JP2003228161A - マスクの欠陥修正方法 - Google Patents
マスクの欠陥修正方法Info
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- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオンビーム欠陥修正装置で欠陥の3次元的
形状に応じた加工が行えるようにし、高精度かつ高品位
なマスクの欠陥修正を可能にする。 【解決手段】 原子間力顕微鏡による欠陥の3次元計測
と形状シミュレーションとを組み合わせて欠陥修正に必
要なイオンビーム照射量分布を求め、計算された照射量
分布に従って、ガス銃6から黒欠陥修正時にはアシスト
ガスを供給しながら、白欠陥修正時には遮蔽膜原料ガス
を供給しながら、イオンビーム5の選択的走査を行って
欠陥3の高精度かつ高品位な欠陥修正を行う。
形状に応じた加工が行えるようにし、高精度かつ高品位
なマスクの欠陥修正を可能にする。 【解決手段】 原子間力顕微鏡による欠陥の3次元計測
と形状シミュレーションとを組み合わせて欠陥修正に必
要なイオンビーム照射量分布を求め、計算された照射量
分布に従って、ガス銃6から黒欠陥修正時にはアシスト
ガスを供給しながら、白欠陥修正時には遮蔽膜原料ガス
を供給しながら、イオンビーム5の選択的走査を行って
欠陥3の高精度かつ高品位な欠陥修正を行う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトマスクまたは
レチクルの欠陥修正方法に関するものである。
レチクルの欠陥修正方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】Si半導体集積回路の微細化はめざまし
く、それに伴って転写に用いるフォトマスクまたはレチ
クル上のパターン寸法も微細になってきている。縮小投
影露光装置はこの要請に対して高NA化と短波長化で対応
してきた。微細化の前倒しが求められる現在では、縮小
投影露光装置はそのままで、解像力と焦点深度を向上さ
せるために、超解像技術の一種である位相シフトマスク
も用いられるようになってきている。フォトマスクまた
はレチクル上に欠陥が存在すると、欠陥がウェーハに転
写されて歩留まりを減少する原因となるので、ウェーハ
にマスクパターンを転写する前に欠陥検査装置によりフ
ォトマスクまたはレチクルの欠陥の有無や存在場所が調
べられ、欠陥が存在する場合にはウェーハへ転写する前
に欠陥修正装置により欠陥修正処理が行われている。上
記のような技術的な趨勢により、フォトマスクまたはレ
チクルの欠陥修正にも小さな欠陥への対応が求められて
いる。液体金属Gaイオン源を用いた集束イオンビーム装
置は、その微細な加工寸法によりレーザーを用いた欠陥
修正装置に代わりマスク修正装置の主流となってきてい
る。上記のイオンビームを用いた欠陥修正装置では、白
欠陥修正時には表面に吸着した原料ガスを細く絞ったイ
オンビームが当たった所だけ分解させて薄膜を形成し(F
IB-CVD)、また黒欠陥修正時には集束したイオンビーム
によるスパッタリング効果またはアシストガス存在下で
細く絞ったイオンビームが当たった所だけエッチングす
る効果を利用して、高い加工精度を実現している。
く、それに伴って転写に用いるフォトマスクまたはレチ
クル上のパターン寸法も微細になってきている。縮小投
影露光装置はこの要請に対して高NA化と短波長化で対応
してきた。微細化の前倒しが求められる現在では、縮小
投影露光装置はそのままで、解像力と焦点深度を向上さ
せるために、超解像技術の一種である位相シフトマスク
も用いられるようになってきている。フォトマスクまた
はレチクル上に欠陥が存在すると、欠陥がウェーハに転
写されて歩留まりを減少する原因となるので、ウェーハ
にマスクパターンを転写する前に欠陥検査装置によりフ
ォトマスクまたはレチクルの欠陥の有無や存在場所が調
べられ、欠陥が存在する場合にはウェーハへ転写する前
に欠陥修正装置により欠陥修正処理が行われている。上
記のような技術的な趨勢により、フォトマスクまたはレ
チクルの欠陥修正にも小さな欠陥への対応が求められて
いる。液体金属Gaイオン源を用いた集束イオンビーム装
置は、その微細な加工寸法によりレーザーを用いた欠陥
修正装置に代わりマスク修正装置の主流となってきてい
る。上記のイオンビームを用いた欠陥修正装置では、白
欠陥修正時には表面に吸着した原料ガスを細く絞ったイ
オンビームが当たった所だけ分解させて薄膜を形成し(F
IB-CVD)、また黒欠陥修正時には集束したイオンビーム
によるスパッタリング効果またはアシストガス存在下で
細く絞ったイオンビームが当たった所だけエッチングす
る効果を利用して、高い加工精度を実現している。
【0003】従来のCrバイナリマスクでは、Crの二次イオン
信号をモニターすることで、エッチングの終点検出を行
っていた。解像力と焦点深度を向上させるために導入さ
れたMoSiON、TaSiO、ZrSiO等のハーフトーンマスク材料
では、短波長化に伴い、光を遮蔽するMo、Ta、Zrといっ
た金属の含有量が少なくなってきている。そのため、M
o、Ta、Zrの二次イオン信号をモニターしていても感度
の高い終点検出は難しく、欠陥の三次元的形状に応じた
イオンビーム照射量の細かい制御が必要になってきてい
る。ガラス掘り込み型のレベンソンマスクに関してはガ
ラス基板そのものを掘りこんで作製されているため、二
次イオンで終点検出を行うことは原理的に不可能で、欠
陥の3次元的形状に応じたイオンビーム照射量の細かい
制御が必要になってきている。
信号をモニターすることで、エッチングの終点検出を行
っていた。解像力と焦点深度を向上させるために導入さ
れたMoSiON、TaSiO、ZrSiO等のハーフトーンマスク材料
では、短波長化に伴い、光を遮蔽するMo、Ta、Zrといっ
た金属の含有量が少なくなってきている。そのため、M
o、Ta、Zrの二次イオン信号をモニターしていても感度
の高い終点検出は難しく、欠陥の三次元的形状に応じた
イオンビーム照射量の細かい制御が必要になってきてい
る。ガラス掘り込み型のレベンソンマスクに関してはガ
ラス基板そのものを掘りこんで作製されているため、二
次イオンで終点検出を行うことは原理的に不可能で、欠
陥の3次元的形状に応じたイオンビーム照射量の細かい
制御が必要になってきている。
【0004】更にパターンの微細化と縮小投影露光装置の高
NA化により、リバーベッドと呼ばれるエッチング時に欠
陥の周辺に生ずるガラス基板のオーバーエッチングに対
する許容度が厳しくなってきている。上記のような二次
イオン信号のモニターによる終点検出を行っても、欠陥
の端では角度効果によりエッチレートが大きいため、ど
うしてもオーバーエッチングになりやすくリバーベッド
を回避することができない。リバーベッドを回避するた
めにもイオンビーム照射量の細かい制御が必要になって
きている。
NA化により、リバーベッドと呼ばれるエッチング時に欠
陥の周辺に生ずるガラス基板のオーバーエッチングに対
する許容度が厳しくなってきている。上記のような二次
イオン信号のモニターによる終点検出を行っても、欠陥
の端では角度効果によりエッチレートが大きいため、ど
うしてもオーバーエッチングになりやすくリバーベッド
を回避することができない。リバーベッドを回避するた
めにもイオンビーム照射量の細かい制御が必要になって
きている。
【0005】従来のCrバイナリマスクの膜厚不足の白欠陥
(ハーフトーン欠陥)は、凹凸があっても必要とされる以
上の膜厚の遮蔽膜を形成することで修正されてきた。し
かし、ハーフトーン材料のマスクでは膜厚にばらつきが
あっても修正個所の透過率を一定にする必要がある。凹
凸があっても必要とされる透過率の遮蔽膜を堆積するた
めに3次元的なイオンビーム照射量の細かい制御を伴っ
たFIB-CVDが必要になってきている。
(ハーフトーン欠陥)は、凹凸があっても必要とされる以
上の膜厚の遮蔽膜を形成することで修正されてきた。し
かし、ハーフトーン材料のマスクでは膜厚にばらつきが
あっても修正個所の透過率を一定にする必要がある。凹
凸があっても必要とされる透過率の遮蔽膜を堆積するた
めに3次元的なイオンビーム照射量の細かい制御を伴っ
たFIB-CVDが必要になってきている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】イオンビーム欠陥修正
装置で欠陥の3次元的形状に応じた加工が行えるように
し、高精度かつ高品位なマスクの欠陥修正を可能にしよ
うとするものである。
装置で欠陥の3次元的形状に応じた加工が行えるように
し、高精度かつ高品位なマスクの欠陥修正を可能にしよ
うとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】原子間力顕微鏡による3
次元計測と形状シミュレーションとを組み合わせて欠陥
修正に必要なイオンビーム照射量分布を求め、計算され
た照射量分布に従ってイオンビームの選択的走査を行っ
て欠陥を修正する。シミュレーションと実際の加工のず
れを補正するために、加工中に加工を中断し、加工中の
欠陥に対して原子間力顕微鏡による3次元計測を行い、
黒欠陥もしくは白欠陥のそれぞれの場合に対応する修正
すべき3次元形状を求め、その形状が実現するようなイ
オンビームの照射量分布を計算し直して、イオンビーム
による修正加工を再開することを繰り返して高精度かつ
高品位な欠陥修正を行う。
次元計測と形状シミュレーションとを組み合わせて欠陥
修正に必要なイオンビーム照射量分布を求め、計算され
た照射量分布に従ってイオンビームの選択的走査を行っ
て欠陥を修正する。シミュレーションと実際の加工のず
れを補正するために、加工中に加工を中断し、加工中の
欠陥に対して原子間力顕微鏡による3次元計測を行い、
黒欠陥もしくは白欠陥のそれぞれの場合に対応する修正
すべき3次元形状を求め、その形状が実現するようなイ
オンビームの照射量分布を計算し直して、イオンビーム
による修正加工を再開することを繰り返して高精度かつ
高品位な欠陥修正を行う。
【0008】ハーフトーン欠陥のような白欠陥修正に関して
は、FIB-CVDで形成されるデポジション膜はイオンビー
ムのビームプロファイルに強く依存し、イオンビームの
テール部分の効果によるハロー成分以外は、原子間力顕
微鏡測定などからその形状はガウシアン分布の重ね合わ
せと見なすことができることが知られている。デポジシ
ョン膜はガウシアン分布の重ね合わせと近似して形状シ
ミュレーションを行い、原子間力顕微鏡観察から求めた
修正すべき3次元形状が実現できるようなイオンビーム
の照射量分布を求める。黒欠陥修正に関しては、イオン
ビームによるエッチング形状は、イオンビームのビーム
プロファイルと角度効果に強く影響され、ガウシアン分
布の重ね合わせと角度効果を考慮したシミュレーション
と良く一致することが報告されており(J. Vac. Sci. Te
chnol B17, 3085(1999))、原子間力顕微鏡観察から求め
た修正すべき3次元形状が実現するようなイオンビーム
照射量分布を求める。
は、FIB-CVDで形成されるデポジション膜はイオンビー
ムのビームプロファイルに強く依存し、イオンビームの
テール部分の効果によるハロー成分以外は、原子間力顕
微鏡測定などからその形状はガウシアン分布の重ね合わ
せと見なすことができることが知られている。デポジシ
ョン膜はガウシアン分布の重ね合わせと近似して形状シ
ミュレーションを行い、原子間力顕微鏡観察から求めた
修正すべき3次元形状が実現できるようなイオンビーム
の照射量分布を求める。黒欠陥修正に関しては、イオン
ビームによるエッチング形状は、イオンビームのビーム
プロファイルと角度効果に強く影響され、ガウシアン分
布の重ね合わせと角度効果を考慮したシミュレーション
と良く一致することが報告されており(J. Vac. Sci. Te
chnol B17, 3085(1999))、原子間力顕微鏡観察から求め
た修正すべき3次元形状が実現するようなイオンビーム
照射量分布を求める。
【0009】
【作用】原子間力顕微鏡による3次元計測を行うことに
より、エッチング必要な3次元的な領域が把握でき、ガ
ウシアン分布の重ね合わせとしてシミュレーションで照
射分布を求めて加工することで、終点検出が難しい材料
のマスクであっても削り残しやオーバーエッチングのな
い黒欠陥修正が行える。また角度効果も考慮したシミュ
レーションでイオンビームの照射量を決めて加工するた
め、角度効果に起因するリバーベッドも小さくすること
ができる。シミュレーションと実際の加工結果がずれて
いても、加工途中で加工を止めて原子間力顕微鏡による
3次元計測を行い、その形状でシミュレーションをし直
して照射分布を求めて再び加工を開始することを繰り返
すことにより、精度の高い黒欠陥修正が行える。
より、エッチング必要な3次元的な領域が把握でき、ガ
ウシアン分布の重ね合わせとしてシミュレーションで照
射分布を求めて加工することで、終点検出が難しい材料
のマスクであっても削り残しやオーバーエッチングのな
い黒欠陥修正が行える。また角度効果も考慮したシミュ
レーションでイオンビームの照射量を決めて加工するた
め、角度効果に起因するリバーベッドも小さくすること
ができる。シミュレーションと実際の加工結果がずれて
いても、加工途中で加工を止めて原子間力顕微鏡による
3次元計測を行い、その形状でシミュレーションをし直
して照射分布を求めて再び加工を開始することを繰り返
すことにより、精度の高い黒欠陥修正が行える。
【00010】ハーフトーンマスクの膜厚不足による凹凸が
ある白欠陥に対しても、原子間力顕微鏡による3次元計
測を行って必要とされる透過率を得るための膜厚分布を
求め、その膜厚分布を実現するのに必要なイオンビーム
照射量分布をシミュレーションで求めて加工すれば、凹
凸がある膜厚不足白欠陥の修正個所の透過率を一定にし
た欠陥修正を行うことができる。シミュレーションと実
際の加工結果がずれていても、加工途中で加工を止めて
原子間力顕微鏡による3次元計測を行い、その形状でシ
ミュレーションをし直してイオンビームの照射分布を求
めて再び加工を開始することを繰り返せば、精度の高い
白欠陥修正が行える。
ある白欠陥に対しても、原子間力顕微鏡による3次元計
測を行って必要とされる透過率を得るための膜厚分布を
求め、その膜厚分布を実現するのに必要なイオンビーム
照射量分布をシミュレーションで求めて加工すれば、凹
凸がある膜厚不足白欠陥の修正個所の透過率を一定にし
た欠陥修正を行うことができる。シミュレーションと実
際の加工結果がずれていても、加工途中で加工を止めて
原子間力顕微鏡による3次元計測を行い、その形状でシ
ミュレーションをし直してイオンビームの照射分布を求
めて再び加工を開始することを繰り返せば、精度の高い
白欠陥修正が行える。
【00011】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施例につい
て説明する。白欠陥もしくは黒欠陥を含むフォトマスク
またはレチクル11を図4に示すような原子間力顕微鏡13
とイオンビーム欠陥修正装置14を複合した装置の真空チ
ャンバ内に導入し、欠陥検査装置の座標情報により欠陥
が原子間力顕微鏡探針4の直下にくるようにステージ12
を移動する。まず原子間力顕微鏡13により欠陥を含む領
域を観察して欠陥の3次元的な形状を認識する(図1
(a))。認識した欠陥の3次元形状から修正すべき3次元形
状を求める。白欠陥修正で形成されるデポジション膜の
形状は、ガウシアン分布の重ね合わせとして近似するこ
とができるので、原子間力顕微鏡観察から求めた修正す
べき3次元形状が実現するようなイオンビーム照射量分
布を形状シミュレーションの逆問題を解く形で求める
(図1(b))。黒欠陥修正の場合には、イオンビームによる
エッチング形状が、ガウシアン分布の重ね合わせと角度
効果を考慮したシミュレーションとかなり一致するの
で、白欠陥のときと同様に原子間力顕微鏡観察から求め
た修正すべき3次元形状が実現するようなイオンビーム
照射量分布を求める(図1(c))。次にステージを修正しよ
うとしている欠陥がイオンビーム欠陥修正装置14の直下
に来るように移動し、二次電子検出器15で二次電子16を
検出して欠陥を含む領域の二次電子像観察を行い欠陥領
域を認識し、ガス銃6から黒欠陥の場合にはGa注入によ
る修正個所の透過率低下を防ぐために沃素のようなアシ
ストガスを、白欠陥の場合にはナフタレンやフェナント
レンのようなハローの少ない遮蔽膜原料ガスを流しなが
ら、原子間力顕微鏡観察から求めた修正すべき3次元形
状が実現できるようなイオンビーム照射量分布になるよ
うに選択的な走査を行って欠陥を修正する(図1(d))。イ
オンビーム欠陥修正装置14での欠陥認識や加工時には、
チャージアップを防止するために、電荷中和用電子銃17
の電子ビーム18を照射し、イオンビーム5の電荷を中和
する。
て説明する。白欠陥もしくは黒欠陥を含むフォトマスク
またはレチクル11を図4に示すような原子間力顕微鏡13
とイオンビーム欠陥修正装置14を複合した装置の真空チ
ャンバ内に導入し、欠陥検査装置の座標情報により欠陥
が原子間力顕微鏡探針4の直下にくるようにステージ12
を移動する。まず原子間力顕微鏡13により欠陥を含む領
域を観察して欠陥の3次元的な形状を認識する(図1
(a))。認識した欠陥の3次元形状から修正すべき3次元形
状を求める。白欠陥修正で形成されるデポジション膜の
形状は、ガウシアン分布の重ね合わせとして近似するこ
とができるので、原子間力顕微鏡観察から求めた修正す
べき3次元形状が実現するようなイオンビーム照射量分
布を形状シミュレーションの逆問題を解く形で求める
(図1(b))。黒欠陥修正の場合には、イオンビームによる
エッチング形状が、ガウシアン分布の重ね合わせと角度
効果を考慮したシミュレーションとかなり一致するの
で、白欠陥のときと同様に原子間力顕微鏡観察から求め
た修正すべき3次元形状が実現するようなイオンビーム
照射量分布を求める(図1(c))。次にステージを修正しよ
うとしている欠陥がイオンビーム欠陥修正装置14の直下
に来るように移動し、二次電子検出器15で二次電子16を
検出して欠陥を含む領域の二次電子像観察を行い欠陥領
域を認識し、ガス銃6から黒欠陥の場合にはGa注入によ
る修正個所の透過率低下を防ぐために沃素のようなアシ
ストガスを、白欠陥の場合にはナフタレンやフェナント
レンのようなハローの少ない遮蔽膜原料ガスを流しなが
ら、原子間力顕微鏡観察から求めた修正すべき3次元形
状が実現できるようなイオンビーム照射量分布になるよ
うに選択的な走査を行って欠陥を修正する(図1(d))。イ
オンビーム欠陥修正装置14での欠陥認識や加工時には、
チャージアップを防止するために、電荷中和用電子銃17
の電子ビーム18を照射し、イオンビーム5の電荷を中和
する。
【0012】ハーフトーンマスクの膜厚不足による凹凸があ
る白欠陥に対して、原子間力顕微鏡による3次元計測を
行って必要とされる透過率を得るための膜厚分布を求
め、その膜厚分布を実現するのに必要なイオンビーム照
射量分布をシミュレーションで求めて加工しているの
で、凹凸がある膜厚不足白欠陥の修正個所の透過率を一
定にした欠陥修正を行うことができる。黒欠陥修正に対
しては、原子間力顕微鏡による欠陥の3次元計測を行う
ことにより、エッチング必要な3次元的な領域が把握で
き、ガウシアン分布の重ね合わせとしてシミュレーショ
ンでイオンビームの照射分布を求めて加工することで、
終点検出が難しい材料のマスクであっても削り残しやオ
ーバーエッチングのない黒欠陥修正が行える。また角度
効果も考慮したシミュレーションでイオンビームの照射
量を決めて加工するため、角度効果に起因するリバーベ
ッドも小さくすることができる。
る白欠陥に対して、原子間力顕微鏡による3次元計測を
行って必要とされる透過率を得るための膜厚分布を求
め、その膜厚分布を実現するのに必要なイオンビーム照
射量分布をシミュレーションで求めて加工しているの
で、凹凸がある膜厚不足白欠陥の修正個所の透過率を一
定にした欠陥修正を行うことができる。黒欠陥修正に対
しては、原子間力顕微鏡による欠陥の3次元計測を行う
ことにより、エッチング必要な3次元的な領域が把握で
き、ガウシアン分布の重ね合わせとしてシミュレーショ
ンでイオンビームの照射分布を求めて加工することで、
終点検出が難しい材料のマスクであっても削り残しやオ
ーバーエッチングのない黒欠陥修正が行える。また角度
効果も考慮したシミュレーションでイオンビームの照射
量を決めて加工するため、角度効果に起因するリバーベ
ッドも小さくすることができる。
【0013】また上記実施例の欠陥修正手順において、黒欠
陥もしくは白欠陥修正加工中に加工を中断し、フォトマ
スクまたはレチクル11と搭載したステージ12を原子間力
顕微鏡13の位置に移動し、加工中の欠陥に対して原子間
力顕微鏡13による3次元計測を行い(黒欠陥修正の場合：
図2(d)、白欠陥修正の場合：を図3(d))、黒欠陥もしく
は白欠陥のそれぞれの場合で修正すべき3次元形状を求
め、その形状が実現するようなイオンビームの照射量分
布を計算し直す(黒欠陥修正の場合：図2(e)、白欠陥修
正の場合：を図3(e))。フォトマスクまたはレチクル11
と搭載したステージ12をイオンビーム欠陥修正装置14の
位置に戻して修正加工を再開し(黒欠陥修正の場合：図2
(f)、白欠陥修正の場合：を図3(f))、シミュレーション
と実際の形状のずれが小さくなるようにすれば、更に高
精度かつ高品位な欠陥修正を行うことができる。
陥もしくは白欠陥修正加工中に加工を中断し、フォトマ
スクまたはレチクル11と搭載したステージ12を原子間力
顕微鏡13の位置に移動し、加工中の欠陥に対して原子間
力顕微鏡13による3次元計測を行い(黒欠陥修正の場合：
図2(d)、白欠陥修正の場合：を図3(d))、黒欠陥もしく
は白欠陥のそれぞれの場合で修正すべき3次元形状を求
め、その形状が実現するようなイオンビームの照射量分
布を計算し直す(黒欠陥修正の場合：図2(e)、白欠陥修
正の場合：を図3(e))。フォトマスクまたはレチクル11
と搭載したステージ12をイオンビーム欠陥修正装置14の
位置に戻して修正加工を再開し(黒欠陥修正の場合：図2
(f)、白欠陥修正の場合：を図3(f))、シミュレーション
と実際の形状のずれが小さくなるようにすれば、更に高
精度かつ高品位な欠陥修正を行うことができる。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、原
子間力顕微鏡による形状観察からシミュレーションで必
要なイオンビームの照射分布を求めてイオンビーム欠陥
修正装置で加工することで、欠陥の3次元的形状に応じ
た加工ができるので、高精度かつ高品位なマスクの欠陥
修正を行うことができる。
子間力顕微鏡による形状観察からシミュレーションで必
要なイオンビームの照射分布を求めてイオンビーム欠陥
修正装置で加工することで、欠陥の3次元的形状に応じ
た加工ができるので、高精度かつ高品位なマスクの欠陥
修正を行うことができる。
【図１】本発明の特徴を最も良く表す概念図である。
【図２】黒欠陥修正の途中でフィードバックをかける場
合を説明する概念図である。
合を説明する概念図である。
【図３】白欠陥修正の途中でフィードバックをかける場
合を説明する概念図である。
合を説明する概念図である。
【図４】実施例を説明するための概念図である。
１ 正常パターン
２ ガラス基板
３ 黒欠陥もしくは白欠陥(ハーフトーン欠陥)
４ 原子間力顕微鏡探針
５ イオンビーム
６ ガス銃
７ アシストエッチングガス供給用ガス銃
８ 修正途中の黒欠陥
９ 遮蔽膜原料ガス供給用ガス銃
１０ 堆積途中の遮蔽膜
１１ フォトマスクまたはレチクル
１２ ステージ
１３ 原子間力顕微鏡
１４ イオンビーム欠陥修正装置
１５ 二次電子検出器
１６ 二次電子
１７ 電荷中和用電子銃
１８ 電子ビーム
Claims (4)
- 【請求項１】 イオンビーム欠陥修正装置と原子間力顕
微鏡を複合した装置によるマスク欠陥修正方法におい
て、原子間力顕微鏡で高さ情報も含めた欠陥情報を取得
し、該取得した情報から修正すべき3次元的な形状を導
出し、シミュレーションにより上記形状となるようなイ
オンビーム修正装置でのイオンビーム照射量分布を求
め、該求めた照射量分布に従ってイオンビーム修正装置
で欠陥を修正することを特徴とするマスクの欠陥修正方
法。 - 【請求項２】 請求項1記載のマスクの欠陥修正方法に
おいて、加工の途中で修正中の欠陥の原子間力顕微鏡に
よる3次元の欠陥情報を取得し、その情報に基づいてシ
ミュレーションによるイオンビーム照射量分布計算をや
り直し、イオンビーム照射分布にフィードバックをかけ
て加工することを特徴とするマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のマスクの欠陥修
正方法において、白欠陥修正に必要なデポジション膜を
ガウシアン分布の重ね合わせと見なしてシミュレーショ
ンを行い、修正時のイオンビーム照射量分布を求めるこ
とを特徴とするマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項４】 請求項１または２記載のマスクの欠陥修
正方法において、黒欠陥のエッチングすべき形状をガウ
シアン分布の重ね合わせと角度効果を考慮したシミュレ
ーションから修正に必要なイオンビーム照射量分布を求
めることを特徴とするマスクの欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002025638A JP2003228161A (ja) | 2002-02-01 | 2002-02-01 | マスクの欠陥修正方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002025638A JP2003228161A (ja) | 2002-02-01 | 2002-02-01 | マスクの欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003228161A true JP2003228161A (ja) | 2003-08-15 |
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ID=27747728
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
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