그래피 마스크의 결함을 처리하기 위한 복구 형상을 확인하기 위한 방법 및 장치
본 출원은 독일 특허 출원 DE 10 2017 203 841.1, "Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln einer Reparaturform zum Bearbeiten eines Defekts einer photolithographischen Maske" 2017년 3월 8일 출원, 의 우선권을 주장하며, 그 전체가 본원에 참조로 포함된다.
본 발명은 포토리소그래피 마스크의 결함을 처리하기 위한 복구 형상을 확인하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 산업의 성장하는 집적도의 결과로서, 포토리소그래피 마스크는 이미지를 점점 더 작은 구조가 되도록 해야 한다. 따라서, 포토마스크의 제조는 더욱 복잡해지고 따라서 비용도 더 많이 든다. 포토마스크의 구조 치수가 감소함에 따라 포토마스크에 새로운 추가 에러 또는 결함이 발생한다. 훨씬 더 작은 구조 및 비용 압력을 갖는 포토마스크를 생성하는 동안 경비(outlay)가 증가함에 따라, 마스크의 생산 중에 또는 마스크를 사용하는 동안 발생하는 결함을 고가의 완전히 갱신된 생산을 피하기 위해 복구 해야한다.
복구하기 전에 포토마스크의 결함을 국부화할 필요가 있다. 이는 광학 검사에 의해 수행되며, 단파장의 광자(photon)가 사용되는 것이 바람직하다. 제2 단계에서, 국부 결함은 FIB(포커스 이온 빔) 스캐닝 현미경 또는 스캐닝 전자 현미경(SEM)으로부터 입자 빔(이온 또는 전자)을 사용하여 스캐닝함으로써 분석된다. 전자 빔을 사용하는 경우, 검사될 포토마스크 표면의 전자로부터 방출된 후방 산란 및 2차 전자가 포토마스크 표면의 이미지를 생성하는데 사용된다. 포커스 이온 빔을 사용하는 경우, 2차 전자 외에도, 질량에 대해 분석(SIMS(secondary ion mass spectroscopy; 2차 이온 질량 분광법)되고 기판 표면으로부터의 이온으로부터 방출되는 2차 이온은 조사된 표면의 조성을 이미지화한다.
미국 특허 문서 번호 US 8 316 698 B2는 포토마스크의 패턴 요소에 인접한 결함을 분석할 때 발생할 수있는 어려움을 기술하고있다. 결함 분석은 발견된 결함에 대한 복구 형상을 제공합니다. 복구 형상은 포토마스크의 기판 표면 상에 식별된 결함의 투영을 정의한다. 여기서, 투영은 포토리소그래피 마스크의 기판의 표면에 수직으로 수행된다.
포토리소그래피 마스크의 식별된 결함은 바람직하게는 입자-빔-유도 공정에 의해 보정된다. 투명하도록 의도된 마스크의 기판 상의 지점에 존재하는 재료로 인해 발생하는 결함(소위, 불투명 결함)은 일반적으로 입자 빔 유도 에칭 공정의 도움으로 보정된다. 흡수 패턴 재료가 누락된 결함을 나타내는 결함(소위 클리어 결함)은 바람직하게는 입자 빔 유도 퇴적 공정에 의해 보정된다. 이러한 입자 빔 유도 에칭 및 퇴적 공정은 강력하게 국부화된 공정이다. 이상적으로, 이러한 국부 처리 공정은 결함 또는 복구 형상 상의 입자 빔의 직경으로 제한된다. 그러나, 수학적 관점에서 입자 빔은 점상(punctiform) 직경에 초점을 맞출 수 없다. 또한, 에칭 또는 퇴적 가스의 분자의 움직임으로 인하여, 상기 입자 빔 유도 공정은 입자 빔의 초점에 국한되지 않는다.
따라서, 복구 형상에 기초하여서만 수행되는 포토리소그래피 마스크의 결함의 복구 또는 보정은 또한 원하는 결함 보정 이외에 결함을 둘러싸는 포토마스크의 기판의 손상을 초래할 수 있다. 또한, 패턴 요소에 인접한 결함을 복구하는 것도이러한 패턴 요소에 영향을 줄 수 있다.
이 문제는 이미 확인되었다. 따라서 본 출원인의 “ebeam Initiative, 2015 년 4월 20일 일본 요코하마” 발행물(www.ebeam.org/docs/ebeam_initiative_zeiss.pfd)은 저에너지 전자빔이 복구 형상을 보정하지 않고 실질적으로 복구 형상을 기초로 포토마스크의 기판 상의 아이솔레이션 내에 놓인 작은 결함을 복구하는 데 적합하다고 설명하며, 여기서 마스크의 기판이 전자 빔 유도 에칭 공정에 의해 손상되는 영역은 작다.
저자 L.R. Harriot의 VLSI Electronics Microstructure Science 시리즈, 제21권 Academic Press의 NG Einspruch, SS Cohen 및 RN Singh가 편집한“Beam Processing Technologies”책의 제4 장:“Ion beam techniques”는 결함을 제거하기 위해 결함에 대한 이온 빔의 스캐닝의 실행을 설명하고, 이온 빔을 결함의 가장자리로부터 하나의 빔 직경의 거리에 유지한다.
미국 특허 문서 번호 US 6 591 154 B2는 웨이퍼 또는 마스크 상의 결함을 보정할 때 결함의 가장자리로부터 거리를 유지하는 방법을 설명한다. 이를 위해, 복구 장치의 작업자는 보정될 결함 주위에 다각형을 그린다. 결함의 가장자리로부터의 이온 빔 또는 레이저 빔의 거리는 다각형의 선폭에 의해 설정되므로 결함의 복구 형상은 적응되거나 보정(바이어스)된다.
인용된 문헌에서, 보정값 또는 적응값(바이어스)은 마스크의 기판 또는 패턴 요소에 인접한 결함의 전체 복구 형상 또는 복구 형상의 적어도 일부를 후속 보정 공정에 적응시키기 위해 사용된다. 포토마스크의 구조나 패턴 요소의 크기를 감소시키는 것으로 인하여, 복구 형상을 적응하기 위한 이러한 방법은 더 이상 향후 마스크에 대해 충분하지 않다.
따라서, 본 발명은 포토리소그래피 마스크의 결함에 대한 복구 형상을 확인하기 위한 방법 및 장치를 특정하는 목적에 기초하며, 복구 형상을 적어도 부분적으로 확인할 때 전술한 단점을 피한다.
본 발명의 하나의 예시적인 실시예에 따르면, 이 문제는 청구항 1에 따른 방법에 의해 해결된다. 일 실시예에서, 포토리소그래피 마스크의 적어도 하나의 결함을 처리하기 위한 복구 형상을 확인하는 방법으로서, 상기 방법은 아래의 단계들: a. 적어도 하나의 결함의 상기 복구 형상에 대한 적어도 하나의 보정값을 결정하는 단계 - 상기 보정값은 상기 포토리소그래피 마스크의 적어도 하나의 패턴 요소의 위치를 고려하며, 상기 적어도 하나의 패턴 요소는 상기 적어도 하나의 결함과 접촉하지 않음 - ; 및 b. 적어도 하나의 보정값을 적용함으로써 복구 형상을 보정하는 단계를 포함한다.
결과적으로, 본 발명에 따른 방법은 결함에 인접한 포토마스크의 패턴 요소 또는 패턴 요소들 뿐만 아니라 결함 부근에 국부화된 패턴 요소도 고려한다. 본 발명에 따른 방법은 결함을 국부화하고 처리하기 위해 어떠한 경우에도 입자 빔 설치가 필요하기 때문에 추가적인 장치 경비를 발생시키지 않는다. "결함 부근에"라는 표현은 적어도 부분적으로, 패턴 요소가 처리 공정 동안 결함의 처리 영역에 놓일 정도로 너무 작은 결함으로부터 패턴 요소의 거리에 관한 것으로, 그 결과로서, 처리 공정에 의해 수정될 수 있다. 결함 부근에라는 표현은 결과적으로 결함 처리 설비의 장치 성능에 따라 결정된다.
추가의 예시적인 실시예에 따르면, 전술한 섹션에서 특정된 문제는 청구항 2에 따른 방법에 의해 해결된다. 일 실시예에서, 포토리소그래피 마스크의 적어도 하나의 결함을 처리하기 위한 복구 형상을 확인하는 방법에 있어서, 상기 방법은 아래의 단계들: (a) 적어도 하나의 결함의 복구 형상에 대한 적어도 하나의 보정값을 결정하는 단계 - 여기서, 보정값은 포토리소그래피 마스크의 기판의 표면 상의 적어도 하나의 결함의 측면 범위를 고려함 - ; 및 (b) 적어도 하나의 보정값을 적용함으로써 복구 형상을 보정하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 방법은 상기 결함의 복구 형상에 대한 보정값을 결정할 때 결함의 측면 범위를 고려한다. 그 결과, 복구 형상을 보정할 때 결함 처리 공정 또는 결함 보정 공정의 경비가 고려된다. 따라서, 결함 처리 공정의 지속 시간은 결함 주변이 이 시간 간격 중 적어도 일부 동안 영향을 받을 수 있기 때문에 고려된다. 결과적으로, 본 발명에 따른 방법은 결함이 패턴 요소에 인접하는지 또는 마스크의 기판에서 끝나는지에 따라 결함의 가장자리가 미리 결정된 양만큼 감소되는 복구 형상의 보정을 넘어선다.
본 출원 내에서, "측면 범위"라는 표현은 포토리소그래피 마스크의 기판의 교란되지 않은 표면(unperturbed surface)을 형성하는 평면 상으로의 결함의 투영을 기술한다. 여기서, 투영은 기판의 표면에 실질적으로 수직으로 실시된다.
본 출원 내에서, "실질적으로"라는 표현은 종래 기술에 따른 측정 기기가 사용되는 경우 에러 사양 내의 측정 변수를 설명한다.
다른 예시적인 실시예에 따르면, 전술한 문제는 청구항 3에 따른 방법에 의해 해결된다. 일 실시예에서, 포토리소그래피 마스크의 적어도 하나의 결함을 처리하기 위한 복구 형상을 확인하는 방법으로서, 상기 방법은 아래의 단계들: (a) 적어도 하나의 결함의 복구 형상에 대한 적어도 하나의 보정값을 결정하는 단계 - 여기서 보정값은 포토리소그래피 마스크의 적어도 하나의 패턴 요소의 형태를 고려하고, 상기 적어도 하나의 패턴 요소는 적어도 하나의 결함과 접촉함 - ; 및 (b) 적어도 하나의 보정값을 적용함으로써 복구 형상을 보정하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 방법은 복구 형상에 대한 일정한 보정값에 의한 결함과 패턴 요소의 경계를 고려할 뿐만 아니라, 대신에, 결함과 패턴 요소의 공통 경계의 형상을 고려한다. 이는 스캐닝 입자 빔 현미경의 입자 빔이 결함의 복구 동안 패턴 요소의 가장자리에서의 2차 전자 방출 또는 2차 이온 방출을 증가시키기 때문에 특히 유리하다; 즉, 예를 들어 이것은 소위 "리버 베딩(river-bedding)"로 이어질 수 있다. 결과적으로, 본 발명에 따른 방법의 도움으로 결정된 복구 형상의 보정은 종래 기술을 훨씬 능가한다.
적어도 하나의 보정값은 적어도 하나의 패턴 요소의 측면 치수를 고려할 수 있다.
패턴 요소에 인접한 결함을 처리하는 것은 경계를 따른 결함의 보정 정도와 인접한 패턴 요소에 대한 손상 정도 사이의 절충을 나타낸다. 공통 경계를 따라 패턴 요소의 측면 치수를 고려함으로써, 타협을 국부적으로 최적화하는 것이 가능하다.
본 출원에서, "패턴 요소의 측면 치수"라는 표현은 포토리소그래피 마스크의 기판의 표면에 평행한 평면에서 패턴 요소의 범위를 의미한다.
적어도 하나의 보정값은 적어도 하나의 패턴 요소의 적어도 하나의 모서리를 고려할 수 있다.
결함에 인접한 패턴 요소의 측면 치수에 추가하여, 복구 형상의 보정은 마찬가지로 패턴 요소의 모서리에서 발생하는 특성을 고려할 수 있다.
모서리가 적어도 하나의 결함으로 돌출되는 경우, 적어도 하나의 보정값은 패턴 요소의 직선 영역의 부근에서의 보정값과 비교하여 적어도 하나의 패턴 요소의 적어도 하나의 모서리의 부근에서의 복구 형상의 감소를 초래할 수 있거나 및/또는 적어도 하나의 결함이 적어도 하나의 패턴 요소의 모서리로 돌출하는 경우, 적어도 하나의 보정값은 패턴 요소의 직선 영역의 부근에서의 보정값과 비교하여 적어도 하나의 패턴 요소의 적어도 하나의 모서리의 부근에서의 복구 형상의 증가를 초래할 수 있다.
적어도 하나의 보정값은 적어도 하나의 패턴 요소의 측면 치수 및 적어도 하나의 패턴 요소의 적어도 하나의 모서리를 고려할 수 있다.
적어도 하나의 보정값을 결정하는 단계는 적어도 하나의 패턴 요소의 두께 및/또는 재료 조성을 고려하는 단계를 더 포함할 수 있다.
결함과 공통 경계를 갖는 패턴 요소의 두께는 결함을 제거하기 위한 결함의 처리 공정에 영향을 미친다. 패턴 요소의 재료 조성은 결함 보정 공정 동안 패턴 요소가 겪는 손상 정도에 영향을 미친다. 여기에 기술된 방법들은 결함 보정과 공통 경계를 따른 패턴 요소의 변화 사이에서 최상의 타협점을 찾는 목적으로 복구 형상을 보정하는 경우에 상기 측면들을 고려하는 것을 용이하게 한다.
적어도 하나의 보정값을 결정하는 단계는: 적어도 하나의 결함의 두께 및/또는 재료 조성을 고려하는 단계를 더 포함할 수 있다.
두께 및 재료 조성은 결함을 제거하는데 필요한 경비에 결정적인 영향을 미친다. 이러한 파라미터들이 복구 형상의 보정값에 포함되는 덕분에, 결함을 복구 공정은 최적화하고, 동시에, 마스크의 손상이 최소화된다.
적어도 하나의 결함을 처리하는 단계는: 적어도 하나의 결함의 보정된 복구 형상에 대해 입자 빔 유도 에칭 공정 및/또는 입자 빔 유도 퇴적 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
과잉 재료, 예를 들어 패턴 요소의 과잉 흡수제 재료의 형태의 결함(소위 불투명 결함)은 일반적으로 입자-빔-유도 에칭 공정에 의해 처리된다. 예로서, 입자-빔-유도 에칭 공정은 전자 빔 및 전자 빔의 입사 위치에 국부적으로 제공되는 하나 이상의 에칭 가스를 사용하여 보정될 수 있다. 예로서, 에칭 가스는 제논 디 플루오라이드(XeF2), 할로겐 및/또는 할로겐을 함유하는 가스를 포함할 수 있다.
재료 누락, 예를 들어 패턴 요소의 흡수제 재료 누락 형태의 결함(소위 클리어 결함)은 일반적으로 입자-빔-유도 퇴적 공정에 의해 보정된다. 예로서, 입자-빔-유도 퇴적 공정은 전자 빔 및 전자 빔의 입사 위치에 국부적으로 제공되는 하나 이상의 퇴적 가스를 사용하여 보정될 수 있다. 크롬 헥사카보닐(Cr(CO)6)은 퇴적 가스의 예이다.
적어도 하나의 보정값을 결정하는 단계는 실험에 근거하여 적어도 하나의 보정값을 근사화하는 단계를 포함할 수 있다. 이를 위해, 분석될 결함은 바람직하게는 상이한 파라미터를 갖는 상이한 결함의 클래스에 할당된다. 진행하는 다수의 결함 처리 동작들에 기초하여, 결함의 클래스 및 그 파라미터 세트를 업데이트할 수 있다.
적어도 하나의 보정값을 결정하는 단계는 테스트 마스크를 분석하는 단계를 포함할 수 있다.
적어도 하나의 보정값을 적용하는 단계는: 복구 형상의 가장자리의 적어도 일부를 보정함으로써 복구 형상의 면적을 감소시키는 단계를 포함할 수 있다.
따라서, 복구 형상의 외부 윤곽은 결함 자체 및 결함 주변에 국부적으로 적응된다. 여기서, 고려되는 결함에 인접한 주변일뿐만 아니라 처리 공정의 상호 작용 영역에 있는 결함의 주변이기도하다.
적어도 하나의 보정값을 결정하는 단계는 전술한 실시예들 중 제2 및 제3 실시예에 따른 적어도 하나의 보정값을 결합하는 단계를 포함할 수 있다.
적어도 하나의 보정값을 결정하는 단계는 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 적어도 하나의 보정값을 결합하는 단계를 포함할 수 있다.
두 실시예로부터의 적어도 하나의 보정값을 조합하는 것은 선형 조합을 포함할 수 있다.
적어도 하나의 보정값을 결정하는 단계는, 적어도 하나의 패턴 요소와 접촉하지 않는 적어도 하나의 결함의 가장자리의 적어도 일부를 평균화하는 단계; 및 적어도 하나의 결함과 접촉하지 않는 하나 이상의 패턴 요소로부터의 평균 가장자리의 거리 및 기판 표면 상의 하나 이상의 결함의 측면 범위를 확인하기 위하여 적어도 하나의 결함의 평균화된 가장자리에 대한 접선에 대한 수선을 결정하는 단계를 포함한다.
적어도 하나의 보정값을 결정하는 단계는: 적어도 하나의 결함의 측면 범위 및 적어도 하나의 결함과 접촉하는 적어도 하나의 패턴 요소의 측면 범위를 결정하기 위해 적어도 하나의 결함과 접촉하는 적어도 하나의 패턴 요소의 영역에 수선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
컴퓨터 프로그램은 컴퓨터 시스템에 의해 실행될 때 상기 설명된 양태의 방법 단계들을 수행하도록 컴퓨터 시스템을 프롬프트하는 명령을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 포토리소그래피 마스크의 적어도 하나의 결함을 처리하기 위한 복구 형상을 확인하기 위한 장치는: (a) 복구 형상을 확인하기 위해 구현된 측정 유닛; (b) 적어도 하나의 결함의 복구 형상에 대한 적어도 하나의 보정값을 결정하도록 구현된 컴퓨팅 유닛으로서; (i) 적어도 하나의 보정값은 포토리소그래피 마스크의 적어도 하나의 패턴 요소의 위치를 고려하며, 상기 적어도 하나의 패턴 요소는 적어도 하나의 결함과 접촉하지 않으며; (ii) 적어도 하나의 보정값은 포토리소그래피 마스크의 기판의 표면상의 적어도 하나의 결함의 측면 범위를 고려하고; 및/또는 (iii) 적어도 하나의 보정값은 포토리소그래피 마스크의 적어도 하나의 패턴 요소의 형태를 고려하며, 상기 적어도 하나의 패턴 요소는 적어도 하나의 결함과 접촉하고; 그리고 여기서 (c) 컴퓨팅 유닛은 또한 적어도 하나의 보정값을 적용함으로써 복구 형상을 보정하도록 구현된다.
장치는 전술한 양태의 방법 단계들을 수행하도록 구현될 수 있다.
이하의 상세한 설명은 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 1은 우측 부분 이미지에서 종래 기술에 따른 포토리소그래피 마스크 결함의 복구 형상의 보정을 도시하고, 좌측 부분 이미지에서 본 출원에 설명된 두 가지 방법에 따른 복구 형상의 보정을 개략적으로 도시한다;
도 2는 패턴 요소에 인접한 결함에 대한 복구 형상의 보정값을 개략적으로 제시하며, 여기서 결함 및 패턴 요소의 측면 치수는 결함 및 패턴 요소의 경계선에 수직으로 변한다;
도 3은 결함이 패턴 요소와 접촉하는 영역에서 패턴 요소가 2개의 모서리를 갖는 복구 형상에 대한 보정값을 개략적으로 지정한다;
도 4는 패턴 요소와 접하고, 계단형 측면 치수를 가지며, 패턴 요소로부터의 거리가 변하는 테스트 결함에 대한 복구 형상의 보정값을 결정하기 위한 테스트 구조의 개략도를 재현한다;
도 5는 테스트 결함을 제거한 후의 도 4의 테스트 구조를 나타낸다; 및
도 6은 포토리소그래피 마스크의 결함을 처리하기 위한 복구 형상을 확인하기 위한 방법의 흐름도를 제시한다.
본 발명에 따른 방법 및 본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예는 하기에 보다 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명에 따른 방법은 이하에서 설명되는 예시적인 응용에 제한되지 않는다. 대신에, 본 명세서에 기술된 방법은 모든 유형의 포토마스크에서 발생할 수있는 결함에 대한 복구 형상을 결정하는데 사용될 수 있다. 또한, 본 출원에 설명된 방법은 포토마스크의 결함을 보정하는 것으로 제한되지 않는다. 대신에, 이들 방법 및 대응하는 장치는 또한 예를 들어 집적 회로의 결함에 대한 복구 형상을 결정하기 위해 사용될 수 있다.
우측 부분 이미지, 즉 수선(142)의 우측에서, 도 1은 종래 기술에 따른 복구 형상의 보정을 도시한다. 마스크(100)는 기판(110) 및 패턴 요소(120 및 130)를 포함한다. 포토마스크(100)는 도 1의 예에서 투과성 마스크이다. 마스크(100)의 기판(110)은 종종 석영을 포함한다. 패턴 요소들(120 및 130)은 포토리소그래피 마스크의 화학선(actinic) 파장 범위에서 광학 방사선을 실질적으로 완전히 흡수한다. 패턴 요소(120 및 130)는 흡수 재료로서 크롬 또는 불투명 MoSiON 계(몰리브덴 실리콘 옥시나이트라이드) 흡수제를 포함한다. 복구 형상에 대한 보정값을 결정하기 위해 아래에 설명된 방법은 극 자외(EUV) 파장 범위에 대한 마스크 및 소위 NIL 마스크, 즉 나노 임프린트 기술을 위한 마스크(도 1에 도시되지 않음)를 포함하는 모든 유형의 포토마스크(100)에 사용될 수 있다.
마스크(100)는 패턴 요소(120)에 접하는 결함(140)을 갖는다. 예로서, 결함(140)은 과잉 흡수제 재료(불투명 결함)를 포함할 수 있다. 이것이 적용되면, 결함(140)은 패턴 요소(120, 130)와 실질적으로 동일한 높이를 가질 수 있다. 그러나, 불투명 결함(140)은 임의의 높이를 가질 수 있다. 결함이 패턴 요소(120, 130)와 다른 재료 또는 다른 재료 조성을 갖는 것이 또한 가능하다. 또한, 결함(140)은 흡수제 재료 누락의 결함일 수도 있다(클리어 결함; 도 1에 도시되지 않음). 또한, 결함(140)은 과도하거나 누락된 기판 재료를 포함할 수 있다(도 1에 도시되지 않음).
결함(140)은 바람직하게는 검사 도구를 사용하여 검출되고 스캐닝 입자 빔 현미경, 종종 스캐닝 전자 현미경을 사용하여 분석된다. 이어서, 결함 위치는 포토마스크(100)의 결함이 없는 위치와 비교되며, 상기 결함이 없는 위치는 결함에 의해 영향을 받는 위치와 동일한 패턴 구조를 갖는다. 대안적으로, 결함 위치는 결함 마스크 섹션의 설계 데이터와 비교될 수 있다. 결함(140)의 복구 형상(145)은 결함이 있는 섹션으로부터 결함이 없는 마스크 섹션을 공제함으로써 얻어진다. 결과적으로, 복구 형상(145)은 마스크(100)의 기판(110)의 표면의 평면 상으로의 결함(140)의 투영이다. 이 표현에서, 복구 형상의 이미지는 대응하는 마스크 섹션의 패턴 요소(120 및 130) 없이 결함 자체만을 포함한다. 그러나, 패턴 요소들(120 및 130)은 예시적인 이유로 도 1 및 후속 도면의 예시적인 표현에서 재현된다. 결함(140)의 복구 형상(145)을 결정하기 위해 주사 입자 빔 현미경의 컴퓨팅 유닛이 사용될 수 있다.
상세한 설명의 도입부에 설명된 바와 같이, 복구 형상(145)을 기초로 결함(140)을 처리하는 것은 결함(140)의 포괄적인 보정으로 이어진다. 그러나, 처리 구역의 측면 범위로 인하여, 결함 처리는 마스크(100)의 기판(110) 및 결함(140)에 인접한 패턴 요소(120) 모두를 손상시킨다. 더욱이, 결함(140)을 처리하는 것은 결함(140)과의 공통 경계를 갖지 않으나 결함(140)의 근방에서 적어도 부분적으로 국부화되는 패턴 요소(130)를 수정할 수 있다.
따라서, 결함(140)의 복구 형상(145)은 종래 기술에서 보정된다. 이는 먼저 결함(140)의 복구 형상(145)이 주변 기판(110)에 대해 결함(140)의 경계를 따라 고정된 거리(157)만큼 보정되어, 보정된 복구 형상이 기판(110)을 따라 새로운 경계(155)를 갖도록함으로써 수행된다. 복구 형상(145)의 이러한 보정은 또한 가장자리 바이어스로 지칭된다.
복구 형상(145)은 마찬가지로 결함(140) 및 패턴 요소(120)의 공통 가장자리를 따라 고정된 값(162)에 의해 보정되어, 보정된 복구 형상이 패턴 요소(120)를 따라 새로운 가장자리(160)를 갖는다. 복구 형상(145)의 이러한 보정은 또한 볼륨 바이어스(volume bias)로 표시된다. 볼륨 바이어스 및 가장자리 바이어스는 동일한 거리(157 및 162)를 가질 수 있다. 그러나, 거리(157 및 162)는 일반적으로 복구 형상(145)에 대한 상이한 보정값이다. 결과적으로, 결함(140)의 복구 형상(145)은 2 개의 보정값을 가지며, 이의 도움으로 결함(140)의 복구 형상(145)의 전체 외형이 보정된다.
도 1의 좌측 부분 이미지는 수선(142)에서 축 방향으로 미러된 마스크(100) 및 결함(140)의 마스크 단면을 도시한다. 이 부분 이미지는 이제 결함(140)의 복구 형상(145)에 대한 보정값을 결정하기 위해 본 출원에서 설명된 방법의 일부를 설명하는데 사용된다. 제1 단계에서, 가장자리(162)의 접선은 기판(110)에 인접한 결함(140) 또는 복구 형상(145)의 미리 결정된 지점(165)에서 결정된다. 도 1에서 도시된 것과는 다르게, 결함(140)이 매끄러운 가장자리(162)를 갖지 않는 경우, 접선이 확인되기 전에 가장자리(162)의 미리 결정된 부분에 대해 평균화된다.
그에 따라, 접선에 대한 수선(170)이 그려지고 패턴 요소(120 및 130)와의 교차점이 결정된다. 패턴 요소(130)가 결함(140)의 복구 형상(145)과 직접 접촉하지 않더라도, 복구 형상(145)에 대한 보정값을 확인하는 경우에 가장자리(162)의 지점(165)의 거리
Figure 112019102001873-pct00001
(175)가 고려된다. 국부 보정값
Figure 112019102001873-pct00002
(185)의 크기는 지점(165)에서 복구 형상(145)의 가장자리(162)로부터 패턴 요소(130)의 거리
Figure 112019102001873-pct00003
(175)에 의존한다:
Figure 112019102001873-pct00004
(1)
함수
Figure 112019102001873-pct00005
는 비선형 방식으로 패턴 요소(130)까지의 거리
Figure 112019102001873-pct00006
를 고려할 수 있다. 그러나 첫 번째 근사법에 대해,
Figure 112019102001873-pct00007
은 거리
Figure 112019102001873-pct00008
의 선형 함수이다. 또한, 보정값
Figure 112019102001873-pct00009
은 수식(1)에서 억제되는 일정한 보정 기여를 포함할 수 있다. 보정값(185)의 정확성을 위해, 패턴 요소(130)까지의 거리
Figure 112019102001873-pct00010
에 추가하여 결함(140)과 접촉하는 패턴 요소(120)로부터 복구 형상(145)의 가장자리(162)의 지점(165)의 거리
Figure 112019102001873-pct00011
(180)가 또한 고려된다면 편리하다. 이는 특히 결함(140) 및 그에 따른 복구 형상(145)의 측면 치수(180)가 작은 복구 형상(145)의 지점에서 중요하다. 결과적으로, 수식(1)은 다음과 같이 확장된다.
Figure 112019102001873-pct00012
(2)
종래 기술과 달리, 수식(2)는 결함(140)의 국부적, 공간 의존적 보정값(185)을 기술한다. 수식(2)의 보정값(185)은 연속 곡선(190)에 상보적일 수 있다. 도 1에 도시된 예에서, 보정값(185) 및/또는 폐쇄 곡선(190)은 보정된 복구 형상(195)을 생성하는데 사용된다.
즉,
Figure 112019102001873-pct00013
을 기초로 결함(140)의 측면 범위만을 고려하고, 패턴 요소(130)에 대한 결함 처리 공정의 영향을 무시하는 결함(140)에 대한 보정값을 결정하는 것도 가능하다.
도 1과 같이, 도 2는 포토마스크(100)의 단면을 도시한다. 이 예는 패턴 요소(220)와 결함(240)의 공통 경계를 따라 결함(240)에 대한 복구 형상의 일부를 결정하는 것을 논의하기 위해 사용되어야 한다. 도 2는 두 가지 차이점이 있는 도 1의 좌측 부분 이미지를 도시한다. 먼저, 결함(240)은 도 1의 결함(140)에 비해서 좌측 가장자리에서 상이한 형상을 갖는다. 둘째로, 패턴 요소(220)는 도 1의 패턴 요소(120)에 비해 다른 형상을 갖는다.
복구 형상에 대한 보정값을 결정하기 위해 패턴 요소(220)의 가장자리(250)에 대한 수선(270)이 가장자리(250)의 상이한 지점(265)에서 확인된다. 거리
Figure 112019102001873-pct00014
(275)는 결함(240) 및 패턴 요소(220)의 공통 가장자리(262)의 지점(265)으로부터 결함(240)의 가장자리(262)의 거리를 기술한다. 거리
Figure 112019102001873-pct00015
(280)는 상기 결함(240) 및 패턴 요소(220)의 공통 가장자리(250)의 지점(265)으로부터 패턴 요소(220)의 후단의 가장자리(230)의 거리를 나타낸다. 이러한 정의에 기초하여, 결함(240) 및 패턴 요소(220) 모두의 국부 측면 범위를 고려하는 보정값
Figure 112019102001873-pct00016
(285)을 도입하는 것이 가능하다:
Figure 112019102001873-pct00017
(3)
지점(265)에서의 결함(240)과 패턴 요소(220)의 공통 가장자리(250)를 따른 보정들
Figure 112019102001873-pct00018
(285)은 다시 한번 연속 라인(290)을 형성하도록 보완될 수 있다. 결함들(240)과 패턴 요소(220) 사이의 접촉 라인을 따른 보정들
Figure 112019102001873-pct00019
(285)은 결함(240)에 대한 복구 형상(295)의 일부이다. 수식(1)에 관한 논의에서 이미 설명된 바와 같이, 함수들(
Figure 112019102001873-pct00020
및
Figure 112019102001873-pct00021
)은 결함(240)의 거리
Figure 112019102001873-pct00022
및 패턴 요소(220) 의 측면 치수
Figure 112019102001873-pct00023
를 비선형 방식으로 고려할 수 있다. 그러나, 제1 근사법에 대해, 측면 치수
Figure 112019102001873-pct00024
및
Figure 112019102001873-pct00025
의 선형 함수로서
Figure 112019102001873-pct00026
및
Figure 112019102001873-pct00027
을 고려하는 것은 종종 충분하다.
치수
Figure 112019102001873-pct00028
(275) 및
Figure 112019102001873-pct00029
(280)가 결함 처리 공정의 처리 구역의 직경보다 매우 큰 한, 단일 보정값은 공통 경계선의 이러한 영역에서 결함(240)의 복구 형상을 보정하기에 충분하다. 이 상황은 도 2 의 우측 가장자리에 도시되어 있다. 이 한계 경우에, 여기서 논의된 복구 형상(295)의 보정은 볼륨 바이어스에 사용된 이전의 보정으로 병합된다.
도 2의 중앙 이미지 영역에서, 결함(240)은 패턴 요소(220)의 좁은 웹(255)에만 인접한다. 보정값
Figure 112019102001873-pct00030
(285)은 결함(240)을 처리할 때 좁은 웹(255)의 영역에서의 패턴 요소(220)에 대한 돌이킬 수 없는 손상을 피하기 위해 이 영역에서 크게 증가한다. 이는 작은 거리
Figure 112019102001873-pct00031
, 따라서 함수
Figure 112019102001873-pct00032
가 보정값
Figure 112019102001873-pct00033
(285), 따라서 패턴 요소(220)의 좁은 웹(255)의 영역에서 복구 형상(295)의 보정을 결정한다는 것을 의미한다.
도 2의 좌측 이미지 가장자리에서의 영역에서, 패턴 요소(220) 의 측면 치수
Figure 112019102001873-pct00034
(280)는 먼저 도 2의 우측 부분 보다 상당히 작다. 둘째로, 결함(240)의 측면 치수
Figure 112019102001873-pct00035
(275)는 이 영역에서 크게 변한다. 따라서, 보정값
Figure 112019102001873-pct00036
(285)은 패턴 요소(220) 및 결함(240)의 공통 경계의 이 부분에서의 수식(3)의 함수
Figure 112019102001873-pct00037
및
Figure 112019102001873-pct00038
모두에 의존한다.
포토리소그래피 마스크(100)의 기판(110)을 따른 도 1의 보정값(195)에 기초하여(즉, 전술한 가장자리 바이어스) 및 결함(240)이 패턴 요소(220)와 접촉하는 영역을 따른 도 2의 보정값(295)에 기초하여 소자(220)(즉, 전술한 볼륨 바이어스)에서, 결함에 대한 보정된 복구 형상을 확인할 수 있으며, 상기 보정된 복구 형상은 결함(140, 240) 및 결함(140, 240)이 인접한 패턴 요소(120, 220)의 측면 치수를 고려하고 또한 결함(140)과 접촉하지 않는 패턴 요소(130)의 거리를 고려한다.
도 3은 예시적인 방식으로, 패턴 요소가 모서리를 갖는 영역에서 결함과 접촉하는 패턴 요소의 복구 형상의 보정을 설명한다. 도 3은 패턴 요소(120) 및 패턴 요소(120)에 인접한 결함(140)의 모서리의 영역에서 도 1의 좌측 부분 이미지의 확대된 부분을 도시한다. 또한, 도 3은 종래 기술에 따른 보정을 도시한다. 곡선(160)은 고정된 거리(162)에서 패턴 요소(120) 및 결함(140)의 공통 경계선(330)을 따른다. 패턴 요소(120)의 모서리
Figure 112019102001873-pct00039
및
Figure 112019102001873-pct00040
가 곡선(160)에 의해 모서리
Figure 112019102001873-pct00041
및
Figure 112019102001873-pct00042
으로 맵핑된다.
도 3의 곡선(385)는 복구 형상에 대한 보정값을 결정할 때 두 모서리
Figure 112019102001873-pct00043
및
Figure 112019102001873-pct00044
의 영역에서의 결함 처리의 문제가 고려되는 경우에 복구 형상(395)에 대한 보정값(385)의 프로파일을 도시한다. 도 3에 도시된 예에서, 두 모서리
Figure 112019102001873-pct00045
및
Figure 112019102001873-pct00046
의 영역에서의 보정값을 결정하기 위하여 타원 함수가 사용된다. 모서리 Pn의 각도
Figure 112019102001873-pct00047
는 파라미터의 역할을 한다. 모서리 Pn의 각도
Figure 112019102001873-pct00048
는 결함(1240)의 영역 즉, 패턴 요소(120)의 외부에서 측정된다. 도 3으로부터 수집될 수 있는 바와 같이, 각도
Figure 112019102001873-pct00049
는 종래 기술의 보정값과 비교하여 타원의 감소 부분을 생성한다. 대조적으로,
Figure 112019102001873-pct00050
범위의 각도는 종래 기술의 보정값과 비교하여 타원의 일부를 추가로 생성한다. 감소 타원 부분 및 추가 타원 부분의 파라미터는 제1 근사화되는
Figure 112019102001873-pct00051
및
Figure 112019102001873-pct00052
에 대해 동일하다. 타원 부분을 특징짓는 파라미터는 실험적으로 결정된다.
볼륨 바이어스, 즉 패턴 요소(120)에 인접한 결함(140)의 복구 형상(295)의 보정을 기술하는 수식(3)은 모서리 보정에 의해 확장된다:
Figure 112019102001873-pct00053
(4)
여기서
Figure 112019102001873-pct00054
는 수식(3)의 보정값을 나타낸다.
결함(140)을 복구하기 위해 패턴 요소(120)의 공통 경계선(330) 또는 가장자리(330)를 따라 결함(140)의 복구 형상(395)의 곡선의 정확한 결정이 매우 중요하다. 결함(140)을 복구하는데 사용되는 입자 빔은 포토리소그래피 마스크의 기판(110) 상에 입사될 때 소위 "리버 베딩(river-bedding)"으로 이어질 수 있는 가장자리(330)의 영역에서 2차 전자의 방출 속도가 증가될 수 있다.
보정값들
Figure 112019102001873-pct00055
(190) 및
Figure 112019102001873-pct00056
(290) 또는
Figure 112019102001873-pct00057
을 사용함으로써, 결함(140, 240)의 복구 형상(195, 295)은 기판(110) 또는 패턴 요소들(120, 130, 220)을 크게 손상시키지 않으면서 가능한 최대로 보정될 수 있다.
도 4의 다이어그램(400)은 수식 (2)의 보정값
Figure 112019102001873-pct00058
및 수식 (3)의 보정값
Figure 112019102001873-pct00059
을 결정하기 위한 테스트 구조(410)를 개략적으로 제시한다. 테스트 구조(410)는 2 개의 패턴 요소(420 및 430) 및 흡수 재료로 만들어진 테스트 결함(440)을 포함하고, 이는 테스트 구조(410)의 기판(110) 상에 도 4에 특정된 특정 형태로 퇴적된다. 테스트 결함(440)은 패턴 요소(430)과 인접하고, 테스트 결함(440)이 패턴 요소(420)와 마지막 계단에서 도 4의 우측 가장자리에서 접촉할 때까지 좌로부터 우로 계단 형상으로 증가하는 측면 치수(475)를 갖는다. 테스트 결함(440)은 복구 형상(445)을 생성한다. 테스트 결함(440)은 입자 빔 유도 에칭 공정의 도움으로 테스트 구조(410)의 기판(110)으로부터 제거된다. 여기서, 테스트 결함(440)의 처리 공정은 보정되지 않은 복구 형상(445)에 기초한다.
도 5의 다이어그램(500)은 보정되지 않은 복구 형상(445)에 기초하여 테스트 결함(440)을 에칭한 후의 도 4의 테스트 구조(410)를 도시한다. 여기서, 테스트 구조(410)의 패턴 요소(420 및 430) 상의 입자 빔 유도 에칭 공정의 효과만이 고려된다. 테스트 구조의 기판(110) 상의 테스트 결함(440)의 처리 공정의 불리한 효과는 고려되지 않은채로 있다. 비-점상(non-punctiform) 처리 영역으로 인하여, 상기 비-보정된 복구 형상(445)의 에칭 공정은 복구 형상을 넘어 연장된다. 패턴 요소들(520 및 530)에 대하여, 이것은 테스트 결함(440)이 패턴 요소들(520 및 530)에 근접한 영역에서 또는 테스트 결함(440)이 패턴 요소들(520 및 530)의 일부와 접촉하는 영역에서, 원래의 패턴 요소(420 및 430)의 가장자리(550)와 비교할 때 입자 빔 유도 에칭 공정으로 유사하게 제거됨을 의미한다. 수식 (2)의 보정값 들
Figure 112019102001873-pct00060
은 원래의 패턴 요소(420 및 430)에 대한 제거된 부분들(540 및 545) 또는 편차들(540 및 545)로부터 결정될 수 있다.
도 5의 패턴 요소(520 및 530)는 원래의 패턴 요소(420 및 430)와 관련하여 편차(540 및 545)에 의해 테스트 결함(440)의 측방 치수의 처리 공정의 의존도를 설명한다. 수식 (3)의 보정값
Figure 112019102001873-pct00061
은 패턴 요소들(520 및 530)의 프로세싱-공정-유도 편차들(540 및 545)에 기초하여 결정될 수 있다.
도 6의 흐름도(600)는 포토리소그래픽 마스크의 결함을 처리하기 위한 복구 형상을 확인하기 위한 방법을 제시한다. 방법은 단계(610)에서 시작한다. 제2 단계(620)에서, 적어도 하나의 결함의 복구 형상에 대한 적어도 하나의 보정값이 결정되며, 여기서 :
(i) 보정값은 포토리소그래피 마스크의 적어도 하나의 패턴 요소의 위치를 고려하며, 상기 적어도 하나의 패턴 요소는 적어도 하나의 결함과 접촉하지 않으며;
(ii) 보정값은 포토리소그래피 마스크의 기판 표면상의 적어도 하나의 결함의 측면 범위를 고려하고; 그리고/또는
(iii) 보정값은 포토리소그래피 마스크의 적어도 하나의 패턴 요소의 형태를 고려하며, 상기 적어도 하나의 패턴 요소는 적어도 하나의 결함과 접촉한다.
다음 단계(630)에서, 복구 형상은 적어도 하나의 보정값을 적용함으로써 보정된다. 이 방법은 최종적으로 단계 640에서 종료된다.

Claims (21)

  1. 포토리소그래피 마스크(100)의 적어도 하나의 결함(140)을 처리하기 위한 복구 형상(195)을 확인하는 방법으로서, 상기 방법은 아래의 단계들:
    a. 적어도 하나의 결함(140)의 상기 복구 형상(195)에 대한 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)을 결정하는 단계 - 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)은 서로 다른 값이며, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)은 상기 포토리소그래피 마스크(100)의 적어도 하나의 패턴 요소(130)의 위치(175)를 고려하며, 상기 적어도 하나의 패턴 요소는 상기 적어도 하나의 결함(140)과 접촉하지 않음 - ; 및
    b. 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)을 적용함으로써 복구 형상(195)을 보정하는 단계
    를 포함하는 방법.
  2. 포토리소그래피 마스크(100)의 적어도 하나의 결함(140)을 처리하기 위한 복구 형상(195)을 확인하는 방법에 있어서, 상기 방법은 아래의 단계들:
    a. 적어도 하나의 결함(140)의 복구 형상(195)에 대한 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)을 결정하는 단계 - 여기서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)은 서로 다른 값이며, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)은 포토리소그래피 마스크(100)의 기판(110)의 표면 상의 적어도 하나의 결함(140)의 측면 범위(180)를 고려함 - ; 및
    b. 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)을 적용함으로써 복구 형상(195)을 보정하는 단계
    를 포함하는 방법.
  3. 포토리소그래피 마스크(100)의 적어도 하나의 결함(240)을 처리하기 위한 복구 형상(295)을 확인하는 방법으로서, 상기 방법은 아래의 단계들:
    a. 적어도 하나의 결함(240)의 복구 형상(295, 395)에 대한 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(285, 385)을 결정하는 단계 - 여기서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(285, 385)은 서로 다른 값이며, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(285, 385)은 포토리소그래피 마스크(100)의 적어도 하나의 패턴 요소(220)의 형태를 고려하고, 상기 적어도 하나의 패턴 요소는 적어도 하나의 결함(140, 240)과 접촉함 - ; 및
    b. 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(285, 385)을 적용함으로써 복구 형상(295)을 보정하는 단계
    를 포함하는 방법.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(285)은 상기 적어도 하나의 패턴 요소(220)의 측면 치수(280)를 고려하는, 방법.
  5. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(385)은 상기 적어도 하나의 패턴 요소(220)의 적어도 하나의 모서리(340, 350)를 고려하는, 방법.
  6. 청구항 5에 있어서, 모서리(350)가 적어도 하나의 결함(140)으로 돌출되는 경우, 패턴 요소(120)의 직선 영역 부근의 보정값과 비교하여 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(385)은 적어도 하나의 패턴 요소(120)의 적어도 하나의 모서리(350) 부근에서의 복구 형상(395)의 감소를 초래하는 것; 및 적어도 하나의 결함(140)이 적어도 하나의 패턴 요소(120)의 모서리(340)로 돌출되는 경우, 패턴 요소(120)의 직선 영역 부근의 보정값과 비교하여 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(385)은 적어도 하나의 패턴 요소(120)의 적어도 하나의 모서리(340) 부근에서의 복구 형상(395)의 증가를 초래하는 것 중 적어도 하나를 초래하는, 방법.
  7. 청구항 4에 있어서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(285, 385)은 적어도 하나의 패턴 요소(220)의 측면 치수(280) 및 적어도 하나의 패턴 요소(120; 220)의 적어도 하나의 모서리(340, 350)를 고려하는, 방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185, 285, 385)을 결정하는 단계는 상기 적어도 하나의 패턴 요소(120, 130, 220)의 두께 및 재료 조성 중 적어도 하나를 고려하는 단계를 더 포함하는 방법.
  9. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185, 285, 385)을 결정하는 단계는, 상기 적어도 하나의 결함(140, 240)의 두께 및 재료 조성 중 적어도 하나를 고려하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  10. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 결함(140, 240)을 처리하는 단계는: 적어도 하나의 결함(140, 240)의 보정된 복구 형상(195, 295, 395)에 대해 입자 빔 유도 에칭 공정 및 입자 빔 유도 퇴적 공정 중 적어도 하나의 공정을 수행하는 단계를 포함하는 방법.
  11. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185, 285, 385)을 결정하는 단계는 테스트 마스크(410, 610)를 분석하는 단계를 포함하는 방법.
  12. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185, 285, 385)을 적용하는 단계는: 복구 형상(195, 295, 395)의 가장자리의 적어도 일부를 보정함으로써 복구 형상(195, 295, 395)의 면적을 감소시키는 단계를 포함하는 방법.
  13. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185, 285, 385)을 결정하는 단계는 청구항 2에 기재된 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185) 및 청구항 3에 기재된 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(285, 385)을 결합하는 단계를 포함하는 방법.
  14. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)을 결정하는 단계는 청구항 1에 기재된 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185) 및 청구항 2에 기재된 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)을 결합하는 단계를 포함하는 방법.
  15. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185, 285, 385)을 결정하는 단계는 청구항 2에 기재된 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185) 및 청구항 3에 기재된 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(285, 385)을 결합하는 단계를 포함하는 방법으로서, 청구항 2에 기재된 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185) 및 청구항 3에 기재된 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(285, 385)을 결합하는 단계는 선형 결합을 포함하는 방법.
  16. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185, 285, 385)을 결정하는 단계는 청구항 1에 기재된 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185) 및 청구항 2에 기재된 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)을 결합하는 단계를 포함하는 방법으로서, 청구항 1에 기재된 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185) 및 청구항 2에 기재된 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)을 결합하는 단계는 선형 결합을 포함하는 방법.
  17. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185, 285, 385)을 결정하는 단계는: 적어도 하나의 패턴 요소(130)와 접촉하지 않는 적어도 하나의 결함(140)의 가장자리(162)의 적어도 일부를 평균화하는 단계; 및 적어도 하나의 결함과 접촉하지 않는 적어도 하나의 패턴 요소(130)로부터의 평균화된 가장자리의 거리(175) 및 기판(110)의 표면 상의 적어도 하나의 결함(140)의 측면 범위(180)를 확인하기 위하여 적어도 하나의 결함(140)의 평균화된 가장자리에 대한 접선에 대한 수선을 결정하는 단계를 포함하는 방법.
  18. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서, 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185, 285, 385)을 결정하는 단계는, 적어도 하나의 결함(140, 240)의 측면 범위(180, 270) 및 적어도 하나의 결함(140, 240)과 접촉하는 적어도 하나의 패턴 요소(120, 220)의 측면 범위의 결정을 목적으로, 적어도 하나의 결함(140, 240)과 접촉하는 적어도 하나의 패턴 요소(120, 220)의 영역에 수선을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
  19. 컴퓨터 시스템에 의해 실행되는 경우, 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 방법 단계들을 수행하도록 컴퓨터 시스템을 프롬프트하는 명령들을 포함하는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램.
  20. 포토리소그래피 마스크(100)의 적어도 하나의 결함(140, 240)을 처리하기 위한 복구 형상(195, 295, 395)을 확인하기 위한 장치로서, 상기 장치는:
    a. 복구 형상(145)을 확인하기 위해 구현된 측정 유닛;
    b. 적어도 하나의 결함(140, 240)의 복구 형상(195, 295, 395)에 대한 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185, 285, 385)을 결정하도록 구현된 컴퓨팅 유닛으로서;
    (i) 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)은 포토리소그래피 마스크(100)의 적어도 하나의 패턴 요소(130)의 위치를 고려하는 것 - 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)은 서로 다른 값이며, 상기 적어도 하나의 패턴 요소는 적어도 하나의 결함(140)과 접촉하지 않음 -;
    (ii) 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)은 포토리소그래피 마스크(100)의 기판(110)의 표면상의 적어도 하나의 결함(140)의 측면 범위(180)를 고려하는 것 - 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(185)은 서로 다른 값임 -;
    (iii) 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(285, 385)은 포토리소그래피 마스크(100)의 적어도 하나의 패턴 요소(120, 220)의 형태를 고려하는 것 - 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값들(285, 385)은 서로 다른 값이며, 상기 적어도 하나의 패턴 요소는 적어도 하나의 결함(140, 240)과 접촉함 -;
    중 적어도 하나를 고려하며, 그리고 여기서
    c. 컴퓨팅 유닛은 또한 상기 적어도 두 개의 국부적, 공간 의존적 보정값(185, 285, 385)을 적용함으로써 복구 형상(195, 295, 395)을 보정하도록 구현되는, 장치.
  21. 청구항 20에 있어서, 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항의 방법 단계들을 수행하도록 구현된 장치.
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