JP2015508231A - Euvマイクロリソグラフィ用投影レンズ、フィルム素子及びフィルム素子を備える投影レンズの製造方法 - Google Patents
Euvマイクロリソグラフィ用投影レンズ、フィルム素子及びフィルム素子を備える投影レンズの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015508231A JP2015508231A JP2014555979A JP2014555979A JP2015508231A JP 2015508231 A JP2015508231 A JP 2015508231A JP 2014555979 A JP2014555979 A JP 2014555979A JP 2014555979 A JP2014555979 A JP 2014555979A JP 2015508231 A JP2015508231 A JP 2015508231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- projection lens
- film
- film element
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 143
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 97
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 52
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 571
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 48
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 38
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 38
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 26
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 15
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 7
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 5
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910019899 RuO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910006249 ZrSi Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 262
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 41
- 230000006870 function Effects 0.000 description 33
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 22
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 5
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 5
- 101000934489 Homo sapiens Nucleosome-remodeling factor subunit BPTF Proteins 0.000 description 5
- 101100326803 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) fac-2 gene Proteins 0.000 description 5
- 102100025062 Nucleosome-remodeling factor subunit BPTF Human genes 0.000 description 5
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000007519 figuring Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003178 Mo2C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0896—Catadioptric systems with variable magnification or multiple imaging planes, including multispectral systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
- G21K1/062—Devices having a multilayer structure
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
多数のミラーを与えられた位置に取り付けるステップであって、ミラー表面を投影ビーム路で物体面と像面との間に配置し、物体面に配置されたパターンが、ミラーにより像面内に結像可能であるステップと、
投影レンズの波面収差を決定するステップと、
取り付け位置のために、投影レンズの波面収差から位置依存的な波面修正を計算するステップと、
フィルム素子を処理するステップであって、フィルム素子を取り付けられた位置で投影ビーム路内に挿入する場合、波面修正はフィルム素子の影響を受けるステップと、
処理されたフィルム素子を、取り付け位置に取り付けるステップ。
δ1= δ(Mo) = 0.076, β1 = β(Mo) = 0.006, δ2= δ(Si) = 0.001及びβ2 =β(Si) = 0.002.
Claims (38)
- 投影レンズの物体面(OS)に配置されたパターンを、極端紫外線(EUV)領域からの作動波長λを有する電磁放射により、前記投影レンズの像面(IS)に結像する投影レンズ(PO)であって、
ミラー表面を有する多数のミラー(M1-M6)であって、前記ミラー表面は投影ビーム路で前記物体面と像面との間に配置され、前記物体面に配置されたパターンは、前記ミラーにより前記像面に結像可能であるミラーを有する投影レンズにおいて、
波面修正装置(WFC)であって、該波面修正装置の作動モードにおける前記投影ビーム路に配置され、前記作動波長λにおいて、光学的使用領域に衝突するEUV線の主たる部分を伝導するフィルムを有するフィルム素子を備える波面修正装置を特徴とし、前記フィルム素子は、
第1層(L1)であって、該第1層(L1)は、第1複素屈折率n1 = (1-δ1) + iβ1を有する第1層材料からなり、第1光学層厚を有し、該第1光学層厚は前記使用領域全体に亘って、第1層厚プロフィールに従って局所的に変化する第1層(L1)と、
第2層(L2)であって、該第2層(L2)は、第2複素屈折率n2 = (1-δ2) + iβ2を有する第2層材料からなり、第2光学層厚を有し、該第2光学層厚は前記使用領域全体に亘って、第2層厚プロフィールに従って局所的に変化する第2層(L2)と
を有し、
前記第1層厚プロフィール及び第2層厚プロフィールが異なり、
第1屈折率の実部の1からの逸脱δ1が、前記第1層材料の吸収係数β1に対して大きく、第2屈折率の実部の1からの逸脱δ2が、前記第2層材料の吸収係数β2に対して小さいことを特徴とする投影レンズ。 - 請求項1に記載の投影レンズであって、前記フィルム素子は、前記投影ビームの全ての光線が前記光学的使用領域上に20度未満の入射角、特に10度未満の入射角で入射するよう、前記投影ビーム路に配置される投影レンズ。
- 請求項1又は2に記載の投影レンズであって、前記フィルム素子は、前記光学的使用領域全体に衝突するEUV線に対して少なくとも70%の透過率を有する投影レンズにおいて、前記透過率は好適には70%と90%との間である投影レンズ。
- 請求項1〜3の何れか一項に記載の投影レンズであって、少なくとも1つの瞳面を、前記物体面と像面との間に有し、前記フィルム素子は前記瞳面に、又は前記瞳面に対して光学的に近接して配置される投影レンズ。
- 請求項1〜4の何れか一項に記載の投影レンズであって、該投影レンズは前記物体面又は像面に光学的に近接するフィルム素子を有し、及び/又は中間像面が前記物体面と像面との間にあり、フィルム素子は前記中間像面に、又は前記中間像面に光学的に近接して配置され、前記フィルム素子は、好適には前記物体面と、前記物体面に直接続く第1ミラー(M1)との間に配置される投影レンズ。
- 請求項1〜5の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記フィルム素子は多層フィルムを備え、該多層フィルムは前記第1層及び第2層を有する投影レンズ。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記第1層は前記フィルム素子の第1フィルムに取り付けられ、前記第2層は前記フィルム素子の第2フィルムに取り付けられ、該第2フィルムは物理的に前記第1フィルムと分離する投影レンズ。
- 請求項7に記載の投影レンズであって、前記第1フィルムと第2フィルムとの間の幾何学的間隔は、10センチメートル未満、特に1センチメートル未満とし、及び/又は前記第1フィルムと第2フィルムとの間の光学的間隔は、前記第1フィルム及び第2フィルムのサブ開口率が、互いに0.05未満、特に0.01未満で逸脱する投影レンズ。
- 請求項1〜8の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記作動波長は5 nm乃至20 nmであり、第1効率比V1=δ1/β1は5を上回り、好適には10を上回り、及び/又は第2効率比はV2=δ2/β2は0.6未満、好適には0.2未満である投影レンズ。
- 請求項1〜9の何れか一項に記載の投影レンズであって、V1=δ1/β1及びV2=δ2/β2であり、V1/V2の比率は2を上回り、好適には10を上回り、特に20を上回る投影レンズ。
- 請求項1〜10の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記作動波長は7 nm乃至20 nmの波長範囲であり、前記第1層材料は以下の群より選ばれ;ルテニウム(Ru)、ジルコニウム(Zr)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、クロム(Cr)、ベリリウム(Be)、金(Au)、イットリウム(Y)、ケイ酸イットリウム(Y5Si3)、ケイ酸ジルコニウム(ZrSi2)、又は主としてこれらの材料の1つからなる材料組成、及び/又は前記第2層材料は、ケイ素(Si)及びゲルマニウム(Ge)からなる群より選ばれるか、又は主としてこれらの材料の1つからなる材料組成より選ばれる投影レンズ。
- 請求項1〜10の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記作動波長は、6 nmと7 nmとの間の作動波長の範囲にあり、前記第1層材料は以下の群より選ばれ;NbOB4C, NbO2, Nb2O5, RuO4, MoO2, Rh2O3, C, Te, In, Ba, Sn, RuO2, MoO3, La, B, B4C, BN, ZrO2、又は主としてこれらの材料の1つからなる材料組成より選ばれ、及び/又は前記第2層材料は、材料Y又はRbからなる群より選ばれ、又は主としてこれらの材料の1つからなる材料組成から選ばれる投影レンズ。
- 請求項1〜12の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記光学的使用領域の前記第1光学層厚の最大局所値と最小局所値との間の第1PV比率は2乃至6の範囲とし、及び/又は前記光学的使用領域の前記第2光学層厚の最大局所値と最小局所値との間の第2PV比率は、2乃至6の範囲である投影レンズ。
- 請求項1〜13の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記第2層厚プロフィールは前記第1層厚プロフィールに対して相補的である投影レンズ。
- 請求項1〜14の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記第1層及び第2層の層厚が、前記フィルムが最大波面変化の領域において、前記作動波長の少なくとも3%の波面変化を引き起こすよう設計されている投影レンズ。
- 請求項1〜15の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記第2層厚が、前記光学的使用領域の少なくとも1つの位置で、前記作動波長よりも大きい投影レンズ。
- 請求項1〜16の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記第1層は、前記光学的使用領域において、鏡面対称性、放射状対称性又は回転対称性のいずれをも有さない非対称的な第1層厚プロフィールを有する投影レンズ。
- 請求項1〜17の何れか一項に記載の投影レンズであって、フィルムは第1フィルム表面、第2フィルム表面、及び前記第1フィルム表面と第2フィルム表面との間で測定された1 μm未満のフィルム厚を有し、前記フィルム厚は好適には300 nm 以下、特に200 nmと25 nmとの間の範囲の投影レンズ。
- 請求項1〜18の何れか一項に記載の投影レンズであって、フィルムは少なくともの1つのフィルム表面において、保護層材料からなる外側の保護層を有し、前記保護層材料は、前記保護層直近の内側の層よりも周囲の影響に対する耐性が強く、前記保護層材料は好適には以下の群:ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、炭素(C)、ケイ素(Si)及びSi3N4(窒化ケイ素)から選択される投影レンズ。
- 請求項1〜19の何れか一項に記載の投影レンズであって、フィルムは単一の第1層のみ、及び/又は単一の第2層のみを備える投影レンズ。
- 請求項1〜20の何れか一項に記載の投影レンズであって、多層フィルムが、前記作動波長に対して反射低減効果を有する少なくとも1つの反射防止層を備え、該反射防止層は、第1層及び/又は第2層の直近に配置することが好適である投影レンズ。
- 請求項1〜21の何れか一項に記載の投影レンズであって、少なくとも1つの中間層を前記第1層と第2層との間に配置し、前記中間層は、好適には反射防止層及び/又は拡散バリア層とし、該反射防止層及び/又は拡散バリア層は、特にC, B4C, SixNy, SiC, Mo2C, MoSi2, Y5Si3 又はNb4Si、又はこれらの材料の1つを有する組成物からなる投影レンズ。
- 請求項1〜22の何れか一項に記載の投影レンズであって、多層フィルムが前記第1層及び第2層に加えて、10層を下回る更なる層を備える投影レンズ。
- 請求項1〜23の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記第1層及び/又は前記第2層が異質な層構造で構成され、モリブデンベースの前記第1層が、好適には内側の層構造を有し、該内側の層構造において、モリブデンより構成される比較的厚い部分層が結晶化ストップ層により分離され、該結晶化ストップ層は前記部分層と比較して薄い投影レンズ。
- 請求項1〜24の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記光学的使用領域は50 mm以上の最小直径を有し、特に前記最小直径は100 mm以上である投影レンズ。
- 請求項1〜25の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記フィルム素子は、格子状の支承構造を有し、該格子状の支承構造は前記光学的使用領域において前記フィルムと接触し、該フィルムを安定させ、前記格子状の支承構造は、好適にはハニカム構造を有し、該ハニカム構造は、六角形又は他の多角形の開口を形成する支柱を有する投影レンズ。
- 請求項1〜25の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記フィルム素子は、前記フィルムが前記光学的使用領域で自立支承するよう前記フィルムを支承するフレームを有する投影レンズ。
- 請求項1〜27の何れか一項に記載の投影レンズであって、前記投影レンズは、前記ミラーを前記投影ビーム路の前記ミラーの位置に保持するための支承構造を有し、前記フィルム素子が前記支承構造に対して可動な可変ホルダ上に配置され、前記フィルム素子は、前記可変ホルダを移動させることにより、前記投影ビーム路に又は投影ビーム路の外側に光学的に配置可能であり、好適には前記投影レンズ上に、前記フィルム素子の各取り付け位置に関して、前記フィルム素子を前記投影レンズのビーム路に配置するためのアクセスシャフトが備えられる投影レンズ。
- フィルム素子、特にEUVマイクロリソグラフィ用投影露光装置の投影レンズにおいて使用するフィルム素子であって、
フィルムであって、極端紫外線領域(EUV)からの作動波長λにおいて、光学的使用領域において前記フィルム素子に衝突するEUV線の主たる部分を伝導するフィルムを備え、前記フィルム素子は、
第1層であって、該第1層は、第1複素屈折率n1 = (1-δ1) + iβ1を有する第1層材料からなり、第1光学層厚を有し、該第1光学層厚は前記使用領域全体に亘って、第1層厚プロフィールに従って局所的に変化する第1層と、
第2層であって、該第2層は、第2複素屈折率n2 = (1-δ2) + iβ2を有する第2層材料からなり、第2光学層厚を有し、該第2光学層厚は前記使用領域全体に亘って、第2層厚プロフィールに従って局所的に変化する第2層と
を有し、
前記第1層厚プロフィール及び第2層厚プロフィールが異なり、
第1屈折率の実部の1からの逸脱δ1が、前記第1層材料の吸収係数β1に対して大きく、第2屈折率の実部の1からの逸脱δ2が、前記第2層材料の吸収係数β2に対して小さい投影レンズ。 - 請求項29に記載の投影レンズであって、前記フィルム素子は、前記光学的使用領域全体に衝突するEUV線に対して少なくとも70%の透過率を有する投影レンズにおいて、前記透過率は好適には70%と90%との間である投影レンズ。
- 請求項29又は30に記載のフィルム素子であって、請求項6乃至27の少なくとも1つの請求項の主要部の特徴を特徴とするフィルム素子。
- 投影レンズの物体面(OS)に配置されたパターンを、作動波長λ近辺の極端紫外線(EUV)領域からの電磁放射により、前記投影レンズの像面(IS)内に結像する投影レンズであって、
ミラー表面を有する多数のミラー(M1-M6)であって、前記ミラー表面は投影ビーム路で前記物体面と像面との間に配置され、前記物体面に配置されたパターンは、前記ミラーにより前記像面に結像可能であり、前記物体面と像面との間を走る投影ビームの光線が波面を形成する、多数のミラー(M1-M6)を有し、
波面修正装置(WFC)であって、前記波面修正装置(WFC)の少なくとも1つの作動モードにおける前記投影ビーム路に配置され、光学的使用領域において前記フィルム素子に衝突するEUV線の主たる部分を伝導するフィルム素子を備える波面修正装置を特徴とし、
前記波面が前記フィルム素子によって、前記像面における像形成に至る前記波面が、前記フィルム素子が投影ビーム路に存在する場合に、前記フィルム素子が存在しない場合よりも、前記波面の所望のプロフィールに近づくよう変更される投影レンズ。 - 請求項32に記載の投影レンズであって、前記フィルム素子は、前記投影ビームの全ての光線が前記光学的使用領域上に20度未満の入射角、特に10度未満の入射角で入射するよう、前記投影ビーム路に配置される投影レンズ。
- 請求項32又は33に記載の投影レンズであって、少なくとも1つの瞳面を、前記物体面と像面との間に有し、前記フィルム素子は前記瞳面に、又は前記瞳面に対して光学的に近接して配置される投影レンズ。
- 投影レンズの物体面(OS)に配置されたパターンを、作動波長λ近辺の極端紫外線(EUV)領域からの電磁放射により、前記投影レンズの像面(IS)内に結像する投影レンズであって、
ミラー表面を有する多数のミラー(M1-M6)であって、前記ミラー表面は投影ビーム路で前記物体面と像面との間に配置され、前記物体面に配置されたパターンは、前記ミラーにより前記像面に結像可能であり、前記物体面と像面との間を走る投影ビームの光線が波面を形成する、多数のミラー(M1-M6)を有し、
第1フィルム及び
前記第1フィルムとは分離した第2フィルムを有することを特徴とし、
各フィルムが、前記極端紫外線領域(EUV)からの作動波長λにおいて、光学的使用領域において前記フィルム素子に衝突するEUV線の主たる部分を伝導する投影レンズ。 - 請求項35に記載の投影レンズであって、少なくとも1つの瞳面を前記物体面と像面との間に有し、前記第1フィルム素子及び/又は第2フィルム素子は前記瞳面に、又は前記瞳面に対して光学的に近接して配置される投影レンズ。
- マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影レンズの製造方法であって、
多数のミラーを与えられた位置に取り付けるステップであって、ミラー表面を投影ビーム路内で物体面と像面との間に配置し、前記物体面に配置されたパターンが、前記ミラーにより前記像面内に結像可能であるステップと、
前記投影レンズの波面収差を決定するステップと
取り付け位置のために、前記投影レンズの波面収差から位置依存的な波面修正を計算するステップと、
フィルム素子を処理するステップであって、前記フィルム素子を取り付けられた位置で前記投影ビーム路内に挿入する場合、前記波面修正は前記フィルム素子の影響を受けるように前記フィルム素子を処理するステップと、
処理された前記フィルム素子を、取り付け位置に取り付けるステップと
を含む製造方法。 - 請求項37に記載の方法であって、前記波面収差の決定に先立ち、フィルム素子を前記投影ビーム路内部の既定の取り付け位置に取り付け、前記波面収差の決定後、前記フィルム素子を前記投影ビーム路から取り除き、それから、前記フィルム素子を取り付けられた位置で前記投影ビーム路内に挿入する場合、前記波面修正は前記フィルム素子の影響を受けるよう前記フィルム素子を処理する方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261597510P | 2012-02-10 | 2012-02-10 | |
DE102012202057.8 | 2012-02-10 | ||
DE102012202057.8A DE102012202057B4 (de) | 2012-02-10 | 2012-02-10 | Projektionsobjektiv für EUV-Mikrolithographie, Folienelement und Verfahren zur Herstellung eines Projektionsobjektivs mit Folienelement |
US61/597,510 | 2012-02-10 | ||
PCT/EP2013/000382 WO2013117343A1 (en) | 2012-02-10 | 2013-02-08 | Projection lens for euv microlithography, film element and method for producing a projection lens comprising a film element |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015508231A true JP2015508231A (ja) | 2015-03-16 |
JP2015508231A5 JP2015508231A5 (ja) | 2016-03-24 |
JP6294835B2 JP6294835B2 (ja) | 2018-03-14 |
Family
ID=48868329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014555979A Active JP6294835B2 (ja) | 2012-02-10 | 2013-02-08 | Euvマイクロリソグラフィ用投影レンズ、フィルム素子及びフィルム素子を備える投影レンズの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10001631B2 (ja) |
JP (1) | JP6294835B2 (ja) |
KR (1) | KR102079149B1 (ja) |
CN (1) | CN104136999B (ja) |
DE (1) | DE102012202057B4 (ja) |
TW (1) | TWI606261B (ja) |
WO (1) | WO2013117343A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108351499A (zh) * | 2015-11-09 | 2018-07-31 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 将物场成像到像场中的成像光学单元以及包括这样的成像光学单元的投射曝光设备 |
JP2020197715A (ja) * | 2017-07-05 | 2020-12-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv光学ユニットを有する計測システム |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014204660A1 (de) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
DE102014208039A1 (de) | 2014-04-29 | 2014-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Diffraktive und refraktive optische Elemente für EUV - Optiksysteme |
DE102014209348A1 (de) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Ermittlung einer korrigierten Größe |
JP6715241B2 (ja) | 2014-06-06 | 2020-07-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系 |
DE102015207153A1 (de) | 2015-04-20 | 2016-10-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Wellenfrontkorrekturelement zur Verwendung in einem optischen System |
TWI575299B (zh) * | 2015-05-08 | 2017-03-21 | 中強光電股份有限公司 | 照明系統以及投影裝置 |
DE102015209051B4 (de) * | 2015-05-18 | 2018-08-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv mit Wellenfrontmanipulator sowie Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage |
DE102015209173B4 (de) * | 2015-05-20 | 2018-11-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum herstellen eines objektivs für eine lithographieanlage |
JP6783801B2 (ja) | 2015-05-20 | 2020-11-11 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系の測定方法及び測定配列 |
DE102015220588A1 (de) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messverfahren und Messanordnung für ein abbildendes optisches System |
CN105022235B (zh) * | 2015-07-15 | 2017-04-05 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 具有半波带结构的极紫外光源收集镜的制作方法 |
DE102015219671A1 (de) | 2015-10-12 | 2017-04-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe, Projektionssystem, Metrologiesystem und EUV-Lithographieanlage |
DE102015221209A1 (de) | 2015-10-29 | 2017-05-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe mit einem Schutzelement und optische Anordnung damit |
US10254640B2 (en) * | 2016-02-16 | 2019-04-09 | AGC Inc. | Reflective element for mask blank and process for producing reflective element for mask blank |
DE102017202861A1 (de) | 2017-02-22 | 2017-04-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit multifunktionalem Pellikel und Verfahren zur Herstellung der Projektionsbelichtungsanlage |
DE102017203246A1 (de) | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Korrektur eines Spiegels für den Wellenlängenbereich von 5 nm bis 20 nm |
JP2020534674A (ja) * | 2017-09-20 | 2020-11-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置のための制御システム |
DE102018201495A1 (de) * | 2018-01-31 | 2019-01-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildendes optisches System für die Mikrolithographie |
DE102019209575A1 (de) | 2018-07-04 | 2020-01-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Verändern einer Oberflächenform mittels Teilchenbestrahlung |
DE102018213690A1 (de) | 2018-08-14 | 2019-08-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren für die EUV-Mikrolithographie |
EP3629085A1 (en) * | 2018-09-25 | 2020-04-01 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for measuring pupil shape |
DE102020207566B4 (de) | 2020-06-18 | 2023-02-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie |
DE102021204179A1 (de) | 2021-04-27 | 2022-04-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Optimierung eines Metrologiesystems zur Vermessung einer Lithografiemaske sowie Metrologiesystem |
DE102022100591B9 (de) | 2022-01-12 | 2023-10-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System, insbesondere zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie, und Strahlteiler zur Verwendung in einem solchen optischen System |
DE102022210352A1 (de) | 2022-09-29 | 2024-04-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Reflektometer und Messverfahren |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006279036A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Asml Netherlands Bv | 多層スペクトル純度フィルタ、このようなスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置、デバイス製造方法及びそれによって製造されたデバイス |
JP2007088237A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡及びeuv露光装置 |
JP2008270808A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、露光装置、デバイス製造方法、多層膜反射鏡の製造方法 |
JP2009124143A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Asml Holding Nv | 薄いフィルム状の連続的に空間的に調整された灰色減衰器及び灰色フィルタ |
JP2010097986A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19903807A1 (de) | 1998-05-05 | 1999-11-11 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
EP1282011B1 (de) * | 2001-08-01 | 2006-11-22 | Carl Zeiss SMT AG | Reflektives Projektionsobjektiv für EUV-Photolithographie |
US7027226B2 (en) * | 2001-09-17 | 2006-04-11 | Euv Llc | Diffractive optical element for extreme ultraviolet wavefront control |
US7074527B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-07-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating a mask using a hardmask and method for making a semiconductor device using the same |
SG112034A1 (en) * | 2003-11-06 | 2005-06-29 | Asml Netherlands Bv | Optical element, lithographic apparatus comprising such optical element and device manufacturing method |
US7214950B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-05-08 | Intel Corporation | Transition radiation apparatus |
JP2006278960A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Canon Inc | 露光装置 |
DE102005016591B4 (de) * | 2005-04-11 | 2009-11-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Transmissionsfilter für den EUV-Spektralbereich |
US7982854B2 (en) | 2005-04-20 | 2011-07-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure system, method for manufacturing a micro-structured structural member by the aid of such a projection exposure system and polarization-optical element adapted for use in such a system |
JP2007027212A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Canon Inc | フィルター、露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1950594A1 (de) | 2007-01-17 | 2008-07-30 | Carl Zeiss SMT AG | Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik |
EP2210147B1 (en) * | 2007-10-02 | 2013-05-22 | Universita Degli Studi Di Padova | Aperiodic multilayer structures |
DE102008041436A1 (de) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Membranelement |
NL2002884A1 (nl) * | 2008-06-09 | 2009-12-10 | Asml Holding Nv | Particle detection on patterning devices with arbitrary patterns. |
NL2003299A (en) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Asml Netherlands Bv | Spectral purity filter and lithographic apparatus. |
DE102008042356A1 (de) | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit |
DE102009035583A1 (de) | 2009-07-29 | 2011-02-03 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Vergrößernde abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik |
KR20130007533A (ko) * | 2009-12-09 | 2013-01-18 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 광학 부재 |
-
2012
- 2012-02-10 DE DE102012202057.8A patent/DE102012202057B4/de active Active
-
2013
- 2013-02-08 WO PCT/EP2013/000382 patent/WO2013117343A1/en active Application Filing
- 2013-02-08 JP JP2014555979A patent/JP6294835B2/ja active Active
- 2013-02-08 CN CN201380008896.1A patent/CN104136999B/zh active Active
- 2013-02-08 KR KR1020147022045A patent/KR102079149B1/ko active IP Right Grant
- 2013-02-08 TW TW102105232A patent/TWI606261B/zh active
-
2014
- 2014-08-08 US US14/454,939 patent/US10001631B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006279036A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Asml Netherlands Bv | 多層スペクトル純度フィルタ、このようなスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置、デバイス製造方法及びそれによって製造されたデバイス |
JP2007088237A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡及びeuv露光装置 |
JP2008270808A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、露光装置、デバイス製造方法、多層膜反射鏡の製造方法 |
JP2009124143A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Asml Holding Nv | 薄いフィルム状の連続的に空間的に調整された灰色減衰器及び灰色フィルタ |
JP2010097986A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108351499A (zh) * | 2015-11-09 | 2018-07-31 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 将物场成像到像场中的成像光学单元以及包括这样的成像光学单元的投射曝光设备 |
CN108351499B (zh) * | 2015-11-09 | 2021-04-09 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 将物场成像到像场中的成像光学单元以及包括这样的成像光学单元的投射曝光设备 |
JP2020197715A (ja) * | 2017-07-05 | 2020-12-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv光学ユニットを有する計測システム |
JP7216684B2 (ja) | 2017-07-05 | 2023-02-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv光学ユニットを有する計測システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201337324A (zh) | 2013-09-16 |
CN104136999B (zh) | 2017-07-28 |
JP6294835B2 (ja) | 2018-03-14 |
TWI606261B (zh) | 2017-11-21 |
CN104136999A (zh) | 2014-11-05 |
US20140347721A1 (en) | 2014-11-27 |
WO2013117343A1 (en) | 2013-08-15 |
DE102012202057B4 (de) | 2021-07-08 |
DE102012202057A1 (de) | 2013-08-14 |
KR20140130117A (ko) | 2014-11-07 |
US10001631B2 (en) | 2018-06-19 |
KR102079149B1 (ko) | 2020-02-19 |
US20170261730A9 (en) | 2017-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6294835B2 (ja) | Euvマイクロリソグラフィ用投影レンズ、フィルム素子及びフィルム素子を備える投影レンズの製造方法 | |
JP4876149B2 (ja) | リソグラフィ装置における使用のためのスペクトル純度フィルタ | |
CN102736444B (zh) | 用于调节辐射束的光学设备、光刻设备和器件制造方法 | |
JP6504506B2 (ja) | ファセットミラー | |
JP5475756B2 (ja) | スペクトル純度フィルタを形成する方法 | |
JP5026788B2 (ja) | マイクロリソグラフィの照明システム | |
CN103380401B (zh) | 掠入射反射器、光刻设备、掠入射反射器制造方法及器件制造方法 | |
TWI534557B (zh) | 微影裝置、光譜純度濾光器及元件製造方法 | |
JP6731415B2 (ja) | Euv多層ミラー、多層ミラーを含む光学系及び多層ミラーを製造する方法 | |
JP5637702B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2012518270A (ja) | 多層ミラーおよびリソグラフィ装置 | |
CN102621815B (zh) | 用于光刻设备的反射光学部件及器件制造方法 | |
TWI510821B (zh) | 光譜純度濾光器 | |
JP2013540349A (ja) | 投影露光システム及び投影露光方法 | |
US10203435B2 (en) | EUV mirror and optical system comprising EUV mirror | |
JP5497016B2 (ja) | 多層ミラーおよびリソグラフィ装置 | |
JP6309535B2 (ja) | Euvリソグラフィー用反射性光学素子及びその製造方法 | |
CN102736441B (zh) | 多层反射镜和光刻设备 | |
JP2003077805A (ja) | 光学系の製造方法およびeuv露光装置 | |
Goldberg et al. | Ultra-high-accuracy optical testing: creating diffraction-limited short-wavelength optical systems | |
Lüttgenau et al. | Design and realization of an industrial stand-alone EUV resist qualification setup | |
NL2005118A (en) | Spectral purity filters for use in a lithographic apparatus. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160204 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160413 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180123 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6294835 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |