CN111736424A - 掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法 - Google Patents

掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法，不用使掩模在掩模缺陷修正装置与检查装置之间一边暴露在大气中一边移动，便能够进行精度高的缺陷修正。掩模缺陷修正装置使得一边向掩模的缺陷供给气体，一边照射由补正部补正后的照射量的带电粒子束，从而形成沉积膜。

Description

掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法
技术领域
本发明涉及掩模缺陷修正装置和掩模缺陷修正方法。
背景技术
公知有使用照射聚焦离子束或电子束等的带电粒子束装置来修正掩模的缺陷的掩模缺陷修正装置。
与此相关地，公知有一种灰色调的图案膜缺陷修正方法(参照专利文献1)，该图案膜缺陷修正方法使用了图案膜修正装置，该图案膜修正装置具有：离子光学系统，其产生聚焦离子束，以便对形成有光透过率为中间量的图案膜的灰色调的掩模的缺陷进行修正；二次带电粒子检测器，其检测向掩模照射聚焦离子束而产生的二次带电粒子；图像处理装置，其取得离子光学系统和二次带电粒子检测器的信息并对掩模的图案信息进行处理；以及化合物蒸气喷射装置，其向该缺陷喷射有机化合物蒸气，使得在根据图像处理装置的信息得到的掩模的缺陷位置处形成FIB-CVD膜而进行修正，其中，在形成FIB-CVD膜之前，设置如下的前工序：对在该缺陷的一部分中图案膜不是正常的厚度但有残留的部分照射聚焦离子束而除去，从而使缺陷区域成为未形成图案膜的状态，将从前工序后的缺陷区域的边界起的尺寸依赖于聚焦离子束的半径的内侧的区域设为用于形成FIB-CVD膜的聚焦离子束照射区域，在喷射有机化合物蒸气的同时按照规定次数照射聚焦离子束，在不与图案膜重叠的区域形成具有规定的光透过率的FIB-CVD膜。
另外，作为通过这样的缺陷修正方法来修正缺陷的掩模的种类，还公知有具有透明基板、半透过层以及遮光层的半色调掩模(参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2006-350219号公报
专利文献2：日本特开2006-133785号公报
在针对半色调掩模等掩模的白缺陷修正中，需要准确地进行修正以使修正后的光透过率处于一定范围内。该光透过率与通过白缺陷修正而形成的膜的膜厚相关。但是，在现有的缺陷修正方法中，利用缺陷修正装置对该掩模进行膜形成，并使该掩模移动到检查装置而对透过率进行确认，在白缺陷修正不充分的情况下，需要再次将该掩模返回到缺陷修正装置，并进行白缺陷修正。因此，会花费大量的作业时间，另外，由于将该掩模暴露在大气中并在装置之间(即，缺陷修正装置与检查装置之间)移动，所以有可能产生新的缺陷。
发明内容
因此，本发明是鉴于上述现有技术的问题而完成的，提供不用使掩模在掩模缺陷修正装置与检查装置之间一边暴露在大气中一边移动，便能够进行精度高的缺陷修正的掩模缺陷修正装置及掩模缺陷修正方法。
本发明的一个方式是掩模缺陷修正装置，其通过带电粒子束感应沉积来形成标准沉积膜，并使用膜厚测定结果对带电粒子束的照射量进行调整，在掩模的缺陷处形成沉积膜，从而对缺陷进行修正，其中，该掩模缺陷修正装置具有：带电粒子束照射部，其照射带电粒子束；载台，其使掩模移动；气体供给部，其供给通过带电粒子束的照射而形成沉积膜的气体；控制部，其对带电粒子束照射部和气体供给部进行控制；存储部，其存储示出沉积膜的面积与带电粒子束的照射量之间的关系的校正数据；膜厚测定部，其测定标准沉积膜的膜厚；以及补正部，其根据由膜厚测定部测定出的标准沉积膜的膜厚和校正数据，对带电粒子束的照射量进行补正，控制部使得一边向掩模的缺陷供给气体，一边照射由补正部补正后的照射量的带电粒子束，从而形成沉积膜。
另外，本发明的其他方式也可以采用如下的结构：所述膜厚测定部是白色光干涉测定装置。
另外，本发明的其他方式也可以采用如下的结构：所述沉积膜的面积比所述标准沉积膜的面积小。
另外，本发明的其他方式也可以采用如下的结构：所述膜厚测定部是原子力显微镜。
另外，本发明的其他方式也可以采用如下的结构：所述沉积膜的面积比所述标准沉积膜的面积大。
另外，本发明的其他方式是掩模缺陷修正方法，该掩模缺陷修正方法具有如下的工序：通过带电粒子束感应沉积来形成标准沉积膜；测定所述标准沉积膜的膜厚；使用示出沉积膜的面积与带电粒子束的照射量之间的关系的校正数据和所述标准沉积膜的膜厚，对用于形成所述标准沉积膜的所述带电粒子束的照射量进行补正；使掩模的缺陷移动到带电粒子束照射位置；以及一边向所述缺陷供给形成沉积膜的气体，一边照射补正后的照射量的所述带电粒子束而形成沉积膜。
根据本发明，能够提供不用使掩模在掩模缺陷修正装置与检查装置之间一边暴露在大气中一边移动，便能够进行精度高的缺陷修正的掩模缺陷修正装置及掩模缺陷修正方法。
附图说明
图1是示出沉积膜的膜厚与光透过率之间的关系的一例的图。
图2是示出实施方式的缺陷修正装置1的结构的一例的图。
图3是带电粒子束照射装置10的俯视图。
图4是示出膜厚测定部16的结构的一例的图。
图5是示出将参照镜RM和分束器BS配置在光轴线O上的米洛(Mirau)型的干涉物镜164的结构的一例的图。
图6是示出参照镜RM配置在光轴线O的外侧、棱镜PS配置在光轴线O上的迈克尔逊(Michelson)型的干涉物镜164的结构的一例的图。
图7是示出表示校正数据的曲线图的一例的图。
图8是示出控制装置30的硬件结构的一例的图。
图9是示出控制装置30的功能结构的一例的图。
图10是示出缺陷修正装置1根据对象膜厚对校正数据进行补正的处理的流程的一例的流程图。
图11是示出缺陷修正装置1根据补正数据对掩模M的缺陷部分进行修正的处理的流程的一例的图。
标号说明
1：缺陷修正装置；10：带电粒子束照射装置；11：壳体；12：载台；12a：移位机构；13：带电粒子束照射部；14：二次粒子检测部；15：气体供给部；16：膜厚测定部；17：真空泵；30：控制装置；31：CPU；32：存储部；33：输入受理部；34：通信部；35：显示装置；161：白色光源；162：准直透镜；163：偏振补正部；164：干涉物镜；165：成像镜头；166：受光元件；167：偏光板；168：分束器；169：1/4波长板；200：白色光束；201：干涉光束；361：照射装置控制部；363：取得部；365：像生成部；367：补正部；369：显示控制部
具体实施方式
＜实施方式＞
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
＜半色调掩模的白缺陷修正＞
在半色调掩模上由遮蔽要曝光的光(波长为436nm的g线、波长为405nm的h线或g线与h线的混合光)的遮蔽膜和(透过20％到50％左右的)半色调膜来形成图案。在半色调膜的白缺陷修正中，需要将修正部分中的光透过率控制在一定范围内。
在对曝光波长中的光透过率进行测定的情况下，由带电粒子束形成的沉积膜的面积需要为100平方微米程度以上。但是，白缺陷的尺寸在很多情况下为几微米左右以下，在现有的光透过率测定装置中，难以测定其尺寸的沉积膜的光透过率。
这里，沉积膜的膜厚与光透过率为图1那样的关系。图1是示出沉积膜的膜厚与光透过率之间的关系的一例的图。从该关系可知，即使是无法测定光透过率的微小尺寸的膜，也能够通过形成与期望的光透过率对应的膜厚的沉积膜来进行准确的白缺陷修正。
但是，在形成一定膜厚的沉积膜的情况下，带电粒子束的照射量与沉积膜的面积不是简单的比例关系。因此，本实施方式的缺陷修正装置存储使带电粒子束的照射量发生变化的校正数据，根据由膜厚测定装置测定出的膜厚测定结果，通过对校正数据进行补正，进行与沉积膜的面积对应的一定膜厚的沉积，从而对白缺陷进行修正。
＜缺陷修正装置的结构＞
首先，对缺陷修正装置1的结构进行说明。图2是示出实施方式的缺陷修正装置1的结构的一例的图。
缺陷修正装置1具有带电粒子束照射装置10、控制装置30以及显示装置35。另外，在该一例的缺陷修正装置1中，带电粒子束照射装置10、控制装置30以及显示装置35分别分体地构成，但取而代之，带电粒子束照射装置10、控制装置30以及显示装置35的一部分或全部也可以一体地构成。
带电粒子束照射装置10例如具有壳体11、载台12、带电粒子束照射部13、二次粒子检测部14、气体供给部15、膜厚测定部16以及真空泵17。
载台12设置在作为壳体11的内侧的加工室R中。如图2所示，在载台12上安装有盒C。而且，在盒C上放置有掩模M。盒C是用于将掩模M放置在载台12上的工具。掩模M是具有通过形成图案膜而使光透过率互不相同的多个部分的掩模。以下，作为一例，对掩模M是在FPD(Flat Panel Display：平板显示器)制造的光刻工序中使用的多灰度掩模、半色调掩模的情况进行说明。另外，掩模M也可以是半导体用的光掩模等其他掩模，代替在FPD制造的光刻工序中使用的掩模。
载台12由移位机构12a支承。移位机构12a具有根据来自控制装置30的请求而进行动作的致动器，如图3所示，使载台12的位置沿着三维坐标系CC中的XY平面移动。图3是带电粒子束照射装置10的俯视图。三维坐标系CC是与缺陷修正装置1相对应的三维直角坐标系。在图2和图3所示的例子中，三维坐标系CC中的Z轴的负方向与重力方向一致。另外，该负方向也可以与重力方向不一致。图3所示的点13P表示由带电粒子束照射部13向掩模照射带电粒子束的位置。另外，点16P表示由膜厚测定部16测定膜厚的位置。这里，在图3中，为了简化附图，分别省略了带电粒子束照射部13、二次粒子检测部14、气体供给部15以及膜厚测定部16。载台12的位置例如由载台12的上表面的中心的位置来表示。另外，取而代之，载台12的位置也可以由与载台12相对应的其他位置来表示。
带电粒子束照射部13例如是照射聚焦离子束来作为带电粒子束B的聚焦离子束镜筒。以下，作为一例，对带电粒子束照射部13照射镓离子的聚焦离子束作为带电粒子束B的情况进行说明。另外，带电粒子束照射部13也可以是代替镓离子而照射其他离子(例如，氦、氩、氙等气体离子)的聚焦离子束的结构。另外，带电粒子束照射部13也可以是代替聚焦离子束镜筒而照射电子束作为带电粒子束B的电子束镜筒等、照射其他粒子束作为带电粒子束B的镜筒。
带电粒子束照射部13从壳体11的外侧朝向壳体11的内侧(即，加工室R)贯穿插入。在图2所示的例子中，带电粒子束照射部13所具有的端部中的供带电粒子束B射出的一侧的端部位于壳体11的内侧，带电粒子束照射部13所具有的端部中的不供带电粒子束B射出的一侧的端部位于壳体11的外侧。另外，带电粒子束照射部13也可以是整体设置于加工室R的结构。加工室R是收纳部的一例。
二次粒子检测部14检测在被照射了带电粒子束B的物体中产生的二次粒子P。二次粒子P例如是散射电子等二次电子、散射离子、反射离子等二次离子等带电粒子。在二次粒子检测部14检测到二次粒子P的情况下，二次粒子检测部14将表示检测出的二次粒子P的信息输出到控制装置30。该信息例如包含表示该二次粒子P的数量的信息。该信息有时也包含根据二次带电粒子的质量而求出的离子种类。
气体供给部15供给沉积用的气体G作为含有作为沉积膜的原料的物质(例如，芘、萘、菲、铂、碳、钨等)的化合物气体。当对从气体供给部15供给气体G而附着在掩模上的部位照射带电粒子束B时，在掩模上固定形成具有遮光性的沉积膜。
膜厚测定部16对形成于物体的沉积膜的膜厚进行测定。以下，作为一例，对膜厚测定部16是白色光干涉测定装置的情况进行说明。这里，参照图4对膜厚测定部16的结构进行说明。图4是示出膜厚测定部16的结构的一例的图。
膜厚测定部16具有白色光源161、准直透镜162、偏振补正部163、干涉物镜164、成像镜头165以及受光元件166。另外，图4所示的物体S表示放置于载台12的某种物体。即，物体S例如是掩模M、与掩模M不同的物体等。
白色光源161射出白色光束200。白色光源161例如是能够照射自然光的卤素光源。白色光源161是扩散光束，是光波的正交的两个偏振成分(图3所示的P偏振光Ppl和S偏振光Spl)的相位关系混乱的状态(非偏振光)。准直透镜162将入射的白色光束200准直为平行光束。另外，从准直透镜162射出的白色光束200保持非偏振光。
偏振补正部163配置在准直透镜162与干涉物镜164之间。偏振补正部163具有偏光板167、分束器168以及1/4波长板169。
偏光板167将从准直透镜162射出的非偏振光的白色光束200转换为直线偏振光。即，偏光板167将P偏振光Ppl和S偏振光Spl转换为预先产生了偏转的状态。另外，偏光板167也可以是配置在准直透镜162与白色光源161之间的结构。
分束器168将直线偏振光的白色光束200向沿着光轴线O的两个方向中的朝向干涉物镜164的方向反射。在白色光束200被反射的分束器168的反射面蒸镀(形成)有电介质膜。因此，分束器168在对白色光束200进行反射时，使P偏振光Ppl的衰减的大小比S偏振光Spl的衰减的大小大，使P偏振光Ppl和S偏振光Spl产生偏转。但是，由于通过偏光板167预先使P偏振光Ppl和S偏振光Spl产生偏转，所以抑制了偏振成分因分束器168的反射而产生偏转的影响。
1/4波长板169是在直行的两个偏振成分之间产生90度的相位差的双折射元件。因此，1/4波长板169将直线偏振光的白色光束200即被分束器168反射的白色光束200转换为圆偏振光Cpl的白色光束200。即，偏振补正部163能够将入射到干涉物镜164的白色光束200补正为使P偏振光Ppl和S偏振光Spl无偏转的状态的圆偏振光。
干涉物镜164使经由1/4波长板169被分束器168反射后的白色光束200朝向沿着光轴线O的两个方向中的从成像镜头165朝向干涉物镜164的方向聚光而照射在物体S上。这里，如图5和图6所示，干涉物镜164具有物镜OL、参照镜RM以及分束器BS(或棱镜PS)。物镜OL对作为平行光束的白色光束200进行聚光并照射在物体S上。因此，在聚光于物体S的白色光束200中，成为P偏振光Ppl和S偏振光Spl无偏转的状态。分束器BS(或棱镜PS)使聚光于物体S的白色光束200反射而产生参照光束(即，参照光束是从被聚光的白色光束200分支的光束)。参照镜RM配置于参照光束的焦点位置，对参照光束进行反射。反射后的参照光束在分束器BS(或棱镜PS)的位置与从物体S反射而得到的光束即测定光束结合。测定光束与参照光束结合后的干涉光束201沿着光轴线O向分束器168的方向返回。另外，图5所示的干涉物镜164是参照镜RM和分束器BS配置在光轴线O上的米洛型的干涉物镜，主要在设为高倍率时使用。即，图5是示出参照镜RM和分束器BS配置在光轴线O上的米洛型的干涉物镜164的结构的一例的图。图6所示的干涉物镜164是参照镜RM配置在光轴线O的外侧、棱镜PS配置在光轴线O上的迈克尔逊型的干涉物镜，与米洛型相比，主要在设为低倍率时使用。即，图6是示出参照镜RM配置在光轴线O的外侧、棱镜PS配置在光轴线O上的迈克尔逊型的干涉物镜164的结构的一例的图。
成像镜头165使透过分束器168的干涉光束201成像。
受光元件166是在二维平面上排列有像素的受光元件，接受由成像镜头165成像的干涉条纹。
另外，干涉光束201的干涉条纹是由于物体S与参照镜RM的形状差异而产生的。因此，在本实施方式中，由于聚光于物体S的白色光束200是圆偏振光且质量高的照明光束，所以能够得到均匀的干涉光束201。即，在本实施方式中，将聚光于物体S的白色光束200补正为圆偏振光不是为了在干涉物镜164到受光元件166之间避免杂散光和反射光的产生，而是为了得到质量高的照明光束。即使在产生了杂散光和反射光的情况下，作为使用了白色光干涉原理的白色光干涉测定装置的膜厚测定部16也不会受到干涉条纹的对比度的较大的影响，能够以1埃以下的高分辨率进行形成于物体S的沉积膜的膜厚的测定。
膜厚测定部16这样构成为白色光干涉测定装置，根据受光元件166所接受的干涉光束201的干涉条纹，将形成于物体S的凹凸的高度测定为与基准高度之间的偏差。即，在物体S是掩模M的情况下，膜厚测定部16将放置于盒C的掩模M即不具有缺陷部分的掩模M(按照掩模M的设计数据制造的情况下的掩模M)的表面的高度设为基准的高度，测定形成于掩模M的沉积膜的膜厚来作为与该高度之间的偏差。另外，本实施方式的高度是指三维坐标系CC中的Z轴方向的位置。膜厚测定部16将表示测定出的膜厚的信息输出到控制装置30。
这里，在膜厚测定部16是白色光干涉测定装置的情况下，在加工室R(或膜厚测定部16)设置有用于在膜厚测定部16与加工室R之间将白色光束200聚光到物体S的窗部。
另外，膜厚测定部16也可以是原子力显微镜等能够测定形成于物体的沉积膜的膜厚的其他装置，代替白色光干涉测定装置。关于原子力显微镜的结构，例如在日本特开平08-166395中进行了详细记载，因此省略了说明。
真空泵17是对加工室R内的气体进行排气而使加工室R内为小于0.001帕斯卡的高真空状态的泵。
带电粒子束照射装置10通过缆线而与控制装置30以能够通信的方式连接。由此，带电粒子束照射装置10所具有的载台12、移位机构12a、带电粒子束照射部13、二次粒子检测部14、气体供给部15、膜厚测定部16以及真空泵17分别进行基于从控制装置30取得的控制信号的动作。另外，经由缆线的有线通信例如是根据以太网(注册商标)、USB(UniversalSerial Bus：通用串行总线)等的标准而进行的。另外，带电粒子束照射装置10也可以是通过无线通信而与控制装置30连接的结构，其中，该无线通信是根据Wi-Fi(注册商标)等的通信标准而进行的。
控制装置30例如是台式PC(Personal Computer：个人计算机)、工作站、笔记本电脑等信息处理装置。另外，取而代之，控制装置30也可以是平板电脑、多功能移动电话终端(智能手机)等其他信息处理装置。
控制装置30根据从用户受理的操作(或动作程序)，对带电粒子束照射装置10的整体进行控制。例如，控制装置30通过使气体供给部15向所指定的指定位置供给气体G并且使带电粒子束照射部13照射带电粒子束B，在该指定位置形成沉积膜。指定位置例如是掩模M的缺陷部分。在该一例中，掩模M的缺陷部分是掩模M所包含的部分中的形成于掩模M的图案膜发生缺损的部分、即白缺陷部分。另外，也可以构成为在掩模M的缺陷部分中包含有掩模M所包含的其他部分。
另外，控制装置30从二次粒子检测部14取得表示二次粒子检测部14所检测到的二次粒子P的信息，并生成基于所取得的该信息的观察像。观察像是掩模M所包含的部分中的包含在二次粒子检测部14的视野内的部分的图像。控制装置30使生成的观察像显示于显示装置35。
显示装置35例如是具有液晶显示面板或有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示面板来作为显示部的显示器。显示装置35将从控制装置30取得的各种图像显示于该显示部。显示装置35通过缆线而与控制装置30以能够通信的方式连接。由此，显示装置35进行基于从控制装置30取得的控制信号的动作。另外，经由缆线的有线通信例如是根据以太网(注册商标)、USB等的标准而进行的。另外，显示装置35也可以是通过无线通信而与控制装置30连接的结构，其中，该无线通信是根据Wi-Fi(注册商标)等的通信标准而进行的。
＜缺陷修正装置的概要＞
接着，对缺陷修正装置1的概要进行说明。
如上所述，缺陷修正装置1通过使气体供给部15向掩模M的缺陷部分供给气体G并且使带电粒子束照射部13照射带电粒子束B，在掩模M的缺陷部分形成沉积膜。在气体供给部15的前端安装有喷出气体G的喷嘴(未图示)。喷嘴是上下移动的构造，在载台12或移位机构12a移动的期间，喷嘴以不与掩模接触的方式向上退避。在掩模M的缺陷部分通过载台12而水平移动到照射带电粒子束的位置13P之后，移位机构12a进行动作以使位置P相对于带电粒子束照射部处于规定的高度。然后，气体供给部15的喷嘴下降，能够对想要进行沉积的位置喷出气体G。缺陷修正装置1通过带电粒子束照射部13和二次粒子检测部14在位置13P处进行缺陷部分的成像而得到缺陷的轮廓。然后，与预先取得的相同图案的正常形状的轮廓进行重合比较，从而计算缺陷的形状和面积。这里，正常形状也可以是该位置的CAD数据，如果是重复的图案，则也可以是在相当于缺陷部分的正常位置进行成像并进行轮廓提取而得到的。沉积膜的生长速度根据膜的面积而改变。缺陷修正装置1根据计算出的面积和校正数据，将形成规定膜厚的沉积膜所需的带电粒子束B的照射量确定为第1照射量，其中，该校正数据是作为表示要形成的沉积膜即规定膜厚的沉积膜的面积与带电粒子束B的照射量之间的关系的数据而预先存储的。规定膜厚是预先确定的膜厚，例如是100nm等单位膜厚。另外，规定膜厚也可以是其他膜厚，代替单位膜厚。即，规定膜厚可以是比100nm薄的膜厚，也可以是比100nm厚的膜厚。而且，缺陷修正装置1将所确定的第1照射量与所确定的形成预定膜厚相乘后的值计算为形成所确定的形成预定膜厚的沉积膜所需的带电粒子束B的照射量、即第2照射量。由此，缺陷修正装置1在该缺陷部分形成期望的膜厚的沉积膜。
但是，在通过这样的方法对掩模M的缺陷部分进行了修正的情况下，缺陷修正装置1在带电粒子束B的影响下，存在缺陷修正装置1或掩模M的状态发生变化的情况、在掩模M的缺陷区域未形成期望的膜厚的沉积膜的情况。该加工条件例如是掩模M的温度、掩模M的表面的状态等。另外，在该加工条件中也可以包含其他条件。
因此，缺陷修正装置1根据由带电粒子束照射部13和气体供给部15形成的沉积膜的膜厚(即对象膜厚)，对上述校正数据进行补正。然后，缺陷修正装置1通过基于补正后的校正数据(即补正数据)的带电粒子束B的照射量而在掩模M的缺陷部分形成沉积膜。由此，即使在加工条件发生变化的情况下，缺陷修正装置1也能够在掩模M的缺陷部分形成期望的膜厚的沉积膜。在本实施方式中，详细说明了缺陷修正装置1基于对象膜厚对校正数据进行补正的处理和缺陷修正装置1基于补正数据对掩模M的缺陷部分进行修正的处理。
这里，图7示出表示校正数据的曲线图的一例的图。如图7所示，校正数据表示所形成的沉积膜的面积与带电粒子束B的照射量之间的关系。缺陷修正装置1可以是预先存储有由缺陷修正装置1的制造商等提供的校正数据的结构，也可以是通过预备实验等生成校正数据的结构。以下，作为一例，对校正数据预先存储在缺陷修正装置1中的情况进行说明。
＜控制装置的硬件结构＞
以下，参照图8对控制装置30的硬件结构进行说明。图8是示出控制装置30的硬件结构的一例的图。
控制装置30例如具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)31、存储部32、输入受理部33以及通信部34。这些构成要素经由总线B1而以能够相互通信的方式连接。另外，控制装置30经由通信部34而与带电粒子束照射装置10、显示装置35分别进行通信。
CPU 31执行储存于存储部32的各种程序。
存储部32例如包含HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)、SSD(Solid StateDrive：固态硬盘)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory：电可擦可编程只读存储器)、ROM(Read-Only Memory：只读存储器)、RAM(Random AccessMemory：随机存取存储器)等。另外，存储部32也可以是通过USB等数字输入输出端口等进行连接的外置型的存储装置，代替内置于控制装置30的存储部。存储部32对由控制装置30处理的各种信息、图像、各种程序、上述校正数据、补正数据等进行存储。
输入受理部33例如是键盘、鼠标、触摸板等输入装置。另外，在控制装置30与显示装置35一体构成的情况下，输入受理部33也可以是与显示装置35所具有的显示部一体构成的触摸面板等其他输入装置。
通信部34例如构成为包含USB等数字输入输出端口、以太网(注册商标)端口等。
＜控制装置的功能结构＞
以下，参照图9对控制装置30的功能结构进行说明。图9是示出控制装置30的功能结构的一例的图。
控制装置30具有存储部32、输入受理部33以及控制部36。
控制部36对控制装置30的整体进行控制。控制部36具有照射装置控制部361、取得部363、像生成部365、补正部367以及显示控制部369。控制部36所具有的这些功能部例如是通过由CPU 31执行存储于存储部32的各种程序而实现的。另外，该功能部中的一部分或全部也可以是LSI(Large Scale Integration：大规模集成)、ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit：专用集成电路)等硬件功能部。
照射装置控制部361对带电粒子束照射装置10的整体进行控制。例如，照射装置控制部361对用于通过载台12和移位机构12a使掩模M的缺陷移动到照射带电粒子束的位置13P的动作、使气体供给部15的喷嘴上下移动并喷出气体G的动作、进一步对缺陷进行成像并修正的带电粒子束照射部13的动作进行控制。
取得部363从二次粒子检测部14取得表示由二次粒子检测部14检测到的二次粒子P的信息。另外，取得部363从膜厚测定部16取得表示由膜厚测定部16测定的膜厚的信息。
像生成部365使带电粒子束照射部13所进行的带电粒子束B的扫描与二次粒子检测部14所检测的检测信号同步，从而生成掩模M的图案像。
补正部367从存储部32读出预先存储在存储部32中的校正数据。补正部367根据取得部363从膜厚测定部16取得的信息，对所读出的校正数据进行补正。补正部367将补正后的校正数据即补正数据存储在存储部32中。
显示控制部369根据从用户受理的操作，生成各种图像。显示控制部369使所生成的图像显示于显示装置35的显示部。例如，显示控制部369根据从用户受理的操作，生成包含由像生成部365生成的观察像的图像，并使生成的该图像显示于该显示部。例如，显示控制部369根据从用户受理的操作，改变图像的倍率并显示在显示部上，或者切换二次电子像、二次离子像、二次离子种类等并显示在该显示部上。
＜缺陷修正装置根据对象膜厚对校正数据进行补正的处理＞
以下，参照图10来说明缺陷修正装置1根据对象膜厚对校正数据进行补正的处理。图10是示出缺陷修正装置1根据对象膜厚对校正数据进行补正的处理的流程的一例的流程图。以下，为了方便说明，将对校正数据进行补正的处理称为校准而进行说明。另外，以下，作为一例，对为了补正校正数据而使用的物体即校准用物体被放置于上述盒C的情况进行说明。
照射装置控制部361待机到受理将在上述校准用物体上形成沉积膜的位置指定为指定位置的操作为止(步骤S110)。例如，照射装置控制部361经由操作画面从用户受理该操作，其中，该操作画面通过显示控制部369而显示在显示装置35的显示部上。另外，关于该位置，在校准用物体是掩模M的情况下，只要是掩模M的上表面内的位置中的与缺陷部分的位置不同的位置，则可以是任意位置，但优选掩模M所具有的面中的不用于光刻的面内的位置。在受理了该操作的情况(步骤S110-是)下，照射装置控制部361待机到受理开始校准的操作为止(步骤S120)。例如，照射装置控制部361经由上述操作画面从用户受理该操作。在受理了开始校准的操作的情况(步骤S120-是)下，照射装置控制部361对移位机构12a进行控制，使载台12的位置移动到能够通过带电粒子束照射部13对在步骤S110中指定的指定位置照射带电粒子束B的位置(步骤S130)。
接着，照射装置控制部361从存储部32读出预先存储于存储部32的校正数据(步骤S140)。接着，照射装置控制部361根据在步骤S140中读出的校正数据，对带电粒子束照射部13和气体供给部15进行控制，在步骤S110中指定的指定位置处形成沉积膜(步骤S150)。这里，对步骤S150的处理进行说明。
照射装置控制部361根据校正数据，将形成预先确定的面积的沉积膜即上述规定膜厚的沉积膜所需的带电粒子束B的照射量确定为上述第1照射量。该预先确定的面积是能够由膜厚测定部16测定的面积。在膜厚测定部16是白色干涉测定装置的情况下，例如，将面积设定为约4μm2到100μm2。照射装置控制部361根据所确定的第1照射量，使该预先确定的面积的沉积膜形成在步骤S110中指定的指定位置。此时，形成在该指定位置的沉积膜的膜厚是上述对象膜厚。对象膜厚根据上述加工条件而偏离规定膜厚，因此未必成为与规定膜厚相同的膜厚。
在进行了步骤S140的处理之后，照射装置控制部361对移位机构12a进行控制，使载台12的位置移动到能够通过膜厚测定部16对在步骤S150中形成的沉积膜的膜厚即对象膜厚进行测定的位置(步骤S160)。接着，照射装置控制部361对膜厚测定部16进行控制，使该膜厚测定部16测定对象膜厚(步骤S170)。在步骤S170中，膜厚测定部16在测定了对象膜厚之后，将表示测定出的对象膜厚的信息输出到控制装置30。然后，取得部363从控制装置30取得该信息。
接着，补正部367根据取得部363从膜厚测定部16取得的信息所示的膜厚(即，在步骤S170中测定出的对象膜厚)，对在步骤S140中读出的校正数据进行补正(步骤S180)。这里，对步骤S180的处理进行说明。
补正部367例如计算将在步骤S170中测定出的对象膜厚除以上述规定膜厚而得到的值。即，补正部367计算表示规定膜厚与对象膜厚之差的比例(表示该差的比)。补正部367通过将计算出的该值乘以校正数据所包含的各照射量，对校正数据进行补正。即，补正部367根据该值而使图7所示的曲线图的曲线在沿着纵轴的方向上移位。在步骤S180中补正后的校正数据是上述补正数据。另外，补正部367也可以是通过基于对象膜厚的其他方法对校正数据进行补正的结构。
在进行了步骤S180的处理之后，补正部367使在步骤S180中补正后的校正数据即补正数据存储在存储部32中(步骤S190)，并结束处理。
这样，缺陷修正装置1根据对象膜厚对校正数据进行补正。
＜缺陷修正装置根据补正数据对掩模的缺陷部分进行修正的处理＞
接着，对缺陷修正装置1根据补正数据对掩模M的缺陷部分进行修正的处理进行说明。图11是示出缺陷修正装置1根据补正数据对掩模M的缺陷部分进行修正的处理的流程的一例的图。以下，作为一例，对通过图10所示的流程图的处理而在存储部32中预先存储有校正数据的情况进行说明。
照射装置控制部361从存储部32读出从缺陷检查装置取得的缺陷部分信息(步骤S210)。缺陷部分信息是表示掩模M的1个以上的缺陷部分各自的位置即缺陷部分位置的信息。然后，照射装置控制部361根据缺陷部分信息，取得缺陷检查装置与缺陷修正装置1之间的载台坐标系间的偏移或轴倾斜的匹配。
接着，照射装置控制部361从存储部32读出预先存储在存储部32中的补正数据(步骤S220)。
接着，照射装置控制部361对在步骤S210中读出的缺陷部分信息所示的1个以上的缺陷部分位置中的每个缺陷部分位置反复进行步骤S250～步骤S260的处理(步骤S240)。
照射装置控制部361对移位机构12a进行控制，使载台12的位置移动到能够通过带电粒子束照射部13对在步骤S240中选择的缺陷部分位置照射带电粒子束B的位置(步骤S250)。然后，照射装置控制部361从带电粒子束照射装置10照射带电粒子束B，取得掩模M的缺陷部分的观察像，并计算缺陷部分的形状和面积。
接着，照射装置控制部361根据在步骤S220中读出的补正数据，在对象缺陷部分形成沉积膜，从而对该缺陷部分进行修正(步骤S260)。这里，对步骤S260的处理进行说明。
照射装置控制部361根据从观察像确定的缺陷部分的大小，将该大小转换为对象缺陷部分的面积。照射装置控制部361根据补正数据，将在该面积的对象缺陷部分形成上述规定膜厚的沉积膜所需的带电粒子束B的照射量确定为上述第1照射量。照射装置控制部361将对所确定的第1照射量乘以所确定的形成预定膜厚而得的值计算为上述第2照射量。照射装置控制部361根据计算出的第2照射量，将形成预定膜厚和误差除去而在对象缺陷部分形成大致相同的膜厚的沉积膜。即，即使在加工条件发生变化的情况下，缺陷修正装置1也能够在对象缺陷部分形成期望的膜厚的沉积膜。这样，缺陷修正装置1能够通过形成期望的膜厚的沉积膜而形成期望的透过率的沉积膜。
在进行了步骤S260的处理之后，照射装置控制部361转移到步骤S240，选择未选择的缺陷部分位置。另外，当在步骤S240中不存在未选择的缺陷部分位置的情况下，照射装置控制部361结束处理。
如以上说明的那样，在上述实施方式的掩模缺陷修正装置(在该一例中为缺陷修正装置1)中，上述实施方式的缺陷修正装置1通过带电粒子束感应沉积来形成标准沉积膜，并使用膜厚测定结果对带电粒子束(在该一例中为带电粒子束B)的照射量(在该一例中为第2照射量)进行调整，在掩模(在该一例中为掩模M)的缺陷处形成沉积膜，从而对缺陷进行修正，其中，该掩模缺陷修正装置具有：带电粒子束照射部(在该一例中为带电粒子束照射部13)，其照射带电粒子束；载台，其使掩模移动；气体供给部(在该一例中为气体供给部15)，其供给通过带电粒子束的照射而形成沉积膜的气体；控制部(在该一例中为控制部36)，其对带电粒子束照射部和气体供给部进行控制；存储部(在该一例中为存储部32)，其存储表示沉积膜的面积与带电粒子束的照射量之间的关系的校正数据(在该一例中为补正数据)；膜厚测定部，其测定标准沉积膜的膜厚；以及补正部(在该一例中为补正部367)，其根据由膜厚测定部测定出的标准沉积膜的膜厚和校正数据，对带电粒子束的照射量进行补正，控制部使得一边向掩模的缺陷供给所述气体，一边照射由补正部补正后的照射量的带电粒子束，从而形成沉积膜。由此，掩模缺陷修正装置不用使掩模在掩模缺陷修正装置与检查装置(由此为缺陷检查装置)之间一边暴露在大气中一边移动，便能够进行精度高的缺陷修正。这里，在半色调掩模中，例如有在约10％到50％之间的各种透过率的图案膜。对于这样的半色调掩模，掩模缺陷修正装置也如上述那样对校正数据进行补正，从而能够生成期望的透过率的缺陷修正沉积膜。
另外，在掩模缺陷修正装置中，也可以使用膜厚测定部是白色光干涉测定装置的结构。由此，即使在掩模缺陷修正装置或掩模的状态发生变化的情况下，掩模缺陷修正装置也能够根据由白色光干涉测定装置即膜厚测定部测定出的对象膜厚，在掩模的缺陷部分形成期望的膜厚的沉积膜。
另外，在掩模缺陷修正装置中，也可以使用沉积膜的面积比标准沉积膜的面积小的结构。
另外，在掩模缺陷修正装置中，也可以使用膜厚测定部是原子力显微镜的结构。由此，即使在掩模缺陷修正装置或掩模的状态发生变化的情况下，掩模缺陷修正装置也能够根据由原子力显微镜即膜厚测定部测定出的对象膜厚，在掩模的缺陷部分形成期望的膜厚的沉积膜。
另外，在掩模缺陷修正装置中，也可以使用沉积膜的面积比标准沉积膜的面积大的结构。
另外，上述实施方式的掩模缺陷修正装置根据由带电粒子束照射部(在该一例中为带电粒子束照射部13)和气体供给部(在该一例中为气体供给部15)形成的沉积膜的膜厚即对象膜厚，对作为示出所形成的沉积膜的面积与带电粒子束(在该一例中为带电粒子束B)的照射量之间的关系的数据而预先存储在存储部(在该一例中为存储部32)中的校正数据进行补正，通过基于补正后的校正数据(在该一例中为补正数据)的带电粒子束的照射量(在该一例中为第2照射量)而在掩模(在该一例中为掩模M)的缺陷部分形成沉积膜。由此，缺陷修正装置1可以构成为即使在加工条件发生变化的情况下，也能够在掩模的缺陷部分形成期望的膜厚的沉积膜。由此，即使在掩模缺陷修正装置或掩模的状态发生变化的情况下，掩模缺陷修正装置也能够在掩模的缺陷部分形成期望的膜厚的沉积膜。
另外，在掩模缺陷修正装置中，带电粒子束照射部和膜厚测定部(在该一例中为膜厚测定部16)设置在收纳部(在该一例中为加工室R)中。由此，掩模缺陷修正装置在每次分别进行掩模的缺陷部分处的沉积膜的形成和所形成的沉积膜的膜厚的测定时，不需要进行掩模M相对于掩模缺陷修正装置的安装或取下，因此能够减少掩模制造的工作量，并且不存在产生新的缺陷的风险，能够提高掩模制造中的生产性。
另外，掩模缺陷修正装置根据规定膜厚和对象膜厚对校正数据进行补正。由此，即使在掩模缺陷修正装置或掩模的状态发生变化的情况下，掩模缺陷修正装置也能够根据规定膜厚和对象膜厚，在掩模的缺陷部分形成期望的膜厚的沉积膜。进而，掩模缺陷装置能够生成期望的透过率的缺陷修正沉积膜。
另外，掩模缺陷修正装置根据表示规定膜厚与对象膜厚之差的比例来补正校正数据。由此，即使在掩模缺陷修正装置或掩模的状态发生变化的情况下，掩模缺陷修正装置也能够根据表示规定膜厚与对象膜厚之差的比例，在掩模的缺陷部分形成期望的膜厚的沉积膜。进而，掩模缺陷修正装置能够生成期望的透过率的缺陷修正沉积膜。
另外，掩模缺陷修正装置使对象膜厚的沉积膜形成于掩模或与掩模不同的物体。由此，即使在掩模缺陷修正装置或掩模的状态发生变化的情况下，掩模缺陷修正装置也能够根据形成于掩模或与掩模不同的物体的对象膜厚的沉积膜，在掩模的缺陷部分形成期望的膜厚的沉积膜。
另外，在掩模缺陷修正装置中，膜厚测定部是白色光干涉测定装置或原子力显微镜。由此，即使在掩模缺陷修正装置或掩模的状态发生变化的情况下，掩模缺陷修正装置也能够根据由白色光干涉测定装置或原子力显微镜即膜厚测定部测定出的对象膜厚，在掩模的缺陷部分形成期望的膜厚的沉积膜。
以上，参照附图对本发明的实施方式进行了详述，但具体的结构并不限于本实施方式，只要不脱离本发明的主旨，则可以进行变更、置换、删除等。
另外，也可以将用于实现以上说明的装置(例如，控制装置30)中的任意结构部的功能的程序记录在计算机可读取的记录介质中，使计算机系统读入并执行该程序。另外，这里所说的“计算机系统”包括OS(Operating System：操作系统)或周边设备等硬件。另外，“计算机可读取的记录介质”是指软盘、光磁盘、ROM、CD(Compact Disk)-ROM等可移动介质、内置于计算机系统的硬盘等存储装置。此外，“计算机可读取的记录介质”包括如经由因特网等网络或电话线路等通信线路而发送了程序的情况下的作为服务器或客户端的计算机系统内部的易失性存储器(RAM)那样在一定时间内保持程序的介质。
另外，也可以从将该程序储存于存储装置等的计算机系统通过传输介质或者通过传输介质中的传输波向其他计算机系统传输该程序。这里，传输程序的“传输介质”是指如因特网等网络(通信网络)或电话线路等通信线路(通信线)那样具有传输信息的功能的介质。
另外，上述程序也可以用于实现上述功能的一部分。此外，上述程序也可以是能够将上述功能与已记录在计算机系统中的程序进行组合而实现的、所谓的差分文件(差分程序)。

Claims (4)

1.一种掩模缺陷修正装置，其通过带电粒子束感应沉积来形成标准沉积膜，并使用膜厚测定结果对带电粒子束的照射量进行调整，在掩模的缺陷处形成沉积膜，从而对缺陷进行修正，其中，
该掩模缺陷修正装置具有：
带电粒子束照射部，其照射所述带电粒子束；
载台，其使所述掩模移动；
气体供给部，其供给通过所述带电粒子束的照射而形成沉积膜的气体；
控制部，其对所述带电粒子束照射部和所述气体供给部进行控制；
存储部，其存储示出所述沉积膜的面积与所述带电粒子束的照射量之间的关系的校正数据；
膜厚测定部，其测定所述标准沉积膜的膜厚；以及
补正部，其根据由所述膜厚测定部测定出的所述标准沉积膜的膜厚和所述校正数据，对所述带电粒子束的照射量进行补正，
所述控制部使得一边向所述掩模的缺陷处供给所述气体，一边照射由所述补正部补正后的所述照射量的所述带电粒子束，从而形成所述沉积膜。
2.根据权利要求1所述的掩模缺陷修正装置，其中，
所述膜厚测定部是白色光干涉测定装置。
3.根据权利要求1所述的掩模缺陷修正装置，其中，
所述膜厚测定部是原子力显微镜。
4.一种掩模缺陷修正方法，该掩模缺陷修正方法具有如下的工序：
通过带电粒子束感应沉积来形成标准沉积膜；
测定所述标准沉积膜的膜厚；
使用示出沉积膜的面积与带电粒子束的照射量之间的关系的校正数据和所述标准沉积膜的膜厚，对用于形成所述标准沉积膜的所述带电粒子束的照射量进行补正；
使掩模的缺陷移动到带电粒子束照射位置；以及
一边向所述缺陷处供给形成沉积膜的气体，一边照射补正后的照射量的所述带电粒子束而形成沉积膜。
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