JP2006279036A - 多層スペクトル純度フィルタ、このようなスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置、デバイス製造方法及びそれによって製造されたデバイス - Google Patents
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- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 title claims abstract description 162
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 152
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 27
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 78
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 13
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 108010085603 SFLLRNPND Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70941—Stray fields and charges, e.g. stray light, scattered light, flare, transmission loss
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Atmospheric Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
【解決手段】多層スペクトル純度フィルタにより、極紫外(EUV)放射ビームのスペクトル純度が改善され、且つ、放射源から放出されるデブリスが収集される。
【選択図】図3
Description
1.ステップ・モード:マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(即ち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モード:放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(即ち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
3.その他のモード:プログラム可能パターン化デバイスを保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
冷間実験には図8に示す装置300が使用された。この装置300は、放射源302、ホイル・トラップ(FT)304、コレクタ306及び本発明によるZr/Siスペクトル純度フィルタ308を備えている。放射源302はXe源であり、高熱及びEUV負荷に対するスペクトル純度フィルタ308の抵抗をチェックするために使用される。
図9は、熱間実験を実施するための装置400を示したものである。この装置400は、Xe源402、FT404及び冷間実験に使用されたスペクトル純度フィルタ408を備えている。
AD 放射ビームの角強度分布を調整するための調整デバイス
B 放射ビーム
BD ビーム引渡しシステム
C 基板の目標部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN インテグレータ
LA、SO、302 放射源
MA パターン化デバイス(マスク)
MT サポート(マスク・テーブル)
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
O 光軸
PL、PS 投影システム
PM 第1の位置決めデバイス
PW 第2の位置決めデバイス
P1、P2 基板アライメント・マーク
W 基板
WT 基板テーブル
3 放射ユニット
7 ソース・チャンバ
8 コレクタ・チャンバ
9、304、404 ホイル・トラップ(FT)
10、306 コレクタ
11、100、200、308、408 スペクトル純度フィルタ
12 仮想ソース・ポイント
13、14 垂直入射リフレクタ
16 放射のビーム
17 パターン化されたビーム(放射ビーム)
18、19 反射エレメント
20 NAディスク
21 NAディスクに穿たれた開口
102、202 交番Zr/Si層
104 メッシュ
106、206 ベース
108、208 Zr層
110、210 Si層
300 冷間実験に使用された装置
400 熱間実験を実施するための装置
402 Xe源
410 孔
Claims (25)
- 交番層の多層構造を備えたリソグラフィ・スペクトル純度フィルタであって、望ましくない放射を反射するか或いは吸収することによって放射ビームのスペクトル純度を改善するようになされ、且つ、放射源から放出されるデブリスを収集するようになされたリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 前記スペクトル純度フィルタが、EUV放射が透過している間にDUV放射を反射するか或いは吸収するようになされた、請求項1に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 放射ビーム中のEUV放射の少なくとも90%を前記スペクトル純度フィルタを通して透過させることができる、請求項1に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 前記スペクトル純度フィルタを通して放射ビームを透過させることにより、DUV放射に対するEUV放射の比率が最大105倍改善される、請求項1に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 2層から200層の間の交番層が前記多層構造を形成している、請求項1に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 20層から50層の間の交番層が前記多層構造を形成している、請求項1に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 前記多層構造を形成している前記交番層の各々の厚さが約0.5nmから20nmまでの範囲である、請求項1に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 交番層の前記多層構造全体の厚さが約10nmから700nmまでの範囲である、請求項1に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 前記多層構造を形成している前記交番層が、Zr層とSi層、Zr層とB4C層、Mo層とSi層、Cr層とSc層、Mo層とC層及びNb層とSi層のうちの任意の組合せから形成される、請求項1に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 交番層の前記多層構造が前記多層構造中に埋め込まれたメッシュ様構造を有する、請求項1に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 前記メッシュ様構造の形態が、サイズが約1mm2の複数の開口を備えた蜂の巣の形態である、請求項10に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 交番層の前記多層構造がメッシュ様構造によって一方の側で支持された、請求項1に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 前記メッシュ様構造の形態が、サイズが約1mm2の複数の開口を備えた蜂の巣の形態である、請求項12に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 交番層の前記多層構造がメッシュ様構造によって両側で支持された、請求項13に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 前記メッシュ様構造の形態が、サイズが約1mm2の複数の開口を備えた蜂の巣の形態である、請求項10に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- 放射源からの収集可能なデブリスが、原子の粒子、超微小粒子及びイオンの任意の組合せから選択される、請求項1に記載のリソグラフィ・スペクトル純度フィルタ。
- リソグラフィ装置であって、
放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、
パターン化された放射ビームを形成するべく前記放射ビームの断面にパターンを付与するようになされたパターン化デバイスを支持するようになされたサポートと、
基板を保持するようになされた基板テーブルと、
パターン化された放射ビームを前記基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
交番層の多層構造を備えたスペクトル純度フィルタであって、望ましくない放射を反射するか或いは吸収することによって前記放射ビームのスペクトル純度を改善するようになされ、且つ、放射源から放出されるデブリスを収集するようになされたスペクトル純度フィルタとを備えたリソグラフィ装置。 - 前記スペクトル純度フィルタが、前記リソグラフィ装置のソース−コレクタ・モジュール内に配置された、請求項17に記載のリソグラフィ装置。
- 前記スペクトル純度フィルタが、前記リソグラフィ装置の前記照明システム内に配置された、請求項17に記載のリソグラフィ装置。
- 前記スペクトル純度フィルタが、コレクタの下流側で、且つ、前記放射ビームの中間焦点の上流側に配置された、請求項17に記載のリソグラフィ装置。
- 交番層の多層構造を備えたスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置であって、前記スペクトル純度フィルタが、望ましくない放射を反射するか或いは吸収することによって放射ビームのスペクトル純度を改善するようになされ、且つ、放射源から放出されるデブリスを収集するようになされたリソグラフィ装置。
- デバイス製造方法であって、
放射のビームを提供するステップと、
前記放射のビームをパターン化するステップと、
パターン化された放射のビームを前記基板の目標部分に投射するステップと、
交番層の多層構造を備えたスペクトル純度フィルタを使用して、望ましくない放射を反射するか或いは吸収することによって前記放射のビームのスペクトル純度を改善するステップとを含む方法。 - 放射源から放出されるデブリスを前記スペクトル純度フィルタを使用して収集するステップをさらに含む、請求項22に記載のデバイス製造方法。
- 請求項22に記載の方法に従って製造されたデバイス。
- 前記デバイスが、集積回路、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ若しくは薄膜磁気ヘッドである、請求項24に記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/091,923 US7372623B2 (en) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | Multi-layer spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010243313A Division JP5230712B2 (ja) | 2005-03-29 | 2010-10-29 | リソグラフィ・スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006279036A true JP2006279036A (ja) | 2006-10-12 |
JP4685667B2 JP4685667B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=36589238
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006067070A Expired - Fee Related JP4685667B2 (ja) | 2005-03-29 | 2006-03-13 | 多層スペクトル純度フィルタ、このようなスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010243313A Expired - Fee Related JP5230712B2 (ja) | 2005-03-29 | 2010-10-29 | リソグラフィ・スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010243313A Expired - Fee Related JP5230712B2 (ja) | 2005-03-29 | 2010-10-29 | リソグラフィ・スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7372623B2 (ja) |
EP (2) | EP2053464B1 (ja) |
JP (2) | JP4685667B2 (ja) |
KR (1) | KR100779700B1 (ja) |
CN (1) | CN1841098B (ja) |
DE (1) | DE602006015723D1 (ja) |
SG (2) | SG126096A1 (ja) |
TW (2) | TWI356976B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008268956A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Asml Netherlands Bv | ペリクル、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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