CN110418999B - 确定用于处理光刻掩模的缺陷的修复形状的装置和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明关于用于确定用于处理光刻掩模(100)的至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的方法，其包含以下步骤：(a)决定至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的至少一个校正值(185)，其中校正值(185)考虑光刻掩模(100)的至少一个图案元素(130)的位置(175)，该至少一个图案元素没有接触至少一个缺陷(140)；以及(b)通过应用至少一个校正值(185)来校正修复形状(195)。
Description
相关申请的交叉引用
本申请主张2017年3月8日申请的德国专利申请10 2017 203 841.1的权益，其名称为“Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln einer Reparaturform zumBearbeiten eines Defekts einer photolithographischen Maske”，且其全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明关于用于确定用于处理光刻掩模的缺陷的修复形状的方法和装置。
背景技术
由于半导体产业中不断增长的集成密度，光刻掩模需要成像越来越小的结构。因此，光掩模的生产变得越来越复杂，也因此更为昂贵。光掩模结构尺寸的减小导致在光掩模上出现新的、额外的误差或缺陷。在制造具有更小结构的光掩模期间所增加的支出及由此带来的成本压力将迫使对在掩模生产期间或在使用掩模期间出现的缺陷进行修复，以避免其昂贵的、完全更新的生产。
在修复光掩模上的缺陷前，需先将缺陷定位。这通过光学检验来实现，其较佳使用短波长的光子。在第二步骤中，通过使用来自FIB(聚焦离子束)扫描显微镜或扫描电子显微镜(SEM)的粒子束(离子或电子)进行扫描来分析局部缺陷。若使用电子束，则使用从待检查的光掩模表面的电子所释放的反向散射和二次电子来产生光掩模表面的图像。若使用聚焦离子束，则就其质量进行分析(SIMS，二次离子质谱)并从基板表面的离子所释放的二次离子(除了二次电子以外)将成像所照射表面的组成。
美国专利案号US 8 316 698 B2描述了在分析邻接光掩模的图案元素的缺陷时可能发生的困难。缺陷分析针对所发现的缺陷提供修复形状。修复形状定义了所识别缺陷到光掩模的基板表面上的投射。在此处，投射垂直于光刻掩模的基板表面进行。
光刻掩模的识别缺陷较佳通过粒子束诱发程序来校正。一般将借助于粒子束诱发蚀刻程序来校正由于材料出现在应为透明的掩模基板上的点处而产生的缺陷(所谓不透明缺陷)。表示缺少吸收图案材料的点的缺陷(所谓透明缺陷)较佳为通过粒子束诱发沉积程序来校正。这些粒子束诱发的蚀刻及沉积程序是强烈局部化的程序。理想情况下，这些局部处理程序被限制在缺陷或修复形状上的粒子束直径。然而，在数学意义上，粒子束无法聚焦到点状的直径上。此外，由于蚀刻或沉积气体的分子的移动，粒子束诱发程序不会局限在粒子束的焦点。
除了所需的缺陷校正以外，仅基于修复形状实现的光刻掩模的缺陷的修复或校正也可能因此导致围绕缺陷的光掩模的基板的损坏。此外，对邻接图案元素的缺陷进行修复也可能影响此图案元素。
这个问题已经确定了。因此，申请人所发表的ebeam Initiative，20 April 2015in Yokohama-Japan”(www.ebeam.org/docs/ebeam_initiative_zeiss.pfd)描述了一种低能量的电子束，其适用于修复独立地位于光掩模基板上的小缺陷，其实质上基于修复形状而没有校正修复形状，其中掩模基板因电子束诱发蚀刻程序而受损的区域较小。
在VLSI Electronics Microstructure Science series，volume 21，AcademicPress，由N.G.Einspruch、S.S.Cohen与R.N.Singh编辑的“Beam ProcessingTechnologies”一书中的第4章“Ion beam techniques”，作者L.R.Harriot描述在缺陷上扫描离子束以去除缺陷的做法，其中离子束与缺陷边缘保持一个光束直径的距离。
美国专利文件号US 6 591 154 B2解释了在校正晶片或掩模上的缺陷时与缺陷边缘保持一距离的方法。为此，修复装置的操作者在待校正缺陷周围绘制多边形。离子束或激光束与缺陷边缘的距离由多边形的线宽来设定，并因此调整或校正(偏差)缺陷的修复形状。
在所引用的文献中，使用校正值或适配值(偏差)来调整缺陷的整个修复形状、或与掩模基板或图案元素邻接的修复形状的至少一部分，以适应后续的校正程序。由于光掩模的结构或图案元素的尺寸减小，调整修复形状的这种方法不再能满足未来的掩模。
因此，本发明的目的为指定用于确定用于光刻掩模的缺陷的修复形状的方法和装置，其在确定修复形状时至少部分地避免了上述缺点。
发明内容
根据本发明的一个示例性实施例，此问题由下文所述的方法来解决。在一实施例中，用于确定用于处理光刻掩模的至少一个缺陷的修复形状的方法包含以下步骤：(a)决定至少一个缺陷的修复形状的至少一个校正值，其中校正值考虑光刻掩模的至少一个图案元素的位置，该至少一个图案元素没有接触至少一个缺陷；以及(b)通过应用至少一个校正值来校正修复形状。
因此，根据本发明的方法不仅考虑邻接缺陷的光掩模的一个或多个图案元素，也考虑了位于缺陷附近的图案元素。根据本发明的方法不会引起额外的装置费用，因为为了定位及处理缺陷，在任何情况下都需要粒子束设备。“在缺陷附近”的表达涉及图案元素与缺陷的距离，该距离仅如此小以至于图案元素在缺陷的处理程序期间至少部分地位于缺陷的处理区域中，结果为其可能由处理程序修改。因此在缺陷附近的表达取决于所考虑的缺陷处理设备的装置能力。
根据另一示例性实施例，在前文中所指出的问题由下文所述的方法来解决。在一实施例中，用于确定用于处理光刻掩模的至少一个缺陷的修复形状的方法包含以下步骤：(a)决定至少一个缺陷的修复形状的至少一个校正值，其中校正值考虑在光刻掩模的基板表面上的至少一个缺陷的横向范围；以及(b)通过应用至少一个校正值来校正修复形状。
根据本发明的方法在决定缺陷的修复形状的校正值时将考虑该缺陷的横向范围。因此，在校正修复形状时将考虑缺陷处理程序或缺陷校正程序的花费。因此，将考虑缺陷处理程序的持续时间，因为缺陷的周围可能在这个时段的其中至少一些期间会受到影响。因此，根据本发明的方法超出修复形状的校正，其中缺陷的边缘减少了一预定量，这取决于缺陷是邻接图案元素还是结束于掩模的基板上。
在本申请案中，表述“横向范围”描述了缺陷在形成光刻掩模的基板的未受干扰表面的平面上的投射。在此处，投射实质上垂直于基板的表面来实施。
在本申请案中，若使用根据现有技术的测量设备，则表述“实质上”描述在误差规范内的测量变量。
根据另一示例性实施例，前文所解释的问题由下文所述的方法来解决。在一实施例中，用于确定用于处理光刻掩模的至少一个缺陷的修复形状的方法包含以下步骤：(a)决定至少一个缺陷的修复形状的至少一个校正值，其中校正值考虑光刻掩模的至少一个图案元素的形式，该至少一个图案元素接触至少一个缺陷；以及(b)通过应用至少一个校正值来校正修复形状。
根据本发明的方法不仅通过用于修复形状的恒定校正值考虑缺陷与图案元素的边界，而且也考虑了缺陷及图案元素的共同边界的形状。这是特别有利的，因为扫描粒子束显微镜的粒子束在缺陷的修复期间将在图案元素的边缘处造成二次电子发射或二次离子发射的增加；举例来说，这可能会导致所谓“河床(river bedding)”。因此，在根据本发明的方法的协助下，所决定的修复形状的校正远远超出了现有技术。
至少一个校正值可考虑至少一个图案元素的横向尺寸。
处理与图案元素邻接的缺陷代表在沿边界的缺陷的校正程度与对邻接图案元素的损伤程度之间的折衷。通过考虑沿共同边界的图案元素的横向尺寸，有可能局部地优化此折衷。
在本申请案中，表述“图案元素的横向尺寸”表示图案元素在平行于光刻掩模的基板表面的平面中的范围。
至少一个校正值可考虑至少一个图案元素的至少一个转角。
除了邻接缺陷的图案元素的横向尺寸以外，修复形状的校正同样可考虑发生在图案元素的转角处的细节。
若转角突出到至少一个缺陷中，则相较于在图案元素的直线区域附近的校正值，该至少一个校正值可导致在至少一个图案元素的至少一个转角附近的修复形状的减少，和/或若至少一个缺陷突出到至少一个图案元素的转角中，则相较于在图案元素的直线区域附近的校正值，该至少一个校正值可导致在至少一个图案元素的至少一个转角附近的修复形状的增加。
至少一个校正值可考虑至少一个图案元素的横向尺寸和至少一个图案元素的至少一个转角。
决定至少一个校正值可更包含：考虑至少一个图案元素的厚度和/或材料组成。
与缺陷具有共同边界的图案元素的厚度对用于移除缺陷的缺陷处理程序有影响。图案元素的材料组成影响图案元素在缺陷校正程序期间中所遭受的损害的程度。此处所述的方法有利于在校正修复形状时考虑到该方面，以便找到缺陷校正与图案元素沿共同边界的变化之间的最佳可能的折衷。
决定至少一个校正值可更包含：考虑至少一个缺陷的厚度和/或材料组成。
厚度和材料组成对移除缺陷所需的费用具有决定性的影响。通过将这些参数包含在修复形状的校正值中，将优化缺陷的修复程序，同时最小化光掩模的损伤。
处理至少一个缺陷可包含：在至少一个缺陷的已校正修复形状上执行粒子束诱发蚀刻程序和/或粒子束诱发沉积程序。
过量材料形式的缺陷(例如图案元素的过量吸收体材料)(所谓的不透明缺陷)通常通过粒子束诱发蚀刻程序来处理。举例来说，可使用电子束及在电子束的入射位置处局部提供的一个或多个蚀刻气体来校正粒子束诱发蚀刻程序。举例来说，蚀刻气体可包含二氟化氙(XeF2)、卤素和/或含卤素的气体。
形式为缺少材料的缺陷(例如缺少图案元素的吸收体材料)(所谓的透明缺陷)通常通过粒子束诱发沉积程序来校正。举例来说，可使用电子束及在电子束的入射位置处局部提供的一个或多个沉积气体来校正粒子束诱发沉积程序。六羰基铬(Cr(CO)6)为沉积气体的示例。
决定至少一个校正值可包含在经验基础上近似至少一个校正值。为此，待分析的缺陷较佳为分配给具有不同参数的不同类别的缺陷。基于缺陷处理操作的推进次数，有可能更新缺陷的类别及其参数集。
决定至少一个校正值可包含分析测试掩模。
应用至少一个校正值可包含：通过校正修复形状的边缘的至少一个部分来减小修复形状的面积。
因此，修复形状的外轮廓局部地调整以适应缺陷本身及缺陷的周围环境。在此处，不仅考虑了邻接缺陷的周围环境，而且也考虑了位于处理程序的相互作用区域中的缺陷的周围环境。
决定至少一个校正值可包含结合前述的第2个和第3个实施例所述的至少一个校正值。
决定至少一个校正值可包含结合第1个实施例和第2个实施例所述的至少一个校正值。
结合来自两个实施例的至少一个校正值可包含线性结合。
决定至少一个校正值可包含：对没有接触至少一个图案元素的至少一个缺陷的边缘的至少一个部分进行平均；以及决定与至少一个缺陷的平均边缘的切线垂直的垂线，以确定平均边缘与没有接触至少一个缺陷的至少一个图案元素之间的距离以及至少一个缺陷在基板的表面上的横向范围。
决定至少一个校正值可包含：在接触至少一个缺陷的至少一个图案元素的区域中形成一垂线，用于决定至少一个缺陷的横向范围和接触至少一个缺陷的至少一个图案元素的横向范围。
计算机程序可包含指令，其中当指令由计算机系统执行时，指令促使计算机系统执行前文所解释的各方面的方法步骤。
在一示例性实施例中，用于确定用于处理光刻掩模的至少一个缺陷的修复形状的装置具有：(a)实施以确定修复形状的测量单元；(b)实施以决定用于至少一个缺陷的修复形状的至少一个校正值的计算单元，其中：(i)至少一个校正值考虑光刻掩模的至少一个图案元素的位置，该至少一个图案元素没有接触至少一个缺陷；(ii)至少一个校正值考虑在光刻掩模的基板表面上的至少一个缺陷的横向范围；和/或(iii)至少一个校正值考虑光刻掩模的至少一个图案元素的形式，该至少一个图案元素接触至少一个缺陷；以及其中(c)计算单元更实施以通过应用至少一个校正值来校正修复形状。
装置可实施以执行前述各方面的方法步骤。
附图说明
以下的详细描述将参考示图描述本发明目前较佳的示例性实施例，其中：
图1的右半图描述根据现有技术的光刻掩模的缺陷的修复形状的校正，且左半图示意地显示根据本申请所述的其中两个方法的修复形状的校正；
图2示意性地显示针对邻近图案元素的缺陷的修复形状的校正值，其中缺陷和图案元素的横向尺寸垂直于缺陷和图案元素的边界线变化；
图3示意性地指示修复形状的校正值，其中在缺陷接触图案元素的区域中，图案元素具有两个转角；
图4再现了测试结构的示意图，其用于决定用于测试缺陷的修复形状的校正值，其中测试缺陷邻接图案元素、具有阶梯状横向尺寸、且与不同的图案元素相距一距离；
图5显示移除测试缺陷后的图4的测试结构；以及
图6显示用于确定用于处理光刻掩模的缺陷的修复形状的方法的流程图。
具体实施方式
下面将更详细地解释根据本发明的方法和根据本发明的装置的较佳实施例。然而，根据本发明的方法并不限于以下解释的示例性应用。相反地，本文所述的方法可用于决定可能出现在所有类型的光掩模中的缺陷的修复形状。此外，本申请中描述的方法不限于校正光掩模的缺陷。而是，这些方法和相应的装置也可用于例如决定集成电路缺陷的修复形状。
图1的右半图(即在垂直线142的右侧)显示了根据现有技术的修复形状的校正。掩模100包含基板110及图案元素120和130。在图1的示例中，光掩模100为透射式掩模。掩模100的基板110通常包含石英。图案元素120及130基本上完全吸收在光刻掩模的光化学波长范围的光学辐射。图案元素120和130包含作为吸收材料的铬或不透明MoSiON基(钼硅氮氧化物)的吸收体。下文所述的用于决定修复形状的校正值的方法可用于所有类型的光掩模100，包含用于极紫外(EUV)波长范围的掩模及所谓的NIL掩模(即用于纳米压印技术的掩模(未示于图1))。
掩模100具有邻接图案元素120的缺陷140。举例来说，缺陷140可包含过量的吸收体材料(不透明缺陷)。若这适用，则缺陷140可具有与图案元素120、130实质相同的高度。然而，不透明缺陷140可具有任何高度。缺陷也有可能具有与图案元素120、130不同的材料或不同的材料组成。此外，缺陷140也可能为缺少吸收体材料的缺陷(透明缺陷；未示于图1中)。此外，缺陷140可包含过量或缺少的基板材料(同样未示于图1中)。
较佳使用检验工具来检测缺陷140并使用扫描粒子束显微镜(通常为扫描电子显微镜)来分析缺陷140。接着，比较缺陷位置与光掩模100的无缺陷位置，该无缺陷位置具有与由缺陷所困扰的位置相同的图案结构。或者，可比较缺陷位置与缺陷掩模区段的设计数据。缺陷140的修复形状145是通过从具有缺陷的区段减去无缺陷的掩模区段而获得。因此，修复形状145为缺陷140在掩模100的基板110的表面平面上的投射。在此表示中，修复形状的图像仅包含缺陷本身，而没有相应掩模区段的图案元素120和130。然而，为了说明，在图1的示例性表示中以及在随后的图中再现了图案元素120和130。扫描粒子束显微镜的计算单元可用于决定缺陷140的修复形状145。
如描述的引言部分中所解释的，基于修复形状145来处理缺陷140将导致对缺陷140的全面校正。然而，由于处理区的横向范围，缺陷处理会损害掩模100的基板110及邻接缺陷140的图案元素120。此外，处理缺陷140可能修改图案元素130，其与缺陷140没有共同的边界，而是至少部分地定位在缺陷140附近。
因此，在现有技术中校正缺陷140的修复形状145。这首先通过将缺陷140的修复形状145沿着缺陷140的边界相对于周围基板110校正一固定距离157来实现，使得校正的修复形状具有沿着基板110的新边界155。修复形状145的这种校正也称作边缘偏差。
修复形状145同样通过沿着缺陷140及图案元素120的共同边缘校正一固定值162，使得校正后的修复形状具有沿图案元素120的新边缘160。修复形状145的这种校正也表示为体积偏差。体积偏差及边缘偏差可具有相同的距离157和162。然而，距离157和162通常为用于修复形状145的不同校正值。因此，缺陷140的修复形状145具有两个校正值，在其协助下校正缺陷140的修复形状145的整个外轮廓。
图1的左半图显示了掩模100及缺陷140的掩模区段，其在垂直线142处轴向地镜像。现在使用此左半图来解释在本申请中所述的用于决定缺陷140的修复形状145的校正值的方法的部分。在第一步骤中，在修复形状145或邻接基板110的缺陷140的预定点165处决定边缘162的切线。若缺陷140不具有光滑边缘162(不同于图1所示)，则在确定切线之前对边缘162的预定部分进行平均。
因此，画出与切线垂直的垂线170，并决定其与图案元素120和130的交叉点。即使图案元素130没有与缺陷140的修复形状145直接接触，在确定修复形状145的校正值时也会考虑边缘162的点165的距离ai 175。在此处，局部校正值Ci 185的大小取决于图案元素130与在点165处的修复形状145的边缘162相距的距离ai 175：
Ci＝f1(ai) (1)
函数f1可以非线性的方式来考虑与图案元素130的距离ai。然而，对于第一次近似，f1为距离ai的线性函数。此外，校正值Ci可包含一恒定的校正贡献，然而其方程式(1)中被省略。为了校正值185的准确性，除了到图案元素130的距离ai以外，将修复形状145的边缘162的点165与图案元素120(其与缺陷140接触)之间的距离bi 180也考虑在内是有利的。这特别是在缺陷140的横向尺寸180为小(因此修复形状145的横向尺寸也小)的修复形状145的点处是重要的。因此，方程式(1)扩展为：
Ci＝f1(ai)+f2(bi) (2)
与现有技术不同，方程式(2)描述了缺陷140的局部空间相关的校正值185。方程式(2)的校正值185可补充为连续曲线190。在图1所示的示例中，校正值185和/或闭合曲线190用于产生校正的修复形状195。
也有可能仅考虑缺陷140的横向范围(即基于f2(bi))并忽略缺陷处理程序对图案元素130的影响来决定缺陷140的校正值。
类似于图1，图2显示掩模100的一区段。此示例应用于讨论沿图案元素220和缺陷240的共同边界决定缺陷240的修复形状的一部分。图2显示了图1的左半图，但有两点不同。首先，缺陷240在左边缘的形状与图1的缺陷140不同。其次，图案元素220具有与图1的图案元素120不同的形状。
为了决定修复形状的校正值，在边缘250的不同点265处确定与图案元素220的边缘250垂直的垂线270。距离di 275描述缺陷240的边缘262与缺陷240和图案元素220的共同边缘262的点265之间的距离。距离ei 280表示图案元素220的后端的边缘230与缺陷240和图案元素220的共同边缘250的点265之间的距离。基于这些定义，有可能引入校正值Ki285，其考虑缺陷240和图案元素220两者的局部横向范围：
Ki＝f3(di)+f4(ei) (3)
在点265处的沿缺陷240与图案元素220的共同边缘250的校正Ki 285可再次补充形成一连续线290。沿缺陷240与图案元素220之间的接触线的校正Ki 285和290为用于缺陷240的修复形状295的一部分。如在关于方程式(1)的讨论中所做的解释，方程式f3和f4可以非线性的方式考虑缺陷240的距离di和图案元素220的横向尺寸ei。然而，对第一次近似，将f3和f4考虑为横向尺寸di和ei的线性函数通常已足够。
只要尺寸di 275和ei 280远大于缺陷处理程序的处理区域的直径，单一校正值就足以在共同边界线的此区域中校正缺陷240的修复形状。图2中的右边缘处显示这种状况。在此限制情况下，此处讨论的修复形状295的校正合并到用于体积偏差的先前校正中。
在图2的中心图像区域中，缺陷240仅邻接图案元素220的窄网(narrow web)255。校正值Ki 285在此区域中显著增加，以避免在处理缺陷240时对在窄网255区域中的图案元素220造成不可修复的损坏。这意味着小距离ei以及函数f4决定在图案元素220的窄网255区域中的校正值Ki 285，也因此决定了修复形状295。
在图2的左侧的图像边缘区域中，首先，图案元素220的横向尺寸ei 280明显小于图2的右侧部分。其次，缺陷240的横向尺寸di 275在此区域中强烈变化。因此，校正值Ki 285取决于在图案元素220和缺陷240的共同边界的此部分中的方程式(3)的函数f3和f4。
基于沿光刻掩模100的基板110的图1的校正值195(即前述的边缘偏差)且基于沿缺陷240接触图案元素220的区域的图2的校正值295(即前述的体积偏差)，有可能确定缺陷的校正的修复形状，该校正的修复形状考虑缺陷140、240的横向尺寸以及缺陷140、240邻接的图案元素120、220的横向尺寸，并考虑不与缺陷140接触的图案元素130的距离。
图3以示例性的方式阐明了在图案元素具有转角的区域中对与缺陷接触的图案元素的修复形状的校正。图3显示了图1的左侧部分图像在图案元素120的转角及邻接图案元素120的缺陷140的区域的放大图。此外，图3显示了根据现有技术的校正。曲线160以固定距离162沿图案元素120及缺陷140的共同边界线330。图案元素120的转角P1和P2通过曲线160映像至转角P1’和P2’。
图3的曲线385显示若在决定修复形状的校正值时考虑两个转角P1和P2的区域中的缺陷处理问题的情况下的修复形状395的校正值385的轮廓。在图3所示的示例中，使用椭圆函数来决定两个转角P1和P2的区域中的校正值。转角Pn的角度αn作为一参数。在缺陷140的区域中(即在图案元素120之外)测量转角Pn的角度αn。从图3可看出，与现有技术的校正值相比，角度1°≤αn≤179°产生椭圆的减少部分。相比之下，范围181°≤αn≤359°的角度与现有技术的校正值相比产生了椭圆的增加部分。针对α1＝270°和α2＝90°，减少的椭圆部分及增加的椭圆部分的参数在第一次近似下为相同的。特征化椭圆部分的参数是通过实验决定的。
描述体积偏差(即邻接图案元素120的缺陷140的修复形状295的校正)的方程式(3)通过转角校正而扩展：
Ki′＝Ki+f5(αn) (4)
其中Ki表示方程式(3)的校正值。
正确决定沿共同边界线330或图案元素120的边缘330的缺陷140的修复形状395的曲线对修复缺陷140来说是非常重要的。用于修复缺陷140的粒子束在边缘330的区域中可具有增加的二次电子发射速率，当其入射在光刻掩模的基板110上时可能造成所谓的“河床”。
通过使用校正值Ci 190和Ki 290或Ki’，可将缺陷140、240的修复形状195、295校正到最佳可能的程度，而不会显著地损坏基板110或图案元素120、130、220。
图4中的示意图400示意性地显示了用于决定方程式(2)的校正值Ci及方程式(3)的校正值Ki的测试结构410。测试结构410包含两个图案元素420和430以及由吸收材料制成的测试缺陷440，其以图4所指定的形式沉积在测试结构410的基板110上。测试缺陷440邻接图案元素430并具有横向尺寸475，横向尺寸475从左向右以阶梯状的方式增加，直到测试缺陷440以在图4的右边缘处的最后一阶梯接触图案元素420。测试缺陷440产生修复形状445。在粒子束诱发蚀刻程序的协助下将测试缺陷440从测试结构410的基板110移除。在此处，测试缺陷440的处理程序基于未校正的修复形状445。
图5中的示意图500显示了在基于未校正的修复形状445来蚀刻测试缺陷440后的图4的测试结构410。在此处，只考虑粒子束诱发的蚀刻程序对测试结构410的图案元素420和430的影响。测试缺陷440的处理程序对测试结构的基板110的不利影响仍未被考虑。由于非点状的处理区域，未校正的修复形状445的蚀刻程序延伸超过修复形状。这意味着相较于原始图案元素420和430的边缘550，在测试缺陷440接近图案元素520和530或测试缺陷440接触图案元素520和530的一部分的区域中，图案元素520和530也同样在粒子束诱发蚀刻程序中被移除。方程式(2)的校正值Ci可从已移除部分540和545或相对原始图案元素420和430的偏离540和545来决定。
图5中的图案元素520和530通过相对于原始图案元素420和430的偏离540和545来阐明处理程序对测试缺陷440的横向尺寸的相依性。方程式(3)的校正值Ki可基于图案元素520和530的处理程序诱发偏离540和545来决定。
图6中的流程图600显示用于确定用于处理光刻掩模的缺陷的修复形状的方法。方法开始于步骤610。在第二步骤620中，决定至少一个缺陷的修复形状的至少一个校正值，其中：
(i)校正值考虑光刻掩模的至少一个图案元素的位置，该至少一个图案元素不接触至少一个缺陷；
(ii)校正值考虑在光刻掩模的基板表面上的至少一个缺陷的横向范围；和/或
(iii)校正值考虑光刻掩模的至少一个图案元素的形式，该至少一个图案元素接触至少一个缺陷。
在接下来的步骤630中，通过应用至少一个校正值来校正修复形状。方法最后结束于步骤640。
Claims (21)
1.一种用于确定用于处理光刻掩模(100)的至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的方法，其中该方法包含以下步骤：
a.决定该至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的至少两个局部空间相关的校正值(185)，其中该至少两个局部空间相关的校正值为不同的值，该至少两个局部空间相关的校正值(185)考虑该光刻掩模(100)的至少一个图案元素(130)的位置(175)，该至少一个图案元素没有接触该至少一个缺陷(140)；以及
b.通过应用该至少两个局部空间相关的校正值(185)来校正该修复形状(195)。
2.一种用于确定用于处理光刻掩模(100)的至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的方法，其中该方法包含以下步骤：
a.决定该至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的至少两个局部空间相关的校正值(185)，其中该至少两个局部空间相关的校正值为不同的值，该至少两个局部空间相关的校正值(185)考虑该至少一个缺陷(140)在该光刻掩模(100)的基板(110)的表面上的横向范围(180)；以及
b.通过应用该至少两个局部空间相关的校正值(185)来校正该修复形状(195)。
3.一种用于确定用于处理光刻掩模(100)的至少一个缺陷(240)的修复形状(295)的方法，其中该方法包含以下步骤：
a.决定该至少一个缺陷(240)的修复形状(295、395)的至少两个局部空间相关的校正值(285、385)，其中该至少两个局部空间相关的校正值为不同的值，该至少两个局部空间相关的校正值(285、385)考虑该光刻掩模(100)的至少一个图案元素(220)的形式，该至少一个图案元素接触该至少一个缺陷(140、240)；以及
b.通过应用该至少两个局部空间相关的校正值(285、385)来校正该修复形状(295)。
4.如权利要求3所述的方法，其中该至少两个局部空间相关的校正值(285)考虑该至少一个图案元素(220)的横向尺寸(280)。
5.如权利要求3所述的方法，其中该至少两个局部空间相关的校正值(385)考虑该至少一个图案元素(220)的至少一个转角(340、350)。
6.如权利要求5所述的方法，其中若该转角(350)突出到该至少一个缺陷(140)中，则相较于在该图案元素(120)的直线区域附近的校正值，该至少两个局部空间相关的校正值(385)导致在该至少一个图案元素(120)的该至少一个转角(350)附近的修复形状(395)的减小，和/或其中若该至少一个缺陷(140)突出到该至少一个图案元素(120)的转角(340)中，则相较于在该图案元素(120)的直线区域附近的校正值，该至少两个局部空间相关的校正值(385)导致在该至少一个图案元素(120)的至少一个转角(340)附近的修复形状(395)的增加。
7.如权利要求4或5所述的方法，其中该至少两个局部空间相关的校正值(285、385)考虑该至少一个图案元素(220)的横向尺寸(280)和该至少一个图案元素(120、220)的至少一个转角(340、350)。
8.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中决定该至少两个局部空间相关的校正值(185、285、385)还包含：考虑该至少一个图案元素(120、130、220)的厚度和/或材料组成。
9.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中决定该至少两个局部空间相关的校正值(185、285、385)还包含：考虑该至少一个缺陷(140、240)的厚度和/或材料组成。
10.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中处理该至少一个缺陷(140、240)包含：在该至少一个缺陷(140、240)的校正的修复形状(195、295、395)上执行粒子束诱发蚀刻程序和/或粒子束诱发沉积程序。
11.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中决定该至少两个局部空间相关的校正值(185、285、385)包含分析测试掩模(410、610)。
12.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中应用该至少两个局部空间相关的校正值(185、285、385)包含：通过校正该修复形状(195、295、395)的边缘的至少一部分来减小该修复形状(195、295、395)的面积。
13.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中决定该至少两个局部空间相关的校正值(185、285、385)包含结合权利要求2和3所述的至少两个局部空间相关的校正值(185、285、385)。
14.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中决定该至少两个局部空间相关的校正值(185、285、385)包含结合权利要求1和2所述的至少两个局部空间相关的校正值(185)。
15.如权利要求13所述的方法，其中结合两项权利要求的至少两个局部空间相关的校正值(185、285、385)包含线性结合。
16.如权利要求14所述的方法，其中结合两项权利要求的至少两个局部空间相关的校正值包含线性结合。
17.如权利要求1或2所述的方法，其中决定该至少两个局部空间相关的校正值(185、285、385)包含：对没有接触该至少一个图案元素(130)的至少一个缺陷(140)的边缘(162)的至少一部分进行平均；以及决定与该至少一个缺陷(140)的平均边缘的切线垂直的垂线，以确定该平均边缘与没有接触该至少一个缺陷的至少一个图案元素(130)之间的距离(175)以及该至少一个缺陷(140)在该基板(110)的表面上的横向范围(180)。
18.如权利要求2或3所述的方法，其中决定该至少两个局部空间相关的校正值(185、285、385)包含：在接触该至少一个缺陷(140、240)的至少一个图案元素(120、220)的区域中形成一垂线，用于决定该至少一个缺陷(140、240)的横向范围(180、270)与接触该至少一个缺陷(140、240)的至少一个图案元素(120、220)的横向范围(180、270)。
19.一种计算机可读存储介质，包括包含指令的程序，当该指令由计算机系统执行时，该指令促使该计算机系统执行权利要求1至18中任一项所述的方法步骤。
20.一种用于确定用于处理光刻掩模(100)的至少一个缺陷(140、240)的修复形状(195、295、395)的装置，该装置具有：
a.测量单元，其实施以确定该修复形状(145)；
b.计算单元，其实施以决定用于该至少一个缺陷(140、240)的修复形状(195、295、395)的至少两个局部空间相关的校正值(185、285、385)，其中该至少两个局部空间相关的校正值为不同的值，其中：
(i)该至少两个局部空间相关的校正值(185)考虑该光刻掩模(100)的至少一个图案元素(130)的位置，该至少一个图案元素没有接触该至少一个缺陷(140)；
(ii)该至少两个局部空间相关的校正值(185)考虑在该光刻掩模(100)的基板(110)的表面上的该至少一个缺陷(140)的横向范围(180)；和/或
(iii)该至少两个局部空间相关的校正值(285、385)考虑该光刻掩模(100)的至少一个图案元素(120、220)的形式，该至少一个图案元素接触该至少一个缺陷(140、240)；以及其中
c.该计算单元更实施以通过应用该至少两个局部空间相关的校正值(185、285、385)来校正该修复形状(195、295、395)。
21.如权利要求20所述的装置，其实施以执行权利要求1至18中任一项所述的方法步骤。
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