JP2004260056A - 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 - Google Patents
極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004260056A JP2004260056A JP2003050793A JP2003050793A JP2004260056A JP 2004260056 A JP2004260056 A JP 2004260056A JP 2003050793 A JP2003050793 A JP 2003050793A JP 2003050793 A JP2003050793 A JP 2003050793A JP 2004260056 A JP2004260056 A JP 2004260056A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- mask
- buffer
- multilayer film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】前記緩衝用薄膜4は前記多層膜2上の全面に備えられていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造プロセス中の、極限紫外線露光を用いたフォトリソグラフィ工程で使用される、極限紫外線露光用マスク、及びそのマスクを作製するためのブランク、並びにそのマスクを用いたパターン転写方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の微細化技術は常に進歩しており、微細化のためのフォトリソグラフィ技術に使用される光の波長は次第に短くなってきている。光源としては、現状、これまで使用されて来たKrFエキシマレーザ(波長248nm)からArFエキシマレーザ(波長193nm)に切り替わりつつあり、さらにその次にはF2エキシマレーザ(波長157nm)の使用が提案され、開発が行われている。
【0003】
しかしながら、F2エキシマレーザをもってしても、将来的な50nm以下の線幅を有するデバイスを作製するためのリソグラフィ技術として適用するには、露光機やレジストの課題もあり、容易ではない。このため、エキシマレーザ光より波長が一桁以上短い(10〜15nm)極限紫外線(Extreme UV、以下EUVと略記)を用いた、EUVリソグラフィの研究開発が進められている。
【0004】
EUV露光では、上述のように波長が短いため、物質の屈折率がほとんど真空の値に近く、材料間の光吸収の差も小さい。このため、EUV領域では従来の透過型の屈折光学系が組めず、反射光学系となり、従ってマスクも反射型マスクとなる。これまで開発されてきた一般的なEUVマスクは、Siウェハーやガラス基板上に、例えばMoとSiからなる2層膜を40層ほど積層した多層膜部分を高反射領域とし、その上に低反射領域(吸収領域)として金属性膜のパターンを形成した構造であった。高反射領域は、界面が急峻で、屈折率差が大きく、吸収がなるべく小さな2種類の膜を交互に積層し、隣接する2層から成る層対の厚さを露光波長の略2分の1として、2層膜を40対程度成膜したものである。この結果、各層対からの僅かな反射成分が干渉して強め合い、直入射に近いEUV光に対して比較的高い反射率を得ることが可能となる。
【0005】
従来の一般的なEUVマスクは、図11で示すように、Siウェハーやガラス等の基板11上に、例えばMoとSiからなる2層膜を、40層ほど積層した多層膜12部分を反射領域とし、その上に吸収領域として金属膜のパターン13を形成した構造である。さらに、反射領域である多層膜と吸収領域である金属膜の間には、SiO2膜やRu膜からなる緩衝(バッファー)膜14が使われている。緩衝膜14は、吸収膜のパターニングや欠陥修正の際に、多層膜へダメージを軽減する保護機能を持つ膜である。この緩衝膜14は、多層膜12の反射率が低下しないよう、吸収膜のパターニグ後は剥離されていたが、その際にも多層膜12への影響がないよう十分注意して剥離する必要があった。
【0006】
【非特許文献1】
小川「EUVリソグラフィの反射型マスク用多層膜」(光技術コンタクト、 Vol.39,No.5、2001、日本オプトメカトロニクス協会)p.292
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では、剥離しなくとも多層膜部の実質的な反射性能への影響がなく、さらに本来の機能としての多層膜の保護機能も有するように緩衝膜の構造、材料が規定されたEUV露光用マスク、およびそれを作製するためのブランク並びにそのマスクを用いたパターン形成方法を提供する。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1の発明は、基板上に、露光光を反射する領域となる多層膜を有し、前記多層膜上に吸収用となるパターニングされた薄膜、さらに前記多層膜と吸収性薄膜の間に緩衝用となる薄膜を有する極限紫外線露光用マスクにおいて、前記緩衝用薄膜は前記多層膜上の全面に備えられていることを特徴とする極限紫外線露光用マスクとしたものである。
【0009】
本発明の請求項2の発明は、基板上に、露光光を反射する領域となる多層膜を有し、前記多層膜上に吸収用となるパターニングされた薄膜、さらに前記多層膜と吸収性薄膜の間に緩衝用となる薄膜を有する極限紫外線露光用マスクにおいて、前記緩衝用薄膜は前記吸収用薄膜がパターニングの結果除去された多層膜上においても除去されずに残っていることを特徴とする極限紫外線露光用マスクとしたものである。
【0010】
本発明の請求項3の発明は、前記緩衝用薄膜の吸収用薄膜の無い部分、または前記緩衝用薄膜4の除去されずに残っている部分の厚さは300オングストローム以下であることを特徴とする、請求項1または2記載の極限紫外線露光用マスクとしたものである。
【0011】
本発明の請求項4の発明は、前記緩衝用膜の露光波長に対する消衰係数が、0.001から0.015の範囲にあることを特徴とする、請求項1から3いずれか1項記載の極限紫外線露光用マスクとしたものである。
【0012】
本発明の請求項5の発明は、前記緩衝用膜を構成する材料が、Zr、YもしくはSiを含む材料であることを特徴とする、請求項1から4いずれか1項記載の極限紫外線露光用マスクとしたものである。
【0013】
本発明の請求項6の発明は、請求項3〜5いずれか1項に記載の極限紫外線露光用マスクを前記低反射領域となる吸収性薄膜のパターニングにより作製するための、基板上に、露光光の高反射領域となる前記多層膜を有し、前記多層膜上に緩衝用薄膜および低反射領域となる前記吸収性薄膜をこの順に有することを特徴とする極限紫外線露光用マスクブランクとしたものである。
【0014】
本発明の請求項7の発明は、請求項1〜5いずれか1項に記載の極限紫外線露光用マスクを露光装置に設置し、前記マスクを用いたリソグラフィ法による露光転写を行ない、パターン形成を行なうことを特徴とするパターン転写方法としたものである。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図を用いて説明する。図1(a)は本発明のEUV露光用マスクの実施形態の例を断面で示した説明図である。本発明のEUV露光用マスクは、基板1上に、露光光を反射する領域となる多層膜2を有し、前記多層膜2上に吸収用となるパターニングされた薄膜3、さらに前記多層膜2と吸収性薄膜3の間に緩衝用となる薄膜4を有する極限紫外線露光用マスクを前提とする。そして、前記緩衝用薄膜4は前記多層膜2上の全面に備えられていることを特徴とする。
あるいは、前記緩衝用薄膜4は前記吸収用薄膜3がパターニングの結果除去された多層膜2上においても除去されずに残っていることを特徴とする。
このような構成にすることによって、吸収膜のパターニグ後の緩衝膜の剥離による影響を全くなくすることができる。
【0016】
なお、ここで低反射領域となる吸収性薄膜のパターン3は2層以上の多層膜からなるパターンである場合もあるが、本発明の主旨からは外れるので図1では省略する。
【0017】
また、本願発明のEUV露光用マスクは、前記緩衝用薄膜4の吸収用薄膜の無い部分、または前記緩衝用薄膜4の除去されずに残っている部分の厚さは300オングストローム以下とする。
【0018】
さらに、前記緩衝用膜4の露光波長に対する消衰係数が、0.001から0.015の範囲にあることとする。
【0019】
さらに、前記緩衝用膜4を構成する材料が、Zr、YもしくはSiを含む材料であることとする。
【0020】
このような構成にすることにより、本願発明のEUV露光用マスクが、緩衝膜4を剥離しなくとも多層膜2部の実質的な反射性能への影響がなく、さらに緩衝膜4が本来の機能としての多層膜2の保護機能も有することを以下に示す。
図2に示すように、本願発明のEUV露光用マスクの緩衝膜および多層膜より反射された露光光の反射率をRとする。これに対し、多層膜部のみからの反射率をR0とする。すなわち、
R :多層膜+緩衝膜の反射率
R0:多層膜部の反射率
であり、R0は従来構造マスクの多層膜部の反射率である。Rは多層膜上に緩衝膜を持つ本発明マスクの反射率であり、R0を100%としたときの値である。ここで、本発明の妥当性を、反射率比R/R0を計算して確認した結果で示す。
【0021】
(1)R/R0の、緩衝用薄膜の消衰係数(k)と膜厚(d)に対する傾向
図3は、緩衝用薄膜の消衰係数(k)と膜厚(d)に対するR/R0の値を、露光波長13nmとして算出し、プロットしたものである。この波長域における屈折率(n)は多くの材料で1に近く、0.9〜1.05の範囲にあるので、n=1として計算した。図から解るように、kやdが大きくなるほどR/R0は低下する。この傾向はnを変えても変わらない。
本発明の主旨はR/R0が100〜90%(すなわち緩衝膜による反射率の低下が1割以内であり、多層膜2部の実質的な反射性能への影響がない)になるような、緩衝用薄膜の構造若しくは材料を規定することにある。
波長13nm付近における消衰係数(k)は多くの材料で0.001〜0.04の範囲にあるが、kの大きい材料でR/R0を100〜90%以内に抑えようとすると、その分dを小さくせざるを得ない。dは実際のマスク作製の工程では、薄く残そうとするほど制御が難しくなる。その厚さの下限はおよそ50Å程度と考えられる。逆にdを大きく残そうとすると、kの小さい材料を探さねばならず、選択できる材料が限られる。
【0022】
(2)k(消衰係数)の規定
▲1▼d=100Åのとき
図4は、d=100Åのとき、nをパラメタとして、kに対してR/R0を計算した結果をプロットしたものである。nの値は1.05(上限値)、0.9(下限値)としてそれぞれ実線と点線で示した。このようにR/R0が90%以上であるためにはkはおよそ0.006以下である必要がある。
【0023】
▲2▼d=50Åのとき
図5は、d=50Åのとき、同様にnをパラメタとして、kに対してR/R0を計算した結果をプロットしたものである。nの値は1.05(上限値)、0.9(下限値)としてそれぞれ実線と点線で示した。両線はほぼ重なる。このようにkはおよそ0.015以下まで許容範囲となる。
【0024】
(3)d(膜厚)と材料の規定
▲1▼Zr(ジルコニウム、n=0.961、k=0.0035)の場合
図6は、材料としてZr(ジルコニウム、n=0.961、k=0.0035)を用いた場合、膜厚に対してR0を計算した結果をプロットしたものである。このようにdはほぼ150Åまで許容範囲となる。
また、Zrはフッ素系ガスや塩素系ガスなどの、吸収用薄膜のドライエッチングガスに対して、耐性が大きく、多層膜の保護という緩衝膜の機能上からも有力な材料である。
【0025】
▲2▼Y(イットリウム、n=0.9757、k=0.0022)の場合
図7は、材料としてY(イットリウム、n=0.9757、k=0.0022)を用いた場合、膜厚に対してR/R0を計算した結果をプロットしたものである。このようにdはほぼ300Åまで許容範囲となる。
なお、実用上緩衝膜として適用可能な材料のうち、Yはもっともkの小さい材料に属している。
【0026】
▲3▼Si(シリコン、n=1.0019、k=0.0018)の場合
図8は、材料としてSi(シリコン、n=1.0019、k=0.0018)の場合を用いた場合、膜厚に対してR/R0を計算した結果をプロットしたものである。このようにdはほぼ300Åまで許容範囲となる。
【0027】
▲4▼Hf(ハフニウム、n=0.964、k=0.033)の場合
図9は、材料としてHf(ハフニウム、n=0.964、k=0.033)を用いた場合、膜厚に対してR/R0を計算した結果をプロットしたものである。このように、dはほぼ10Å以下となり、実用上本発明マスクの緩衝膜とすることが難しい。
【0028】
▲5▼Ru(ルテニウム、n=0.897、k=0.0142)の場合
図10は、材料としてRu(ルテニウム、n=0.897、k=0.0142)を用いた場合、膜厚に対してR/R0を計算した結果をプロットしたものである。このように、dはほぼ50Å以下となり、本発明マスクの緩衝膜となり得るが余裕はない。
以上により、本発明による極限紫外線露光用マスクの緩衝膜の構造および材料規定の妥当性が示された。
【0029】
図1(b)は本発明のEUV露光用マスクブランクの実施形態の例を断面で示した説明図である。本例のブランクは、基板1上に、露光光の高反射領域となる多層膜2を有し、さらに前記多層膜2上に緩衝用薄膜4および低反射領域となる吸収性薄膜3’をこの順に有している。このブランクの吸収性薄膜3’は上記のような構成の材料を用いており、吸収性薄膜3’をパターニングすることにより図1(a)のマスクが得られる。
【0030】
本発明のEUVマスクおよびブランクは、従来どおりのマスク作製プロセスに準拠して作製できる。すなわち、Siウェハーやガラス基板上に、例えばMoとSiからなる多層膜を、通常のマグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法などにより、所望の層数の膜を積層して高反射領域とする。その上に緩衝膜を上記のような材料を用いて積層する。
【0031】
さらにその上に低反射(吸収)領域として、通常のマグネトロンスパッタリング法などにより薄膜を作製し、本発明のEUVハーフトーンマスク用ブランクが完成する。以下、通常のマスク作製プロセスに従って、低反射用薄膜のパターニングを行い、本発明のEUVハーフトーンマスクを作製する。すなわち、前記ブランク上に電子線レジストを塗布し、ベーキングを行った後、通常の電子線描画を行い、現像してレジストパターンを形成する。その後、このレジストパターンをマスクにして、低反射用薄膜のドライエッチングを行った後、レジストを剥離して、本発明のハーフトーンマスクが完成する。
尚、低反射用薄膜のドライエッチングにおいて、緩衝膜は下地多層膜の保護機能を有するとともに低反射用薄膜のオーバーエッチング時間に応じて薄くなり、図1(a)の構造となる。
【0032】
本発明によるフォトマスクを用いたパターン転写方法は、例えば、先ず被加工層を表面に形成した基板上にフォトレジスト層を設けたのち、本発明によるフォトマスクを介して反射した極限紫外線を選択的に照射する。
【0033】
次いで、現像工程において不必要な部分のフォトレジスト層を除去し、基板上にエッチングレジスト層のパターンを形成させたのち、このエッチングレジスト層のパターンをマスクとして被加工層をエッチング処理し、次いで、エッチングレジスト層のパターンを除去することにより、フォトマスクパターンに忠実なパターンを基板上に転写する方法である。
【0034】
【発明の効果】
本発明では、以上のような構成、作用をもつから、剥離しなくとも多層膜部の実質的な反射性能への影響がなく、さらに本来の機能としての多層膜の保護機能も有するように緩衝膜の構造、材料が規定されたEUV露光用マスク、およびそれを作製するためのブランク並びにそのマスクを用いたパターン形成方法とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明のEUV露光用マスクの実施形態の例を断面で示した説明図である。
(b)本発明のEUV露光用マスクブランクの実施形態の例を断面で示した説明図である。
【図2】本発明のEUV露光用マスクにおける反射光の例を断面で示した説明図である。
【図3】緩衝用薄膜の消衰係数(k)と膜厚(d)に対するR/R0の値を示したプロット図である。
【図4】膜厚(d)が100Åのときの緩衝用薄膜の消衰係数(k)に対するR/R0の値を示したプロット図である。
。
【図5】膜厚(d)が50Åのときの緩衝用薄膜の消衰係数(k)に対するR/R0の値を示したプロット図である。
【図6】Zrを用いた緩衝用薄膜の膜厚(d)に対するR/R0の値を示したプロット図である。
【図7】Yを用いた緩衝用薄膜の膜厚(d)に対するR/R0の値を示したプロット図である。
【図8】Siを用いた緩衝用薄膜の膜厚(d)に対するR/R0の値を示したプロット図である。
【図9】Hfを用いた緩衝用薄膜の膜厚(d)に対するR/R0の値を示したプロット図である。
【図10】Ruを用いた緩衝用薄膜の膜厚(d)に対するR/R0の値を示したプロット図である。
【図11】従来のEUV露光用マスクの例を断面で示した説明図である。
【符号の説明】
1・・・・基板
2…高反射多層膜
3…低反射薄膜パターン
3’…低反射薄膜(吸収性薄膜)
4・・・・緩衝膜
11・・・・基板
12…高反射多層膜
13…低反射薄膜パターン
14・・・・緩衝膜
Claims (7)
- 基板上に、露光光を反射する領域となる多層膜を有し、前記多層膜上に吸収用となるパターニングされた薄膜、さらに前記多層膜と吸収性薄膜の間に緩衝用となる薄膜を有する極限紫外線露光用マスクにおいて、前記緩衝用薄膜は前記多層膜上の全面に備えられていることを特徴とする極限紫外線露光用マスク。
- 基板上に、露光光を反射する領域となる多層膜を有し、前記多層膜上に吸収用となるパターニングされた薄膜、さらに前記多層膜と吸収性薄膜の間に緩衝用となる薄膜を有する極限紫外線露光用マスクにおいて、前記緩衝用薄膜は前記吸収用薄膜がパターニングの結果除去された多層膜上においても除去されずに残っていることを特徴とする極限紫外線露光用マスク。
- 前記緩衝用薄膜の吸収用薄膜の無い部分、または前記緩衝用薄膜4の除去されずに残っている部分の厚さは300オングストローム以下であることを特徴とする、請求項1または2記載の極限紫外線露光用マスク。
- 前記緩衝用膜の露光波長に対する消衰係数が、0.001から0.015の範囲にあることを特徴とする、請求項1から3いずれか1項記載の極限紫外線露光用マスク。
- 前記緩衝用膜を構成する材料が、Zr、YもしくはSiを含む材料であることを特徴とする、請求項1から4いずれか1項記載の極限紫外線露光用マスク。
- 請求項3〜5いずれか1項に記載の極限紫外線露光用マスクを前記低反射領域となる吸収性薄膜のパターニングにより作製するための、基板上に、露光光の高反射領域となる前記多層膜を有し、前記多層膜上に緩衝用薄膜および低反射領域となる前記吸収性薄膜をこの順に有することを特徴とする極限紫外線露光用マスクブランク。
- 請求項1〜5いずれか1項に記載の極限紫外線露光用マスクを露光装置に設置し、前記マスクを用いたリソグラフィ法による露光転写を行ない、パターン形成を行なうことを特徴とするパターン転写方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003050793A JP4501347B2 (ja) | 2003-02-27 | 2003-02-27 | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003050793A JP4501347B2 (ja) | 2003-02-27 | 2003-02-27 | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008277930A Division JP4605284B2 (ja) | 2008-10-29 | 2008-10-29 | 極限紫外線露光用マスク、極限紫外線露光用マスクブランク、およびパターン転写方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004260056A true JP2004260056A (ja) | 2004-09-16 |
JP4501347B2 JP4501347B2 (ja) | 2010-07-14 |
Family
ID=33116114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003050793A Expired - Lifetime JP4501347B2 (ja) | 2003-02-27 | 2003-02-27 | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4501347B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006179553A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びにパターン転写方法 |
JP2008072127A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Applied Materials Inc | 極紫外線(euv)フォトマスクのエッチング方法 |
JP2008085223A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線露光用マスクおよびそれを用いた半導体集積回路製造方法 |
JP2008085210A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線露光用マスク、その製造法、およびそれを用いた半導体集積回路製造方法 |
JP2012248676A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Nuflare Technology Inc | Euvマスクおよびその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09171952A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法及びそのレジストパターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法 |
JP2002122981A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射型フォトマスク |
JP2003318104A (ja) * | 2002-04-18 | 2003-11-07 | Samsung Electronics Co Ltd | キャッピング層を有する反射フォトマスクおよびその製造方法 |
-
2003
- 2003-02-27 JP JP2003050793A patent/JP4501347B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09171952A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法及びそのレジストパターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法 |
JP2002122981A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射型フォトマスク |
JP2003318104A (ja) * | 2002-04-18 | 2003-11-07 | Samsung Electronics Co Ltd | キャッピング層を有する反射フォトマスクおよびその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006179553A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びにパターン転写方法 |
JP4622504B2 (ja) * | 2004-12-21 | 2011-02-02 | 凸版印刷株式会社 | 極端紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びにパターン転写方法 |
JP2008072127A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Applied Materials Inc | 極紫外線(euv)フォトマスクのエッチング方法 |
JP2008085223A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線露光用マスクおよびそれを用いた半導体集積回路製造方法 |
JP2008085210A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線露光用マスク、その製造法、およびそれを用いた半導体集積回路製造方法 |
JP2012248676A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Nuflare Technology Inc | Euvマスクおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4501347B2 (ja) | 2010-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004207593A (ja) | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 | |
JP3037941B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク | |
US6544696B2 (en) | Embedded attenuated phase shift mask and method of making embedded attenuated phase shift mask | |
KR20190126725A (ko) | Euv 리소그래피용 마스크 및 그 제조 방법 | |
KR20180103719A (ko) | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크 | |
JP2924791B2 (ja) | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 | |
JP3993005B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 | |
JP4752555B2 (ja) | 極端紫外線露光用マスク及びマスクブランク並びにパターン転写方法 | |
JP4923923B2 (ja) | 極端紫外線露光用マスクおよびそれを用いた半導体集積回路製造方法 | |
JP2011222612A (ja) | Euv用反射型マスク及びeuv用反射型マスク製造方法 | |
CN111742259A (zh) | 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 | |
JPH07333829A (ja) | 光学素子およびその製造方法 | |
KR20090097493A (ko) | 극자외선 리소그라피용 마스크 및 그 형성 방법. | |
JP2008288361A (ja) | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法 | |
JP4501347B2 (ja) | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 | |
JP4923465B2 (ja) | 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク及びその製造方法並びにパターン転写方法 | |
JP4529359B2 (ja) | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 | |
JP2011249391A (ja) | 反射型フォトマスク及びその製造方法並びにパターン形成方法 | |
JPH11125896A (ja) | フォトマスクブランクス及びフォトマスク | |
JP4483355B2 (ja) | 極限紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びに転写方法 | |
JP4622504B2 (ja) | 極端紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びにパターン転写方法 | |
JP4605284B2 (ja) | 極限紫外線露光用マスク、極限紫外線露光用マスクブランク、およびパターン転写方法 | |
JP4613499B2 (ja) | 極限紫外線露光用マスク、ブランク、およびマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 | |
JP4691829B2 (ja) | 反射型投影露光マスク | |
JP2014192312A (ja) | 反射型位相シフトマスク及び製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090630 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100330 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100412 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4501347 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140430 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |