JP2003332226A - マスクの欠陥修正方法およびマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パターンを破壊せずにステンシルマスクの欠
陥を修正できるマスクの欠陥修正方法およびマスクの製
造方法を提供する。 【解決手段】 位置ずれ補正用パターンを有する位置ず
れ補正用基板９を、薄膜２の一方の面側に配置し、イオ
ンビーム６の入射により放出される２次イオンまたは２
次電子を検出して、位置ずれ補正用パターンの位置を検
出および記憶する工程と、欠陥箇所にイオンビームを照
射して欠陥を修正する工程と、再び位置ずれ補正用基板
にイオンビームを入射させ、位置ずれ補正用パターンの
位置を検出し、記憶されている位置ずれ補正用パターン
の位置とのずれからビーム照射位置のずれを求め、これ
を補正して、欠陥を修正する工程とを有するマスクの欠
陥修正方法およびマスクの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造の
リソグラフィ工程で用いられるマスクの欠陥修正方法と
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路の微細化に伴い、
フォトリソグラフィにおいて露光波長の短波長化が進め
られてきたが、さらに微細なパターンを形成するため、
電子ビーム、Ｘ線、イオンビームを用いたリソグラフィ
が開発されている。電子ビームによるパターンの転写に
は、ステンシルマスクが用いられることが多い。

【０００３】ステンシルマスクは単結晶シリコンやダイ
ヤモンド等の材質からなる薄膜（メンブレン）に、所定
のパターンで孔が設けられたマスクである。電子ビーム
は孔部分を透過する。孔はレジストをマスクとしてメン
ブレンにエッチングを行うことにより形成される。

【０００４】ステンシルマスク作製プロセスにおいて発
生するパターン欠陥は、通常、ＦＩＢ（focused ion be
am）を用いて修正される。パターン欠陥には２種類あ
り、これらは黒欠陥および白欠陥と呼ばれる。図６に示
すように、黒欠陥１０１は孔となるべきパターン部分１
０２にメンブレン１０３が残る欠陥である。黒欠陥は、
レジストパターン以外に異物等が付着し、エッチングさ
れるべきパターンがエッチングされずに残って発生す
る。

【０００５】一方、図７に示すように、白欠陥１０４は
パターン部分１０２以外に孔が形成される欠陥である。
白欠陥は、レジストパターンが欠けたりして、残される
べきパターンが誤ってエッチングされることにより発生
する。

【０００６】一般に、黒欠陥はＧａイオンによる加工
（ミリング）、あるいは試料上にガスを噴出させ効率的
にエッチングを行うガスアシストエッチング（ＧＡＥ）
により修正される。また、白欠陥はピレン等の有機物ガ
ス雰囲気中でＧａイオンビームを照射することにより、
照射位置に炭素の薄膜を形成して修正される。

【０００７】このような修正を行う前に、Ｇａイオンを
試料に照射して、試料から放出される２次イオンあるい
は２次電子を検出する。２次イオンあるいは２次電子の
検出により、パターンや欠陥のイメージングを行い、位
置ずれ補正用パターンの作製箇所を決定する。

【０００８】位置ずれ補正用パターンは、欠陥の修正に
用いるイオンビームの照射位置が、ビームのドリフト等
の影響により経時的に変動するのを補正する目的で設け
られる。イオンビームを照射する間、単位時間毎に位置
ずれ補正用パターンのエッジを検出し、ビーム照射位置
を補正する。マスクに位置ずれ補正用パターンを形成し
て、パターンの欠陥を修正する方法は、特開昭６３−３
０５３５８号公報(特許第１８００５５６号）に開示さ
れている。

【０００９】位置ずれ補正用パターンを設けずに、ある
いは位置ずれ補正用パターンの位置を参照せずにイオン
ビームを照射した場合は、ビーム照射位置が時間ととも
にずれ、欠陥以外の部分でパターンが反転する。したが
って、被修正箇所が修正されずに、新たな欠陥が発生す
ることになる。そこで、修正される欠陥部分の近傍に位
置ずれ補正用パターンが設けられる。位置ずれ補正用パ
ターンはメンブレンにエッチングを行って形成され、欠
陥修正後、デポジションにより埋め込まれて修復され
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ステン
シルマスクのメンブレンが極めて薄く、ステンシルマス
クに微細パターンが形成されている場合には、上記のよ
うにメンブレンにエッチングを行って位置ずれ補正用パ
ターンを形成するのが困難となる。電子ビームを用いる
リソグラフィのうち等倍投影系のものでは、ステンシル
マスクにデバイスと同サイズの微細パターンを形成する
必要がある。

【００１１】その場合、メンブレンを薄くしないと、孔
のアスペクト比が高くなり、微細加工を行うことができ
ない。したがって、材質にもよるが、厚さ数１００ｎｍ
程度の薄いメンブレンが用いられる。また、ステンシル
マスクに微細パターンが形成されている場合、パターン
間隔も狭く、そのような狭い部分に位置ずれ補正用パタ
ーンを形成する必要が生じる。

【００１２】例えば、図８に示す黒欠陥１０１を修正す
るため、パターン部分１０２の間に位置ずれ補正用パタ
ーン１０５を形成しようとすると、メンブレン自体が薄
膜化されていることと、パターン間隔が狭められている
ことから、位置ずれ補正用パターン１０５の近傍（点線
で囲まれた部分）でメンブレン１０３が破壊される。

【００１３】したがって、位置ずれ補正用パターンを形
成できず、欠陥修正時のビーム照射位置を補正できな
い。すなわち、ステンシルマスクの欠陥修正を高精度に
行うことができない。仮に、パターンの破壊が避けられ
たとしても、所望のパターンに影響を及ぼさずに、位置
ずれ補正用パターンをデポジションにより正確に埋め込
むのは困難である。したがって、ステンシルマスクを露
光に用いることができない。

【００１４】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
のであり、したがって本発明は、パターンを破壊せずに
ステンシルマスクの欠陥を修正できるマスクの欠陥修正
方法およびマスクの製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のマスクの欠陥修正方法は、薄膜と、前記薄
膜に所定のパターンで形成された孔とを有するマスクに
おいて、前記パターンの一部に発生した欠陥を、前記薄
膜の第１面側からイオンビームを照射して修正するマス
クの欠陥修正方法であって、一方の面に位置ずれ補正用
パターンを有する位置ずれ補正用基板を、前記薄膜の第
１面側または第２面側に配置して、前記マスクとの相対
位置を固定する工程と、前記孔を介して前記位置ずれ補
正用基板の一部にイオンビームを入射させ、放出される
２次イオンまたは２次電子を検出して、前記位置ずれ補
正用パターンの位置を検出および記憶する工程と、前記
欠陥箇所に所定の時間イオンビームを照射して、前記欠
陥を修正する工程と、再び前記位置ずれ補正用基板にイ
オンビームを入射させ、放出される２次イオンまたは２
次電子を検出して、前記位置ずれ補正用パターンの位置
を検出し、記憶されている前記位置ずれ補正用パターン
の位置とのずれからビーム照射位置のずれを求める工程
と、前記ビーム照射位置のずれを補正して、前記欠陥箇
所に再びイオンビームを照射して、前記欠陥を修正する
工程とを有することを特徴とする。

【００１６】前記欠陥が、孔となるべき部分に孔が形成
されない黒欠陥である場合は、前記欠陥箇所にイオンビ
ームを照射する工程において、前記欠陥箇所にエッチン
グガスを供給し、ガスアシストエッチングを行う。ある
いは、前記欠陥箇所にイオンビームを照射する工程にお
いて、前記欠陥箇所のイオンミリングを行う。前記欠陥
が、孔となるべきでない部分に孔が形成される白欠陥で
ある場合は、前記欠陥箇所にイオンビームを照射する工
程において、有機物ガス雰囲気としビーム照射位置に炭
素の薄膜を形成する。前記位置ずれ補正用基板は、２層
の導電膜のうちの上層に前記位置ずれ補正用パターンと
して開口部が設けられたものや、単層の基板表面に前記
位置ずれ補正用パターンとして凹部が設けられたものを
用いることができる。

【００１７】上記の目的を達成するため、本発明のマス
クの製造方法は、薄膜に所定のパターンで孔を形成する
工程と、前記パターンを検証する工程と、前記パターン
の欠陥を、前記薄膜の第１面側からイオンビームを照射
して修正する工程とを有するマスクの製造方法であっ
て、前記パターンの欠陥を修正する工程は、一方の面に
位置ずれ補正用パターンを有する位置ずれ補正用基板
を、前記薄膜の第２面側に、前記位置ずれ補正用パター
ンが前記孔に面するように配置して、前記マスクとの相
対位置を固定する工程と、前記孔を介して前記位置ずれ
補正用基板の一部にイオンビームを入射させ、放出され
る２次イオンまたは２次電子を検出して、前記位置ずれ
補正用パターンの位置を検出および記憶する工程と、前
記欠陥箇所に所定の時間イオンビームを照射して、前記
欠陥を修正する工程と、再び前記位置ずれ補正用基板に
イオンビームを入射させ、放出される２次イオンまたは
２次電子を検出して、前記位置ずれ補正用パターンの位
置を検出し、記憶されている前記位置ずれ補正用パター
ンの位置とのずれからビーム照射位置のずれを求める工
程と、前記ビーム照射位置のずれを補正して、前記欠陥
箇所に再びイオンビームを照射して、前記欠陥を修正す
る工程とを有することを特徴とする。

【００１８】これにより、微細パターンを有するステン
シルマスクの欠陥を高精度に修正することが可能とな
る。本発明によれば、マスク自体でなく、マスクの上方
または下方に配置される位置ずれ補正用基板に位置ずれ
補正用パターンが形成されるため、ステンシルマスクの
破損が防止される。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明のマスクの製造方
法の実施の形態について、図面を参照して説明する。 （実施形態１）図１は、本実施形態のマスクの製造方法
において、マスクの黒欠陥を修正するときの断面図であ
る。図１に示すように、ステンシルマスク１のメンブレ
ン２には所定のパターンで孔３が形成されている。ステ
ンシルマスク１に縁状に設けられた支持部４によって、
メンブレン２が補強されている。

【００２０】ステンシルマスク１の上方にイオン源５が
配置される。イオン源５からステンシルマスク１の欠陥
部分にＧａイオンビーム６を照射しながら、ガス銃７か
らガスを噴出させ、ＧＡＥを行う。ステンシルマスク１
はステージ８上に固定され、Ｇａイオンビーム６の入射
角度を変化させることにより、Ｇａイオンビームの照射
位置が調整される。

【００２１】本実施形態においては、ステンシルマスク
１とステージ８の間に位置ずれ補正用基板９が設けられ
る。位置ずれ補正用基板９はステンシルマスク１ととも
にステージ８に固定され、ステージ８によって移動す
る。ステンシルマスク１と位置ずれ補正用基板９は接触
していても接触していなくても、いずれでもよい。

【００２２】ステンシルマスク１と位置ずれ補正用基板
９を接触させた場合、メンブレン２の撓みが防止され、
メンブレン２の撓みに起因するパターンの変位を低減で
きる。一方、ステンシルマスク１への異物の付着等を防
止する上では、ステンシルマスク１と位置ずれ補正用基
板９を非接触とした方が有利な場合もある。

【００２３】なお、図１ではステンシルマスク１の平坦
な面を下面としているが、ステンシルマスク１のメンブ
レン２と位置ずれ補正用基板９とを平行な状態で近接さ
せることが可能であれば、ステンシルマスク１の上下を
反転させてもよい。図２は図１のステンシルマスク１お
よび位置ずれ補正用基板９の上面図である。図２に示す
ように、位置ずれ補正用基板９には、黒欠陥１０の近傍
であって孔３に面した部分に位置ずれ補正用パターン１
１が設けられる。

【００２４】図１に示すように、ステンシルマスク１の
孔３を介して位置ずれ補正用基板９にＧａイオンビーム
６が入射すると、２次イオンまたは２次電子が放出され
る。位置ずれ補正用基板９から放出された２次イオンま
たは２次電子は、２次イオン・２次電子検出器１２によ
って検出される。２次イオンまたは２次電子を検出する
ことにより、位置ずれ補正用パターン１１の位置が認識
される。

【００２５】Ｇａイオンビーム６の照射位置は、ドリフ
ト等の影響により経時的に変動する。そこで、Ｇａイオ
ンビーム６を照射する間、単位時間毎に位置ずれ補正用
パターン１１のエッジを検出し、ビーム照射位置を補正
する。これにより、欠陥箇所を高精度に修正することが
可能となる。

【００２６】図３（ａ）および（ｂ）は位置ずれ補正用
基板の断面図である。位置ずれ補正用基板としては、例
えば図３（ａ）に示すように、上層導電膜１３と下層導
電膜１４が積層されたものを用いる。上層導電膜１３の
一部にエッチングを行い、下層導電膜１４を露出させる
ことにより位置ずれ補正用パターン１１が形成される。

【００２７】図３（ａ）に示す位置ずれ補正用基板９
は、２次イオンの検出と２次電子の検出のいずれにも用
いることができる。図３（ａ）の位置ずれ補正用基板９
を２次電子の検出に用いる場合、上層導電膜１３と下層
導電膜１４の材料は同じであっても異なっていても、い
ずれでもよい。

【００２８】図３（ａ）の位置ずれ補正用基板９を２次
イオンの検出に用いる場合は、上層導電膜１３と下層導
電膜１４に互いに異なる材料を用いる。これにより、上
層導電膜１３から放出される２次イオンと下層導電膜１
４から放出される２次イオンにコントラストが生じ、位
置ずれ補正用パターン１１のエッジ位置が認識される。

【００２９】図３（ｂ）は位置ずれ補正用基板９の他の
例を示す。図３（ｂ）に示すように、位置ずれ補正用基
板９を単層の導電膜とし、位置ずれ補正用基板９の表面
に段差を設けることにより、位置ずれ補正用パターン１
１を形成する。図３（ｂ）に示す位置ずれ補正用基板９
は、２次電子の検出に用いることができる。図３（ａ）
および（ｂ）に示すような位置ずれ補正用基板９では、
ビーム照射部で電荷を逃がす必要があることから、単層
または２層の導電膜が用いられる。

【００３０】図３（ａ）または図３（ｂ）に示す位置ず
れ補正用基板９から放出される２次電子を検出する際に
は、特定の方向から２次電子検出器１２に入射する２次
電子が選択的に検出されるように、２次電子検出器１２
を調整しておく。これにより、位置ずれ補正用パターン
１１のエッジ位置が認識される。これらの位置ずれ補正
用基板９を図１に示すようにステンシルマスク１の下方
に配置する場合、位置ずれ補正用パターン１１が形成さ
れている面を上面とする。

【００３１】また、図３（ａ）および（ｂ）に示す位置
ずれ補正用基板以外に、予め微細なパターンが多数形成
された２層基板を用いることも可能である。この場合、
位置ずれ補正用パターンを形成する必要がなく、パター
ンの特定の箇所を参照してビーム照射位置の補正を行え
ばよい。

【００３２】上記の本実施形態における欠陥の修正方法
によれば、ステンシルマスク自体でなく、ステンシルマ
スクの下方に配置される位置ずれ補正用基板に位置ずれ
補正用パターンが形成される。したがって、パターン間
隔の狭い微細パターンをステンシルマスクに形成する場
合も、位置ずれ補正用パターンによってステンシルマス
クが破損することがない。

【００３３】位置ずれ補正用パターンを参照しながら欠
陥を修正することにより、ビームのドリフト等の影響に
よる修正箇所の位置ずれを防止できる。また、従来の欠
陥修正方法の場合、ステンシルマスクに設けられた位置
ずれ補正用パターンを、露光を行う前に埋め込む必要が
あるが、本実施形態によれば、欠陥修正の後、位置ずれ
補正用パターンを修復する必要がない。

【００３４】（実施形態２）図４は、本実施形態のマス
クの製造方法において、マスクの黒欠陥を修正するとき
の断面図である。図４に示すように、ステンシルマスク
１のメンブレン２には所定のパターンで孔３が形成され
ている。ステンシルマスク１に縁状に設けられた支持部
４によって、メンブレン２が補強されている。

【００３５】なお、図４では図１と異なり、ステンシル
マスク１の平坦な面を上面としているが、ステンシルマ
スク１のメンブレン２と位置ずれ補正用基板９とを平行
な状態で近接させることが可能であれば、ステンシルマ
スク１の上下を反転させてもよい。

【００３６】ステンシルマスク１の上方にイオン源５が
配置される。イオン源５からステンシルマスク１の欠陥
部分にＧａイオンビーム６を照射しながら、ガス銃７か
らガスを噴出させ、ＧＡＥを行う。ステンシルマスク１
はステージ８上に固定され、Ｇａイオンビーム６の入射
角度を変化させることにより、Ｇａイオンビームの照射
位置が調整される。

【００３７】本実施形態においては、ステンシルマスク
１の上方に位置ずれ補正用基板９が設けられる。位置ず
れ補正用基板９はステンシルマスク１との相対位置が変
化しないように、不図示の保持具を介してステージ８に
固定される。これにより、位置ずれ補正用基板９はステ
ンシルマスク１とともにステージ８によって移動する。
実施形態１と同様に、ステンシルマスク１と位置ずれ補
正用基板９は接触していても接触していなくても、いず
れでもよい。

【００３８】図５は図４のステンシルマスク１および位
置ずれ補正用基板９の上面図である。図５に示すよう
に、位置ずれ補正用基板９には、黒欠陥１０の近傍に位
置ずれ補正用パターン１１が設けられる。位置ずれ補正
用基板としては、実施形態１と同様のものを用いること
ができる。これらの位置ずれ補正用基板は、位置ずれ補
正用パターンが形成されている面を上面として、ステン
シルマスク１の上方に配置される。

【００３９】図４に示すように、Ｇａイオンビーム６を
ステンシルマスク１に照射して欠陥を修正する際、単位
時間毎にＧａイオンビーム６の入射角度を一定量変化さ
せ、位置ずれ補正用基板９にＧａイオンビーム６を入射
させる。これにより、位置ずれ補正用基板９から２次イ
オンまたは２次電子が放出され、放出された２次イオン
または２次電子は２次イオン・２次電子検出器１２によ
って検出される。

【００４０】２次イオンまたは２次電子の検出により位
置ずれ補正用パターン（図３参照）のエッジが検出され
る。このエッジ位置に基づき、ビーム照射位置を補正す
れば、欠陥箇所を高精度に修正することができる。本実
施形態においては、実施形態１と同様の位置ずれ補正用
基板を用いることができる。

【００４１】なお、白欠陥を修正する場合には、例えば
ピレン等の有機物ガス雰囲気中で欠陥箇所にＧａイオン
ビーム６を照射して照射位置に炭素の薄膜を形成する。
この場合も、実施形態１または２と同様に、ステンシル
マスクの上方または下方に位置ずれ補正用基板を配置
し、位置ずれ補正用基板に設けられた位置ずれ補正用パ
ターンを単位時間毎に参照して、ビーム照射位置を補正
する。これにより、白欠陥を高精度に修正することがで
きる。

【００４２】上記の本実施形態における欠陥の修正方法
によれば、ステンシルマスク自体でなく、ステンシルマ
スクの上方に配置される位置ずれ補正用基板に位置ずれ
補正用パターンが形成される。したがって、パターン間
隔の狭い微細パターンをステンシルマスクに形成する場
合も、位置ずれ補正用パターンによってステンシルマス
クが破損することがない。

【００４３】位置ずれ補正用パターンを参照しながら欠
陥を修正することにより、ビームのドリフト等の影響に
よる修正箇所の位置ずれを防止できる。また、従来の欠
陥修正方法の場合、ステンシルマスクに設けられた位置
ずれ補正用パターンを、露光を行う前に埋め込む必要が
あるが、本実施形態によれば、欠陥修正の後、位置ずれ
補正用パターンを修復する必要がない。

【００４４】本発明のマスクの欠陥修正方法の実施形態
は、上記の説明に限定されない。例えば、上記のように
ＧＡＥを行うかわりに、ガス銃からのガスの供給を伴わ
ないイオンミリングによって欠陥を修正する場合にも、
本発明を適用できる。また、本発明の欠陥修正方法は、
電子ビームリソグラフィ用のステンシルマスクに限ら
ず、イオンビームリソグラフィやイオン注入等、他のプ
ロセスに使用されるステンシルマスクにも適用できる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更
が可能である。

【００４５】

【発明の効果】本発明のマスクの欠陥修正方法によれ
ば、パターン間隔の狭い微細パターンが形成されたステ
ンシルマスクにおいても、位置ずれ補正用パターンを参
照してビーム照射位置のずれを補正しながら欠陥を修正
することが可能となる。本発明のマスクの製造方法によ
れば、パターンを破壊せずにステンシルマスクの欠陥を
高精度に修正することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の実施形態１に係るマスクの欠陥
修正方法を示す断面図である。

【図２】図２は図１のステンシルマスクおよび位置ずれ
補正用基板の上面図である。

【図３】図３（ａ）および（ｂ）は本発明のマスクの欠
陥修正方法で用いられる位置ずれ補正用基板の断面図で
ある。

【図４】図４は本発明の実施形態２に係るマスクの欠陥
修正方法を示す断面図である。

【図５】図５は図４のステンシルマスクおよび位置ずれ
補正用基板の上面図である。

【図６】図６はステンシルマスクの黒欠陥を示す上面図
である。

【図７】図７はステンシルマスクの白欠陥を示す上面図
である。

【図８】図８は従来のマスクの欠陥修正方法において、
ステンシルマスクに設けられる位置ずれ補正用パターン
を示す上面図である。

【符号の説明】

１…ステンシルマスク、２…メンブレン、３…孔、４…
支持部、５…イオン源、６…Ｇａイオンビーム、７…ガ
ス銃、８…ステージ、９…位置ずれ補正用基板、１０…
黒欠陥、１１…位置ずれ補正用パターン、１２…２次イ
オン・２次電子検出器、１３…上層導電膜、１４…下層
導電膜、１０１…黒欠陥、１０２…パターン部分、１０
３…メンブレン、１０４…白欠陥、１０５…位置ずれ補
正用パターン。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H095 BA08 BA10 BD32 BD33 BD35 BD40 5F056 FA05

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】薄膜と、前記薄膜に所定のパターンで形成
   された孔とを有するマスクにおいて、前記パターンの一
   部に発生した欠陥を、前記薄膜の第１面側からイオンビ
   ームを照射して修正するマスクの欠陥修正方法であっ
   て、 一方の面に位置ずれ補正用パターンを有する位置ずれ補
   正用基板を、前記薄膜の第２面側に、前記位置ずれ補正
   用パターンが前記孔に面するように配置して、前記マス
   クとの相対位置を固定する工程と、 前記孔を介して前記位置ずれ補正用基板の一部にイオン
   ビームを入射させ、放出される２次イオンまたは２次電
   子を検出して、前記位置ずれ補正用パターンの位置を検
   出および記憶する工程と、 前記欠陥箇所に所定の時間イオンビームを照射して、前
   記欠陥を修正する工程と、 再び前記位置ずれ補正用基板にイオンビームを入射さ
   せ、放出される２次イオンまたは２次電子を検出して、
   前記位置ずれ補正用パターンの位置を検出し、記憶され
   ている前記位置ずれ補正用パターンの位置とのずれから
   ビーム照射位置のずれを求める工程と、 前記ビーム照射位置のずれを補正して、前記欠陥箇所に
   再びイオンビームを照射して、前記欠陥を修正する工程
   とを有するマスクの欠陥修正方法。
2. 【請求項２】前記欠陥は、孔となるべき部分に孔が形成
   されない黒欠陥であり、 前記欠陥箇所にイオンビームを照射する工程において、
   前記欠陥箇所にエッチングガスを供給し、ガスアシスト
   エッチングを行う請求項１記載のマスクの欠陥修正方
   法。
3. 【請求項３】前記欠陥は、孔となるべき部分に孔が形成
   されない黒欠陥であり、 前記欠陥箇所にイオンビームを照射する工程において、
   前記欠陥箇所のイオンミリングを行う請求項１記載のマ
   スクの欠陥修正方法。
4. 【請求項４】前記欠陥は、孔となるべきでない部分に孔
   が形成される白欠陥であり、 前記欠陥箇所にイオンビームを照射する工程において、
   有機物ガス雰囲気としビーム照射位置に炭素の薄膜を形
   成する請求項１記載のマスクの欠陥修正方法。
5. 【請求項５】前記位置ずれ補正用基板は第１の導電膜
   と、 前記第１の導電膜の下層に設けられた第２の導電膜と、 前記第１の導電膜に形成された開口部であって、底部に
   前記第２の導電膜が露出する前記位置ずれ補正用パター
   ンとを有し、 ２次イオンを検出して前記位置ずれ補正用パターンの位
   置を検出する請求項１記載のマスクの欠陥修正方法。
6. 【請求項６】前記位置ずれ補正用基板は第１の導電膜
   と、 前記第１の導電膜の下層に設けられた第２の導電膜と、 前記第１の導電膜に形成された開口部であって、底部に
   前記第２の導電膜が露出する前記位置ずれ補正用パター
   ンとを有し、 ２次電子を検出して前記位置ずれ補正用パターンの位置
   を検出する請求項１記載のマスクの欠陥修正方法。
7. 【請求項７】前記位置ずれ補正用基板は一方の面に形成
   された凹部である前記位置ずれ補正用パターンを有し、 ２次電子を検出して前記位置ずれ補正用パターンの位置
   を検出する請求項１記載のマスクの欠陥修正方法。
8. 【請求項８】薄膜と、前記薄膜に所定のパターンで形成
   された孔とを有するマスクにおいて、前記パターンの一
   部に発生した欠陥を、前記薄膜の第１面側からイオンビ
   ームを照射して修正するマスクの欠陥修正方法であっ
   て、 一方の面に位置ずれ補正用パターンを有する位置ずれ補
   正用基板を、前記位置ずれ補正用パターンが形成されて
   いない他方の面と前記薄膜の第１面とが対向するように
   配置して、前記マスクとの相対位置を固定する工程と、 前記位置ずれ補正用基板の一部にイオンビームを入射さ
   せ、放出される２次イオンまたは２次電子を検出して、
   前記位置ずれ補正用パターンの位置を検出および記憶す
   る工程と、 前記欠陥箇所に所定の時間イオンビームを照射して、前
   記欠陥を修正する工程と、 再び前記位置ずれ補正用基板にイオンビームを入射さ
   せ、放出される２次イオンまたは２次電子を検出して、
   前記位置ずれ補正用パターンの位置を検出し、記憶され
   ている前記位置ずれ補正用パターンの位置とのずれから
   ビーム照射位置のずれを求める工程と、 前記ビーム照射位置のずれを補正して、前記欠陥箇所に
   再びイオンビームを照射して、前記欠陥を修正する工程
   とを有するマスクの欠陥修正方法。
9. 【請求項９】前記欠陥は、孔となるべき部分に孔が形成
   されない黒欠陥であり、 前記欠陥箇所にイオンビームを照射する工程において、
   前記欠陥箇所にエッチングガスを供給し、ガスアシスト
   エッチングを行う請求項８記載のマスクの欠陥修正方
   法。
10. 【請求項１０】前記欠陥は、孔となるべき部分に孔が形
    成されない黒欠陥であり、 前記欠陥箇所にイオンビームを照射する工程において、
    前記欠陥箇所のイオンミリングを行う請求項８記載のマ
    スクの欠陥修正方法。
11. 【請求項１１】前記欠陥は、孔となるべきでない部分に
    孔が形成される白欠陥であり、 前記欠陥箇所にイオンビームを照射する工程において、
    有機物ガス雰囲気としビーム照射位置に炭素の薄膜を形
    成する請求項８記載のマスクの欠陥修正方法。
12. 【請求項１２】前記位置ずれ補正用基板は第１の導電膜
    と、 前記第１の導電膜の下層に設けられた第２の導電膜と、 前記第１の導電膜に形成された開口部であって、底部に
    前記第２の導電膜が露出する前記位置ずれ補正用パター
    ンとを有し、 ２次イオンを検出して前記位置ずれ補正用パターンの位
    置を検出する請求項８記載のマスクの欠陥修正方法。
13. 【請求項１３】前記位置ずれ補正用基板は第１の導電膜
    と、 前記第１の導電膜の下層に設けられた第２の導電膜と、 前記第１の導電膜に形成された開口部であって、底部に
    前記第２の導電膜が露出する前記位置ずれ補正用パター
    ンとを有し、 ２次電子を検出して前記位置ずれ補正用パターンの位置
    を検出する請求項８記載のマスクの欠陥修正方法。
14. 【請求項１４】前記位置ずれ補正用基板は一方の面に形
    成された凹部である前記位置ずれ補正用パターンを有
    し、 ２次電子を検出して前記位置ずれ補正用パターンの位置
    を検出する請求項８記載のマスクの欠陥修正方法。
15. 【請求項１５】薄膜に所定のパターンで孔を形成する工
    程と、 前記パターンを検証する工程と、 前記パターンの欠陥を、前記薄膜の第１面側からイオン
    ビームを照射して修正する工程とを有するマスクの製造
    方法であって、 前記パターンの欠陥を修正する工程は、一方の面に位置
    ずれ補正用パターンを有する位置ずれ補正用基板を、前
    記薄膜の第２面側に、前記位置ずれ補正用パターンが前
    記孔に面するように配置して、前記マスクとの相対位置
    を固定する工程と、 前記孔を介して前記位置ずれ補正用基板の一部にイオン
    ビームを入射させ、放出される２次イオンまたは２次電
    子を検出して、前記位置ずれ補正用パターンの位置を検
    出および記憶する工程と、 前記欠陥箇所に所定の時間イオンビームを照射して、前
    記欠陥を修正する工程と、 再び前記位置ずれ補正用基板にイオンビームを入射さ
    せ、放出される２次イオンまたは２次電子を検出して、
    前記位置ずれ補正用パターンの位置を検出し、記憶され
    ている前記位置ずれ補正用パターンの位置とのずれから
    ビーム照射位置のずれを求める工程と、 前記ビーム照射位置のずれを補正して、前記欠陥箇所に
    再びイオンビームを照射して、前記欠陥を修正する工程
    とを有するマスクの製造方法。
16. 【請求項１６】薄膜に所定のパターンで孔を形成する工
    程と、 前記パターンを検証する工程と、 前記パターンの欠陥を、前記薄膜の第１面側からイオン
    ビームを照射して修正する工程とを有するマスクの製造
    方法であって、 前記パターンの欠陥を修正する工程は、一方の面に位置
    ずれ補正用パターンを有する位置ずれ補正用基板を、前
    記位置ずれ補正用パターンが形成されていない他方の面
    と前記薄膜の第１面とが対向するように配置して、前記
    マスクとの相対位置を固定する工程と、 前記孔を介して前記位置ずれ補正用基板の一部にイオン
    ビームを入射させ、放出される２次イオンまたは２次電
    子を検出して、前記位置ずれ補正用パターンの位置を検
    出および記憶する工程と、 前記欠陥箇所に所定の時間イオンビームを照射して、前
    記欠陥を修正する工程と、 再び前記位置ずれ補正用基板にイオンビームを入射さ
    せ、放出される２次イオンまたは２次電子を検出して、
    前記位置ずれ補正用パターンの位置を検出し、記憶され
    ている前記位置ずれ補正用パターンの位置とのずれから
    ビーム照射位置のずれを求める工程と、 前記ビーム照射位置のずれを補正して、前記欠陥箇所に
    再びイオンビームを照射して、前記欠陥を修正する工程
    とを有するマスクの製造方法。